JPH0550837B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0550837B2 JPH0550837B2 JP60235399A JP23539985A JPH0550837B2 JP H0550837 B2 JPH0550837 B2 JP H0550837B2 JP 60235399 A JP60235399 A JP 60235399A JP 23539985 A JP23539985 A JP 23539985A JP H0550837 B2 JPH0550837 B2 JP H0550837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric breakdown
- panel
- resistance
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜EL（エレクトロルミネセンス）
パネルに関し、特に基板上の背面電極と絶縁層の
間に高抵抗層を介在させて絶縁破壊を防止した薄
膜ELパネルに関するものである。
パネルに関し、特に基板上の背面電極と絶縁層の
間に高抵抗層を介在させて絶縁破壊を防止した薄
膜ELパネルに関するものである。
従来の薄膜ELパネルの基本構造を第２図に示
す。この種の薄膜ELパネルは、第２図に示すよ
うに、ガラス基板１上に形成された透明電極２、
第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５および背
面電極６の５層からなり、発光層４は２層の絶縁
層３，５でサンドイツチ状にはさまれた構造とな
つている。また、透明電極２と背面電極６は互い
に直交するストライプ状パターン電極群となつて
おり、Ｘ−Ｙマトリツクス電極を構成している。
これらの構成層は真空蒸着法、スパツタ法などに
よる薄膜で形成されており、構成層のうち背面電
極を除く全ての薄膜は透明であり、発光した光は
ガラス基板側に取り出されるものとなつている。
す。この種の薄膜ELパネルは、第２図に示すよ
うに、ガラス基板１上に形成された透明電極２、
第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５および背
面電極６の５層からなり、発光層４は２層の絶縁
層３，５でサンドイツチ状にはさまれた構造とな
つている。また、透明電極２と背面電極６は互い
に直交するストライプ状パターン電極群となつて
おり、Ｘ−Ｙマトリツクス電極を構成している。
これらの構成層は真空蒸着法、スパツタ法などに
よる薄膜で形成されており、構成層のうち背面電
極を除く全ての薄膜は透明であり、発光した光は
ガラス基板側に取り出されるものとなつている。
ところで、このような薄膜ELパネルは、構造
上容量性素子であり、相対する透明電極２と背面
電極６間に駆動電源８より正弦波や方形波などの
交流電圧を印加することによつて発光し、高輝
度、長寿命で、表示が見易いなどの特長を有して
いる。
上容量性素子であり、相対する透明電極２と背面
電極６間に駆動電源８より正弦波や方形波などの
交流電圧を印加することによつて発光し、高輝
度、長寿命で、表示が見易いなどの特長を有して
いる。
ところが、上述した従来の薄膜ELパネルは、
絶縁層および発光層が真空蒸着法あるいはスパツ
タ法などによる薄膜で構成されているので、これ
ら薄膜のコンタミやピンホールによる欠陥に起因
して絶縁破壊が生じやすい。その結果、絶縁層と
発光層の絶縁破壊による非発光点の発生、さらに
は絶縁破壊の拡大による電極断線という致命的な
欠陥を引き起こす問題があつた。したがつて、欠
陥がなく絶縁破壊電圧が非常に高い絶縁層を形成
する必要があつた。
絶縁層および発光層が真空蒸着法あるいはスパツ
タ法などによる薄膜で構成されているので、これ
ら薄膜のコンタミやピンホールによる欠陥に起因
して絶縁破壊が生じやすい。その結果、絶縁層と
発光層の絶縁破壊による非発光点の発生、さらに
は絶縁破壊の拡大による電極断線という致命的な
欠陥を引き起こす問題があつた。したがつて、欠
陥がなく絶縁破壊電圧が非常に高い絶縁層を形成
する必要があつた。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、絶縁層あるいは発光層の絶縁破壊を防止する
ことにより、信頼性を高め、かつ歩留りを向上さ
せた薄膜ELパネルを提供するものである。
で、絶縁層あるいは発光層の絶縁破壊を防止する
ことにより、信頼性を高め、かつ歩留りを向上さ
せた薄膜ELパネルを提供するものである。
本発明に係る薄膜ELパネルは、基板上の透明
電極と背面電極間に発光層を絶縁層ではさんだ三
層構造を有する薄膜ELパネルにおいて、前記背
面電極と絶縁層との間に、膜厚方向の抵抗値にし
て１〜15KΩ／cm2を有する高抵抗層を介在したこ
とを特徴とする。
電極と背面電極間に発光層を絶縁層ではさんだ三
層構造を有する薄膜ELパネルにおいて、前記背
面電極と絶縁層との間に、膜厚方向の抵抗値にし
て１〜15KΩ／cm2を有する高抵抗層を介在したこ
とを特徴とする。
本発明においては、背面電極と絶縁層の間に高
抵抗層を介在させることにより、点欠陥部で絶縁
層あるいは発光層の絶縁破壊が発生しても高抵抗
層により流れる電流を制限するため、発熱が抑え
られる。これによつて、絶縁破壊の拡大はなく、
表示品質上問題にならない微小な点状絶縁破壊に
とどめることができる。
抵抗層を介在させることにより、点欠陥部で絶縁
層あるいは発光層の絶縁破壊が発生しても高抵抗
層により流れる電流を制限するため、発熱が抑え
られる。これによつて、絶縁破壊の拡大はなく、
表示品質上問題にならない微小な点状絶縁破壊に
とどめることができる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜ELパネ
ルの基本構造図であり、この薄膜ELパネルが第
２図に示した従来のものと異なる点は、第２絶縁
層５と背面電極６との間に、抵抗値にして１〜
15KΩ／cm2を有する高抵抗層７を介在したことで
ある。
ルの基本構造図であり、この薄膜ELパネルが第
２図に示した従来のものと異なる点は、第２絶縁
層５と背面電極６との間に、抵抗値にして１〜
15KΩ／cm2を有する高抵抗層７を介在したことで
ある。
従来の薄膜ELパネルの構造においては、絶縁
層３，５あるいは発光層４に点状欠陥が生じて絶
縁破壊が発生した場合にはその部分で局所的大電
流が流れて発熱し、その影響で点欠陥の周囲部の
絶縁破壊電圧は低下し絶縁破壊が拡大する不具合
があつた。
層３，５あるいは発光層４に点状欠陥が生じて絶
縁破壊が発生した場合にはその部分で局所的大電
流が流れて発熱し、その影響で点欠陥の周囲部の
絶縁破壊電圧は低下し絶縁破壊が拡大する不具合
があつた。
一方、本発明のごとく高抵抗層７を介在させた
ものでは、点欠陥部で絶縁層３，５あるいは発光
層４の絶縁破壊が発生しても高抵抗層７により流
れる電流を制限するため発熱が抑えられ、絶縁破
壊の拡大はなく、表示品質上問題にならない
30μm〓以下の細かい点状絶縁破壊にとどめること
ができる。
ものでは、点欠陥部で絶縁層３，５あるいは発光
層４の絶縁破壊が発生しても高抵抗層７により流
れる電流を制限するため発熱が抑えられ、絶縁破
壊の拡大はなく、表示品質上問題にならない
30μm〓以下の細かい点状絶縁破壊にとどめること
ができる。
ここで、高抵抗層７の抵抗値を上記数値範囲に
限定した理由について述べる。高抵抗層７の膜厚
方向の抵抗値は、本発明者らの実験によれば、お
よそ1KΩ／cm2から絶縁破壊を抑える効果が現わ
れ、高抵抗になる程より高い効果が得られたが、
一方で高抵抗層を介在させたことによる輝度低下
も認められ、従来構造の高抵抗層を介在しない時
の輝度を100％とすると、4.5KΩ／cm2のとき90％
の輝度、15KΩ／cm2のとき80％の輝度となつた。
したがつて、この高抵抗層７の実用上望ましい膜
厚方向の抵抗値の範囲は１〜15KΩ／cm2である。
そして、この高抵抗層７の膜厚を1000Åと設定す
ると１×108〜1.5×109ΩΓcm、膜厚を10000Åと
設定すると１×107〜1.5×108ΩΓcmの比抵抗を
有する材料を使用することができる。この材料の
具体例としては、微量不純物を添加、あるいは化
学量論比を酸素不足側にずらした金属酸化物（酸
化タンタル、酸化イツトリウム、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化スズ等）
あるいはカーボン、窒化タンタル等の抵抗膜があ
る。
限定した理由について述べる。高抵抗層７の膜厚
方向の抵抗値は、本発明者らの実験によれば、お
よそ1KΩ／cm2から絶縁破壊を抑える効果が現わ
れ、高抵抗になる程より高い効果が得られたが、
一方で高抵抗層を介在させたことによる輝度低下
も認められ、従来構造の高抵抗層を介在しない時
の輝度を100％とすると、4.5KΩ／cm2のとき90％
の輝度、15KΩ／cm2のとき80％の輝度となつた。
したがつて、この高抵抗層７の実用上望ましい膜
厚方向の抵抗値の範囲は１〜15KΩ／cm2である。
そして、この高抵抗層７の膜厚を1000Åと設定す
ると１×108〜1.5×109ΩΓcm、膜厚を10000Åと
設定すると１×107〜1.5×108ΩΓcmの比抵抗を
