JPH0555013A - チツプ型抵抗減衰器 - Google Patents
チツプ型抵抗減衰器Info
- Publication number
- JPH0555013A JPH0555013A JP3217674A JP21767491A JPH0555013A JP H0555013 A JPH0555013 A JP H0555013A JP 3217674 A JP3217674 A JP 3217674A JP 21767491 A JP21767491 A JP 21767491A JP H0555013 A JPH0555013 A JP H0555013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- attenuator
- chip
- electrodes
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 4
- 241000209140 Triticum Species 0.000 abstract 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】セラミック等のプリント基板１上にパイ形もし
くはＴ形に抵抗体２を形成して蒸着させ、入力用，出力
用，接地用の３つの端子を表面実装用チップ抵抗の電極
３Ａ，３Ｂ，３Ｃで形成している。 【効果】プリント基板上ランドや電極部分による浮遊容
量インダクタンスの少ない理想値に近い高周波減衰特性
を実現できる。また、回路実装の省スペース化にも有効
である。
くはＴ形に抵抗体２を形成して蒸着させ、入力用，出力
用，接地用の３つの端子を表面実装用チップ抵抗の電極
３Ａ，３Ｂ，３Ｃで形成している。 【効果】プリント基板上ランドや電極部分による浮遊容
量インダクタンスの少ない理想値に近い高周波減衰特性
を実現できる。また、回路実装の省スペース化にも有効
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型抵抗減衰器に関
し、特に高周波帯域用電気部品としてプリント基板上に
形成されるチップ型抵抗減衰器に関する。
し、特に高周波帯域用電気部品としてプリント基板上に
形成されるチップ型抵抗減衰器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来プリント基板での高周波帯域用の抵
抗減衰器としては、図２に示すように複数のチップ抵抗
５を組み合わせて、ランドパターン６およびスルーホー
ル７でプリント基板４上にパイ形又はＴ形に形成してい
た。ここで入力部８、出力部９にははんだ付でリード線
を接続していた。又、ほかの型式として図３に示すよう
に、プリント基板１上に抵抗体２をパイ形又はＴ形に蒸
着し、電極３を取り付けて一つのきょう体状に形成した
ものもあるが、その場合に電極３に取り付けられたリー
ド１０が本体から突出した形状となっていた。
抗減衰器としては、図２に示すように複数のチップ抵抗
５を組み合わせて、ランドパターン６およびスルーホー
ル７でプリント基板４上にパイ形又はＴ形に形成してい
た。ここで入力部８、出力部９にははんだ付でリード線
を接続していた。又、ほかの型式として図３に示すよう
に、プリント基板１上に抵抗体２をパイ形又はＴ形に蒸
着し、電極３を取り付けて一つのきょう体状に形成した
ものもあるが、その場合に電極３に取り付けられたリー
ド１０が本体から突出した形状となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
帯域用の抵抗減衰器は、複数のチップ抵抗を用いるの
で、高周波の信号に対しては、部品搭載用のプリント基
板上のランド、抵抗間の電極部それぞれの浮遊容量、イ
ンダクタンス分が無視できなくなり、理論上の減衰値が
得られなくなる欠点があった。また近年、高密度表面実
装の要求が高まるにつれ、他の回路部とのレイアウトの
関係で特にパイ形減衰器においては接地パターンの共有
化が困難になる。また、従来の図３に例示した一体化し
た減衰器も入力，出力，接地端子が本体より突出したリ
ードにて構成されているので、他の回路部レイアウトが
困難となっていた。
帯域用の抵抗減衰器は、複数のチップ抵抗を用いるの
で、高周波の信号に対しては、部品搭載用のプリント基
板上のランド、抵抗間の電極部それぞれの浮遊容量、イ
ンダクタンス分が無視できなくなり、理論上の減衰値が
得られなくなる欠点があった。また近年、高密度表面実
装の要求が高まるにつれ、他の回路部とのレイアウトの
関係で特にパイ形減衰器においては接地パターンの共有
化が困難になる。また、従来の図３に例示した一体化し
た減衰器も入力，出力，接地端子が本体より突出したリ
ードにて構成されているので、他の回路部レイアウトが
困難となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型抵抗減
衰器はセラミック等のプリント基板上にパイ形もしくは
Ｔ形に抵抗体を形成して蒸着させ、前記入力用，出力
用，接地用の３つの端子を表面実装用チップ抵抗の電極
で形成している。
衰器はセラミック等のプリント基板上にパイ形もしくは
Ｔ形に抵抗体を形成して蒸着させ、前記入力用，出力
用，接地用の３つの端子を表面実装用チップ抵抗の電極
で形成している。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例の斜視図である。
図１の実施例はセラミック等のプリント基板１上に抵抗
体２をパイ形に蒸着させて形成し、さらに入力，出力，
接地端子用電極３Ａ，３Ｂ，３Ｃを形成する。図１に示
すように端子用電極３Ａ，３Ｂは入力，出力端子とな
り、端子用電極３Ｃは接地端子となる。この形態はチッ
プ用抵抗の端子と同じ形状なので、ほかの回路との接続
には特にリードを必要とせず、リードインダクタンス、
浮遊容量等も発生しないので高周波特性も非常に良い減
衰器が得られる。
図１の実施例はセラミック等のプリント基板１上に抵抗
体２をパイ形に蒸着させて形成し、さらに入力，出力，
接地端子用電極３Ａ，３Ｂ，３Ｃを形成する。図１に示
すように端子用電極３Ａ，３Ｂは入力，出力端子とな
り、端子用電極３Ｃは接地端子となる。この形態はチッ
プ用抵抗の端子と同じ形状なので、ほかの回路との接続
には特にリードを必要とせず、リードインダクタンス、
浮遊容量等も発生しないので高周波特性も非常に良い減
衰器が得られる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は電極と入
力，出力，接地用端子とを兼用して、かつ、減衰器を１
つの基板上に形成した構造としているので、プリント基
板上のランドや電極部分による浮遊容量、インダクタン
スの少ない理想値に近い高周波減衰特性を実現できる。
また、回路実装の省スペース化にも多大な効果を有す
る。
