JPH0548610B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0548610B2 JPH0548610B2 JP60057218A JP5721885A JPH0548610B2 JP H0548610 B2 JPH0548610 B2 JP H0548610B2 JP 60057218 A JP60057218 A JP 60057218A JP 5721885 A JP5721885 A JP 5721885A JP H0548610 B2 JPH0548610 B2 JP H0548610B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- light
- reduction projection
- mask
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトレジストの露光に消費される露光
光量を測定しつつ制御することにより、正確な露
光量コントロールをなし得る縮小投影式露光装置
に関する。
光量を測定しつつ制御することにより、正確な露
光量コントロールをなし得る縮小投影式露光装置
に関する。
最近の超高集積度半導体デバイスの製造工程の
如く、微細パターンの忠実な再現を要求される縮
小投影式露光装置において、転写パターンの寸法
の管理（Critrcal Demension Control：CDコン
トロール）は、半導体基板より得られる半導体素
子の良品率を左右する重要な要素となつている。
この寸法は、露光量に依存しており、従つて露光
量コントロールの正確さに依存しているといつて
よいであろう。
如く、微細パターンの忠実な再現を要求される縮
小投影式露光装置において、転写パターンの寸法
の管理（Critrcal Demension Control：CDコン
トロール）は、半導体基板より得られる半導体素
子の良品率を左右する重要な要素となつている。
この寸法は、露光量に依存しており、従つて露光
量コントロールの正確さに依存しているといつて
よいであろう。
従来の縮小投影式露光装置における露光量コン
トロールは、露光マスクの前段に位置する露光照
明系内部において露光光の強度を測定し、これを
積算することにより、設定された露光量となるよ
うシヤツター時間を制御するものである。
トロールは、露光マスクの前段に位置する露光照
明系内部において露光光の強度を測定し、これを
積算することにより、設定された露光量となるよ
うシヤツター時間を制御するものである。
上述の従来の方式の場合、露光照明系からの出
力としての光量は制御されるものの、露光マスク
の材質の違い、また、特にペリクル膜の如く、経
時的に透過率の変化する部材を装着した露光マス
ク等の様に、露光照明系と投影光学系との間にお
いて透過率が変化した場合においては、これらの
影響を防止することはできず、従つて、従来、露
光マスクの交換時及び定期的にテスト露光を行な
い、この結果により、露光量の設定を見直す作業
が必要とされ、これに要する時間、労力は計りし
れないものとなつていた。
力としての光量は制御されるものの、露光マスク
の材質の違い、また、特にペリクル膜の如く、経
時的に透過率の変化する部材を装着した露光マス
ク等の様に、露光照明系と投影光学系との間にお
いて透過率が変化した場合においては、これらの
影響を防止することはできず、従つて、従来、露
光マスクの交換時及び定期的にテスト露光を行な
い、この結果により、露光量の設定を見直す作業
が必要とされ、これに要する時間、労力は計りし
れないものとなつていた。
本発明は、上述の従来の方法の持つ問題点を除
去し、露光マスクの材質、ペリクル膜有無等の条
件を問わず、安定した露光量コントロールを得る
ことを可能とし、作業効率を飛躍的に向上させ、
また、装置そのものの効率的運用を可能とし得る
縮小投影式露光装置を提供することを目的とする
ものである。
去し、露光マスクの材質、ペリクル膜有無等の条
件を問わず、安定した露光量コントロールを得る
ことを可能とし、作業効率を飛躍的に向上させ、
また、装置そのものの効率的運用を可能とし得る
縮小投影式露光装置を提供することを目的とする
ものである。
上記目的を達成するため、本発明による縮小投
影式露光装置においては、光量センサーと、制御
部とを有し、シヤツターを開閉して露光マスクを
透過させた露光照明系の露光光を縮小投影レンズ
で集光し、ホトレジストで被覆された半導体基板
に露光を行う縮小投影式露光装置であつて、 光量センサーは、露光マスクと縮小投影レンズ
との間に設けられ、露光マスク上の素子パターン
周辺部を透過した露光光量を検出して制御部に検
出信号を出力するものであり、 制御部は、光量センサーの出力を積算し、必要
な露光量となるように露光照明系に設けられたシ
ヤツターの開閉時間を制御するものである。
影式露光装置においては、光量センサーと、制御
部とを有し、シヤツターを開閉して露光マスクを
透過させた露光照明系の露光光を縮小投影レンズ
で集光し、ホトレジストで被覆された半導体基板
に露光を行う縮小投影式露光装置であつて、 光量センサーは、露光マスクと縮小投影レンズ
との間に設けられ、露光マスク上の素子パターン
周辺部を透過した露光光量を検出して制御部に検
出信号を出力するものであり、 制御部は、光量センサーの出力を積算し、必要
な露光量となるように露光照明系に設けられたシ
ヤツターの開閉時間を制御するものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成図であ
る。図中、１は露光マスク、２は露光マスク１を
塵埃より保護するためにマスク１の上下両面に装
着されたペリクル膜、３は露光量コントロール用
スリツト、４は光量センサー、５は光路中にシヤ
ツター５ａを備えた露光照明系、６は縮小投影レ
ンズ、７はマスキング・アパーチヤー、８は露光
照明、９は制御部を各々示すものとする。
る。図中、１は露光マスク、２は露光マスク１を
塵埃より保護するためにマスク１の上下両面に装
着されたペリクル膜、３は露光量コントロール用
スリツト、４は光量センサー、５は光路中にシヤ
ツター５ａを備えた露光照明系、６は縮小投影レ
ンズ、７はマスキング・アパーチヤー、８は露光
照明、９は制御部を各々示すものとする。
本縮小投影式露光装置における露光量コントロ
ールは、露光マスク１を透過した後の露光光を、
露光マスク１と縮小投影レンズ６との間に設けら
れた光量センサ４により検出し、その出力を制御
部にて積算して行なわれる。
ールは、露光マスク１を透過した後の露光光を、
露光マスク１と縮小投影レンズ６との間に設けら
れた光量センサ４により検出し、その出力を制御
部にて積算して行なわれる。
露光照明系５内に設けられたシヤツター５ａが
開放すると同時に、露光照明８はペリクル膜２を
装着した露光マスク１上にマスキング・アパーチ
ヤ７を介して照射され、露光マスク１上に設けら
れた遮光帯により露光マスク１上の素子パターン
の領域に制限されて透過し、縮小投影レンズ６を
介して半導体基板１０に投影される。この露光マ
スク１上には、遮光帯中に露光光量コントロール
用光量センサー４へ露光光を照射するスリツト３
が設けられており、このスリツト３により投影露
光と同時に同強度の露光光が光量センサー４に入
射されることになる。即ち、光量センサー４に入
射される露光光の強度はペリクル膜２等を透過す
ることにより、ある程度減衰された後の実際にホ
トレジストを感光する為のものと同じものとな
る。このセンサー４の出力を制御部９にて積算
し、該制御部９の指令によりシヤツター５ａの開
閉動作の制御を行う。
開放すると同時に、露光照明８はペリクル膜２を
装着した露光マスク１上にマスキング・アパーチ
ヤ７を介して照射され、露光マスク１上に設けら
れた遮光帯により露光マスク１上の素子パターン
の領域に制限されて透過し、縮小投影レンズ６を
介して半導体基板１０に投影される。この露光マ
スク１上には、遮光帯中に露光光量コントロール
用光量センサー４へ露光光を照射するスリツト３
が設けられており、このスリツト３により投影露
光と同時に同強度の露光光が光量センサー４に入
射されることになる。即ち、光量センサー４に入
射される露光光の強度はペリクル膜２等を透過す
ることにより、ある程度減衰された後の実際にホ
トレジストを感光する為のものと同じものとな
る。このセンサー４の出力を制御部９にて積算
し、該制御部９の指令によりシヤツター５ａの開
閉動作の制御を行う。
以上の様に本発明によれば、露光マスクの材
質、ペリクル膜の有無、劣化の程度等々の条件を
問わず安定した露光量コントロールを実現可能と
なり、従来の様なパイロツト露光後に半導体基板
に得られるホトレジストパターンを顕微鏡により
観察し、露光条件を設定し直すといつた作業が不
要となるとともに、装置そのものの効率的運用が
飛躍的に向上せしめることができる効果を有する
ものである。
質、ペリクル膜の有無、劣化の程度等々の条件を
問わず安定した露光量コントロールを実現可能と
なり、従来の様なパイロツト露光後に半導体基板
に得られるホトレジストパターンを顕微鏡により
観察し、露光条件を設定し直すといつた作業が不
要となるとともに、装置そのものの効率的運用が
飛躍的に向上せしめることができる効果を有する
ものである。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。 １……露光マスク、２……ペリクル膜、３……
露光量コントロール用スリツト、４……光量セン
サー、５……露光照明系、６……縮小投影レン
ズ、７……マスキング・アパーチヤー、８……露
光照明。
る。 １……露光マスク、２……ペリクル膜、３……
露光量コントロール用スリツト、４……光量セン
サー、５……露光照明系、６……縮小投影レン
ズ、７……マスキング・アパーチヤー、８……露
光照明。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光量センサーと、制御部とを有し、シヤツタ
ーを開閉して露光マスクを透過させた露光照明系
の露光光を縮小投影レンズで集光し、ホトレジス
トで被覆された半導体基板に露光を行う縮小投影
式露光装置であつて、 前記光量センサーは、前記露光マスクと前記縮
小投影レンズとの間に設けられ、前記露光マスク
上の素子パターンの領域外を透過した露光光量を
検出して前記制御部に検出信号を出力するもので
あり、 前記制御部は、前記光量センサーの出力を積算
し、必要な露光量となるように露光照明系に設け
られた前記シヤツターの開閉時間を制御するもの
であることを特徴とする縮小投影式露光装置。 ２ 前記露光マスクには前記素子パターンの領域
外に、遮光帯を有し、かつこの遮光帯の一部にス
リツトが設けられており、前記光量センサーは前
記スリツトを透過した露光光の光量を検出するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の縮小
投影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057218A JPS61216324A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 縮小投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057218A JPS61216324A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 縮小投影式露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216324A JPS61216324A (ja) | 1986-09-26 |
| JPH0548610B2 true JPH0548610B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=13049387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60057218A Granted JPS61216324A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 縮小投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216324A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2649543B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1997-09-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US6734445B2 (en) * | 2001-04-23 | 2004-05-11 | Intel Corporation | Mechanized retractable pellicles and methods of use |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068066A (ja) * | 1973-10-17 | 1975-06-07 | ||
| JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
| JPS59149024A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60057218A patent/JPS61216324A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61216324A (ja) | 1986-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5521033A (en) | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process | |
| JP2986077B2 (ja) | フォトクロミック・フィルタを使用する照明調節システム | |
| JPH0548610B2 (ja) | ||
| US4474864A (en) | Method for dose calculation of photolithography projection printers through bleaching of photo-active compound in a photoresist | |
| US6195155B1 (en) | Scanning type exposure method | |
| JPS5990929A (ja) | 投影露光装置のピント合わせ方法 | |
| KR20040079493A (ko) | 노광장치 및 노광처리 방법 | |
| JPS6035516A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP2797980B2 (ja) | 露光装置 | |
| KR100330966B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 노광 시스템 | |
| JPH0612754B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0225016A (ja) | 露光装置 | |
| JPH06325994A (ja) | パターン形成方法、パターン形成装置及びマスク | |
| JPS56146138A (en) | Method and apparatus for exposing photomask | |
| JPH0883761A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0472710A (ja) | 露光装置 | |
| JPS57200029A (en) | Exposing device | |
| JPH0864510A (ja) | 露光量制御方法及びその装置 | |
| JPH06349712A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS6012732A (ja) | 露光装置 | |
| JPS6384934U (ja) | ||
| JPS6217745B2 (ja) | ||
| KR100624065B1 (ko) | 노광 장치 | |
| JPS6078455A (ja) | 露光装置 | |
| KR20060001127A (ko) | 반도체 제조장치 |