JPH0548061A - 密着型リニアセンサー - Google Patents
密着型リニアセンサーInfo
- Publication number
- JPH0548061A JPH0548061A JP3228886A JP22888691A JPH0548061A JP H0548061 A JPH0548061 A JP H0548061A JP 3228886 A JP3228886 A JP 3228886A JP 22888691 A JP22888691 A JP 22888691A JP H0548061 A JPH0548061 A JP H0548061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- linear sensor
- sensor chip
- substrate
- resin
- contact type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Die Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板とリニアセンサーチップとの膨張率が異
なるものであっても、温度変化等による伸縮差でリニア
センサーチップ内に発生する応力を緩和し、かつ2本の
リニアセンサーチップが基板に対して位置ずれしない密
着型リニアセンサーを提供することを目的とする。 【構成】 基板2上に設けた第1のリニアセンサーチッ
プ3と、一端41をこの第1のリニアセンサーチップ3
に対向させ、かつその長辺方向と略平行に第2のリニア
センサーチップ4を設ける。そして、この第1、第2の
リニアセンサーチップが対向する一端31、41を基板
2上に接着する第1の樹脂と、各他端32、42を基板
2上に各々接着する第2の樹脂とから成るものであっ
て、第1の樹脂としてエポキシ樹脂5を、第2の樹脂と
して第1の樹脂より軟質なゴム系接着剤6を用いたもの
から成る。
なるものであっても、温度変化等による伸縮差でリニア
センサーチップ内に発生する応力を緩和し、かつ2本の
リニアセンサーチップが基板に対して位置ずれしない密
着型リニアセンサーを提供することを目的とする。 【構成】 基板2上に設けた第1のリニアセンサーチッ
プ3と、一端41をこの第1のリニアセンサーチップ3
に対向させ、かつその長辺方向と略平行に第2のリニア
センサーチップ4を設ける。そして、この第1、第2の
リニアセンサーチップが対向する一端31、41を基板
2上に接着する第1の樹脂と、各他端32、42を基板
2上に各々接着する第2の樹脂とから成るものであっ
て、第1の樹脂としてエポキシ樹脂5を、第2の樹脂と
して第1の樹脂より軟質なゴム系接着剤6を用いたもの
から成る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、OA機器等の読み取り
装置として使用する密着型リニアセンサーに関するもの
である。
装置として使用する密着型リニアセンサーに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、リニアセンサーには、主に縮小型
リニアセンサーと密着型リニアセンサーとがある。前者
は、被写体からの情報をレンズ系を介して縮小し、リニ
アセンサーチップで読み取る構造である。また後者は、
レンズ系を介さず、被写体の情報を1対1で読み取る構
造である。この密着型リニアセンサーは上述の如く、被
写体の情報を1対1で読み取るため、少なくとも被写体
の幅以上の長さのリニアセンサーチップが必要となる。
このような1本の細長状のリニアセンサーチップを形成
するには、この長さより大径のウェハが必要となる。し
かし、このような大径のウェハを得るのは非常に困難で
ある。そのため、リニアセンサーチップを2分割して形
成し、この2本のセンサーチップと膨張率が比較的等し
い石英基板上で連結して接着することで所定長の密着型
リニアセンサーを構成している。このような密着型リニ
アセンサーのうち、コストダウンという観点から、この
2本のリニアセンサーチップを搭載する基板として高価
な石英基板を使用せず、その代わりに、ガラスエポキシ
樹脂の基板を使用した密着型リニアセンサーが多く使用
されるようになってきた。
リニアセンサーと密着型リニアセンサーとがある。前者
は、被写体からの情報をレンズ系を介して縮小し、リニ
アセンサーチップで読み取る構造である。また後者は、
レンズ系を介さず、被写体の情報を1対1で読み取る構
造である。この密着型リニアセンサーは上述の如く、被
写体の情報を1対1で読み取るため、少なくとも被写体
の幅以上の長さのリニアセンサーチップが必要となる。
このような1本の細長状のリニアセンサーチップを形成
するには、この長さより大径のウェハが必要となる。し
かし、このような大径のウェハを得るのは非常に困難で
ある。そのため、リニアセンサーチップを2分割して形
成し、この2本のセンサーチップと膨張率が比較的等し
い石英基板上で連結して接着することで所定長の密着型
リニアセンサーを構成している。このような密着型リニ
