JPH054993A - ケイ素含有化合物 - Google Patents

ケイ素含有化合物

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JPH054993A
JPH054993A JP23972491A JP23972491A JPH054993A JP H054993 A JPH054993 A JP H054993A JP 23972491 A JP23972491 A JP 23972491A JP 23972491 A JP23972491 A JP 23972491A JP H054993 A JPH054993 A JP H054993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
methylstyrene
silicon
group
halogenated
containing compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP23972491A
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English (en)
Inventor
Padomanaban Munirachiyuna
パドマナバン ムニラチユナ
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Sanofi Aventis KK
Original Assignee
Hoechst Japan Ltd
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Publication date
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Publication of JPH054993A publication Critical patent/JPH054993A/ja
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規なメチルスチレン誘導体、特にメチル基
の置換基中に複数のケイ素を含有し、重合して機能性高
分子を生成し得る新規なケイ素含有化合物を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 下記化学式(I)で表されることを特徴とす
るケイ素含有化合物。 【化1】 ただし、上記化学式(I)において、mは、2〜5の整
数、nおよびzは、各々、1または2であって、nとz
との和が常に3となるような整数、さらにRは、同一ま
たは異なるものからなり、水素、炭素数1〜10のアル
キル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン
化アリール基、アラルキル基またはハロゲン化アラルキ
ル基である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なケイ素含有化合
物に関する。さらに詳しくは、本発明は、メチルスチレ
ンの誘導体からなる化合物であって、重合して新たな機
能性高分子を合成することができる新規なケイ素含有化
合物に関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、スチレンの誘導体としては、たとえばメチルスチレ
ン、ヒドロキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロ
スチレンなどが知られており、これらは重合され機能性
高分子として使用されている。
【0003】また、ケイ素を含有するスチレン誘導体と
しては、たとえばp−(トリメチルシリル)−スチレ
ン、p−(ペンタメチルジシラニル)−スチレン、p−
(トリメチルシリル)−メチルスチレン、p−[ビス
(トリメチルシリル)]メチルスチレンおよびこれらの
重合体が知られている。たとえば上記ケイ素含有誘導体
の内、p−(ペンタメチルジシラニル)−スチレンにつ
いては日本化学会第53秋季年会予稿集(P411(1
987))に開示されており、さらにp−(トリメチル
シリル)−メチルスチレンおよびp−[ビス(トリメチ
ルシリル)]メチルスチレンについては特開昭62−2
09084号に開示されている。しかしながら、ケイ素
含有メチルスチレン誘導体において、メチル基の置換基
中に複数のケイ素、特にケイ素のカートネーションを有
するケイ素含有スチレン誘導体は、従来知られてはいな
い。
【0004】本発明は、新規なメチルスチレン誘導体を
提供することを目的とするものであり、特にメチル基の
置換基中に複数のケイ素を含有し、重合して機能性高分
子を生成し得る新規なケイ素含有化合物を提供すること
を目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によるケイ素含有
化合物は、下記の化学式(I)で表されることを特徴と
するものである。
【0006】
【化2】 ただし、上記化学式(I)において、mは、2〜5の整
数、nおよびzは、各々、1または2であって、nとz
との和が常に3となるような整数、さらにRは、同一ま
たは異なるものからなり、水素、炭素数1〜10のアル
キル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン
化アリール基、アラルキル基またはハロゲン化アラルキ
ル基であり、たとえばメチル基、エチル基、フェニル
基、クロロメチル基などであり得る。
【0007】さらに、基−CHn[SimR
(2m+1)]zは、ビニル基に対してオルト位、メタ
位またはパラ位のいずれの位置であってもよいが、パラ
位の位置にあることが好ましい。
【0008】上記のように、本発明においては化合物中
にケイ素のカートネーション(鎖状結合)を有するポリ
シランが導入されているので、紫外線もしくは電子線に
よって開裂して架橋性のラジカル部位を形成する点で特
有の効果を有する。また、nが1でzが2の場合であっ
てmの値が大きい場合においては、炭素に対してケイ素
含有量の高い化合物を得ることができるが、このような
高ケイ素含有化合物は、たとえば酸素反応イオンエッチ
ングに対する抵抗性をすぐれたものにすることができ
る。
【0009】本発明による上記化学式(I)の化合物
は、たとえばハロポリシランとメチルスチレンのリチウ
ム誘導体とのカップリング反応によって製造することが
できる。さらに詳しくは、メチルスチレンをまずリチウ
ム(ジイソプロピル)アミドで処理してメチルスチレン
のリチウム塩を得る。次いで、このようにして得られた
メチルスチレンのリチウム塩と所定のハロポリシランと
をカップリング反応させることによって上記化学式
(I)のケイ素含有化合物を得ることができる。この場
合のメチルスチレンのリチウム塩は、ハロポリシランに
対してオルト位、メタ位またはパラ位のいずれの位置で
反応させてもよい。
【0010】上記のメチルスチレンのリチウム塩は、上
述したように、メチルスチレンとリチウム(ジイソプロ
ピル)アミドとの反応によって調製することができる
が、この場合のリチウム化合物としては、リチウム(ジ
イソプロピル)アミドに代えて、たとえばn−ブチルリ
チウム、ジフェニルメチルリチウム、フェニルリチウム
なども同様に用いることができる。
【0011】本発明においては、リチウム(ジイソプロ
ピル)アミドは、ジイソプロピルアミンとブチルリチウ
ム(n−ヘキサン溶液)とを1:1のモル比でテトラヒ
ドロフラン(THF)中で反応させることによって調製
することができる。この反応は水分のない不活性雰囲気
中において行わなければならない。さらにまた、上記反
応のための媒体(溶媒)も水分が除去されていることが
重要である。溶媒としては、たとえば上記TFHの他
に、ジエチルエーテル、ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、
ジメチルスルフォキシド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド等のリチウム(ジイソプロピル)アミドに対して不活
性な溶媒を用いることができる。分離を容易にするため
には、沸点の低い溶媒を使用することが好ましい。リチ
ウム(ジイソプロピル)アミドに代えてn−ブチルリチ
ウム等を用いる場合、それらの製造においても上記溶媒
が使用できる。
【0012】本発明の化合物は、上記化学式(I)で表
されるものであるが、具体的には、たとえばp−[ビス
(ペンタメチルジシラニル)]メチルスチレン、p−
(ペンタメチルジシラニル)メチルスチレン、p−(ペ
ンタフェニルジシラニル)メチルスチレンなどのケイ素
含有化合物を包含するものである。
【0013】上記化学式(I)で表される本発明による
化合物の重合体であるホモポリマーあるいは共重合体
は、たとえば、(イ)機能性高分子、(ロ)紫外線照射
による鎖状結合ポリシラン開裂性を有するネガ型フォト
レジスト、(ハ)電子線およびX線レジスト、(ニ)酸
素反応イオンエッチングに対する抵抗性を有するレジス
ト組成物のためのマトリックス材料、あるいは(ホ)印
刷用材料のためのフィルムまたは分離膜などの用途に用
いることができる。
【0014】
【実施例】実施例1 滴下漏斗、アルゴンガス入口および出口を具備する乾燥
された1000ml三つ口フラスコ中に、15.18g
(0.15mol)のジイソプロピルアミンおよび10
0mlのテトラヒドロフラン(THF)を、アルゴンを
緩やかに流通させながら添加した。さらにこれに94m
lのn−ブチルリチウム(ヘキサン中1.6mol/l
溶液)を30分にわたって定常的に攪拌しながら滴下に
より添加した。p−メチルスチレン17.73g(0.
15mol)をジイソプロピルアミンのリチウム塩に添
加し内容物を約10分間攪拌した。次いで、100ml
の乾燥THF中のクロロペンタメチルジシラン25.0
2g(0.15mol)を滴下漏斗から2時間にわたっ
て添加し、その後、この溶液をさらに室温において2時
間以上攪拌した。
【0015】次いで、減圧下(20Torr)において
この反応混合物を蒸留することによって、THF、ヘキ
サンおよびジイソプロピルアミンを分離した。この残留
物にジエチルエーテルを添加し沈殿物LiClをデカン
テーションにより分離し、そしてジエチルエーテルを液
体窒素トラップを用いて減圧下で蒸留除去した。このよ
うにして得られた未精製モノマーを、真空下(0.00
4Torr)、65〜67℃において蒸留した。
【0016】このようにして得られた化合物を、液体ク
ロマトグラフィー(純度98%以上)、NMR、IRお
よび元素分析を用いて分析した結果、p−(ペンタメチ
ルジシラニル)メチルスチレンであることがわかった。
分析結果をまとめると以下の通りである。 元素分析:C14H24Si2 として計算された。
【0017】 IR分析データ: 3050、2992、2952、2830、1628、
1512、1410、1400、1250、1210、
1192、1105、1030、988、912、77
2、690、440cm-1 1H−NMRデータ: (90MHz、CDCl3溶液、TMS基準) 0.10(一重線、15H) 1.50(一重線、 2H) 5.10(二重線、 1H) 5.65(二重線、 1H) 6.60(四重線、 1H) 7.10(多重線、 4H)
【0018】実施例2 滴下漏斗、窒素ガス入口および出口を具備する乾燥され
た三つ口フラスコに、300mlの乾燥THFと、2
0.24g(0,2mol)のジイソプロピルアミンと
を、乾燥窒素を緩やかに流通させながら添加した。この
混合物を氷水浴を用いて約10℃にまで冷却し、そして
0.2molのn−ブチルリチウム(ヘキサン中1.6
mol/l溶液のもの125ml)を30分にわたって
滴下により添加した。このブチルリチウムを完全に添加
したのち、氷水浴を取り外し、その内容物を30分攪拌
した。0.1mol(11.82g)のp−メチルスチ
レンを添加し、そして内容物をさらに30分間攪拌し
た。
【0019】このようにして得られたp−メチルスチレ
ンのリチウム塩に対して、滴下漏斗からクロロペンタメ
チルジシランの20容量%THF溶液を60分間にわた
ってゆっくり添加し、その後、この溶液をさらに室温
(24℃)において約2時間攪拌することによって、得
られたp−メチルスチレンのリチウム塩と0.2mol
(33.4g)のクロロペンタメチルジシランとを反応
させた。次に、この溶液を80℃で蒸留し、次いで80
℃でアスピレーター(20Torr)を用いて減圧ろ過
することにより、ヘキサン、THFおよびジイソプロピ
ルアミンを除去した。残留物を77〜78℃/0.00
1Torrの条件で減圧蒸留した。このようにして得ら
れた生成物の重量は1.86g(4.9%)であった。
【0020】得られた化合物を、液体クロマトグラフィ
ー、NMR、IR、および元素分析を用いて分析したと
ころ、p−[ビス(ペンタメチルジシラニル)]メチル
スチレンであることがわかった。
【0021】分析結果をまとめると以下の通りである。 元素分析:C19H38Si4 として計算された。 IR分析データ: 3050、2990、2950、2830、1628、
1512、1410、1400、1250、1210、
1190、1110、1030、980、910、77
2、695cm-1 1H−NMRデータ: (90MHz、CDCl3溶液、TMS基準) 0.10(一重線、30H) 1.55(一重線、 1H) 5.10(二重線、 1H) 5.65(二重線、 1H) 6.60(四重線、 1H) 7.00(多重線、 4H)
【0022】実施例3 実施例1で得られたp−[ビス(ペンタメチルジシラニ
ル)]メチルスチレン1gを、0.008gのアゾイソ
ブチロニトリル(AIBN)とともに4mlのトルエン
中に添加し、内容物を乾燥窒素でバブリングさせたの
ち、10mlのガラス管中に封入した。この混合物を水
浴中に85〜90℃で15時間浸漬し、次いでこの内容
物を500mlのメタノール中に注いだ。白色の沈殿物
が得られ、これをろ過し、水ならびにこれに続いてメタ
ノールで洗浄し、乾燥して重量を測定した(0.85
g)。この化合物は、THF溶離剤を用いるGPCでの
測定で、重量平均分子量20,000を有していた。
【0023】上記重合体の5%THF溶液を石英セルに
とり、高圧水銀ランプによって照射を行った。この石英
セルを冷却することにより、上記溶液を室温に保持し
た。UV(紫外線)照射の開始から10分後に、UV照
射によるジシラニル単位の架橋反応に起因する不溶化が
始まった。同様の実験で、ポリ(p−メチルスチレン)
を用いたものにおいては、ポリp−[ビス(ペンタメチ
ルジシラニル)]メチルスチレンのUV感受性における
ような不溶化は示されなかった。
【0024】実施例4 実施例2において報告されているp−[ビス(ペンタメ
チルジシラニル)]メチルスチレンを、出発物質として
p−メチルスチレンに代えて実施例1において得られた
p−(ペンタメチルジシラニル)メチルスチレンを用い
て、実施例2と同様の方法を用いて合成した。ただし、
この場合において反応温度は実験をとおして10℃以下
に保持した状態で合成を行った。収率は45%であっ
た。
【0025】実施例1における未精製のp−(ペンタメ
チルジシラニル)メチルスチレンを出発物質として用い
た場合においても上記と同様の結果が得られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】下記化学式(I)で表されることを特徴と
    するケイ素含有化合物。 【化1】 ただし、上記化学式(I)において、mは、2〜5の整
    数、nおよびzは、各々、1または2であって、nとz
    との和が常に3となるような整数、さらにRは、同一ま
    たは異なるものからなり、水素、炭素数1〜10のアル
    キル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン
    化アリール基、アラルキル基またはハロゲン化アラルキ
    ル基である。
JP23972491A 1991-02-28 1991-09-19 ケイ素含有化合物 Pending JPH054993A (ja)

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JP23972491A JPH054993A (ja) 1991-02-28 1991-09-19 ケイ素含有化合物

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3437391 1991-02-28
JP3-34373 1991-02-28
JP23972491A JPH054993A (ja) 1991-02-28 1991-09-19 ケイ素含有化合物

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