JPH055434B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH055434B2 JPH055434B2 JP59250584A JP25058484A JPH055434B2 JP H055434 B2 JPH055434 B2 JP H055434B2 JP 59250584 A JP59250584 A JP 59250584A JP 25058484 A JP25058484 A JP 25058484A JP H055434 B2 JPH055434 B2 JP H055434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- charge transfer
- signal
- circuit
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電荷転送装置の出力回路に係り、具体
的には電荷転送装置の出力部の低雑音化に関す
る。
的には電荷転送装置の出力部の低雑音化に関す
る。
背景技術
電荷結合素子（以下、CCDと記す。）を用いた
撮像装置等に応用される電荷転送装置では、転送
された信号電荷を最終的に蓄積し、信号電荷に応
じた電圧を読み出すための拡散容量がCCDを構
成する基板上に形成されている。この拡散容量
は、正確に信号電荷を検出するために、拡散容量
に信号電荷が転送される直前に周期的に所定電位
にリセツトされるが、このリセツト動作に起因し
て生ずる熱雑音によりリセツト直後の拡散容量に
おける電位、換言すればCCDの出力電圧レベル
が変動する。
撮像装置等に応用される電荷転送装置では、転送
された信号電荷を最終的に蓄積し、信号電荷に応
じた電圧を読み出すための拡散容量がCCDを構
成する基板上に形成されている。この拡散容量
は、正確に信号電荷を検出するために、拡散容量
に信号電荷が転送される直前に周期的に所定電位
にリセツトされるが、このリセツト動作に起因し
て生ずる熱雑音によりリセツト直後の拡散容量に
おける電位、換言すればCCDの出力電圧レベル
が変動する。
このようなリセツト動作時に生ずる熱雑音の影
響をなくすために一般に、電荷転送装置の出力回
路に相関二重サンプリング回路が用いられてい
る。相関二重サンプリング回路は周知のように、
たとえば、電荷転送装置の拡散容量から得られる
信号出力を、所定の電位レベルにクランプした直
後のコンデンサにホールドし、この電圧を後にサ
ンプリングしてホールドすることによつて、信号
出力から零レベルを差し引いた信号成分を得るこ
とができる。したがつて、最終的な信号出力には
零レベルの変動による雑音成分が含まれていな
い。
響をなくすために一般に、電荷転送装置の出力回
路に相関二重サンプリング回路が用いられてい
る。相関二重サンプリング回路は周知のように、
たとえば、電荷転送装置の拡散容量から得られる
信号出力を、所定の電位レベルにクランプした直
後のコンデンサにホールドし、この電圧を後にサ
ンプリングしてホールドすることによつて、信号
出力から零レベルを差し引いた信号成分を得るこ
とができる。したがつて、最終的な信号出力には
零レベルの変動による雑音成分が含まれていな
い。
このサンプリング回路では通常、サンプリング
パルスで信号電圧をサンプリングしている。しか
しこのサンプリングパルスは、その立上りおよび
立下りが急峻なため、サンプルされた信号電圧に
は、サンプリングパルスの立上りおよび立下りに
対応してスパイク雑音が重畳される。
パルスで信号電圧をサンプリングしている。しか
しこのサンプリングパルスは、その立上りおよび
立下りが急峻なため、サンプルされた信号電圧に
は、サンプリングパルスの立上りおよび立下りに
対応してスパイク雑音が重畳される。
そこで従来は、相関二重サンプリング回路の出
力の低域フイルタを接続し、これによつて信号電
圧のスパイク雑音を除去していた。
力の低域フイルタを接続し、これによつて信号電
圧のスパイク雑音を除去していた。
しかしながら一般に、フイルタ回路は集積回路
化が困難であるので集積回路化されたCCDとの
両立性が低く、上述の低域フイルタを電荷転送装
置の出力部に用いると、電荷転送装置が大型化す
るという問題がある。
化が困難であるので集積回路化されたCCDとの
両立性が低く、上述の低域フイルタを電荷転送装
置の出力部に用いると、電荷転送装置が大型化す
るという問題がある。
またスパイク除去のために低域フイルタを用い
ると、信号成分のうち高周波成分を遮断してしま
うために、電荷転送装置を例えば撮像装置に用い
る場合には画像における解像度の低下を招くとい
う問題もあつた。
