JPH0553432B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、不良感光素子を含む固体撮像器の
欠陥修正装置に関する。

〔発明の背景〕

固体イメージヤ（以下、固体撮像器という）
は、従来の撮像管に比べてその長寿命、低電力消
費、小形という利点であるために可視光および赤
外光の領域における放射エネルギ検知用カメラに
益々その用途が拡大している。固体撮像器は、情
景からの光に感応する個々の感光性画素（ピクセ
ル）の配列を有する結像部を持つている。ｘ−ｙ
アドレス型MOS電界効果トランジスタ型または
自己走査型CTD（電荷転送装置）型のようなテレ
ビジヨン・カメラ用として適した固体撮像器は、
一般に最大200000個のピクセルを有している。固
体撮像器を製造するための半導体基板材料中の不
規則な非均一性、および製造工程中に導入される
不純物と／または不完全さのために、各ピクセル
が許容結像応答特性を有する固体撮像器の製造歩
留りは、撮像器中のピクセル数が増加するに従つ
て大幅に低下する。固体撮像器における結像応答
特性の１つは、例えば暗電流応答である。半導体
装置が或る量の漏れ電流を生ずることはよく知ら
れている。固体撮像器では、光励起がなくても漏
れ電流がピクセル中に電荷を集積することとなる
可能性があり、これは暗電流応答として知られて
いる。固体撮像器をテレビジヨン・カメラに使用
する場合には、その各ピクセルの暗電流（非画像
表示）応答は、テレビジヨン信号が許容できる信
号対雑音比で生成されるように、画像表示光応答
に比べて相当的に低くなければならない。しか
し、もし或る特定ピクセルの暗電流応答が、その
周囲のピクセルの平均暗電流レベルより高いと、
それは生成されるテレビジヨン信号中の「ホワイ
ト・スポツト」欠陥として明瞭に現れることにな
る。また、撮像器の製造工程中に導入される不純
物と／または不完全さの結果として、ピクセルは
テレビジヨン信号中に「ブラツク・スポツト」欠
陥を生ぜしめる可能性がある。このような欠陥の
ため、高品質テレビジヨン・カメラに適した撮像
器のような多数のピクセルを有する固体撮像器の
製造歩留は極めて低い。それ故各撮像器は慎重に
試験を行なつて欠陥のあるものを選別除去せねば
ならず、そのため合格と判定された比較的少数の
撮像器は当然高価格になる。

テレビジヨン・カメラにこのような不完全な撮
像器を使用し、それによつて使用可能な撮像器の
数を増やして価格を下げる一つの方法は、カメラ
の中に欠陥修正器を取り入れることである。例え
ば、ナグモ（Nagumo）氏出願の米国特許第
4179711号には、CCD（電荷結合装置）撮像器と
欠陥位置情報を蓄積しているフレーム・メモリと
が同期してクロツク制御されるカメラが示されて
いる。不良（欠陥）ピクセルからの信号がCCD
から供給されていることを、欠陥位置メモリが指
示すると、その不良ピクセルの前のピクセルから
の信号が不良ピクセルからの信号の代りに使用さ
れる。一般に「置換法」と呼ばれるこの型の修正
法は、高品質テレビジヨン・カメラ用として望ま
しくない。その理由は、テスト・パターンまたは
非常に微細な部分を持つた情景を見たときに、こ
の置換された信号は間違つたものとして明瞭に観
察されるからである。更に、どのピクセルに欠陥
があるかを指定するために各ピクセルのアドレス
を記憶する大容量のメモリが必要となり、従つて
欠陥修正器の大きさ、コスト、電力消費が増大す
ることになるからである。

ホフマン（Hofmann）氏の出願による米国特
許第4200934号は、上記とは別の型の像欠陥修正
器を開示しており、固体撮像器の各ピクセルに対
する暗電流の大きさを記憶するためのフレーム・
メモリを有している。この撮像器とフレーム・メ
モリは、同期してクロツク制御され、フレーム・
メモリに記憶されている暗電流の大きさが撮像器
のそれぞれのピクセルにより供給される信号から
差引かれる。これによつて記憶されている各暗電
流の大きさがそれぞれのピクセルで発生しうる最
大の変動信号より小さく、かつ入射光に対し正確
に応答できるよう充分な信号容量（余裕）がある
限り、非画像暗電流変動分を実質的に含んでいな
い画像表示信号が得られる。この修正方式は、修
正部分が表示された画像中に事実上見えないの
で、置換法よりも有利である。しかし撮像器中の
全ピクセルに対する暗電流の大きさを全部記憶す
るために全フレームのメモリが必要である。例え
ば、ピクセル数が200000で、暗電流の大きさを記
憶するため１ピクセルあたり６ビツトが必要と仮
定すれば、1000000個以上の記憶位置（すなわち
ビツト）が必要となる。このメモリは、上記した
置換技術に比べて可成りの大きさ、コストおよび
電力消費等の負担を与える、特にそのカメラが欠
陥修正器を必要とする撮像器を複数個有する場合
には、負担が重くなる。従つて、カメラの価格或
は電力消費を余り増加させぬ方法で、テレビジヨ
ン・カメラに適した撮像器の供給を増加させるた
め、固体撮像器用の欠陥修正法を提供することが
望ましい。

〔発明の概要〕

この発明の原理によれば、撮像器中の全ピクセ
ル数より少ない数の不良ピクセルを有する固体撮
像器用の欠陥修正器において、不良ピクセルに関
する欠陥修正信号のみが生成される。これらの欠
陥修正信号は、次の不良ピクセルが欠陥補償済の
光応答信号を供給するよう、対応する不良ピクセ
ルからの光応答信号と組み合わされる。更に、上
記欠陥修正信号は、各不良ピクセルごとに周期的
にその不良光応答信号に応じて更新される。

〔詳細な説明と実施例〕

第１図のカメラにおいて、光学素子１０は、波
形矢印で示した光を情景から固体撮像器１２の感
光性結像部上に投射する。撮像器１２は、ｘ−ｙ
アドレス型MOS撮像器或は自己走査型CTD（電
荷転送装置）撮像器のような一般に使用されてい
る種々の固体撮像装置のうちの任意の１つを有す
るものである。図示した実施例の撮像器１２は、
RCA社から市販されているSID504フレーム転送
型CCD（電荷結合装置）撮像器のようなフレーム
転送型CCDより成るものである。簡単に言えば、
フレーム転送型CCD撮像器は、基板絶縁層上に
配置された複数の電極と、情景からの入射光に応
じて電荷パターンを発生させるための感光性画素
（ピクセル）の配列を含む結像部（Ａレジスタ）、
Ａレジスタで発生した電荷パターンを記憶するた
め入射光から遮蔽された電荷転送部（Ｂレジス
タ）、発生した電荷パターンに対応した電気信号
を読み出すための読み出し部（Ｃレジスタ）をそ
れぞれ形成するため選択的にドープされた諸領域
とを含む一枚の半導体基板を有する。ドライバ段
１４は、周知のようにレベル・シフト段および増
幅段を有し、主発振器１８からのパルスに応動し
てタイミングおよび同期（sync）回路１６で発
生する多相クロツク信号のレベル・シフトされ、
増幅された成分を、撮像器１２のＡ，ＢおよびＣ
レジスタの電極に供給する。CCD撮像器の構造
と動作はこの技術分野の専門家にとつては周知の
事柄であるから、撮像器１２についてこれ以上詳
細な説明に省略する。

Ｃレジスタの出力に生成される電気信号は、撮
像器出力信号を信号再生回路２０に供給するが、
この回路は、例えば周知の二重同期サンプリング
回路より成るものである。信号再生回路２０から
の信号は、差動増幅器２２の非反転（＋）信号入
力に供給される。以下更に詳細に説明するよう
に、もし特定のピクセルに欠陥があると、増幅器
２２の非反転（＋）信号入力における電気信号が
不良ピクセルに対応している期間、欠陥修正信号
が増幅器２２の反転（−）信号入力に供給され
る。欠陥修正済信号は、増幅器２２の出力に生成
され、信号処理回路２４により処理されるが、こ
の回路には、普通のテレビジヨン信号を発生させ
るためにガンマ補正、白黒バランス、同期信号挿
入等の回路を設けることができる。不良ピクセル
の修正信号（すなわち大きさのレベル）のみ発生
させれば良いのであるから、以下の説明から明ら
かになるが、欠陥修正器で必要とする回路数と電
力消費量の大幅な節減が可能となる。

更に詳しく説明すると、この欠陥修正器は、修
正すべき（要修正）不良ピクセルのそれぞれの位
置を指定するためのアドレス情報が記憶された、
不揮発性ROM（読み出し専用メモリ）を含む欠
陥位置メモリ２６を有する。このアドレス情報は
１ブロツクのビツトより成るもので良い。一例を
示せばこのブロツクは18ビツトを含むもので、第
１のビツトは欠陥を含むテレビジヨンのフイール
ドが奇数か偶数かを指示し、次の８ビツトは欠陥
のあるテレビジヨン走査線を指示し（８ビツトは
最大255本の線まで特定するに十分であり、この
本数はNTSCテレビジヨン方式におけるフイール
ド当り有効なテレビジヨン走査線242本に対し十
分である）、最後の９ビツトは、テレビジヨン走
査線に沿う欠陥の水平位置を指示する（９ビツト
は最大511の位置まで特定でき、この位置数は
RCA製SID504CCD撮像器により供給される１線
当り403ピクセルに対して十分である）。欠陥の大
きさメモリ２８は、また、各要修正不良ピクセル
における欠陥の大きさのレベルに関する情報ブロ
ツクを記憶した不揮発性のROMも持つている。
例えば、もし要修正欠陥が、ホワイト・スポツト
欠陥であれば、この不良ピクセルの暗電流の大き
さのうち、その近傍にあるピクセルの平均ピクセ
ル暗電流より大きい（すなわち平均暗電流の基準
レベルを越える）部分のレベルが、その不良ピク
セルに関する欠陥修正信号として１ブロツクをな
す１組の位置（６ビツトで十分）の形でメモリ２
８中に記憶される。

順次アドレス発生器３０は、欠陥位置メモリ２
６と欠陥大きさメモリ２８とにアドレス指定信号
を供給する。このアドレス指定信号により表わさ
れる各アドレスごとに、18ビツトの欠陥アドレス
が欠陥位置メモリ２６の中から読み出されバツフ
ア・レジスタ３２に記憶され、欠陥大きさメモリ
２８の中から対応する６ビツト欠陥修正信号が読
み出されてバツフア・レジスタ３４に記憶され
る。カメラがターン・オンされる毎に、タイミン
グおよび同期回路１６はフレーム周波数信号を順
次アドレス発生器３０に供給するが、この信号
は、要修正テレビジヨン・フレームの第１ピクセ
ル欠陥に関する情報の第１ブロツクを読み出すた
め、順次アドレス発生器からアドレス指定信号が
メモリ２６，２８に供給されるようにする。バツ
フア・レジスタ３４に記憶されているデイジタル
欠陥修正信号は、デイジタル−アナログ（Ｄ／
Ａ）変換器３６により変換されて対応するアナロ
グ欠陥修正信号となる。暗電流レベルは温度と共
に変化するので、温度補償段３８が、撮像器１２
と熱接触している温度センサ４０により発生され
る温度表示信号に従つて、Ｄ／Ａ変換器３６によ
り生成された欠陥修正信号のレベルを修正する。

アドレス比較器４２は、バツフア・レジスタ３
２からの欠陥アドレスを一方の入力ポートで受
け、他方の入力ポートでは撮像器１２から現在読
み出されているピクセルのアドレスを表わす現在
ピクセル・アドレス発生器４４からのアドレス指
定信号を受け入れる。現在ピクセル・アドレス発
生器４４は、テレビジヨン回路の専門家には良く
知られているように、現在ピクセルのアドレスを
生成するため、タイミングおよび同期回路１６か
ら供給されるＦ，Ｌ，Ｐの各信号に応動するフイ
ールド周波数（Ｆ）、ライン周波数（Ｌ）、ピクセ
ル周波数（Ｐ）の各カウンタを含んでいる。現在
ピクセル・アドレスが、バツフア・レジスタ３２
に記憶されている欠陥アドレスと一致したとき、
比較器４２の出力にフラツグ信号が生成される。
第１の不良ピクセルから得られた信号が増幅器２
２の非反転（＋）入力に結合されている期間中、
ゲート４６は、上記のフラツグ信号に応動して温
度補償済欠陥修正信号を増幅器２２の反転（−）
入力に結合するように働く。増幅器２２は第１不
良ピクセルから得られた増幅器の供給信号から欠
陥修正信号を差引くので、残りは実質的に不良ピ
クセルの画像表示光応答のみに対応した、カメラ
信号処理回路２４に供給される信号となる。信号
処理回路２４は、周知のようにゲート４６により
惹起されるピクセル端辺での切換信号の過渡現象
を消去するように、欠陥修正済信号を再サンプリ
ングするためその入力にサンプリング回路を設け
ることもできる。またフラツグ信号は、順次アド
レス発生器３０がメモリ２６，２８に新しいアド
レス指定信号を供給するようにするため、このア
ドレス発生器にも印加され、それにより前位のピ
クセルの欠陥修正が完了した後、次の不良ピクセ
ル用の欠陥アドレスと欠陥修正信号をそれぞれバ
ツフア３２，３４中に入力記憶させる。欠陥修正
装置の実際の構成によつては、上記した動作のタ
イミングが正確に起るようにするため、遅延回路
４７，４９をそれぞれ経由してゲート４６と順次
アドレス発生器３０になされるフラツグ信号の供
給を遅延させる必要のあることが判る。