アセンサーのうち、コストダウンという観点から、この
2本のリニアセンサーチップを搭載する基板として高価
な石英基板を使用せず、その代わりに、ガラスエポキシ
樹脂の基板を使用した密着型リニアセンサーが多く使用
されるようになってきた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記2本のリ
ニアセンサーチップがガラスエポキシ樹脂の基板上で接
着された密着型リニアセンサーには、以下のような問題
がある。すなわち、基板と膨張率の異なるリニアセンサ
ーチップとを基板上で接着すると、温度変化等による基
板とリニアセンサーチップとの伸縮差によりリニアセン
サーチップ内に応力が発生し、変形、亀裂、及び接着部
のはがれ等が起きる。したがって、2本のリニアセンサ
ーチップと基板とを軟質の樹脂で接着すれば、この伸縮
差による応力を緩和できるが、2本のリニアセンサーチ
ップの基板に対する位置ずれが起こるため、被写体の情
報を正確に読み取ることができない。よって本発明は、
基板とリニアセンサーチップとの膨張率が異なるもので
あっても、温度変化等による伸縮差でリニアセンサーチ
ップ内に発生する応力を緩和し、かつ2本のリニアセン
サーチップの基板に対する位置ずれが起きない密着型リ
ニアセンサーを提供することを目的とする。
ニアセンサーチップがガラスエポキシ樹脂の基板上で接
着された密着型リニアセンサーには、以下のような問題
がある。すなわち、基板と膨張率の異なるリニアセンサ
ーチップとを基板上で接着すると、温度変化等による基
板とリニアセンサーチップとの伸縮差によりリニアセン
サーチップ内に応力が発生し、変形、亀裂、及び接着部
のはがれ等が起きる。したがって、2本のリニアセンサ
ーチップと基板とを軟質の樹脂で接着すれば、この伸縮
差による応力を緩和できるが、2本のリニアセンサーチ
ップの基板に対する位置ずれが起こるため、被写体の情
報を正確に読み取ることができない。よって本発明は、
基板とリニアセンサーチップとの膨張率が異なるもので
あっても、温度変化等による伸縮差でリニアセンサーチ
ップ内に発生する応力を緩和し、かつ2本のリニアセン
サーチップの基板に対する位置ずれが起きない密着型リ
ニアセンサーを提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するためになされた密着型リニアセンサーであ
る。すなわち、基板上に設けた第1のリニアセンサーチ
ップと、一端をこの第1のリニアセンサーチップに対向
させるとともに第1のリニアセンサーチップの長辺方向
と略平行に設けた第2のリニアセンサーチップと、第1
のリニアセンサーチップの一端側と第2のリニアセンサ
ーチップの一端側とを基板上に接着する第1の樹脂と、
第1、第2のリニアセンサーチップの各他端を基板上に
各々接着する第2の樹脂とによって構成したもので、そ
のうち第2の樹脂を、第1の樹脂より軟質なものにした
ことから成るものである。
を解決するためになされた密着型リニアセンサーであ
る。すなわち、基板上に設けた第1のリニアセンサーチ
ップと、一端をこの第1のリニアセンサーチップに対向
させるとともに第1のリニアセンサーチップの長辺方向
と略平行に設けた第2のリニアセンサーチップと、第1
のリニアセンサーチップの一端側と第2のリニアセンサ
ーチップの一端側とを基板上に接着する第1の樹脂と、
第1、第2のリニアセンサーチップの各他端を基板上に
各々接着する第2の樹脂とによって構成したもので、そ
のうち第2の樹脂を、第1の樹脂より軟質なものにした
ことから成るものである。
【0005】
【作用】第1のリニアセンサーチップの一端と、第2の
リニアセンサーチップの一端とを基板上に接着する第1
の樹脂と、第1、第2のリニアセンサーチップの各他端
を基板上に各々接着する第2の樹脂において、第2の樹
脂は、第1の樹脂より軟質であるので、基板とリニアセ
ンサーチップとの膨張率の差から発生する応力がリニア
センサーチップ自体にかからず、かつ第1、第2のリニ
アセンサーチップの基板に対する位置ずれがない。
リニアセンサーチップの一端とを基板上に接着する第1
の樹脂と、第1、第2のリニアセンサーチップの各他端
を基板上に各々接着する第2の樹脂において、第2の樹
脂は、第1の樹脂より軟質であるので、基板とリニアセ
ンサーチップとの膨張率の差から発生する応力がリニア
センサーチップ自体にかからず、かつ第1、第2のリニ
アセンサーチップの基板に対する位置ずれがない。
【0006】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明を説明する平面図、図2は第1、第2
のリニアセンサーチップが対向する一端の拡大図であ
る。図1に示す如く、基板2上で第1のリニアセンサー
チップ3の一端を対向させるとともに第1のリニアセン
サーチップ3の長辺方向と略平行となる状態に第2のリ
ニアセンサーチップ4が接着されている。これら第1、
第2のリニアセンサーチップ3、4の各々対向する一端
31、41は基板2上で第1の樹脂、例えばエポキシ樹
脂5にて接着されている。また、第1、第2のリニアセ
ンサーチップ3、4の各他端32、42は基板2上で第
2の樹脂、例えばゴム系接着剤6にて各々接着されてい
る。そして、第1、第2のリニアセンサーチップ3、4
は、図示しない基板2上のプリント配線とボンディング
ワイヤー7にて接続されている。このゴム系接着剤6
は、エポキシ樹脂5より軟質なので、基板2と第1、第
2のリニアセンサーチップ3、4との膨張率の差から第
1、第2リニアセンサーチップ3、4に発生する伸縮
は、各他端32、42側のみが変位することになる。
る。図1は本発明を説明する平面図、図2は第1、第2
のリニアセンサーチップが対向する一端の拡大図であ
る。図1に示す如く、基板2上で第1のリニアセンサー
チップ3の一端を対向させるとともに第1のリニアセン
サーチップ3の長辺方向と略平行となる状態に第2のリ
ニアセンサーチップ4が接着されている。これら第1、
第2のリニアセンサーチップ3、4の各々対向する一端
31、41は基板2上で第1の樹脂、例えばエポキシ樹
脂5にて接着されている。また、第1、第2のリニアセ
ンサーチップ3、4の各他端32、42は基板2上で第
2の樹脂、例えばゴム系接着剤6にて各々接着されてい
る。そして、第1、第2のリニアセンサーチップ3、4
は、図示しない基板2上のプリント配線とボンディング
ワイヤー7にて接続されている。このゴム系接着剤6
は、エポキシ樹脂5より軟質なので、基板2と第1、第
2のリニアセンサーチップ3、4との膨張率の差から第
1、第2リニアセンサーチップ3、4に発生する伸縮
は、各他端32、42側のみが変位することになる。
【0007】図2に示す如く、第1、第2のリニアセン
サーチップ3、4上には、この長辺方向と略平行に画素
33、43がそれぞれの一端31、41まで形成されて
いる。そして基板2上で第1のリニアセンサーチップ3
の一端31と第2のリニアセンサーチップ4の一端41
とが対向しており、さらに画素33と画素43とのピッ
チが連続するようにリニアセンサーチップ3、4を位置
決めしてエポキシ樹脂5にて接着している。これにより
2本のリニアセンサーチップが1本の細長状のリニアセ
ンサーチップと同様の形状となる。
サーチップ3、4上には、この長辺方向と略平行に画素
33、43がそれぞれの一端31、41まで形成されて
いる。そして基板2上で第1のリニアセンサーチップ3
の一端31と第2のリニアセンサーチップ4の一端41
とが対向しており、さらに画素33と画素43とのピッ
チが連続するようにリニアセンサーチップ3、4を位置
決めしてエポキシ樹脂5にて接着している。これにより
2本のリニアセンサーチップが1本の細長状のリニアセ
ンサーチップと同様の形状となる。
【0008】図3は本発明の他の実施例を説明する図で
ある。図3に示す如く、第1、第2のリニアセンサーチ
ップ3、4上の画素33、43はそれぞれ一端31、4
1まで形成されていない。したがって、第2のリニアセ
ンサーチップ4を第1のリニアセンサーチップ3の短辺
方向にずらした後、第1のリニアセンサーチップ3の画
素33と第2のリニアセンサーチップ4の画素43との
ピッチが合うように、第1のリニアセンサーチップ3の
長辺方向に移動して位置決めした後、エポキシ樹脂5に
て基板2上に接着する。この状態では、第1のリニアセ
ンサーチップ3の画素33と第2のリニアセンサーチッ
プ4の画素43とが短辺方向にずれているが、信号処理
にてこのずれ量を補正すれば、第1のリニアセンサーチ
ップ3と第2のリニアセンサーチップ4の各画素が連続
したものと等価になる。
ある。図3に示す如く、第1、第2のリニアセンサーチ
ップ3、4上の画素33、43はそれぞれ一端31、4
1まで形成されていない。したがって、第2のリニアセ
ンサーチップ4を第1のリニアセンサーチップ3の短辺
方向にずらした後、第1のリニアセンサーチップ3の画
素33と第2のリニアセンサーチップ4の画素43との
ピッチが合うように、第1のリニアセンサーチップ3の
長辺方向に移動して位置決めした後、エポキシ樹脂5に
て基板2上に接着する。この状態では、第1のリニアセ
ンサーチップ3の画素33と第2のリニアセンサーチッ
プ4の画素43とが短辺方向にずれているが、信号処理
にてこのずれ量を補正すれば、第1のリニアセンサーチ
ップ3と第2のリニアセンサーチップ4の各画素が連続
したものと等価になる。
【0009】また、本発明はいずれも2本のリニアセン
サーチップにより構成されているので、この構成を複数
個接続すれば、さらに長い密着型リニアセンサーとして
利用することができる。
サーチップにより構成されているので、この構成を複数
個接続すれば、さらに長い密着型リニアセンサーとして
利用することができる。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように本発明の密着型リニ
アセンサーによれば、基板と2本のリニアセンサーチッ
プとの膨張率が異なるものであっても、温度変化等によ
る伸縮差でリニアセンサーチップ内に発生する応力を緩
和することができ、リニアセンサーチップの変形、亀
裂、及び接着部のはがれ等が発生しない。また、2本の
リニアセンサーチップが基板に対して位置ずれしないの
で、被写体の情報を正確に読み取ることができる。した
がって、基板とリニアセンサーチップとの膨張率の差を
考慮することなく密着型リニアセンサーを設計すること
ができる。また、通常の大きさのウェハを使用してリニ
アセンサーチップを製造できるので、コストダウンや歩
留り向上が図れる。
アセンサーによれば、基板と2本のリニアセンサーチッ
プとの膨張率が異なるものであっても、温度変化等によ
る伸縮差でリニアセンサーチップ内に発生する応力を緩
和することができ、リニアセンサーチップの変形、亀
裂、及び接着部のはがれ等が発生しない。また、2本の
リニアセンサーチップが基板に対して位置ずれしないの
で、被写体の情報を正確に読み取ることができる。した
がって、基板とリニアセンサーチップとの膨張率の差を
考慮することなく密着型リニアセンサーを設計すること
ができる。また、通常の大きさのウェハを使用してリニ
アセンサーチップを製造できるので、コストダウンや歩
留り向上が図れる。
【図1】本発明を説明する平面図である。
【図2】第1、第2リニアセンサーチップの対向する一
端の拡大図である。
端の拡大図である。
【図3】本発明の他の実施例を説明する図である。
1 密着型リニアセンサー 2 基板 3 第1のリニアセンサーチップ 4 第2のリニアセンサーチップ 5 エポキシ樹脂 6 ゴム系接着剤
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に設けた第1のリニアセンサーチ
ップと、一端を前記第1のリニアセンサーチップに対向
させるとともに前記第1のリニアセンサーチップの長辺
方向と略平行に設けた第2のリニアセンサーチップと、 前記第1のリニアセンサーチップの一端側と前記第2の
リニアセンサーチップの一端側とを前記基板上に接着す
る第1の樹脂と、 前記第1、第2のリニアセンサーチップの各他端を前記
基板上に各々接着する第2の樹脂とから成るものであっ
て、 前記第2の樹脂は、前記第1の樹脂より軟質であること
を特徴とする密着型リニアセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228886A JPH0548061A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 密着型リニアセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228886A JPH0548061A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 密着型リニアセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548061A true JPH0548061A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16883403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3228886A Pending JPH0548061A (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 密着型リニアセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018026491A (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | リニアイメージセンサおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP3228886A patent/JPH0548061A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018026491A (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | リニアイメージセンサおよびその製造方法 |
| WO2018030147A1 (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | リニアイメージセンサおよびその製造方法 |
| US10886316B2 (en) | 2016-08-12 | 2021-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Linear image sensor and method for manufacturing same |
| US11282880B2 (en) | 2016-08-12 | 2022-03-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Linear image sensor and method for manufacturing same |
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