ると、信号成分のうち高周波成分を遮断してしま
うために、電荷転送装置を例えば撮像装置に用い
る場合には画像における解像度の低下を招くとい
う問題もあつた。
目 的
本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、
低域フイルタを用いずにサンプリング動作時に生
ずるスパイクを信号成分より除去することができ
る電荷転送装置の出力回路を提供することを目的
とする。
低域フイルタを用いずにサンプリング動作時に生
ずるスパイクを信号成分より除去することができ
る電荷転送装置の出力回路を提供することを目的
とする。
発明の開示
本発明によれば、電荷転送路と、電荷転送路か
ら転送された信号電荷を受けて蓄積する蓄積手段
と、蓄積手段を所定の電位にリセツトするリセツ
ト手段とを有する電荷転送装置から、信号電荷に
応じた出力を取り出す電荷転送装置の出力回路
は、蓄積手段の出力を所定の電圧に一時的にクラ
ンプするクランプ手段と、クランプののち蓄積手
段の出力をサンプリングして保持する第１のサン
プルホールド手段と、第１のサンプルホールド手
段に同期して所定の電気に固定された信号をサン
プリングして保持する第２のサンプルホールド手
段と、第１および第２のサンプルホールド手段の
出力の差に応じた信号を出力する演算手段とを有
するものである。
ら転送された信号電荷を受けて蓄積する蓄積手段
と、蓄積手段を所定の電位にリセツトするリセツ
ト手段とを有する電荷転送装置から、信号電荷に
応じた出力を取り出す電荷転送装置の出力回路
は、蓄積手段の出力を所定の電圧に一時的にクラ
ンプするクランプ手段と、クランプののち蓄積手
段の出力をサンプリングして保持する第１のサン
プルホールド手段と、第１のサンプルホールド手
段に同期して所定の電気に固定された信号をサン
プリングして保持する第２のサンプルホールド手
段と、第１および第２のサンプルホールド手段の
出力の差に応じた信号を出力する演算手段とを有
するものである。
本発明によれば、電荷転送路と、電荷転送路か
ら転送された信号電荷を受けて蓄積する蓄積手段
と、蓄積手段を所定の電位にリセツトするリセツ
ト手段とを有する電荷転送装置から、信号電荷に
応じた出力を取り出す電荷転送装置の出力回路
は、蓄積手段の出力を所定の電位に一時的にクラ
ンプする手段と、クランプ手段の出力を受けてこ
の出力の正相および逆相の信号を出力する回路手
段と、前記クランプののち、前記回路手段の正相
の出力信号をサンプリングして保持する第１のサ
ンプルホールド手段と、第１のサンプルホールド
手段に同期して、前記回路手段の逆相の出力信号
をサンプリングして保持する第２のサンプルホー
ルド手段と、第１および第２のサンプルホールド
手段の出力の差に応じた信号を出力する演算手段
とを有するものである。
ら転送された信号電荷を受けて蓄積する蓄積手段
と、蓄積手段を所定の電位にリセツトするリセツ
ト手段とを有する電荷転送装置から、信号電荷に
応じた出力を取り出す電荷転送装置の出力回路
は、蓄積手段の出力を所定の電位に一時的にクラ
ンプする手段と、クランプ手段の出力を受けてこ
の出力の正相および逆相の信号を出力する回路手
段と、前記クランプののち、前記回路手段の正相
の出力信号をサンプリングして保持する第１のサ
ンプルホールド手段と、第１のサンプルホールド
手段に同期して、前記回路手段の逆相の出力信号
をサンプリングして保持する第２のサンプルホー
ルド手段と、第１および第２のサンプルホールド
手段の出力の差に応じた信号を出力する演算手段
とを有するものである。
実施例の説明
次に添付図面を参照して本発明に係る電荷転送
装置の出力回路の実施例を詳細に説明する。
装置の出力回路の実施例を詳細に説明する。
第２図を参照すると、Ｐ型シリンコン基板１２
の主表面にゲートの電極１１のアレイが形成さ
れ、これによつて例えば２相駆動のCCD転送路
が構成されている。その終端付近には、Ｎ型拡散
領域１４が形成され、これは接続線１５によつて
増幅器２０に接続されている。
の主表面にゲートの電極１１のアレイが形成さ
れ、これによつて例えば２相駆動のCCD転送路
が構成されている。その終端付近には、Ｎ型拡散
領域１４が形成され、これは接続線１５によつて
増幅器２０に接続されている。
拡散領域１４は静電容量CDを有し、同じく基
板１２の表面に形成されたリセツトゲート１８
と、基板１２の表面付近にその中に形成されたＮ
型拡散領域１６とによつてリセツトトランジスタ
TRを構成している。領域１６は所定の基準電圧
VRを有する電源２２に接続されている。
板１２の表面に形成されたリセツトゲート１８
と、基板１２の表面付近にその中に形成されたＮ