カメラの組立前、すなわちカメラ製造中、欠陥
位置メモリ２６と欠陥大きさメモリ２８には不良
ピクセル用の欠陥アドレスと欠陥大きさの各情報
を入力記憶させなければならない。第２図には、
欠陥アドレスと欠陥大きさの各情報メモリ２６，
２８に入力記憶させるための装置が図示されてい
るが、この図中で構成と動作が第１図について説
明した諸要素と類似の要素には同じ参照番号を付
けて示してある。初めに、こゝには第１図の欠陥
修正器とともに使用するに適した、欠陥を有する
撮像器のみが使用されている。例えば、もし欠陥
がホワイト・スポツトであれば、それらは十分小
さく各不良ピクセルが正しく画像表示光応答を発
生させるための十分な信号容量（ヘツドルーム）
を利用できる。根本的には、第２図の回路配置で
は、信号処理回路２４からのビデオ信号は、加算
器４８を経由してその信号が再生されるモニタ５
０に印加される。撮像器１２の感光性Ａレジスタ
の前には、すべての光が感光ピクセルに到達する
ことを実質的に阻止するようにシヤツタ５１が配
置されているので、操作者は例えばモニタ５０上
のホワイト・スポツトのような暗電流欠陥を見る
ことができる。操作者は、カーソルの位置がモニ
タ５０上で不良ピクセルと一致するまで、カーソ
ルとアドレス発生器５２により生成されたカーソ
ルの位置を調整しながらモニタ５０を見続ける。
一旦両者が一致すると、操作者はスイツチ５４を
押してカーソルとアドレス発生器５２により指定
されるこの不良ピクセルの18ビツト・アドレスを
メモリ２６のROMに入力記憶させ、また欠陥修
正発生器５６により生成される６ビツトのデイジ
タル修正信号をメモリ２８のROMに入力記憶さ
せる。この工程は、要修正の各欠陥について欠陥
アドレスと修正信号がそれぞれメモリ２６，２８
に順次記憶されるまで繰返し行なわれる。

更に詳細に言うと、カーソルとアドレス発生器
５２は、撮像器が生成したビデオ信号に加算器４
８を介して加算されるカーソル信号を発生させる
ためＦ，Ｌ，Ｐ各信号に応答する各カウンタを有
している。更にカーソルとアドレス発生器５２
は、同時に、アドレス比較器４２と欠陥位置メモ
リ２６のデータ（Ｄ）入力とに印加される現在の
カーソル位置を表わす18ビツトのアドレスを生成
する。操作者が、カーソルと要修正の第１の欠陥
とが一致するようにカーソルを位置決めするた
め、カーソルとアドレス発生器５２に付属してい
る水平（Ｈ）および垂直（Ｖ）の各制御装置を調
整すると、メモリ２６に供給される18ビツトのカ
ーソル・アドレスは、不良ピクセルの18ビツト・
アドレスに一致する。更に、比較器４２はカーソ
ル・アドレス信号をアドレス発生器４４からの現
在ピクセル・アドレスと比較して、両アドレスが
一致するごとにフラツグ信号を発生する。このフ
ラツグ信号は、不良ピクセルの暗電流レベルをサ
ンプリングするためにサンプル−保持回路５８に
印加される。サンプリングされた暗電流レベル
は、差動増幅器６０の非反転（＋）入力に印加さ
れる。低域フイルタ６２は、不良ピクセルより前
位にある同ピクセル近辺の諸ピクセルの平均暗電
流を表わす信号をその出力に生成するように比較
的長い時定数（たとえば30ピクセル分）を有す
る。サンプル−保持回路６４は、回路５８と同じ
く（フラツグ信号に応動するもので、低域フイル
タ６２の出力をサンプリングし、その平均暗電流
信号を基準レベルとして増幅器６０の反転（−）
入力に印加する。増幅器６０に出力に生成される
差信号は欠陥修正信号に相当し、不良ピクセル近
辺の諸ピクセルの平均暗電流に対する不良ピクセ
ルの暗電流の偏差を表わしている。この欠陥修正
信号は、次に、Ａ／Ｄ変換器６６によりデイジタ
ル化され、メモリ２８のＤ入力に印加される６ビ
ツトのデイジタル信号になる。この様に、操作者
がカーソルを、修正されるべき第１の欠陥と一致
するように設定すると、以上説明してきたこの第
２図の装置は、要修正の第１の欠陥の欠陥アドレ
スと欠陥修正信号をメモリ２６，２８の各Ｄ入力
に供給する。

第１欠陥の18ビツト・ピクセル・アドレスと６
ビツトのデイジタル欠陥修正信号をメモリ２６，
２８中の両メモリ位置の第１のブロツクに送り込
むために、順次アドレス発生器３０は、アドレス
指定信号をメモリ２６，２８の各アドレス（Ａ）
入力に供給する。順次アドレス発生器３０により
アドレス指定されるメモリ２６，２８の位置の第
１ブロツクに欠陥アドレスとデイジタル修正信号
を入力記憶させる「LOAD」パルスを生成する
ため、操作者は、次にスイツチ５４を押してワ
ン・シヨツト・マルチ・バイブレータ６８を可動
化する。メモリ２６，２８に対する入力完了後、
遅延回路７０は、アドレス指定信号を増加させる
ために「LOAD」信号を順次アドレス発生器３
０に印加する。その結果、次の要修正欠陥用の次
の情報ブロツクのアドレスを表わす新しいアドレ
ス指定信号がメモリ２６，２８に印加される。操
作者は、要修正欠陥の各々について欠陥アドレス
と修正情報がメモリ２６，２８に記憶されるま
で、上記の手順を繰り返す。暗電流欠陥の大きさ
レベルは、光応答により生成される電荷量の関数
として実質的に一定であり、それ故に、カメラの
レンズ・キヤツプが外されて撮像器が入射光に応
動した後でも実質的に不変のピクセル欠陥の大き
さを、上記のカメラにキヤツプを被せた状態で測
定し記憶することが可能であることを注意すべき
である。

第３図は、第１図に示した実施例とは別の実施
例で、低速度の、従つて又低電力消費の部品を使
用できるようにした例を示している。修正可能な
欠陥を有する撮像器中の欠陥の数は、撮像器中の
全ピクセル数より一般にはるかに少なく、しかも
この欠陥は不規則に分布しているので、不良ピク
セルが隣り合つて存在する確率は非常に小さい。
要修正ピクセル相互間が広い間隔、例えば200ピ
クセルの場合のみを対象とすることにより、第１
図の実施例の場合よりほゞ２桁も長い変換時間と
読み出し時間をもつＤ／Ａ変換器とメモリ回路を
使うことが可能である。更に第３図では、欠陥大
きさメモリが、新しい欠陥大きさ情報で更新でき
るランダム・アクセス・メモリ（RAM）を含ん
でいる。

第３図では、第１図、第２図に関して既に説明
した要素と類似の要素には、同じ参照番号を付け
て示してある。欠陥位置メモリ７２は、（動作速
度がより遅いこと以外は第１図、第２図の欠陥位
置メモリ２６のROMに類似の）低速度ROMを
含んでおり、このROMは順次アドレス発生器３
０からのアドレス指定信号に応動して要修正欠陥
のアドレスをバツフア・レジスタ３２に供給す
る。RAMを有する欠陥大きさメモリ７４もまた
順次アドレス発生器３０からのアドレス信号に応
動して、アドレスがメモリ７２に記憶されている
不良ピクセルに対応するデイジタル欠陥大きさレ
ベルをバツフア・レジスタ３４に順次供給する。
低速Ｄ／Ａ変換器７６は、第１図の場合と同様
に、デイジタル欠陥大きさレベルを、ゲート４６
に印加されるべき対応する直流レベルに変換す
る。しかし各不良ピクセルの発生部相互間には少
なくとも200個の良質ピクセルがあるので、Ｄ／
Ａ変換器７６は、はかるに遅い速度で動作するこ
とができる。メモリ７２は素子３０，３２，４４
およびと共働してフラツグ信号を発生する。この
フラツグ信号は、第１図について前述したのと同
じ具合に、ゲート４６を導通させ、また増幅器２
２の（＋）入力に印加された撮像器供給信号の欠
陥修正を行なわせる。

更に、メモリ７４に記憶された欠陥大きさ情報
を周期的に更新できるように、第２図の欠陥修正
信号発生器５６とＡ／Ｄ変換器６６とが、信号再
生回路２０の出力に結合されていて、メモリ７４
のＤ入力に印加されるデイジタル欠陥修正信号を
生成する。この情報更新動作期間中、撮像器１２
は、例えばそのレンズ（図示せず）にキヤツプを
被せることにより光の入射阻止しておき、書込み
（Ｗ）信号がメモリ７４の読出し／書込み入力に
印加されてそのＤ入力に印加されたデイジタル欠
陥修正信号をこのメモリに記憶させる。書込み信
号は、レンズにキヤツプを被せることにより作動
するスイツチにより自動的に発生させることがで
きる。メモリ７４のRAMは揮発性であるから、
カメラがターン・オフされその動作電力の供給が
断たれる度毎に最新の欠陥大きさ情報が失われる
ことがないように補助蓄電池７８が設けられてい
る。この実施例は、最新の欠陥大きさ情報をメモ
リ７４に入力記憶させることができ、それにより
現在の動作温度と多相クロツクのバイアス状態
（クロツクのバイアス状態もまた撮像器１２中の
暗電流レベルに変化を与える）に対する正しい欠
陥大きさ情報を自動的に記憶するので、特に都合
がよい。従つて、或る用途では温度補償回路を必
要としないこともある。或いはまた、もしなお一
層正確な欠陥修正が必要な場合には、新しい欠陥
大きさ情報がメモリ７４に入力記憶される度毎
に、温度補償回路がそれに応じて欠陥大きさレベ
ルを修正するように、第１図で使用された温度補
償回路に類似の回路を設けることもできる。

第１図の欠陥大きさメモリ２８はROMを有す
る形式として説明したが、欠陥大きさ信号をアナ
ログ値として記憶するためにキヤパシタ・アレイ
を使用して、Ｄ／Ａ変換器の必要性をなくすよう
にし得ることは明らかである。更に、米国特許第
4253120号に記載されているように実時間で（オ
ン・ザ・フライ）隣接するピクセルのコントラス
ト特性を調べることにより欠陥ピクセルの位置を
検出することができる。そうすれば、第１図また
は第３図に示されている欠陥位置メモリ２６（ま
たは７２）、バツフア・レジスタ３２、アドレス
比較器４２、現在ピクセル・アドレス発生器４４
は省略することができる。これらのおよびその他
の改変実施例は何れも特許請求の範囲に示された
思想の範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に従つて構成した一例固体撮
像器欠陥修正器を含むテレビジヨン・カメラのブ
ロツク図、第２図は第１図に示す欠陥修正器とと
もに使用できる、固体撮像器中の欠陥の位置と大
きさレベルを決定する装置の構成を示すブロツク
図、第３図はこの発明の原理に従つて構成した欠
陥修正器の上記とは別の実施例を示すブロツク図
である。 １２……固体撮像器、１４……ドライバ段、１
６……タイミングおよび同期回路、２２……差動
増幅器、２６……欠陥位置メモリ、２８……欠陥
大きさメモリ、３２……バツフア・レジスタ、３
４……バツフア・レジスタ、７２……欠陥位置メ
モリ、７４……欠陥大きさメモリ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 多数の感光素子から成る配列を有し、この多
   数の感光素子が、基準レベルより少なくとも或る
   所定量だけずれた大きさを持つ非画像表示信号成
   分を生成するような、上記配列中の感光素子の全
   数よりも少数の感光素子から成るグループを含ん
   でいる、非画像表示信号成分を含んだ画像表示信
   号を生成する固体撮像手段と、 上記感光素子グループを構成する個々の素子の
   上記配列内における位置を指定する複数の素子位
   置信号を供給するメモリ手段と、 上記感光素子グループ内における各感光素子に
   ついて、その各非画像表示信号成分の上記基準レ
   ベルからのずれの量に関連した大きさを持つ各修
   正信号を供給する付加メモリ手段と、 上記画像表示信号と上記素子位置信号とに応動
   して、上記感光素子グループ内の各素子による上
   記非画像表示信号成分のずれを補償した出力信号
   を生成するように、上記各修正信号と上記素子位
   置信号によつて指定された対応する画像表示信号
   とを合成する信号合成手段と、 上記感光素子の配列が入射光を受けないように
   遮蔽されたとき選択的に付勢され、上記画像表示
   信号中の上記非画像表示信号成分と上記素子位置
   信号とに応答して、上記付加メモリ手段から供給
   される上記修正信号の大きさを更新する書込み手
   段と、 を具備して成る撮像装置。