JP2838111B2 - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は，交流電界の印加により発光する薄膜エレク
トロルミネッセンス（EL）素子に関し，電極材料の改良
により素子の絶縁耐性および歩留りの向上をはかった薄
膜EL素子に関するものである。
トロルミネッセンス（EL）素子に関し，電極材料の改良
により素子の絶縁耐性および歩留りの向上をはかった薄
膜EL素子に関するものである。
＜従来の技術＞ 第８図は発光層を挟んで形成した２重絶縁構造の薄膜
EL素子の一例を示す断面図である。図において,1はガラ
ス基板,2は酸化インジウム（In2O3）あるいはインジウ
ムと錫との酸化物（ITO）などからなる透明な第１電極,
3はSiO2やAl2O3などからなる第１絶縁層である。上記IT
Oは透明度，比抵抗，スペクトル吸収，パターン形成の
容易さなど他の材質に比較してすぐれているのでEL素子
の電極として広く用いられている。４はMnあるいは希土
類化合物を添加したZnS発光層,5は第１絶縁層と同様の
材質からなる第２絶縁層,6はAlなどからなる第２電極で
ある。
EL素子の一例を示す断面図である。図において,1はガラ
ス基板,2は酸化インジウム（In2O3）あるいはインジウ
ムと錫との酸化物（ITO）などからなる透明な第１電極,
3はSiO2やAl2O3などからなる第１絶縁層である。上記IT
Oは透明度，比抵抗，スペクトル吸収，パターン形成の
容易さなど他の材質に比較してすぐれているのでEL素子
の電極として広く用いられている。４はMnあるいは希土
類化合物を添加したZnS発光層,5は第１絶縁層と同様の
材質からなる第２絶縁層,6はAlなどからなる第２電極で
ある。
上記構成のEL素子は第１電極２と第２電極６との間に
交流電源15により交流電界を印加すると,1〜２×106V/c
m程度の電界により発光する。
交流電源15により交流電界を印加すると,1〜２×106V/c
m程度の電界により発光する。
＜発明が解決しようとする課題＞ 近年航空機のフラットパネルのような透明性を要求さ
れる個所に用いるために第８図に示す第２電極を第１電
極と同様のITOからなる透明電極で形成し，その上に更
に異なる色の発光層を積層した多色ELパネルを実現する
ことが試みられている。
れる個所に用いるために第８図に示す第２電極を第１電
極と同様のITOからなる透明電極で形成し，その上に更
に異なる色の発光層を積層した多色ELパネルを実現する
ことが試みられている。
しかしながら，発光層を発光させるために電極に電圧
を印加すると，膜のピンホールやゴミ，欠陥等を中心に
局部的に絶縁破壊が発生し，その破壊がEL画素全体に波
及（伝搬型破壊と呼ばれる）して画素欠けを生じ，パネ
ルの表示品質を著しく損うという問題があった。
を印加すると，膜のピンホールやゴミ，欠陥等を中心に
局部的に絶縁破壊が発生し，その破壊がEL画素全体に波
及（伝搬型破壊と呼ばれる）して画素欠けを生じ，パネ
ルの表示品質を著しく損うという問題があった。
本発明は上記従来の問題点に鑑みて成されたもので，
絶縁破壊のメカニズムを検討し，適当な電極材質を選択
することにより，絶縁耐圧の高い信頼性のある透明型EL
パネルや多色ELパネルを実現することを目的とする。
絶縁破壊のメカニズムを検討し，適当な電極材質を選択
することにより，絶縁耐圧の高い信頼性のある透明型EL
パネルや多色ELパネルを実現することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 上記従来技術の課題を解決する為の本発明の構成は，
請求項１においては絶縁性基板上に少なくとも一層のEL
発光層および絶縁層を挟んで積層された電極からなり，
前記電極に交流電圧を印加することにより前記発光層を
発光させる様にした薄膜EL素子において，前記電極をす
べて酸化物からなる透明電極とし、前記発光層を挟む少
なくとも一方の側の電極を前記EL発光層および絶縁層か
らなる部分より融点の低い部材で構成した。
請求項１においては絶縁性基板上に少なくとも一層のEL
発光層および絶縁層を挟んで積層された電極からなり，
前記電極に交流電圧を印加することにより前記発光層を
発光させる様にした薄膜EL素子において，前記電極をす
べて酸化物からなる透明電極とし、前記発光層を挟む少