型拡散領域１６とによつてリセツトトランジスタ
TRを構成している。領域１６は所定の基準電圧
VRを有する電源２２に接続されている。
各ゲート電極１１に第３図ａ，ｂに示すタイミ
ングで水平転送パルスφH１，φH２が印加され
ると、ゲート電極１１によつて順次形成される電
位の井戸に従つて基板１２の表面付近を信号電極
Ｑが順次、転送され、最終的に拡散層１４による
拡散容量CDに蓄積される。この電荷Ｑは、バツ
フアアンプ２０を介してCCDの信号の力VOSとし
て取り出される。
ングで水平転送パルスφH１，φH２が印加され
ると、ゲート電極１１によつて順次形成される電
位の井戸に従つて基板１２の表面付近を信号電極
Ｑが順次、転送され、最終的に拡散層１４による
拡散容量CDに蓄積される。この電荷Ｑは、バツ
フアアンプ２０を介してCCDの信号の力VOSとし
て取り出される。
ここで拡散量CDに信号電荷が転送される直前、
例えば時刻t1でリセツトパルスφRSがゲート１８
に印加される（第３図ｃ）。この結果、拡散容量
１４は、ゲート１８によつて形成されたチヤネル
によつて他のＮ型拡散層１６に接続され、これを
通してリセツト電源２２によりリセツト電圧VR
のレベルにリセツトされる。この時のCCDの出
力電圧VOSは第３図ｄに示すように、時刻t1〜t2
間でゲート１８がON状態となつたときに抵抗と
して作用することに起因する熱雑音NTが重畳し
た波形となる。
例えば時刻t1でリセツトパルスφRSがゲート１８
に印加される（第３図ｃ）。この結果、拡散容量
１４は、ゲート１８によつて形成されたチヤネル
によつて他のＮ型拡散層１６に接続され、これを
通してリセツト電源２２によりリセツト電圧VR
のレベルにリセツトされる。この時のCCDの出
力電圧VOSは第３図ｄに示すように、時刻t1〜t2
間でゲート１８がON状態となつたときに抵抗と
して作用することに起因する熱雑音NTが重畳し
た波形となる。
従つて時刻t2〜t4間における出力電圧VOSは、
熱雑音の影響により変動するレベルのリセツトパ
ルスφRS立下り時点t2における値に応じて変動
し、それに応じて信号電荷の拡散容量１４への転
送が終了した後の時刻t5〜t6間における出力電圧
VOSのレベルも変動することとなる。このような
リセツト動作に起因して生ずる熱雑音の影響をな
くすために相関二重サンプリング法という手法が
知られている。
熱雑音の影響により変動するレベルのリセツトパ
ルスφRS立下り時点t2における値に応じて変動
し、それに応じて信号電荷の拡散容量１４への転
送が終了した後の時刻t5〜t6間における出力電圧
VOSのレベルも変動することとなる。このような
リセツト動作に起因して生ずる熱雑音の影響をな
くすために相関二重サンプリング法という手法が
知られている。
本発明は、この相関二重サンプリング法に固有
のスパイク雑音を、従来使用されているように低
域フイルタを用いることなく除去するものであ
り、その実施例を第１図に示す。同図において、
バツフアアンプ２０（第２図）の出力３０は、ク
ランプコンデンサCcを介してクランプ回路３２に
接続されている。クランプ回路３２は、拡散容量
１４をリセツト後、クランプパルスφCPに応動
してコンデンサCcを所定のレベルに一時的にクラ
ンプする回路である。
のスパイク雑音を、従来使用されているように低
域フイルタを用いることなく除去するものであ
り、その実施例を第１図に示す。同図において、
バツフアアンプ２０（第２図）の出力３０は、ク
ランプコンデンサCcを介してクランプ回路３２に
接続されている。クランプ回路３２は、拡散容量
１４をリセツト後、クランプパルスφCPに応動
してコンデンサCcを所定のレベルに一時的にクラ
ンプする回路である。
クランプ回路３２の出力３３は、第１のサンプ
ルホールド回路３４に接続され、後者の出力３５
は、一方ではホールドコンデンサCH1を介して接
地され、他方では差動増幅器５４の非反転入力
（＋）に接続されている。サンプルホールド回路
３４は、サンプリングパルスφSPに応動して入力
３３の電圧をサンプリングし、コンデンサCH1に
保持させる回路である。
ルホールド回路３４に接続され、後者の出力３５
は、一方ではホールドコンデンサCH1を介して接
地され、他方では差動増幅器５４の非反転入力
（＋）に接続されている。サンプルホールド回路
３４は、サンプリングパルスφSPに応動して入力
３３の電圧をサンプリングし、コンデンサCH1に
保持させる回路である。
差動増幅器５４の反転入力（−）５５には第２
のサンプリング回路５０が接続され、これは第１
のサンプリング回路３４と実質的に同じ構成を有
し、同じサンプリングパルスφSPが供給される。