有する材料を使用することができる。この材料の
具体例としては、微量不純物を添加、あるいは化
学量論比を酸素不足側にずらした金属酸化物（酸
化タンタル、酸化イツトリウム、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化スズ等）
あるいはカーボン、窒化タンタル等の抵抗膜があ
る。
なお、上述の実施例では高抵抗層７を背面電極
６と同じ形状としたが、背面電極間のリーク電流
が多少あつても薄膜ELパネル駆動上さしつかえ
なければ、背面電極のすき間部分を除去する必要
はない。
６と同じ形状としたが、背面電極間のリーク電流
が多少あつても薄膜ELパネル駆動上さしつかえ
なければ、背面電極のすき間部分を除去する必要
はない。
以上説明したように、本発明の薄膜ELパネル
によれば、背面電極と絶縁層の間に高抵抗層を介
在させることにより、点欠陥による絶縁破壊発生
時の過電流を抑止できるので、大きな絶縁破壊が
起らず絶縁破壊を防止できる。また、高抵抗層は
膜厚方向の抵抗値にして１〜15KΩ／cm2を有して
いるので、輝度が損なわれることはなく、信頼性
の高い薄膜ELパネルを歩留りよく製造すること
ができ、実用上の効果は大である。
によれば、背面電極と絶縁層の間に高抵抗層を介
在させることにより、点欠陥による絶縁破壊発生
時の過電流を抑止できるので、大きな絶縁破壊が
起らず絶縁破壊を防止できる。また、高抵抗層は
膜厚方向の抵抗値にして１〜15KΩ／cm2を有して
いるので、輝度が損なわれることはなく、信頼性
の高い薄膜ELパネルを歩留りよく製造すること
ができ、実用上の効果は大である。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜ELパネ
ルの基本構造図、第２図は従来の薄膜ELパネル
の基本構造図である。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……第
１絶縁層、４……発光層、５……第２絶縁層、６
……背面電極、７……高抵抗層。
ルの基本構造図、第２図は従来の薄膜ELパネル
の基本構造図である。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……第
１絶縁層、４……発光層、５……第２絶縁層、６
……背面電極、７……高抵抗層。
Claims (1)
- １ 基板上の透明電極と背面電極間に発光層を絶
縁層ではさんだ三層構造を有する薄膜ELパネル
において、前記背面電極と絶縁層との間に膜厚方
向の抵抗値にして１〜15KΩ／cm2を有する高抵抗
層を介在したことを特徴とする薄膜ELパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235399A JPS6297296A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235399A JPS6297296A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297296A JPS6297296A (ja) | 1987-05-06 |
| JPH0550837B2 true JPH0550837B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16985511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235399A Granted JPS6297296A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297296A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885798U (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-10 | カルソニックカンセイ株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS6261295A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP60235399A patent/JPS6297296A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6297296A (ja) | 1987-05-06 |
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