力，出力，接地用端子とを兼用して、かつ、減衰器を１
つの基板上に形成した構造としているので、プリント基
板上のランドや電極部分による浮遊容量、インダクタン
スの少ない理想値に近い高周波減衰特性を実現できる。
また、回路実装の省スペース化にも多大な効果を有す
る。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】従来のチップ抵抗による抵抗減衰器の斜視図で
ある。
ある。
【図３】従来の抵抗体による抵抗減衰器の斜視図であ
る。
る。
１，４ プリント基板 ２ 抵抗体 ３ 電極 ３Ａ，３Ｂ，３Ｃ 端子用電極 ５ チップ抵抗 ６ ランドパターン ７ スルーホール ８ 入力部 ９ 出力部 １０ リード
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック等のプリント基板上にパイ形
もしくはＴ形に抵抗体を形成して蒸着させ、前記入力
用，出力用，接地用の３つの端子を表面実装用チップ抵
抗の電極で形成していることを特徴とするチップ型抵抗
減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217674A JPH0555013A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | チツプ型抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3217674A JPH0555013A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | チツプ型抵抗減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555013A true JPH0555013A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16707950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3217674A Pending JPH0555013A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | チツプ型抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555013A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714604U (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-10 | 横浜電子精工株式会社 | チップ型温度可変固定減衰器 |
| EP0629892A3 (en) * | 1993-06-15 | 1995-08-09 | Nippon Electric Co | Optical device of the waveguide type and impedance matching method for such a device. |
| JP2000182811A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 抵抗減衰器 |
| EP2351052A1 (en) * | 2008-11-06 | 2011-08-03 | Vishay Intertechnology Inc. | Four-terminal resistor with four resistors and adjustable temperature coefficient of resistance |
| US9824798B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-11-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resistor element and method of manufacturing the same |
| CN108520997A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-11 | 苏州赫斯康通信科技有限公司 | 低互调定值无源衰减器 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3217674A patent/JPH0555013A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0629892A3 (en) * | 1993-06-15 | 1995-08-09 | Nippon Electric Co | Optical device of the waveguide type and impedance matching method for such a device. |
| US5572610A (en) * | 1993-06-15 | 1996-11-05 | Nec Corporation | Waveguide-type optical device and impedance matching method thereof |
| JPH0714604U (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-10 | 横浜電子精工株式会社 | チップ型温度可変固定減衰器 |
| JP2000182811A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 抵抗減衰器 |
| EP2351052A1 (en) * | 2008-11-06 | 2011-08-03 | Vishay Intertechnology Inc. | Four-terminal resistor with four resistors and adjustable temperature coefficient of resistance |
| US9824798B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-11-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resistor element and method of manufacturing the same |
| CN108520997A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-11 | 苏州赫斯康通信科技有限公司 | 低互调定值无源衰减器 |
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