ただし、その入力５１には、電源５２によつて所
定の電圧VKが固定的に供給されている。反転入
力５５はまた、コンデンサCH1と実質的に同じコ
ンデンサCH2を介して接地されている。差動増幅
器５４は、両入力３５と５５の差に応じた電圧を
出力５６に出力する演算回路である。
のサンプリング回路５０が接続され、これは第１
のサンプリング回路３４と実質的に同じ構成を有
し、同じサンプリングパルスφSPが供給される。
ただし、その入力５１には、電源５２によつて所
定の電圧VKが固定的に供給されている。反転入
力５５はまた、コンデンサCH1と実質的に同じコ
ンデンサCH2を介して接地されている。差動増幅
器５４は、両入力３５と５５の差に応じた電圧を
出力５６に出力する演算回路である。
ところで端子３０よりCCDの信号出力VOSが入
力され、例えば第３図ｅに示すタイミングで、即
ち拡散容量CDがリセツトされた直後に出力され
るクランプパルスφCPによりクランプ用コンデ
ンサCcを所定レベルまで充電し、リセツト時にお
けるCCDの信号電圧VOS（零レベル）を一定電圧
にクランプする。
力され、例えば第３図ｅに示すタイミングで、即
ち拡散容量CDがリセツトされた直後に出力され
るクランプパルスφCPによりクランプ用コンデ
ンサCcを所定レベルまで充電し、リセツト時にお
けるCCDの信号電圧VOS（零レベル）を一定電圧
にクランプする。
その後、水平転送パルスφH１，φH２によつ
て水平転送路から拡散容量CDへの信号電荷の転
送が開始される。転送動作が終了した時点、例え
ば第３図における時刻t5から時刻t6に至る期間内
にサンプリングパルスφSPがサンプルホールド回
路３４に入力され、信号電圧VOSのサンプリング
動作が行われる。たとえば、このときの信号電圧
VOSが第４図ａに示すような変化を示している
と、信号電圧VOSは同図ｂに示すタイミングで出
力されるサンプリングパルスφSPによりサンプリ
ングされ、サンプルホールド用コンデンサCH1に
より各サンプリングパルスの立下り時点でホール
ドされる（第４図ｃ）。この時、第４図ｃに示す
ように信号電圧VOSがサンプリングされると、サ
ンプルホールド回路３４の出力電圧VH1にはサン
プリングパルスの立上り、立下り時点でスパイク
１００，１０２が重畳される。従来回路では、サ
ンプルホールド回路３４の出力信号の低域成分を
除去する低域フイルタによりこのスパイクを除去
していた。
て水平転送路から拡散容量CDへの信号電荷の転
送が開始される。転送動作が終了した時点、例え
ば第３図における時刻t5から時刻t6に至る期間内
にサンプリングパルスφSPがサンプルホールド回
路３４に入力され、信号電圧VOSのサンプリング
動作が行われる。たとえば、このときの信号電圧
VOSが第４図ａに示すような変化を示している
と、信号電圧VOSは同図ｂに示すタイミングで出
力されるサンプリングパルスφSPによりサンプリ
ングされ、サンプルホールド用コンデンサCH1に
より各サンプリングパルスの立下り時点でホール
ドされる（第４図ｃ）。この時、第４図ｃに示す
ように信号電圧VOSがサンプリングされると、サ
ンプルホールド回路３４の出力電圧VH1にはサン
プリングパルスの立上り、立下り時点でスパイク
１００，１０２が重畳される。従来回路では、サ
ンプルホールド回路３４の出力信号の低域成分を
除去する低域フイルタによりこのスパイクを除去
していた。
本実施例ではこのような低域フイルタを使用せ
ず、サンプルホールド回路３４およびコンデンサ
CH1と回路特性がそれぞれ実質的に同じな第２の
サンプルホールド回路５０およびコンデンサCH2
を使用し、２つのサンプルホールド回路３４およ
び５０で実質的に同じようなスパイク雑音を発生
させ、両者のスパイク雑音を差動増幅器５４によ
つて相殺するように構成されている。
ず、サンプルホールド回路３４およびコンデンサ
CH1と回路特性がそれぞれ実質的に同じな第２の
サンプルホールド回路５０およびコンデンサCH2
を使用し、２つのサンプルホールド回路３４およ
び５０で実質的に同じようなスパイク雑音を発生
させ、両者のスパイク雑音を差動増幅器５４によ
つて相殺するように構成されている。
より詳細には、第１のサンプルホールド回路３
４でサンプリングを行なうのと同じタイミングで
サンプルホールド回路５０により固定電源５２に
よる電圧VKがサンプリングされ、コンデンサCH2
に保持される。このサンプルホールドされた波形
VH2を第４図ｄに示す。この電圧VH2には電圧VH1
のと同相のスパイク１０４，１０６が乗つている
ので、これらの電圧VH1，VH2が差動増幅器５４
に入力され、相互に減算されることにより、その
出力端５６にはスパイクが実質的に除去された信
号VOUTが得られる。
４でサンプリングを行なうのと同じタイミングで
サンプルホールド回路５０により固定電源５２に
よる電圧VKがサンプリングされ、コンデンサCH2
に保持される。このサンプルホールドされた波形
VH2を第４図ｄに示す。この電圧VH2には電圧VH1
のと同相のスパイク１０４，１０６が乗つている
ので、これらの電圧VH1，VH2が差動増幅器５４
に入力され、相互に減算されることにより、その
出力端５６にはスパイクが実質的に除去された信
号VOUTが得られる。
次に本発明の他の実施例を第５図に示す。本実
施例が第１図に示した実施例と構成上、異なる点
は、クランプ回路３２の出力３３とサンプリング
回路３４，５０の各入力６２，６４との間に差動
増幅器６０を設け、差動増幅器６０の両差動出力
をそれぞれ、サンプリング回路３４，５０の入力
信号とするようにしたことである。増幅器６０
は、非反転出力６２には入力３３と同相の信号
を、反転出力６４には逆相の信号を出力する回路
である。
施例が第１図に示した実施例と構成上、異なる点
は、クランプ回路３２の出力３３とサンプリング
回路３４，５０の各入力６２，６４との間に差動
増幅器６０を設け、差動増幅器６０の両差動出力
をそれぞれ、サンプリング回路３４，５０の入力
信号とするようにしたことである。増幅器６０
は、非反転出力６２には入力３３と同相の信号
を、反転出力６４には逆相の信号を出力する回路
である。
上記構成において、第１図の実施例と同様に、
クランプ回路３２により一定電圧にクランプされ
た後の信号電圧VOSは差動増幅器６０により二つ
の差動出力、すなわち正相、逆相の二つの信号が
得られる。これら二つの信号がそれぞれ、同一の
サンプリングパルスφSPにより駆動されるサンプ
ルホールド回路３４，５０によりサンプリングさ
れ、コンデンサCH1，CH2に保持される。このと
き、コンデンサCH2に保持される電圧VH2aを第４
図ｆに示す。なおコンデンサCH1には、第１図の
実施例と同様の電圧波形、すなわち、たとえば第
４図ｃの電圧VH1が現われる。これらからわかる
ように両電圧VH1，VH2aには同相でスパイクが乗
つており、しかも信号成分は互いに位相が180°異
なるので、差動増幅器５４の出力端にはスパイク
１００，１０２，１０８，１１０が除去された
2VH1に相当する電圧（VH2＝−VH1）が得られる
ことになる。
クランプ回路３２により一定電圧にクランプされ
た後の信号電圧VOSは差動増幅器６０により二つ
の差動出力、すなわち正相、逆相の二つの信号が
得られる。これら二つの信号がそれぞれ、同一の
サンプリングパルスφSPにより駆動されるサンプ
ルホールド回路３４，５０によりサンプリングさ
れ、コンデンサCH1，CH2に保持される。このと
き、コンデンサCH2に保持される電圧VH2aを第４
図ｆに示す。なおコンデンサCH1には、第１図の
実施例と同様の電圧波形、すなわち、たとえば第
４図ｃの電圧VH1が現われる。これらからわかる
ように両電圧VH1，VH2aには同相でスパイクが乗
つており、しかも信号成分は互いに位相が180°異
なるので、差動増幅器５４の出力端にはスパイク
１００，１０２，１０８，１１０が除去された
2VH1に相当する電圧（VH2＝−VH1）が得られる
ことになる。
このように本実施例によればスパイクを除去し
た上に、より大きい信号電圧が得られる。尚、上
記二つの実施例における各回路要素はCCD基板
上に集積化し得るものである。
た上に、より大きい信号電圧が得られる。尚、上
記二つの実施例における各回路要素はCCD基板
上に集積化し得るものである。
効 果
本発明によれば低域フイルタを用いずに、相関
二重サンプリングにおけるサンプリング時に発生
するスパイクノイズを除去することができる。
二重サンプリングにおけるサンプリング時に発生
するスパイクノイズを除去することができる。
したがつて、電荷転送装置の出力回路を小型化
でき、しかも本発明を撮像装置に使用する場合に
は、特定の周波数帯域の信号成分を遮断すること
がないので、これによる画像解像度の劣化がな
い。
でき、しかも本発明を撮像装置に使用する場合に
は、特定の周波数帯域の信号成分を遮断すること
がないので、これによる画像解像度の劣化がな
い。
第１図は本発明に係る電荷転送装置の出力回路
の一実施例を示す回路図、第２図は本発明による
出力回路が適用される電荷転送装置の構成を示す
回路図、第３図は第２図に示した電荷転送装置の
各部の動作を示す波形図、第４図は第１図および
第５図に示した出力回路の動作を示す波形図、第
５図は本発明の他の実施例を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、３２……クランプ回
路、３４，５０……サンプルホールド回路、５
４，６０……差動増幅器。
の一実施例を示す回路図、第２図は本発明による
出力回路が適用される電荷転送装置の構成を示す
回路図、第３図は第２図に示した電荷転送装置の
各部の動作を示す波形図、第４図は第１図および
第５図に示した出力回路の動作を示す波形図、第
５図は本発明の他の実施例を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、３２……クランプ回
路、３４，５０……サンプルホールド回路、５
４，６０……差動増幅器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 蓄積した電荷を順次出力側に転送する電荷転
送路と、該電荷転送路の出力端に形成されて該電
荷転送路から転送された信号電荷を順次検出して
読み出すための検出手段と、該検出手段から読み
出した信号電荷を出力する出力手段と、前記検出
手段を周期的に所定の電位にリセツトするリセツ
ト手段とを有する電荷転送装置から、信号電荷に
応じた出力を取り出す電荷転送装置の出力回路に
おいて、該出力回路は、 前記出力手段の出力を所定の電圧に一時的にク
ランプするクランプ手段と、 該クランプののち前記出力手段の出力をサンプ
リングして保持する第１のサンプルホールド手段
と、 第１のサンプルホールド手段に同期して所定の
電位に固定された信号をサンプリングして保持す
る第２のサンプルホールド手段と、 第１および第２のサンプルホールド手段の出力
の差に応じた信号を出力する演算手段とを有する
ことを特徴とする電荷転送装置の出力回路。 ２ 蓄積した電荷を順次出力側に転送する電荷転
送路と、該電荷転送路の出力端に形成されて該電
荷転送路から転送された信号電荷を順次検出して
読み出すための検出手段と、該検出手段にて読み
出した信号電荷を出力する出力手段と、前記検出
手段を周期的に所定の電位にリセツトするリセツ
ト手段とを有する電荷転送装置から、信号電荷に
応じた出力を取り出す電荷転送装置の出力回路に
おいて、該出力回路は、 前記出力手段の出力を所定の電圧に一時的にク
ランプするクランプ手段と、 該クランプ手段の出力を受けて該出力の正相お
よび逆相の信号を出力する回路手段と、 前記クランプののち、該回路手段の正相の出力
信号をサンプリングして保持する第１のサンプル
ホールド手段と、 第１のサンプルホールド手段に同期して、前記
回路手段の逆相の出力信号をサンプリングして保
持する第２のサンプルホールド手段と、 第１および第２のサンプルホールド手段の出力
の差に応じた信号を出力する演算手段とを有する
ことを特徴とする電荷転送装置の出力回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250584A JPS61129964A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 電荷転送装置の出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250584A JPS61129964A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 電荷転送装置の出力回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129964A JPS61129964A (ja) | 1986-06-17 |
| JPH055434B2 true JPH055434B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=17210060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250584A Granted JPS61129964A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | 電荷転送装置の出力回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129964A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2693426B2 (ja) * | 1986-10-27 | 1997-12-24 | ソニー株式会社 | サンプリングホールド回路 |