なくとも一方の側の電極を前記EL発光層および絶縁層か
らなる部分より融点の低い部材で構成した。
請求項２においては、請求項１記載の薄膜EL素子にお
いて、低融点の電極部材はCTOとされ、そのCTOはSnO2ま
たはSnO2に添加物を加えた薄膜で挟まれている。
いて、低融点の電極部材はCTOとされ、そのCTOはSnO2ま
たはSnO2に添加物を加えた薄膜で挟まれている。
請求項３においては、請求項１記載の薄膜EL素子にお
いて、低融点の電極部材はCTOとし、他の電極部材はITO
とした。
いて、低融点の電極部材はCTOとし、他の電極部材はITO
とした。
請求項４においては、請求項３項記載の薄膜EL素子に
おいて、ITO電極に正の電圧、CTO電極に負の直流電圧を
印加した後交流電圧を印加する様にした。
おいて、ITO電極に正の電圧、CTO電極に負の直流電圧を
印加した後交流電圧を印加する様にした。
請求項５においては、請求項１記載の薄膜EL素子にお
いて、少なくとも２層の発光層を形成する場合、低融点
の電極部材をCTO、他の電極部材をITOとし、ITO電極に
正の電圧、CTO電極に負の直流電圧を印加した後交流電
圧を印加する様にし、第１層の発光が可能な状態まで製
作した時点で一旦発光試験を行った後、以降の製造工程
を実行する。
いて、少なくとも２層の発光層を形成する場合、低融点
の電極部材をCTO、他の電極部材をITOとし、ITO電極に
正の電圧、CTO電極に負の直流電圧を印加した後交流電
圧を印加する様にし、第１層の発光が可能な状態まで製
作した時点で一旦発光試験を行った後、以降の製造工程
を実行する。
＜作用＞ 請求項1,3項において、電極をすべて酸化物からなる
透明電極とし、発光層を挟む少なくとも一方の側の電極
をEL発光層および絶縁層からなる部分より融点の低い部
材を用いれば、発光層や絶縁層に欠陥があり，電圧印加
によりその部分が溶融しても一方の電極が溶融し，そこ
で発光層の溶融はストップする（もし，両方の電極とも
発光層および絶縁層の融点より高融点の部材を用いた場
合は溶融が全体に拡がり発光が不可能になる）。
透明電極とし、発光層を挟む少なくとも一方の側の電極
をEL発光層および絶縁層からなる部分より融点の低い部
材を用いれば、発光層や絶縁層に欠陥があり，電圧印加
によりその部分が溶融しても一方の電極が溶融し，そこ
で発光層の溶融はストップする（もし，両方の電極とも
発光層および絶縁層の融点より高融点の部材を用いた場
合は溶融が全体に拡がり発光が不可能になる）。
請求項２において,CTOは絶縁層からの酸素の影響で抵
抗が増大する。SnO2やこれに添加物を加えたものは低抵
抗のものを形成するのは難しいが酸素や水への耐性が強
いのでこれでCTOを挾む事により抵抗の増大を阻止する
ことが出来る。
抗が増大する。SnO2やこれに添加物を加えたものは低抵
抗のものを形成するのは難しいが酸素や水への耐性が強
いのでこれでCTOを挾む事により抵抗の増大を阻止する
ことが出来る。
請求項４において予めCTO電極に負の電圧をITO電極に
正の電圧を印加して局部的な破壊を起こしておけば、破
壊が全体に広がることがない。
正の電圧を印加して局部的な破壊を起こしておけば、破
壊が全体に広がることがない。
請求項５において，下部発光層を製作した時点で破壊
検査をすれば，下部発光層の破壊の影響が上部発光層ま
で及ぶことがない。
検査をすれば，下部発光層の破壊の影響が上部発光層ま
で及ぶことがない。
＜実施例＞ 以下，図面に従い本発明の一実施例を説明する。はじ
めに第１電極をITOとし，第２電極としてAlを用いた場
合とITOを用いた場合における絶縁破壊の原因について
説明する。薄膜EL素子はガラス基板上にITO電極，絶縁
層，発光層，絶縁層およびAl電極をスパッタ法や蒸着等
の薄膜形成手段により形成するが，発光層を発光させよ
うとしてこれを挾む電極に電圧を印加した場合，各層の
いずれかにゴミや欠陥等があると局所的に絶縁破壊が発
生し，第１電極，絶縁層，発光層および第２電極が溶融
する（この溶融状態においては絶縁層および発光層の絶
縁性が低下し導通状態となる）。
めに第１電極をITOとし，第２電極としてAlを用いた場
合とITOを用いた場合における絶縁破壊の原因について
説明する。薄膜EL素子はガラス基板上にITO電極，絶縁
層，発光層，絶縁層およびAl電極をスパッタ法や蒸着等
の薄膜形成手段により形成するが，発光層を発光させよ
うとしてこれを挾む電極に電圧を印加した場合，各層の
いずれかにゴミや欠陥等があると局所的に絶縁破壊が発
生し，第１電極，絶縁層，発光層および第２電極が溶融
する（この溶融状態においては絶縁層および発光層の絶
縁性が低下し導通状態となる）。
第９図は第１電極をITO,第２電極をAlとして電圧を印
加した場合の破壊の状態を示す拡大断面図である。電圧
を次第に上昇させていくと膜に欠陥等があった場合，絶
縁材料の本来有する絶縁耐圧値より低い電圧でAl電極，
絶縁層および発光層が破壊されて導通した状態となり，
局部的に溶融するが，絶縁層やITOより融点の低いAlが
はじめに溶解，蒸発する（即ち，絶縁層を残したままそ
の上のAl（Ａで示す部分））が溶融する。従ってその部
分の絶縁状態はすぐ回復し，絶縁層の溶融は持続せず局
所的に止まって画素全体に波及しない。そのため,ELデ
ィスプレイとしての機能は維持される。但し電極として
Alを用いる場合は透明フラットパネルとしての機能はな
い。
加した場合の破壊の状態を示す拡大断面図である。電圧
を次第に上昇させていくと膜に欠陥等があった場合，絶
縁材料の本来有する絶縁耐圧値より低い電圧でAl電極，
絶縁層および発光層が破壊されて導通した状態となり，
局部的に溶融するが，絶縁層やITOより融点の低いAlが
はじめに溶解，蒸発する（即ち，絶縁層を残したままそ
の上のAl（Ａで示す部分））が溶融する。従ってその部
分の絶縁状態はすぐ回復し，絶縁層の溶融は持続せず局
所的に止まって画素全体に波及しない。そのため,ELデ
ィスプレイとしての機能は維持される。但し電極として
Alを用いる場合は透明フラットパネルとしての機能はな
い。
第10図は第1,第２電極をITOとした場合の破壊の状態
を示す拡大断面図である。この場合も，絶縁層中に存在
するゴミや欠陥によりITOおよび発光層を含む絶縁層が
溶融するが,ITOの溶融温度が絶縁層と等しいかそれより
も高いので，その溶解，蒸発の速度は絶縁層よりも遅く
なる。そのため，絶縁層は高温による導通状態を維持し
たまま矢印方向に溶解による破壊が次々と連続して発生
し，ついにはその画素が破壊してしまう。従って発光層
を含む絶縁層の両側をITO電極で形成するのは好ましく
ない。
を示す拡大断面図である。この場合も，絶縁層中に存在
するゴミや欠陥によりITOおよび発光層を含む絶縁層が
溶融するが,ITOの溶融温度が絶縁層と等しいかそれより
も高いので，その溶解，蒸発の速度は絶縁層よりも遅く
なる。そのため，絶縁層は高温による導通状態を維持し
たまま矢印方向に溶解による破壊が次々と連続して発生
し，ついにはその画素が破壊してしまう。従って発光層
を含む絶縁層の両側をITO電極で形成するのは好ましく
ない。
第11図はガラス基板の上に第１電極としてITOを使用
し，絶縁層としてSiO2,Ta2OO5,Al2O3の各絶縁層を0.3〜
0.5μｍ程度に形成し，第２電極としてAlまたはITOを使
用して伝搬型破壊に至る電界強度を試験した結果を示す
ものである。
し，絶縁層としてSiO2,Ta2OO5,Al2O3の各絶縁層を0.3〜
0.5μｍ程度に形成し，第２電極としてAlまたはITOを使
用して伝搬型破壊に至る電界強度を試験した結果を示す
ものである。
図によれば，絶縁層としてSiO2を使用し第２電極とし
てAlを使用した場合は7.6×106V/cm程度の耐圧があり,I
TOを使用した場合は2.1×106V/cm程度の耐圧しかない。
また，絶縁層としてTa2O5を使用した場合はAlの場合は
１×106V/cm,ITOの場合は0.5×106V/cm程度，また，絶
縁層としてAl2O3を使用した場合はAlの場合は4.8×106V
/cm,ITOの場合は0.8×106V/cm程度の耐圧しかない。先
に述べた様に発光層を発光させるためには１〜２×106V
/cm程度の電界が必要なので，絶縁層の絶縁耐圧として
は充分な余裕が必要である。従って第２電極をITOとし
た場合はいずれの絶縁層を使用しても伝搬型破壊が生ず
ることになる。
てAlを使用した場合は7.6×106V/cm程度の耐圧があり,I
TOを使用した場合は2.1×106V/cm程度の耐圧しかない。
また，絶縁層としてTa2O5を使用した場合はAlの場合は
１×106V/cm,ITOの場合は0.5×106V/cm程度，また，絶
縁層としてAl2O3を使用した場合はAlの場合は4.8×106V
/cm,ITOの場合は0.8×106V/cm程度の耐圧しかない。先
に述べた様に発光層を発光させるためには１〜２×106V
/cm程度の電界が必要なので，絶縁層の絶縁耐圧として
は充分な余裕が必要である。従って第２電極をITOとし
た場合はいずれの絶縁層を使用しても伝搬型破壊が生ず
ることになる。
ここで,Al,ITO,発光層および絶縁層の融点についてみ
るとAlの融点は660℃,ITOの融点は1600〜2000℃であり,
ZnSを主成分とする発光層の昇華点（ZnSは昇華性物質な
ので）は1180℃程度，また，絶縁層のSiO2の融点は1610
〜1710℃,Ta2O5は1470℃,Al2O3は2050℃である。
るとAlの融点は660℃,ITOの融点は1600〜2000℃であり,
ZnSを主成分とする発光層の昇華点（ZnSは昇華性物質な
ので）は1180℃程度，また，絶縁層のSiO2の融点は1610
〜1710℃,Ta2O5は1470℃,Al2O3は2050℃である。
以上のことから第1,第２電極を共にITOとした場合
は，発光層および絶縁層からなる部分より電極の方が融
点が高いので伝搬型破壊が進行することが分る。
は，発光層および絶縁層からなる部分より電極の方が融
点が高いので伝搬型破壊が進行することが分る。
本出願人は以上の事実を実験により確認し，発光層お
よび絶縁層からなる部分より融点が低く，かつ，透明性
があり，比抵抗が小さく，スペクトルの吸収が少なく，
パターン形成が容易な物質について種々検討した。その
結果CdOおよびSnO2を主成分とする混合物（Cd2SnO4やCd
SnO3…以下，共にCTOという）が透明型EL電極としてす
ぐれていることを発見した。
よび絶縁層からなる部分より融点が低く，かつ，透明性
があり，比抵抗が小さく，スペクトルの吸収が少なく，
パターン形成が容易な物質について種々検討した。その
結果CdOおよびSnO2を主成分とする混合物（Cd2SnO4やCd
SnO3…以下，共にCTOという）が透明型EL電極としてす
ぐれていることを発見した。
第１図は本発明の請求項１における一実施例を示すEL
発光素子の要部断面図であり，第２電極としてCTOを用
いている他は第８図の従来例と同様である。
発光素子の要部断面図であり，第２電極としてCTOを用
いている他は第８図の従来例と同様である。
CTOの融点は1130℃程度であり，これを第２電極とし
て前記第11図に示す３種の絶縁層を用いて実験した所い
ずれもITOの場合に比較して２〜３倍の伝搬型破壊の電
界強度を得ることが出来，透明型フラットパネルを実現
することが出来た。
て前記第11図に示す３種の絶縁層を用いて実験した所い
ずれもITOの場合に比較して２〜３倍の伝搬型破壊の電
界強度を得ることが出来，透明型フラットパネルを実現
することが出来た。
なお，第２電極としては上記CTOに限ることなく例え
ば酸化膜としての100％CdO（700℃で昇華）,SnO2（1127
℃で溶融）も可能であり，また,SnO2に添加物を加えた
ものも可能である。例えば,Sbを加えたもの（ATO）やＦ
を加えたもの（FTO）や，同じくSnO2に添加物としてＰ
またはTeまたはClを加えたもの等である。その他CuI,Cu
2Sχ等も用いることが可能であり，要は透明性があり，
比抵抗が小さく発光層および絶縁層からなる部分の融点
より低融点の部材であればよい。
ば酸化膜としての100％CdO（700℃で昇華）,SnO2（1127
℃で溶融）も可能であり，また,SnO2に添加物を加えた
ものも可能である。例えば,Sbを加えたもの（ATO）やＦ
を加えたもの（FTO）や，同じくSnO2に添加物としてＰ
またはTeまたはClを加えたもの等である。その他CuI,Cu
2Sχ等も用いることが可能であり，要は透明性があり，
比抵抗が小さく発光層および絶縁層からなる部分の融点
より低融点の部材であればよい。
第２図は請求項１における他の実施例を示すもので，
本発明を２層の発光層を有するEL素子に適用した断面図
である。図において１はガラス基板,2は第１電極（CT
O）,3,5,7,9は絶縁層,4は下部発光層,6は第２電極（IT
O）,8は上部発光層,10は第３電極（CTO）である。ここ
で上部発光層８は例えばZnS:TbF3などの緑色のEL素子が
用いられ，下部発光層４はZnS:SmF3等の赤色EL素子が用
いられる。
本発明を２層の発光層を有するEL素子に適用した断面図
である。図において１はガラス基板,2は第１電極（CT
O）,3,5,7,9は絶縁層,4は下部発光層,6は第２電極（IT
O）,8は上部発光層,10は第３電極（CTO）である。ここ
で上部発光層８は例えばZnS:TbF3などの緑色のEL素子が
用いられ，下部発光層４はZnS:SmF3等の赤色EL素子が用
いられる。
上記構成によればITOからなる第２電極を挟んでCTOか
らなる第1,第３電極が形成されているので，絶縁破壊が
あってもその破壊は局部的に押えることが出来るので，
透明なパネルに多色の発光素子を発光させることが可能
となる。
らなる第1,第３電極が形成されているので，絶縁破壊が
あってもその破壊は局部的に押えることが出来るので，
透明なパネルに多色の発光素子を発光させることが可能
となる。
第３図は請求項２における実施例を示すものである。
本出願人の実験によればCTOは融点の低い電極としては
優れているが，絶縁層等からの酸素の影響を受けやすく
（酸素を吸収したり放出する）抵抗値の上昇や透明度が
低下するという問題がある。一方SnO2またはSnO2に添加
物を加えた（以下,ATOという）部材は融点はCTO並で，
酸素や水への耐性が強いという利点があるが低抵抗のも
のを形成しにくいという問題がある。そこで，本発明で
はCTOを〜2000Å程度とし，これを〜500Å程度のATOで
挾んだものである。
本出願人の実験によればCTOは融点の低い電極としては
優れているが，絶縁層等からの酸素の影響を受けやすく
（酸素を吸収したり放出する）抵抗値の上昇や透明度が
低下するという問題がある。一方SnO2またはSnO2に添加
物を加えた（以下,ATOという）部材は融点はCTO並で，
酸素や水への耐性が強いという利点があるが低抵抗のも
のを形成しにくいという問題がある。そこで，本発明で
はCTOを〜2000Å程度とし，これを〜500Å程度のATOで
挾んだものである。
上記構成によれば低抵抗が得やすいCTOを低抵抗は得
にくいが酸素や水への耐性の強いATOで保護するので抵
抗値の上昇や透明度の低下のない電極を得ることが出来
る。
にくいが酸素や水への耐性の強いATOで保護するので抵
抗値の上昇や透明度の低下のない電極を得ることが出来
る。
第４図は請求項３における一実施例を示すもので，第
２図に示す２層のEL素子において第１電極，第２電極を
CTOとしたものである。
２図に示す２層のEL素子において第１電極，第２電極を
CTOとしたものである。
上記構成によれば第２図の例に比較して絶縁破壊はさ
らに局部的となる。
らに局部的となる。
第５図は請求項４における一実施例を示すもので，第
２図に示す２層のEL素子において第２電極をCTOとし，
第1,第３電極をITO電極としたものであり，本発明ではE
L素子完成後第２電極に負の電圧を他の電極に正の電圧
を印加することにより絶縁破壊があってもその破壊を局
部的にとどめる様にしたものである。
２図に示す２層のEL素子において第２電極をCTOとし，
第1,第３電極をITO電極としたものであり，本発明ではE
L素子完成後第２電極に負の電圧を他の電極に正の電圧
を印加することにより絶縁破壊があってもその破壊を局
部的にとどめる様にしたものである。
第６図は同じく請求項４における一実施例を示すもの
で，第２図に示す２層のEL素子において第２電極をITO
とし，第1,第３電極をCTO電極としたものであり，本発
明ではEL素子完成後第２電極に正の電圧を他の電極に負
の電圧を印加することにより絶縁破壊があってもその破
壊を局部的にとどめる様にしたものである。
で，第２図に示す２層のEL素子において第２電極をITO
とし，第1,第３電極をCTO電極としたものであり，本発
明ではEL素子完成後第２電極に正の電圧を他の電極に負
の電圧を印加することにより絶縁破壊があってもその破
壊を局部的にとどめる様にしたものである。
なお、請求項４において、ITO電極に正の電圧、CTO電
極に負の直流電圧を印加した場合と、ITO電極に負の電
圧、CTO電極に正の直流電圧を印加した場合では、本出
願人が実験により確認した結果、ITO電極に正の電圧、C
TO電極に負の直流電圧を印加した場合の方が破壊試験の
結果は良好であった。但し電圧印加の方向により破壊試
験の結果が左右されることについての理論的な解明まで
にはいたっていない。
極に負の直流電圧を印加した場合と、ITO電極に負の電
圧、CTO電極に正の直流電圧を印加した場合では、本出
願人が実験により確認した結果、ITO電極に正の電圧、C
TO電極に負の直流電圧を印加した場合の方が破壊試験の
結果は良好であった。但し電圧印加の方向により破壊試
験の結果が左右されることについての理論的な解明まで
にはいたっていない。
第７図は請求項５の説明に用いる図であり，ここでは
第１電極をITO,第２電極をCTOとし，ここまで製作した
時点で第１電極に正，第２電極に負の電圧を印加して破
壊試験を行う。その破壊試験によりゴミや欠陥がある部
分は局部的に破壊する（12は下部発光層の破壊により生
じた穴を示している）。その後第２電極（CTO）の全体
に絶縁層を施して破壊した部分を埋めるとともに分離平
坦化層13を形成する。その後は従来と同様第２の発光層
８を挟んで絶縁層7,9および第２電極6a,第３電極10を形
成する。その場合第２電極6aと第３電極10のいずれかは
CTOを用いたほうが望ましい。上記製造方法によれば，
第１発光層の破壊の影響が第２発光層まで及んで破壊さ
れることがなくなるので表示品質の向上をはかることが
出来る。
第１電極をITO,第２電極をCTOとし，ここまで製作した
時点で第１電極に正，第２電極に負の電圧を印加して破
壊試験を行う。その破壊試験によりゴミや欠陥がある部
分は局部的に破壊する（12は下部発光層の破壊により生
じた穴を示している）。その後第２電極（CTO）の全体
に絶縁層を施して破壊した部分を埋めるとともに分離平
坦化層13を形成する。その後は従来と同様第２の発光層
８を挟んで絶縁層7,9および第２電極6a,第３電極10を形
成する。その場合第２電極6aと第３電極10のいずれかは
CTOを用いたほうが望ましい。上記製造方法によれば，
第１発光層の破壊の影響が第２発光層まで及んで破壊さ
れることがなくなるので表示品質の向上をはかることが
出来る。
なお，発光層を３層とする場合も電極をすべてCTOと
することにより絶縁破壊を局部的に押えることが出来
る。
することにより絶縁破壊を局部的に押えることが出来
る。
＜発明の効果＞ 以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によ
れば、電極をすべて酸化物からなる透明電極とし、発光
層を挟む少なくとも一方の側の電極をEL発光層および絶
縁層からなる部分より融点の低い部材で構成したので，
フラットパネル全体に絶縁破壊が広がらない透明パネル
を実現することが出来る。また,CTOの配置を工夫した
り、予め直流電圧を印加したり，工程の途中に試験工程
を設けることにより信頼性の高いEL発光素子を実現する
事が出来る。
れば、電極をすべて酸化物からなる透明電極とし、発光
層を挟む少なくとも一方の側の電極をEL発光層および絶
縁層からなる部分より融点の低い部材で構成したので，
フラットパネル全体に絶縁破壊が広がらない透明パネル
を実現することが出来る。また,CTOの配置を工夫した
り、予め直流電圧を印加したり，工程の途中に試験工程
を設けることにより信頼性の高いEL発光素子を実現する
事が出来る。
第１図は本発明の請求項１に関する薄膜EL素子の一実施
例を示す断面図，第２図は請求項１に関する他の実施例
を示す断面図，第３図は本発明の請求項２に関する薄膜
EL素子の一実施例を示す断面図，第４図は本発明の請求
項３に関する薄膜EL素子の一実施例を示す断面図，第５
図は本発明の請求項４に関する薄膜EL素子の一実施例を
示す断面図，第６図は本発明の請求項５に関する薄膜EL
素子の一実施例を示す断面図，第７図は本発明の請求項
６に関する薄膜EL素子の一実施例を示す断面図，第８図
は従来のEL薄膜素子を示す断面図，第９図，第10図は電
圧印加により局部的に溶融が発生した状態を示す断面
図，第11図は絶縁層の材質と伝搬型破壊の電界強度の関
係を示す図である。 １……ガラス基板,2……第１電極,3,5,7,9……絶縁層,
4,8……発光層,6……第２電極,10……第３電極,15……
交流電源。
例を示す断面図，第２図は請求項１に関する他の実施例
を示す断面図，第３図は本発明の請求項２に関する薄膜
EL素子の一実施例を示す断面図，第４図は本発明の請求
項３に関する薄膜EL素子の一実施例を示す断面図，第５
図は本発明の請求項４に関する薄膜EL素子の一実施例を
示す断面図，第６図は本発明の請求項５に関する薄膜EL
素子の一実施例を示す断面図，第７図は本発明の請求項
６に関する薄膜EL素子の一実施例を示す断面図，第８図
は従来のEL薄膜素子を示す断面図，第９図，第10図は電
圧印加により局部的に溶融が発生した状態を示す断面
図，第11図は絶縁層の材質と伝搬型破壊の電界強度の関
係を示す図である。 １……ガラス基板,2……第１電極,3,5,7,9……絶縁層,
4,8……発光層,6……第２電極,10……第３電極,15……
交流電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上原 秀俊 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横 河電機株式会社内 (72)発明者 原 仁 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横 河電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−216295（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−146288（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−273807（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−264591（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−90809（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭55−10704（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭62−62438（ＪＰ，Ｂ２) 実願 昭62−76660号（実開 昭63− 184597号）の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム （ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁性で、かつ透明性を有する基板上に少
なくとも一層のEL発光層および絶縁層を挟んで積層され
た電極からなり、前記電極に交流電圧を印加することに
より前記発光層を発光させる様にした薄膜EL素子におい
て、前記電極をすべて酸化物からなる透明電極とし、前
記発光層を挟む少なくとも一方の側の電極を前記EL発光
層および絶縁層からなる部分より融点の低い部材で構成
したことを特徴とする薄膜EL素子。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜EL素子において、低融
点の部材はCTOとされ、そのCTOはSnO2またはSnO2に添加
物を加えた薄膜で挟まれていることを特徴とする薄膜EL
素子。 - 【請求項３】請求項１記載の薄膜EL素子において、低融
点の電極部材はCTOとされ、他の電極部材はITOとしたこ
とを特徴とする薄膜EL素子。 - 【請求項４】請求項３項記載の薄膜EL素子において、IT
O電極に正の電圧、CTO電極に負の直流電圧を印加した後
交流電圧を印加する様にしたことを特徴とする薄膜EL素
子。 - 【請求項５】請求項１記載の薄膜EL素子において、少な
くとも２層の発光層を形成する場合、低融点の電極部材
をCTO、他の電極部材をITOとし、ITO電極に正の電圧、C
TO電極に負の直流電圧を印加した後交流電圧を印加する
様にし、第１層の発光が可能な状態まで製作した時点で
一旦発光試験を行った後、以降の製造工程を実行するこ
とを特徴とすることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276718A JP2838111B2 (ja) | 1988-12-02 | 1989-10-24 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30580788 | 1988-12-02 | ||
| JP63-305807 | 1988-12-02 | ||
| JP1276718A JP2838111B2 (ja) | 1988-12-02 | 1989-10-24 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256192A JPH02256192A (ja) | 1990-10-16 |
| JP2838111B2 true JP2838111B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=26552075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1276718A Expired - Fee Related JP2838111B2 (ja) | 1988-12-02 | 1989-10-24 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838111B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008097828A (ja) * | 2005-01-21 | 2008-04-24 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法およびこれにより得られた有機ｅｌ素子 |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5510704A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-25 | Hitachi Ltd | Transparent conductive film and method of manufacturing same |
| JPS5630288A (en) * | 1979-08-20 | 1981-03-26 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing el display element |
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| JPS6290809A (ja) * | 1985-06-21 | 1987-04-25 | 鐘淵化学工業株式会社 | 酸化物透明導電性薄膜の製法 |
| JPS6262438A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Toshiba Corp | アクチユエ−タ |
| JPS62264591A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-17 | 富士通株式会社 | 薄膜エレクトロ・ルミネツセンス・パネルの製造方法 |
| JPS63216295A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-08 | 株式会社日立製作所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
| JPS63248091A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-14 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPS63184597U (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | ||
| JPH01146288A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Ricoh Co Ltd | 多色薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP1276718A patent/JP2838111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02256192A (ja) | 1990-10-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |