JPH0548527B2 - - Google Patents

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JPH0548527B2
JPH0548527B2 JP61105705A JP10570586A JPH0548527B2 JP H0548527 B2 JPH0548527 B2 JP H0548527B2 JP 61105705 A JP61105705 A JP 61105705A JP 10570586 A JP10570586 A JP 10570586A JP H0548527 B2 JPH0548527 B2 JP H0548527B2
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JP
Japan
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thin film
magnetic head
bonding pad
substrate
protective film
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JP61105705A
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Hiromi Nakajima
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、薄膜磁気ヘツドの製造方法に関し、
特に薄膜形成工程を終了した基板から薄膜磁気ヘ
ツドを加工する方法に関する。
「従来技術およびその問題点」 まず第5図ないし第7図について、薄膜形成工
程終了後の薄膜磁気ヘツドの製造工程を説明す
る。薄膜形成工程終了した非磁性基板11上に
は、第5図aのように、保護膜12が積層形成さ
れ、この非磁性基板11は、切断線A−A′およ
びB−B′に沿つて切断され、これにスライダ加
工を施して各薄膜磁気ヘツド10が形成される
(同図b)。この薄膜磁気ヘツド10は、次にこの
保護膜12表面を一様に研磨し、非磁性基板11
上に形成されているボンデイングパツド13を露
出させて完成される(同図c)。ボンデイングパ
ツド13には後にリード線が接続される。保護膜
12表面の研磨は、スライダ加工の前に行なうこ
ともある。
ボンデイングパツド13は、第7a図、第7b
図に示すように、非磁性基板11上に薄膜形成技
術で形成されたコイル14のリード端子14l上
に、メツキ等方法によつて形成されている。22
はボンデイングパツド13の下部周囲を覆う絶縁
層である。コイル14は、第6a図、第6b図に
示すように、下部磁性体層15と上部磁性体層1
6との間のバツクギヤツプ部17を中心に同心的
に位置し、その周囲を絶縁体層18で覆つてい
る。また下部磁性体層15と上部磁性体層16と
の間の前部ギヤツプ19には、絶縁体層20が挟
着されていて、これが磁気ギヤツプ19を構成す
る。21は非磁性基板11上に形成した下地膜で
ある。以上の要素は、各薄膜磁気ヘツド10上に
各2対存在するように、非磁性基板11上に形成
される。これらの要素の薄膜および所望のエツチ
ングによる形成技術は周知であり、また本発明の
問うところではないので、これ以上の説明は省略
する。
この従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法では、保
護膜12の表面を一様に研磨してボンデイングパ
ツド13を露出させる際、上部磁性体層16(磁
気コア部)を研磨してはならない。このためボン
デイングパツド13の高さは、上部磁性体層16
の高さより十分高くしなければならず、保護膜1
2も研磨代を考慮して十分厚くしなければならな
い。また保護膜12の表面研磨は、非磁性基板1
1から薄膜磁気ヘツド10を切出した後に行なう
ため、個々の薄膜磁気ヘツド10のバラツキ、治
具へのはりつけ精度等によつては、以上の考慮を
したとしても、上部磁性体層16部分も研磨して
しまう可能性があつた。このため歩留りを向上さ
せることが困難で、しかも工数の削減が難しいと
いう問題があつた。
「発明の目的」 本発明は、以上の従来の製造方法の問題点を解
消し、ボンデイングパツドの高さ(膜厚)、およ
び保護膜の厚さを可及的に小さくすることがで
き、また上部磁性体層部分を研磨してしまう可能
性のない、歩留りを高くして製造コストを下げる
ことができる製造方法を得ることを目的とする。
「発明の概要」 本発明は、非磁性基板上に形成する薄膜パター
ン上で、磁気コア部とボンデイングパツドの位置
が平面的にずれていることに着目してなされたも
ので、従来保護膜表面を一様に平面研磨していた
のを改め、基板上への保護膜の形成後、各薄膜磁
気ヘツドに切断する前に、保護膜のボンデイング
パツド対応部分だけを溝状に研磨してボンデイン
グパツドを露出させ、その後基板を各薄膜磁気ヘ
ツド毎に所定の大きさに切断するようにしたこと
を特徴としている。
「発明の実施例」 以下図面に基づいて本発明を説明する。本発明
方法は、第1図a,b,cに示すように、薄膜形
成工程およびボンデイングパツドの形成を終了し
た非磁性基板11上に保護膜12を付着させた
後、各薄膜磁気ヘツド10を切断する前、保護膜
12表面に所定の間隔で溝30を砥石で研磨加工
することにより、ボンデイングパツド13を露出
させることを特徴としている。溝30は、第2図
ないし第4図に詳細に示すように、ボンデイング
パツド13に対応する部分のみを研磨し、上部磁
性体層16(磁気コア部31)およびコイル14
に対応する部分(第2図参照)は研磨しないよう
にその位置および幅を決定する。そしてその後第
1図bの切断線A−A′およびB−B′に沿つて非
磁性基板11を切断し、これにスライダ加工を施
して薄膜磁気ヘツド10を完成する。溝30によ
る研磨は、保護膜12の表面全体でなく、ボンデ
イングパツド13の対応部分のみにつれて行なわ
れるため、本発明方法によつて形成し薄膜磁気ヘ
ツド10の最終形状は、従来品とは異なつてい
る。すなわち従来方法によつて形成したものは、
保護膜12の表面すべてが研磨されるが、本発明
方法によつて形成したものは、溝30の両側の上
部磁性体層16対応部分は、研磨されず、そのま
ま残されることとなる。
第3図、第4図は溝30による研磨部分と非研
磨部分の状況を模式的に示している。この図から
明らかなように、溝30はボンデイングパツド1
3を露出させるが、上部磁性体層16部分は研磨
しない。よつてボンデイングパツド13の高さ
を、必ずしも上部磁性体層16より高くする必要
はなく、保護膜12の研磨作業によつて上部磁性
体層16を傷付けるおそれがない。また保護膜1
2の厚さも研磨代を見込む必要がないので、薄膜
素子の保護の目的を達することができる最低の膜
厚ですむこととなる。
「発明の効果」 以上のように本発明の薄膜磁気ヘツドの製造方
法は、基板の保護膜を研磨して、コイルに導通す
るボンデイングパツドを露出させるにつき、ボン
デイングパツド対応部分のみ溝状に研磨するよう
にしたから、磁気コア部を研磨によつて傷付ける
おそれがない。よつてボンデイングパツド高さ
(膜厚)を磁気コア部より高くする必要は必ずし
もなく、特に磁気コア部が高い薄膜磁気ヘツド、
例えばコイルを多層にする磁気ヘツドに有効であ
り、工数の削減を図ることができる。また磁気コ
ア部を研磨によつて傷付けるおそれがないことか
ら、歩留りの向上を図ることができる。さらに保
護膜全体について研磨代を考慮する必要がないた
め、その厚さを保護の目的の最低厚さとすること
ができ、全体として製造コストを下げることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図a,b,cは本発明の薄膜磁気ヘツドの
製造工程を示す斜視図、第2図は第1図bの部分
拡大平面図、第3図、第4図はそれぞれ第1図c
および第2図の−線、−線に沿う断面
図、第5図a,b,cは従来の薄膜磁気ヘツドの
製造工程を示す斜視図、第6a図、第6b図、第
7a図、第7b図は、それぞれ第5図b,cの
a−a線、b−b線、a−a線、b
−b線に沿う断面図である。 10……薄膜磁気ヘツド、11……非磁性基
板、12……保護膜、13……ボンデイングパツ
ド、14……コイル、14l……リード端子、1
5……下部磁性体層、16……上部磁性体層、1
7……バツクギヤツプ部、19……磁気ギヤツ
プ、30……溝、A−A′線、B−B′線……切断
線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 複数の薄膜磁気ヘツドを同時に形成すべき基
    板上に、下部磁性体層、上部磁性体層、この両磁
    性体層の間に位置して磁気ギヤツプを構成する絶
    縁体層、および導電体層からなるコイルを薄膜構
    造により形成し、さらに各コイルの端子部に導通
    するボンデイングパツドを形成した後、基板全体
    を保護膜で覆い、この基板を各薄膜磁気ヘツド毎
    に所定の大きさに切断するとともに、上記保護膜
    表面を上記ボンデイングパツドを露出させるべく
    研磨する薄膜磁気ヘツドの製造方法において、上
    記基板上への保護膜の形成後、各薄膜磁気ヘツド
    に切断する前に、保護膜のボンデイングパツド対
    応部分だけを溝状に研磨してボンデイングパツド
    を露出させ、その後基板を各薄膜磁気ヘツド毎に
    所定の大きさに切断することを特徴とする薄膜磁
    気ヘツドの製造方法。
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