| JPS63305678A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子の出力信号処理回路 |
| JPH04147498A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Nec Corp | サンプルホールド回路 |
| JPH04238473A (ja) * | 1991-01-23 | 1992-08-26 | Nec Corp | 画像信号処理回路 |
| JPH06334483A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチトキャパシタサンプルホールド回路 |
| JP3573849B2 (ja) * | 1995-11-10 | 2004-10-06 | 富士通株式会社 | 増幅回路 |
| FR2774235B1 (fr) * | 1998-01-23 | 2000-06-16 | Proengin | Dispositif d'amplification d'un signal de faible intensite |
| JP4536234B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2010-09-01 | 新日本無線株式会社 | 電荷結合素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172892A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子試験装置 |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP59250584A patent/JPS61129964A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61129964A (ja) | 1986-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6211914B1 (en) | Apparatus for reading signals out of solid-state image sensing device | |
| JPS6134798A (ja) | 電荷転送素子の出力信号処理回路 | |
| JPS6215960B2 (ja) | ||
| JPS6255349B2 (ja) | ||
| EP0395142B1 (en) | Sensor circuit for correlated double signal sampling | |
| JP2576860B2 (ja) | 撮像装置 | |
| US4698686A (en) | Image-sensing system with noise eliminator | |
| JPH10108081A (ja) | 固体撮像装置およびその信号処理方法並びにカメラ | |
| US4719512A (en) | Noise cancelling image sensor | |
| JPH0422394B2 (ja) | ||
| JPS61129964A (ja) | 電荷転送装置の出力回路 | |
| JP3389949B2 (ja) | 固体撮像素子用雑音除去回路 | |
| US4075514A (en) | Sensing circuit for semiconductor charge transfer devices | |
| JP3818711B2 (ja) | 相関二重サンプリング回路 | |
| JPS6358968A (ja) | 電荷結合素子 | |
| JPH0746844B2 (ja) | 固体撮像装置の信号読み出し装置 | |
| JP2522068B2 (ja) | 電荷結合素子の信号処理装置 | |
| JP2703886B2 (ja) | 電荷結合素子の信号処理回路 | |
| JP2652258B2 (ja) | Ｃｃｄ出力回路 | |
| US4412190A (en) | Apparatus for processing CCD output signals | |
| JPS6138624B2 (ja) | ||
| JP3542636B2 (ja) | Ｃｃｄ信号読出し回路 | |
| JPH08237557A (ja) | 相関器回路 | |
| JP2767878B2 (ja) | 電荷転送素子の出力回路 | |
| JPH0336138Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |