JPH0552569B2 - - Google Patents
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- JPH0552569B2 JPH0552569B2 JP59198372A JP19837284A JPH0552569B2 JP H0552569 B2 JPH0552569 B2 JP H0552569B2 JP 59198372 A JP59198372 A JP 59198372A JP 19837284 A JP19837284 A JP 19837284A JP H0552569 B2 JPH0552569 B2 JP H0552569B2
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜型の磁気記録媒体の製造方法に関
し、詳しくは、薄膜形成時の支持体の状態を改良
することにより、薄膜形成時の熱損傷を防止する
薄膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。 ［従来技術］ 一般に、強磁性金属薄膜の磁性層を有する磁気
記録媒体は、ポリエチレンテレフタレート等の高
分子フイルム支持体上に、真空蒸着、スパツタリ
ング、イオンプレーテイング等の手段により磁性
薄膜を形成して製造されている。そしてこの薄膜
形成に先立ち、薄膜形成過程の帯電防止さらには
磁気記録媒体の操作時の帯電防止等の目的で、バ
ツクコート層または下引層に導電性材料であるカ
ーボンブラツクを用いることは公知である。例え
ば、特開昭58−41418号には、バツクコート層と
してカーボンブラツクを含む塗膜を設ける技術が
開示されている。 しかしながら、バツクコート層および／または
下引層にカーボンブラツクの所定量（例えば、上
記明細書に記載のバツクコート層、膜厚0.5μm相
当でカーボンブラツクの含有率40重量％以上）を
用いて、通常の薄膜形成により磁性層を形成する
と、蒸発源からの輻射熱や二次電子等の影響によ
り、支持体に熱損傷いわゆる熱負けが発生し、支
持体の物理的特性が劣化し、得られた磁気記録媒
体のスキユー、ジツター、RF出力、オーデイオ
出力等の電磁変換特性に重大な悪影響が現われ
た。 上記熱負けは、支持体の熱損傷により穴があい
てしまう重度の熱負けから、目視では判定が不可
能であるか僅かに確認できる程度の軽度のものま
で含まれる。この重度の熱負けでは、磁気記録媒
体としての機能を有さないので論外であるが、軽
度の熱負けにおいても、支持体の僅かの熱負けが
上記磁気記録媒体の電磁変換特性に重大な影響を
与えるものである。 本発明者等が、上記事実に基づいて種々の検討
を加えた結果、上記熱負けは、バツクコート層お
よび／または下引層に含有せしめるカーボンブラ
ツク等の充填材の添加量と相関があることを見い
出し、本発明を完成するに至つたものである。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、磁性薄膜の形成時における支
持体の熱負けを防止する磁気記録媒体の製造方法
を提供することである。 本発明の他の目的は、電磁変換特性等に悪影響
を与えない磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とである。 ［発明の構成］ 本発明の上記目的は、支持体上に、導電性材料
とバインダーを含有するバツクコート層および／
または下引層を有し、強磁性金属薄膜の磁性層を
有する磁気記録媒体を製造する方法において、前
記バツクコート層および／または下引層が有する
支持体の光学濃度が0.8以下であることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法により達成される。 ［発明の具体的構成］ 本発明において、光学濃度（Optical density）
とは、以下の式で表わされる。 光学密度＝−log10Ｉ／I0 但し、I0およびＩはそれぞれ測定対象物体の入
射光および透過光の強度を表わす。 本発明においては、導電層材料を含有するバツ
クコート層および／または下引層を有する支持体
の光学濃度を0.8以下とすることにより、本発明
の効果を得ることができるが、好ましくは0.6以
下の光学濃度を有する場合である。 本発明において、導電性材料を含有するバツク
コート層および／または下引層を有する支持体の
光学濃度を制御する方法は、バツクコート層およ
び／または下引層の膜厚を制御して所望の光学濃
度を得てもよいし、添加されるカーボンブラツク
等の充填剤の量を制御して行つてもよい。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層は上記光学濃度の条件を満足する範囲に
おいて、その組成は任意であり、例えば帯電防止
剤として、導電性微粉末である、カーボンブラツ
ク、酸化チタン（）、グラフアイト等の光学濃
度大なる充填剤、同じく導電性微粉末で光学濃度
の小さい酸化スズ（）、酸化スズ−酸化アンチ
モン系、酸化チタン−酸化スズ−酸化アンチモン
系微粒子等の充填剤の一種もしくは２種以上を組
み合わせてバツクコート層および／または下引層
に用いることができる。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層に用いられるバインダーとしては、従来
公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂
または、電子線照射硬化型樹脂や、これらの混合
物を用いることができる。 熱可塑性樹脂としては、軟化温度が150℃以下、
平均分子量が10000〜200000、重合度が約200〜
2000程度のもので、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合
体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ア
クリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、
アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、
アクリル酸エステル−スチレン共重合体、メタク
リル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、メ
タクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、
メタクリル酸エステル−スチレン共重合体、ウレ
タンエラストマー、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポ
リビニルブチラート、セルロース誘導体（セルロ
ースアセテートブチレート、セルロースダイアセ
テート、セルローストリアセテート、セルロース
プロピオネート、ニトロセルロース等）、スチレ
ン−ブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、ク
ロロビニルエーテル−アクリル酸エステル共重合
体、アミノ樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹
脂およびこれらの混合物等が挙げられる。 熱硬化性樹脂または反応型樹脂としては、具体
的には、例えばフエノール樹脂、ポリウレタン硬
化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキツド
樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂、高分
子量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリ
マーの混合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソ
シアネートプレポリマーの混合物、ポリエステル
ポリオールとポリイソシアネートの混合物、尿素
ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グリコール／高
分子量ジオール／トリフエニルメタントリイソシ
アネートの混合物、ポリアミン樹脂およびこれら
の混合物等が挙げられる。 電子線照射硬化型樹脂としては、不飽和プレポ
マー、例えば無水マレイン酸タイプ、ウレタンア
クリルタイプ、ポリエステルアクリルタイプ、ポ
リエーテルアクリルタイプ、ポリウレタンアクリ
ルタイプ、ポリアミドアクリルタイプ等、または
多官能モノマーとして、エーテルアクリルタイ
プ、ウレタンアクリルタイプ、リン酸エステルア
クリルタイプ、アリールタイプ、ハイドロカーボ
ンタイプ等が挙げられる。 これらのバインダーを単独または２種以上を組
み合わせて用いることができる。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層には各種硬化剤を含有させることができ
る。用いられる硬化剤としては、ポリイソシアネ
ート類があり、例えばジイソシアネートと３価ポ
リオールとの付加体、もしくはジイソシアネート
の５量体、ジイソシアネート３モルと水の脱炭酸
化合物等が挙げられる。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層には、前記導電性微粉末、バインダー、
硬化剤の他に各種の添加剤として分散剤、潤滑
剤、研磨剤、充填剤等が加えられてもよい。 上記各種の成分に各種の有機溶媒を加え、混練
分散し、支持体の一面に塗布することにより本発
明のバツクコート層および／または下引層を有す
る支持体を形成することができる。 上記で用いられる有機溶媒としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系；メタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等の
アルコール系；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエ
ーテル等のエステル系；グリコールジメチルエー
テル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサ
ン等のグリコールエーテル系；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素；メチレンクロ
ライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロ
ロホルム、ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化
水素等のものが使用できる。 混練分散にあたつては、各種の混練機が使用さ
れる。例えば二本ロールミル、三本ロールミル、
ボールミル、ペブルミル、サンドグラインダー、
Szegvariアトライター、高速インペラー分散機、
高速ストーンミル、高速度衝撃ミル、デイスパー
ニーター、高速ミキサー、ホモジナイザー、超音
波分散機などがある。 塗布方法としては、エアーナイフコート、エア
ードクターコート、ブレードコート、リバースロ
ールコート、グラビアコート、トランスフアーロ
ールコート、キスコート、キヤストコート、スプ
レイコート等が利用でき、その他の方法も可能で
あり、これらの具体的説明は「コーテイングコー
ト」朝倉書店刊行（昭和46年発行）に詳細に記さ
れている。 上記の如くに光学濃度が0.8以下の本発明のバ
ツクコート層および／または下引層を有する支持
体を形成した後、支持体上に磁性薄膜を形成す
る。 支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、
ポリカーボネート、ポリプロピレン、セルロース
トリアセテート、ポリイミド、アラミド等のプラ
スチツクが挙げられる。 本発明において、支持体上に磁性薄膜を形成す
る方法としては、公知の真空蒸着（反応蒸着を含
む）、スパツタリング、イオンプレーテイング、
CVD（Chemical Vapor Deposition）等の方法が
挙げられる。 本発明に用いられる磁性薄膜材料には特に制限
はなく、例えば、Fe，Co，Niその他の磁性金
属、あるいはFe−Co，Fe−Ni，Co−Ni，Fe−
Si，Fe−Rh，Fe−Ｖ，Fe−Cu，Fe−Au，Co−
Ｐ，Co−Ｖ，Co−Si，Co−Ｙ，Co−La，Co−
Ce，Co−Pr，Co−Sm，Co−Mn，Co−Pt，Ni
−Cu，Co−Ni−Fe，Co−Ni−Ag，Co−Ni−
Zn，Co−Si−Al，Fe−Si−Al，Mn−Bi，Mn−
Sb，Mn−Al等の合金系磁性金属が挙げられる。 ［発明の具体的実施例］ 以下、本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様がこれにより限定される
ものではない。 膜厚12μmのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム支持体の一面に下記表１に示す組成の各種バ
ツクコート層を乾燥膜厚が0.5μmとなるように塗
布し、乾燥した。 各種バツクコート層形成後、それぞれの試料に
ついて、支持体の他面に斜め蒸着法によりCo−
Ni（80：20）の磁性材料を電子ビーム加熱により
蒸発させ、膜厚0.15μmの磁性薄膜を形成した。
磁性薄膜形成後、エマルボン薄膜を0.01μmの厚
さで磁性薄膜表面に形成した。 得られた各試料を1/2インチ幅に裁断し、本発
明の磁気テープ試料No.１〜３、比較テープ試料No.
１〜３を得た。
し、詳しくは、薄膜形成時の支持体の状態を改良
することにより、薄膜形成時の熱損傷を防止する
薄膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。 ［従来技術］ 一般に、強磁性金属薄膜の磁性層を有する磁気
記録媒体は、ポリエチレンテレフタレート等の高
分子フイルム支持体上に、真空蒸着、スパツタリ
ング、イオンプレーテイング等の手段により磁性
薄膜を形成して製造されている。そしてこの薄膜
形成に先立ち、薄膜形成過程の帯電防止さらには
磁気記録媒体の操作時の帯電防止等の目的で、バ
ツクコート層または下引層に導電性材料であるカ
ーボンブラツクを用いることは公知である。例え
ば、特開昭58−41418号には、バツクコート層と
してカーボンブラツクを含む塗膜を設ける技術が
開示されている。 しかしながら、バツクコート層および／または
下引層にカーボンブラツクの所定量（例えば、上
記明細書に記載のバツクコート層、膜厚0.5μm相
当でカーボンブラツクの含有率40重量％以上）を
用いて、通常の薄膜形成により磁性層を形成する
と、蒸発源からの輻射熱や二次電子等の影響によ
り、支持体に熱損傷いわゆる熱負けが発生し、支
持体の物理的特性が劣化し、得られた磁気記録媒
体のスキユー、ジツター、RF出力、オーデイオ
出力等の電磁変換特性に重大な悪影響が現われ
た。 上記熱負けは、支持体の熱損傷により穴があい
てしまう重度の熱負けから、目視では判定が不可
能であるか僅かに確認できる程度の軽度のものま
で含まれる。この重度の熱負けでは、磁気記録媒
体としての機能を有さないので論外であるが、軽
度の熱負けにおいても、支持体の僅かの熱負けが
上記磁気記録媒体の電磁変換特性に重大な影響を
与えるものである。 本発明者等が、上記事実に基づいて種々の検討
を加えた結果、上記熱負けは、バツクコート層お
よび／または下引層に含有せしめるカーボンブラ
ツク等の充填材の添加量と相関があることを見い
出し、本発明を完成するに至つたものである。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、磁性薄膜の形成時における支
持体の熱負けを防止する磁気記録媒体の製造方法
を提供することである。 本発明の他の目的は、電磁変換特性等に悪影響
を与えない磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とである。 ［発明の構成］ 本発明の上記目的は、支持体上に、導電性材料
とバインダーを含有するバツクコート層および／
または下引層を有し、強磁性金属薄膜の磁性層を
有する磁気記録媒体を製造する方法において、前
記バツクコート層および／または下引層が有する
支持体の光学濃度が0.8以下であることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法により達成される。 ［発明の具体的構成］ 本発明において、光学濃度（Optical density）
とは、以下の式で表わされる。 光学密度＝−log10Ｉ／I0 但し、I0およびＩはそれぞれ測定対象物体の入
射光および透過光の強度を表わす。 本発明においては、導電層材料を含有するバツ
クコート層および／または下引層を有する支持体
の光学濃度を0.8以下とすることにより、本発明
の効果を得ることができるが、好ましくは0.6以
下の光学濃度を有する場合である。 本発明において、導電性材料を含有するバツク
コート層および／または下引層を有する支持体の
光学濃度を制御する方法は、バツクコート層およ
び／または下引層の膜厚を制御して所望の光学濃
度を得てもよいし、添加されるカーボンブラツク
等の充填剤の量を制御して行つてもよい。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層は上記光学濃度の条件を満足する範囲に
おいて、その組成は任意であり、例えば帯電防止
剤として、導電性微粉末である、カーボンブラツ
ク、酸化チタン（）、グラフアイト等の光学濃
度大なる充填剤、同じく導電性微粉末で光学濃度
の小さい酸化スズ（）、酸化スズ−酸化アンチ
モン系、酸化チタン−酸化スズ−酸化アンチモン
系微粒子等の充填剤の一種もしくは２種以上を組
み合わせてバツクコート層および／または下引層
に用いることができる。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層に用いられるバインダーとしては、従来
公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂
または、電子線照射硬化型樹脂や、これらの混合
物を用いることができる。 熱可塑性樹脂としては、軟化温度が150℃以下、
平均分子量が10000〜200000、重合度が約200〜
2000程度のもので、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合
体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ア
クリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、
アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、
アクリル酸エステル−スチレン共重合体、メタク
リル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、メ
タクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、
メタクリル酸エステル−スチレン共重合体、ウレ
タンエラストマー、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポ
リビニルブチラート、セルロース誘導体（セルロ
ースアセテートブチレート、セルロースダイアセ
テート、セルローストリアセテート、セルロース
プロピオネート、ニトロセルロース等）、スチレ
ン−ブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、ク
ロロビニルエーテル−アクリル酸エステル共重合
体、アミノ樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹
脂およびこれらの混合物等が挙げられる。 熱硬化性樹脂または反応型樹脂としては、具体
的には、例えばフエノール樹脂、ポリウレタン硬
化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキツド
樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂、高分
子量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリ
マーの混合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソ
シアネートプレポリマーの混合物、ポリエステル
ポリオールとポリイソシアネートの混合物、尿素
ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グリコール／高
分子量ジオール／トリフエニルメタントリイソシ
アネートの混合物、ポリアミン樹脂およびこれら
の混合物等が挙げられる。 電子線照射硬化型樹脂としては、不飽和プレポ
マー、例えば無水マレイン酸タイプ、ウレタンア
クリルタイプ、ポリエステルアクリルタイプ、ポ
リエーテルアクリルタイプ、ポリウレタンアクリ
ルタイプ、ポリアミドアクリルタイプ等、または
多官能モノマーとして、エーテルアクリルタイ
プ、ウレタンアクリルタイプ、リン酸エステルア
クリルタイプ、アリールタイプ、ハイドロカーボ
ンタイプ等が挙げられる。 これらのバインダーを単独または２種以上を組
み合わせて用いることができる。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層には各種硬化剤を含有させることができ
る。用いられる硬化剤としては、ポリイソシアネ
ート類があり、例えばジイソシアネートと３価ポ
リオールとの付加体、もしくはジイソシアネート
の５量体、ジイソシアネート３モルと水の脱炭酸
化合物等が挙げられる。 本発明において、バツクコート層および／また
は下引層には、前記導電性微粉末、バインダー、
硬化剤の他に各種の添加剤として分散剤、潤滑
剤、研磨剤、充填剤等が加えられてもよい。 上記各種の成分に各種の有機溶媒を加え、混練
分散し、支持体の一面に塗布することにより本発
明のバツクコート層および／または下引層を有す
る支持体を形成することができる。 上記で用いられる有機溶媒としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系；メタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等の
アルコール系；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエ
ーテル等のエステル系；グリコールジメチルエー
テル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサ
ン等のグリコールエーテル系；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素；メチレンクロ
ライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロ
ロホルム、ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化
水素等のものが使用できる。 混練分散にあたつては、各種の混練機が使用さ
れる。例えば二本ロールミル、三本ロールミル、
ボールミル、ペブルミル、サンドグラインダー、
Szegvariアトライター、高速インペラー分散機、
高速ストーンミル、高速度衝撃ミル、デイスパー
ニーター、高速ミキサー、ホモジナイザー、超音
波分散機などがある。 塗布方法としては、エアーナイフコート、エア
ードクターコート、ブレードコート、リバースロ
ールコート、グラビアコート、トランスフアーロ
ールコート、キスコート、キヤストコート、スプ
レイコート等が利用でき、その他の方法も可能で
あり、これらの具体的説明は「コーテイングコー
ト」朝倉書店刊行（昭和46年発行）に詳細に記さ
れている。 上記の如くに光学濃度が0.8以下の本発明のバ
ツクコート層および／または下引層を有する支持
体を形成した後、支持体上に磁性薄膜を形成す
る。 支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、
ポリカーボネート、ポリプロピレン、セルロース
トリアセテート、ポリイミド、アラミド等のプラ
スチツクが挙げられる。 本発明において、支持体上に磁性薄膜を形成す
る方法としては、公知の真空蒸着（反応蒸着を含
む）、スパツタリング、イオンプレーテイング、
CVD（Chemical Vapor Deposition）等の方法が
挙げられる。 本発明に用いられる磁性薄膜材料には特に制限
はなく、例えば、Fe，Co，Niその他の磁性金
属、あるいはFe−Co，Fe−Ni，Co−Ni，Fe−
Si，Fe−Rh，Fe−Ｖ，Fe−Cu，Fe−Au，Co−
Ｐ，Co−Ｖ，Co−Si，Co−Ｙ，Co−La，Co−
Ce，Co−Pr，Co−Sm，Co−Mn，Co−Pt，Ni
−Cu，Co−Ni−Fe，Co−Ni−Ag，Co−Ni−
Zn，Co−Si−Al，Fe−Si−Al，Mn−Bi，Mn−
Sb，Mn−Al等の合金系磁性金属が挙げられる。 ［発明の具体的実施例］ 以下、本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様がこれにより限定される
ものではない。 膜厚12μmのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム支持体の一面に下記表１に示す組成の各種バ
ツクコート層を乾燥膜厚が0.5μmとなるように塗
布し、乾燥した。 各種バツクコート層形成後、それぞれの試料に
ついて、支持体の他面に斜め蒸着法によりCo−
Ni（80：20）の磁性材料を電子ビーム加熱により
蒸発させ、膜厚0.15μmの磁性薄膜を形成した。
磁性薄膜形成後、エマルボン薄膜を0.01μmの厚
さで磁性薄膜表面に形成した。 得られた各試料を1/2インチ幅に裁断し、本発
明の磁気テープ試料No.１〜３、比較テープ試料No.
１〜３を得た。
【表】
【表】
＊ 各添加剤は重量部で示してある。
上記本発明の試料No.１〜３、および比較試料No.
１〜３について、バツクコート層を有する支持体
の光学密度、熱負けの目視判定、ドロツプアウ
ト、電磁変換特性として、ジツター、スキユー、
RF出力変動、オーデイオ出力変動、ワウフラツ
ター、ルミＳ／Ｎ、クロマＳ／Ｎ、スチルライフ
をそれぞれ測定した。結果を表２に示す。
上記本発明の試料No.１〜３、および比較試料No.
１〜３について、バツクコート層を有する支持体
の光学密度、熱負けの目視判定、ドロツプアウ
ト、電磁変換特性として、ジツター、スキユー、
RF出力変動、オーデイオ出力変動、ワウフラツ
ター、ルミＳ／Ｎ、クロマＳ／Ｎ、スチルライフ
をそれぞれ測定した。結果を表２に示す。
【表】
表２の結果より明らかなように、本発明の製造
方法により得られた試料は、比較試料に比べて、
熱負けがなく、電磁変換特性としての各種の特性
も数段優れていることがわかる。
方法により得られた試料は、比較試料に比べて、
熱負けがなく、電磁変換特性としての各種の特性
も数段優れていることがわかる。
Claims (1)
- １ 支持体上に、導電性材料とバインダーを含有
するバツクコート層および／または下引層を有
し、強磁性金属薄膜の磁性層を有する磁気記録媒
体を製造する方法において、前記バツクコート層
および／または下引層が有する支持体の光学濃度
が0.8以下であることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19837284A JPS6177142A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19837284A JPS6177142A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177142A JPS6177142A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0552569B2 true JPH0552569B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=16390012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19837284A Granted JPS6177142A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177142A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57176539A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP19837284A patent/JPS6177142A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177142A (ja) | 1986-04-19 |
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