JPH0548242A - 金属銅皮膜のエツチング方法 - Google Patents
金属銅皮膜のエツチング方法Info
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- JPH0548242A JPH0548242A JP3205090A JP20509091A JPH0548242A JP H0548242 A JPH0548242 A JP H0548242A JP 3205090 A JP3205090 A JP 3205090A JP 20509091 A JP20509091 A JP 20509091A JP H0548242 A JPH0548242 A JP H0548242A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 はんだ皮膜をエッチングマスクにしそのエッ
チング対象である金属銅皮膜のサイドエッチングを低減
できるエッチング方法を提供すること。 【構成】 ガラスエポキシ基板1上に形成された銅箔1
0と銅メッキ層2から成る金属銅皮膜をこの皮膜の面上
に設けられたはんだ皮膜3をエッチングマスクにしてエ
ッチングし、金属銅皮膜の膜厚が半分になった時点でエ
ッチングを一旦停止し、次いで上記はんだ皮膜3を加熱
溶融しかつエッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端
面15をこの溶融はんだにより被覆した後、エッチング
を再開させて残りの金属銅皮膜をエッチングする方法。
この方法によると後段のエッチング処理の際、前段のエ
ッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端面15を溶融
はんだが被覆していることからその部位のサイドエッチ
ングが防げるため、全膜厚を一度にエッチングする場合
に較べサイドエッチング量を低減できる。
チング対象である金属銅皮膜のサイドエッチングを低減
できるエッチング方法を提供すること。 【構成】 ガラスエポキシ基板1上に形成された銅箔1
0と銅メッキ層2から成る金属銅皮膜をこの皮膜の面上
に設けられたはんだ皮膜3をエッチングマスクにしてエ
ッチングし、金属銅皮膜の膜厚が半分になった時点でエ
ッチングを一旦停止し、次いで上記はんだ皮膜3を加熱
溶融しかつエッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端
面15をこの溶融はんだにより被覆した後、エッチング
を再開させて残りの金属銅皮膜をエッチングする方法。
この方法によると後段のエッチング処理の際、前段のエ
ッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端面15を溶融
はんだが被覆していることからその部位のサイドエッチ
ングが防げるため、全膜厚を一度にエッチングする場合
に較べサイドエッチング量を低減できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、金属銅皮膜の面上にパ
ターン状に形成されたはんだ皮膜をエッチングマスクに
して、例えばプリント配線板の製造等に利用される金属
銅皮膜のエッチング方法に係り、特に、エッチング対象
である金属銅皮膜のサイドエッチングを低減できるエッ
チング方法の改良に関するものである。
ターン状に形成されたはんだ皮膜をエッチングマスクに
して、例えばプリント配線板の製造等に利用される金属
銅皮膜のエッチング方法に係り、特に、エッチング対象
である金属銅皮膜のサイドエッチングを低減できるエッ
チング方法の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種のエッチング方法は上述したよう
にプリント配線板の製造等に広く利用されているが、以
下、『パネルメッキ法』と称される方法を例に挙げてそ
の概略を説明すると、図9に示すようにその両面に厚さ
35μm程度の銅箔aが一様に成膜されたガラスエポキ
シ基板bの適宜部位にドリル加工を施してスルーホール
cを穿設し、かつ、スルーホールc内壁面を高圧水洗浄
機により水洗すると共にそのドリルかすを適宜処理剤で
溶解除去した後(図10参照)、銅による無電解メッキ
処理を施して図11に示すように厚さ30μm程度の銅
メッキ層dを上記銅箔a上とスルーホールc内壁面に夫
々形成する。
にプリント配線板の製造等に広く利用されているが、以
下、『パネルメッキ法』と称される方法を例に挙げてそ
の概略を説明すると、図9に示すようにその両面に厚さ
35μm程度の銅箔aが一様に成膜されたガラスエポキ
シ基板bの適宜部位にドリル加工を施してスルーホール
cを穿設し、かつ、スルーホールc内壁面を高圧水洗浄
機により水洗すると共にそのドリルかすを適宜処理剤で
溶解除去した後(図10参照)、銅による無電解メッキ
処理を施して図11に示すように厚さ30μm程度の銅
メッキ層dを上記銅箔a上とスルーホールc内壁面に夫
々形成する。
【0003】次いで、この銅メッキ層dの面上に図12
に示すようにドライフィルムパターンeを形成すると共
にこのドライフィルムパターンeから露出する部位には
んだメッキ層fを形成(図13参照)し、かつ、上記ド
ライフィルムパターンeを除去した(図14参照)後、
このはんだメッキ層fをエッチングマスクにしこのマス
クから露出する銅メッキ層dと銅箔aとをエッチングに
より順次除去してパターン状に配線層gを形成し(図1
5〜図16参照)、かつ、上記はんだメッキ層fを加熱
溶融して共晶はんだ組織を完成させると共にオーバーハ
ング(図15〜図16においてはんだメッキ層fのはみ
出し部分f0)を消滅させる(図17参照)等してプリ
ント配線板を求めている。
に示すようにドライフィルムパターンeを形成すると共
にこのドライフィルムパターンeから露出する部位には
んだメッキ層fを形成(図13参照)し、かつ、上記ド
ライフィルムパターンeを除去した(図14参照)後、
このはんだメッキ層fをエッチングマスクにしこのマス
クから露出する銅メッキ層dと銅箔aとをエッチングに
より順次除去してパターン状に配線層gを形成し(図1
5〜図16参照)、かつ、上記はんだメッキ層fを加熱
溶融して共晶はんだ組織を完成させると共にオーバーハ
ング(図15〜図16においてはんだメッキ層fのはみ
出し部分f0)を消滅させる(図17参照)等してプリ
ント配線板を求めている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなエ
ッチング法にて上記配線層gを形成した場合、図15〜
図16に示すようにガラスエポキシ基板bとはんだメッ
キ層fとで挾まれた銅メッキ層dと銅箔aの厚み方向の
露出寸法が大きいため(この例では厚さ65μmとな
る)、厚さ65μmの銅メッキ層dと銅箔aとをエッチ
ング処理する際にこれ等銅メッキ層dと銅箔aの端面が
サイドエッチングを受け易く、その線幅寸法精度が悪く
なる欠点があり、配線密度を高める上で大きな妨げとな
る問題点があった。
ッチング法にて上記配線層gを形成した場合、図15〜
図16に示すようにガラスエポキシ基板bとはんだメッ
キ層fとで挾まれた銅メッキ層dと銅箔aの厚み方向の
露出寸法が大きいため(この例では厚さ65μmとな
る)、厚さ65μmの銅メッキ層dと銅箔aとをエッチ
ング処理する際にこれ等銅メッキ層dと銅箔aの端面が
サイドエッチングを受け易く、その線幅寸法精度が悪く
なる欠点があり、配線密度を高める上で大きな妨げとな
る問題点があった。
【0005】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、エッチング対象
である金属銅皮膜のサイドエッチングを低減できるエッ
チング方法を提供することにある。
れたもので、その課題とするところは、エッチング対象
である金属銅皮膜のサイドエッチングを低減できるエッ
チング方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわち請求項1に係る
発明は、金属銅皮膜の面上にパターン状にはんだ皮膜を
形成し、このはんだ皮膜をエッチングマスクにして上記
金属銅皮膜をエッチングする金属銅皮膜のエッチング方
法を前提とし、上記金属銅皮膜をエッチングしその全膜
厚の途中までエッチング処理を施した時点で一旦エッチ
ングを停止し、次いで金属銅皮膜上のはんだ皮膜を加熱
溶融しかつエッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端
面をこの溶融はんだにより被覆した後エッチングを再開
させて残りの金属銅皮膜をエッチングすることを特徴と
するものであり、他方、請求項2に係る発明は請求項1
に係る発明を前提とし、金属銅皮膜の膜厚がその全膜厚
の半分になった時点でエッチング処理を一旦停止するこ
とを特徴とするものである。
発明は、金属銅皮膜の面上にパターン状にはんだ皮膜を
形成し、このはんだ皮膜をエッチングマスクにして上記
金属銅皮膜をエッチングする金属銅皮膜のエッチング方
法を前提とし、上記金属銅皮膜をエッチングしその全膜
厚の途中までエッチング処理を施した時点で一旦エッチ
ングを停止し、次いで金属銅皮膜上のはんだ皮膜を加熱
溶融しかつエッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端
面をこの溶融はんだにより被覆した後エッチングを再開
させて残りの金属銅皮膜をエッチングすることを特徴と
するものであり、他方、請求項2に係る発明は請求項1
に係る発明を前提とし、金属銅皮膜の膜厚がその全膜厚
の半分になった時点でエッチング処理を一旦停止するこ
とを特徴とするものである。
【0007】このような技術的手段においてエッチング
の対象となる金属銅皮膜としては、適宜基板上に接着剤
を介して積層された銅箔でもよいしメッキ処理にて成膜
された銅メッキ層でもよくその形成手段にかかわらず任
意の金属銅皮膜がその対象となる。
の対象となる金属銅皮膜としては、適宜基板上に接着剤
を介して積層された銅箔でもよいしメッキ処理にて成膜
された銅メッキ層でもよくその形成手段にかかわらず任
意の金属銅皮膜がその対象となる。
【0008】また、この金属銅皮膜の面上にはんだ皮膜
をパターン状に形成する手段としては、上記金属銅皮膜
の面上にドライフィルムパターンやフォトレジストパタ
ーンを予め形成しこのパターンから露出する金属銅皮膜
面上にメッキ法にて選択的に形成する方法を採ってもよ
いし、あるいは金属銅皮膜の面上に適宜方法にてはんだ
皮膜を一様に成膜しかつこの皮膜上にドライフィルムパ
ターンやフォトレジストパターンを形成した後このパタ
ーンから露出するはんだ皮膜を適宜エッチング剤により
溶解除去して選択的に形成する方法を採ってもよくその
形成手段についても任意である。
をパターン状に形成する手段としては、上記金属銅皮膜
の面上にドライフィルムパターンやフォトレジストパタ
ーンを予め形成しこのパターンから露出する金属銅皮膜
面上にメッキ法にて選択的に形成する方法を採ってもよ
いし、あるいは金属銅皮膜の面上に適宜方法にてはんだ
皮膜を一様に成膜しかつこの皮膜上にドライフィルムパ
ターンやフォトレジストパターンを形成した後このパタ
ーンから露出するはんだ皮膜を適宜エッチング剤により
溶解除去して選択的に形成する方法を採ってもよくその
形成手段についても任意である。
【0009】尚、上記はんだ皮膜を構成する『はんだ』
としては、従来法にて利用されているPb−Sn合金、
Pb−Ag合金、Bi−Sn合金等が適用できる。
としては、従来法にて利用されているPb−Sn合金、
Pb−Ag合金、Bi−Sn合金等が適用できる。
【0010】次に、前段のエッチング処理を停止するタ
イミングについては、金属銅皮膜のエッチングが開始さ
れてその膜厚が減少し始めた後において任意に設定でき
るが、その停止タイミングの具合により前段と後段のエ
ッチングすべき金属銅皮膜の膜厚寸法の差が大きくなる
とその膜厚の大きい分のエッチング処理の際にそのサイ
ドエッチング量が大きくなり好ましくない。従って、金
属銅皮膜の膜厚が全膜厚分の略半分程度になった時点で
停止する方法が望ましい。
イミングについては、金属銅皮膜のエッチングが開始さ
れてその膜厚が減少し始めた後において任意に設定でき
るが、その停止タイミングの具合により前段と後段のエ
ッチングすべき金属銅皮膜の膜厚寸法の差が大きくなる
とその膜厚の大きい分のエッチング処理の際にそのサイ
ドエッチング量が大きくなり好ましくない。従って、金
属銅皮膜の膜厚が全膜厚分の略半分程度になった時点で
停止する方法が望ましい。
【0011】請求項2に係る発明はこのような技術的背
景から創作されており、上記金属銅皮膜の膜厚がその全
膜厚の半分になった時点でエッチング処理を一旦停止す
ることを特徴とするものである。
景から創作されており、上記金属銅皮膜の膜厚がその全
膜厚の半分になった時点でエッチング処理を一旦停止す
ることを特徴とするものである。
【0012】尚、この技術的手段は、片面プリント配線
板、両面プリント配線板、及び多層プリント配線板等プ
リント配線板の製造法に適用できるが、他の用途の金属
銅皮膜のエッチング法にも当然のことながら適用するこ
とができる。
板、両面プリント配線板、及び多層プリント配線板等プ
リント配線板の製造法に適用できるが、他の用途の金属
銅皮膜のエッチング法にも当然のことながら適用するこ
とができる。
【0013】
【作用】請求項1に係る発明によれば、金属銅皮膜をエ
ッチングしその全膜厚の途中までエッチング処理を施し
た時点で一旦エッチングを停止し、次いで金属銅皮膜上
のはんだ皮膜を加熱溶融しかつエッチング処理にて露出
した金属銅皮膜の端面をこの溶融はんだにより被覆した
後エッチングを再開させて残りの金属銅皮膜をエッチン
グしていることから、後段のエッチング処理の際、前段
のエッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端面が溶融
はんだにより被覆されているためその部位のサイドエッ
チングを防止でき、従って、金属銅皮膜の全膜厚分を一
度にエッチング処理した場合と較べそのサイドエッチン
グ量の低減を図ることが可能となる。
ッチングしその全膜厚の途中までエッチング処理を施し
た時点で一旦エッチングを停止し、次いで金属銅皮膜上
のはんだ皮膜を加熱溶融しかつエッチング処理にて露出
した金属銅皮膜の端面をこの溶融はんだにより被覆した
後エッチングを再開させて残りの金属銅皮膜をエッチン
グしていることから、後段のエッチング処理の際、前段
のエッチング処理にて露出した金属銅皮膜の端面が溶融
はんだにより被覆されているためその部位のサイドエッ
チングを防止でき、従って、金属銅皮膜の全膜厚分を一
度にエッチング処理した場合と較べそのサイドエッチン
グ量の低減を図ることが可能となる。
【0014】また、請求項2に係る発明によれば、金属
銅皮膜の膜厚がその全膜厚の半分になった時点でエッチ
ング処理を一旦停止していることから、前段と後段のエ
ッチングすべき金属銅皮膜の膜厚寸法が同一となり、各
エッチング時におけるサイドエッチング量が略等しくな
るためこれ等のサイドエッチング量を最少限に抑えるこ
とが可能となる。
銅皮膜の膜厚がその全膜厚の半分になった時点でエッチ
ング処理を一旦停止していることから、前段と後段のエ
ッチングすべき金属銅皮膜の膜厚寸法が同一となり、各
エッチング時におけるサイドエッチング量が略等しくな
るためこれ等のサイドエッチング量を最少限に抑えるこ
とが可能となる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を両面プリント配線板の製造に
適用した実施例について図面を参照して詳細に説明す
る。
適用した実施例について図面を参照して詳細に説明す
る。
【0016】まず、その両面に厚さ35μmの銅箔10
が貼り合されたガラスエポキシ基板1の適宜部位にドリ
ルマシーンにてスルーホール11を穿設し、このスルー
ホール11内壁面を高圧水洗浄機により水洗し、かつ、
内壁面に融着したドリルかすを過マンガン酸カリと水酸
化ナトリウムの混合溶剤で溶解除去(デスミア処理)し
た後、銅による無電解メッキ処理を施して上記銅箔10
とスルーホール11内壁面に薄膜の銅メッキ層を成膜
し、続いて硫酸銅による電解メッキ処理を施し全体とし
て厚さ25μmの銅メッキ層2を成膜した(図2参
照)。
が貼り合されたガラスエポキシ基板1の適宜部位にドリ
ルマシーンにてスルーホール11を穿設し、このスルー
ホール11内壁面を高圧水洗浄機により水洗し、かつ、
内壁面に融着したドリルかすを過マンガン酸カリと水酸
化ナトリウムの混合溶剤で溶解除去(デスミア処理)し
た後、銅による無電解メッキ処理を施して上記銅箔10
とスルーホール11内壁面に薄膜の銅メッキ層を成膜
し、続いて硫酸銅による電解メッキ処理を施し全体とし
て厚さ25μmの銅メッキ層2を成膜した(図2参
照)。
【0017】次に、上記銅メッキ層2の面上にメッキ処
理にてPb−Sn合金より成る厚さ30μmのはんだ皮
膜3を一様に成膜し(図3参照)、かつ、この面上に通
常の処理にて厚さ20μmのドライフィルム4をラミネ
ータ機により貼り合わせた(図4参照)後、このドライ
フィルム4面へ回路パターンを露光しかつ現像処理を施
して図5に示すようにドライフィルムパターン40を形
成した。
理にてPb−Sn合金より成る厚さ30μmのはんだ皮
膜3を一様に成膜し(図3参照)、かつ、この面上に通
常の処理にて厚さ20μmのドライフィルム4をラミネ
ータ機により貼り合わせた(図4参照)後、このドライ
フィルム4面へ回路パターンを露光しかつ現像処理を施
して図5に示すようにドライフィルムパターン40を形
成した。
【0018】次いで、市販のはんだエッチング液を用い
て上記ドライフィルムパターン40から露出するはんだ
皮膜3をエッチングにより除去し、かつ、ドライフィル
ムパターン40を剥離して図6に示すように残留するは
んだ皮膜3を露出させた後、このはんだ皮膜3をエッチ
ングマスクとし銅エッチング剤を用いて25μm厚の銅
メッキ層2と35μm厚の銅箔10より成る全膜厚60
μmの金属銅皮膜をエッチング処理した。そして、エッ
チングされた膜厚がその全膜厚の半分(すなわち30μ
m)になった時点でエッチング処理を一旦停止し、か
つ、エッチング部位を水洗処理にて十分に洗浄すると共
に残留する非水溶性の不純物を希硫酸にて数秒間溶解処
理した後、再度水洗処理により十分な洗浄を行った(図
7参照)。この際、上記エッチング処理を金属銅皮膜の
膜厚が半分になった時点で一旦停止しているため、金属
銅皮膜の全膜厚を一度にエッチング処理する場合と較べ
てエッチングすべき皮膜の膜厚が相対的に薄くなり、そ
の分、図1(A)に示すようにそのサイドエッチングを
低減できる利点を有している。
て上記ドライフィルムパターン40から露出するはんだ
皮膜3をエッチングにより除去し、かつ、ドライフィル
ムパターン40を剥離して図6に示すように残留するは
んだ皮膜3を露出させた後、このはんだ皮膜3をエッチ
ングマスクとし銅エッチング剤を用いて25μm厚の銅
メッキ層2と35μm厚の銅箔10より成る全膜厚60
μmの金属銅皮膜をエッチング処理した。そして、エッ
チングされた膜厚がその全膜厚の半分(すなわち30μ
m)になった時点でエッチング処理を一旦停止し、か
つ、エッチング部位を水洗処理にて十分に洗浄すると共
に残留する非水溶性の不純物を希硫酸にて数秒間溶解処
理した後、再度水洗処理により十分な洗浄を行った(図
7参照)。この際、上記エッチング処理を金属銅皮膜の
膜厚が半分になった時点で一旦停止しているため、金属
銅皮膜の全膜厚を一度にエッチング処理する場合と較べ
てエッチングすべき皮膜の膜厚が相対的に薄くなり、そ
の分、図1(A)に示すようにそのサイドエッチングを
低減できる利点を有している。
【0019】次いで、金属銅皮膜上のはんだ皮膜3を遠
赤外加熱装置により加熱溶融し、かつ、エッチング処理
にて露出した金属銅皮膜の端面15(図1A参照)をこ
の溶融はんだにより被覆した(図1B参照)。尚、上記
金属銅皮膜の端面15を溶融はんだにより確実に被覆さ
せるため、上記加熱処理条件は230℃、3分間とし
た。
赤外加熱装置により加熱溶融し、かつ、エッチング処理
にて露出した金属銅皮膜の端面15(図1A参照)をこ
の溶融はんだにより被覆した(図1B参照)。尚、上記
金属銅皮膜の端面15を溶融はんだにより確実に被覆さ
せるため、上記加熱処理条件は230℃、3分間とし
た。
【0020】そして、上記金属銅皮膜の端面15を溶融
はんだにより被覆した状態でエッチング処理を再開し、
残り30μm厚の金属銅皮膜をエッチング(図8参照)
し、かつ、市販のはんだ剥離液にてはんだ皮膜3を剥離
させて銅箔と銅メッキ層から成る回路パターンを得た。
この後段のエッチング処理の際、上記金属銅皮膜の端面
15が溶融はんだにより被覆されているためこの部位の
サイドエッチングは防止されることになる。そして、後
段のエッチング処理においてサイドエッチングを受ける
部位は、この後段のエッチング対象である残り30μm
厚の金属銅皮膜の端面のみになるため、前段のエッチン
グ処理と同様、図1(C)に示すようにそのサイドエッ
チングを低減できる利点を有している。
はんだにより被覆した状態でエッチング処理を再開し、
残り30μm厚の金属銅皮膜をエッチング(図8参照)
し、かつ、市販のはんだ剥離液にてはんだ皮膜3を剥離
させて銅箔と銅メッキ層から成る回路パターンを得た。
この後段のエッチング処理の際、上記金属銅皮膜の端面
15が溶融はんだにより被覆されているためこの部位の
サイドエッチングは防止されることになる。そして、後
段のエッチング処理においてサイドエッチングを受ける
部位は、この後段のエッチング対象である残り30μm
厚の金属銅皮膜の端面のみになるため、前段のエッチン
グ処理と同様、図1(C)に示すようにそのサイドエッ
チングを低減できる利点を有している。
【0021】従って、25μm厚の銅メッキ層2と35
μm厚の銅箔10より成る金属銅皮膜の全膜厚分(60
μm)を一度にエッチング処理した場合に較べてそのサ
イドエッチング量を低減できるため、線幅寸法精度が向
上しその配線密度を高められる利点を有している。事
実、銅箔と銅メッキ層から成る上記回路パターンはドラ
イフィルムパターン40の再現性が良く、35μm銅箔
にて50μmラインアンドスペースを良好に形成でき
た。
μm厚の銅箔10より成る金属銅皮膜の全膜厚分(60
μm)を一度にエッチング処理した場合に較べてそのサ
イドエッチング量を低減できるため、線幅寸法精度が向
上しその配線密度を高められる利点を有している。事
実、銅箔と銅メッキ層から成る上記回路パターンはドラ
イフィルムパターン40の再現性が良く、35μm銅箔
にて50μmラインアンドスペースを良好に形成でき
た。
【0022】
【発明の効果】請求項1に係る発明によれば、後段のエ
ッチング処理の際、前段のエッチング処理にて露出した
金属銅皮膜の端面が溶融はんだにより被覆されているた
めその部位のサイドエッチングを防止でき、上記金属銅
皮膜の全膜厚分を一度にエッチング処理した場合と較べ
そのサイドエッチング量の低減を図ることが可能とな
る。
ッチング処理の際、前段のエッチング処理にて露出した
金属銅皮膜の端面が溶融はんだにより被覆されているた
めその部位のサイドエッチングを防止でき、上記金属銅
皮膜の全膜厚分を一度にエッチング処理した場合と較べ
そのサイドエッチング量の低減を図ることが可能とな
る。
【0023】従って、従来法に較べてエッチング精度の
向上が図れるため、例えばプリント配線板の製造等にこ
の方法を適用した場合に配線密度を高められる効果を有
している。
向上が図れるため、例えばプリント配線板の製造等にこ
の方法を適用した場合に配線密度を高められる効果を有
している。
【0024】また、請求項2に係る発明によれば、前段
と後段のエッチングすべき金属銅皮膜の膜厚寸法が同一
で各エッチング時におけるサイドエッチング量が略等し
くなるためこれ等のサイドエッチング量を最少限に抑え
ることが可能となり、従って、エッチング精度を更に向
上できる効果を有している。
と後段のエッチングすべき金属銅皮膜の膜厚寸法が同一
で各エッチング時におけるサイドエッチング量が略等し
くなるためこれ等のサイドエッチング量を最少限に抑え
ることが可能となり、従って、エッチング精度を更に向
上できる効果を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1Aは実施例に係る前段のエッチング工程の
説明図、図1Bははんだ皮膜の加熱溶融工程の説明図、
図1Cは後段のエッチング工程の説明図。
説明図、図1Bははんだ皮膜の加熱溶融工程の説明図、
図1Cは後段のエッチング工程の説明図。
【図2】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図3】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図4】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図5】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図6】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図7】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図8】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図9】実施例に係るエッチング方法の工程図。
【図10】従来のエッチング方法の工程図。
【図11】従来のエッチング方法の工程図。
【図12】従来のエッチング方法の工程図。
【図13】従来のエッチング方法の工程図。
【図14】従来のエッチング方法の工程図。
【図15】従来のエッチング方法の工程図。
【図16】図15の部分拡大図。
【図17】はんだメッキ層を加熱溶融させた状態を示す
説明図。
説明図。
1 ガラスエポキシ基板 2 銅メッキ層 3 はんだ皮膜 10 銅箔 15 端面
Claims (2)
- 【請求項1】 金属銅皮膜の面上にパターン状にはんだ
皮膜を形成し、このはんだ皮膜をエッチングマスクにし
て上記金属銅皮膜をエッチングする金属銅皮膜のエッチ
ング方法において、 上記金属銅皮膜をエッチングしその全膜厚の途中までエ
ッチング処理を施した時点で一旦エッチングを停止し、
次いで金属銅皮膜上のはんだ皮膜を加熱溶融しかつエッ
チング処理にて露出した金属銅皮膜の端面をこの溶融は
んだにより被覆した後エッチングを再開させて残りの金
属銅皮膜をエッチングすることを特徴とする金属銅皮膜
のエッチング方法。 - 【請求項2】 上記金属銅皮膜の膜厚がその全膜厚の半
分になった時点でエッチング処理を一旦停止することを
特徴とする請求項1記載の金属銅皮膜のエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205090A JPH0548242A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 金属銅皮膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205090A JPH0548242A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 金属銅皮膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548242A true JPH0548242A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16501267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205090A Pending JPH0548242A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 金属銅皮膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548242A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7546681B2 (en) | 1999-10-12 | 2009-06-16 | Tessera Interconnect Materials, Inc. | Manufacturing method for wiring circuit substrate |
| CN104233298A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-24 | 昆山科森科技股份有限公司 | 用于金属料带连续蚀刻加工的制造方法 |
| US9365947B2 (en) | 2013-10-04 | 2016-06-14 | Invensas Corporation | Method for preparing low cost substrates |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP3205090A patent/JPH0548242A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7546681B2 (en) | 1999-10-12 | 2009-06-16 | Tessera Interconnect Materials, Inc. | Manufacturing method for wiring circuit substrate |
| US7721422B2 (en) | 1999-10-12 | 2010-05-25 | Tessera Interconnect Materials, Inc. | Methods of making microelectronic assemblies |
| US9365947B2 (en) | 2013-10-04 | 2016-06-14 | Invensas Corporation | Method for preparing low cost substrates |
| US10283484B2 (en) | 2013-10-04 | 2019-05-07 | Invensas Corporation | Low cost substrates |
| CN104233298A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-24 | 昆山科森科技股份有限公司 | 用于金属料带连续蚀刻加工的制造方法 |
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