JPS584164Y2 - 可変抵抗減衰器 - Google Patents
可変抵抗減衰器Info
- Publication number
- JPS584164Y2 JPS584164Y2 JP12664777U JP12664777U JPS584164Y2 JP S584164 Y2 JPS584164 Y2 JP S584164Y2 JP 12664777 U JP12664777 U JP 12664777U JP 12664777 U JP12664777 U JP 12664777U JP S584164 Y2 JPS584164 Y2 JP S584164Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variable resistance
- electrode
- resistor
- resistance attenuator
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Adjustable Resistors (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、可変抵抗体に関し、特に高周波帯域で使用さ
れるプリント板実装型の可変抵抗減衰器に関する。
れるプリント板実装型の可変抵抗減衰器に関する。
従来、この種のプリント板実装型の可変抵抗減衰器は高
周波帯域に用いる場合、抵抗体および導電性の電極部お
よびプリント板への接続を目的としたリード端子がもつ
インダクタンス成分が、可変抵抗減衰器の重要な特性で
ある周波数特性に多大な悪影響を与え、特に不整合減衰
量を劣化させるという欠点か′あった。
周波帯域に用いる場合、抵抗体および導電性の電極部お
よびプリント板への接続を目的としたリード端子がもつ
インダクタンス成分が、可変抵抗減衰器の重要な特性で
ある周波数特性に多大な悪影響を与え、特に不整合減衰
量を劣化させるという欠点か′あった。
本考案の目的はかかるインダクタンス成分が与える悪影
響を除去した可変抵抗減衰器を提供することにある。
響を除去した可変抵抗減衰器を提供することにある。
本考案によれば、抵抗体パターンを表面に有する絶縁基
板が、裏面に所望のパターンの導電体を有し、この導電
体と抵抗体パターンの一部とが電気的に接続されている
ことを特徴とする可変抵抗減衰器が得られる。
板が、裏面に所望のパターンの導電体を有し、この導電
体と抵抗体パターンの一部とが電気的に接続されている
ことを特徴とする可変抵抗減衰器が得られる。
すなわち本考案によれば絶縁基板表面に被着した抵抗体
パターンとこの抵抗体パターン端部に設けられた導電性
電極パターンの両者に対応して、基板の裏面に導電性平
板を形成し、かつ基板表面の電極パターンのうち低イン
ピーダンス側（接地側）に接続される予定の電極パター
ンと接続させたことを特徴とする可変抵抗減衰器が得ら
れる。
パターンとこの抵抗体パターン端部に設けられた導電性
電極パターンの両者に対応して、基板の裏面に導電性平
板を形成し、かつ基板表面の電極パターンのうち低イン
ピーダンス側（接地側）に接続される予定の電極パター
ンと接続させたことを特徴とする可変抵抗減衰器が得ら
れる。
次に、本考案の可変抵抗減衰器の一実施例を第１図乃至
第６図を参照して詳細に説明する。
第６図を参照して詳細に説明する。
第１図の回路図の如き、Ｔ型置路網を用いた可変抵抗減
衰器の実際の回路には、第２図に示したように可変抵抗
部Ｒ，，Ｒ２，Ｒ３の抵抗体の長さを可変することによ
り変化するインダクタンス成分Ｌ１．Ｌ２．Ｌ３と固定
抵抗部の抵抗体Ｒ４のインダクタンス成分Ｌ４、更に抵
抗体を外部へ取り出すための導電性の電極部のインダク
タンス成分Ｌｒ、 、 Ｌｒ２゜Ｌｒ３およびリード端
子部のインダクタンス成分Ｌｅ１．Ｌｅ２．Ｌｅ３が存
在しテイル。
衰器の実際の回路には、第２図に示したように可変抵抗
部Ｒ，，Ｒ２，Ｒ３の抵抗体の長さを可変することによ
り変化するインダクタンス成分Ｌ１．Ｌ２．Ｌ３と固定
抵抗部の抵抗体Ｒ４のインダクタンス成分Ｌ４、更に抵
抗体を外部へ取り出すための導電性の電極部のインダク
タンス成分Ｌｒ、 、 Ｌｒ２゜Ｌｒ３およびリード端
子部のインダクタンス成分Ｌｅ１．Ｌｅ２．Ｌｅ３が存
在しテイル。
本考案では、第３図ａに示す如く絶縁基板１の表面に窒
化タンタル薄膜などの抵抗体パターン２１．２２，２３
．２４を被着し、抵抗体パターン２１．２２，２３゜２
４の端部に接続してＮｉ−ＣｒとＡｕの蒸着により、導
電性の表面電極パターン３１〜３７を設ける。
化タンタル薄膜などの抵抗体パターン２１．２２，２３
．２４を被着し、抵抗体パターン２１．２２，２３゜２
４の端部に接続してＮｉ−ＣｒとＡｕの蒸着により、導
電性の表面電極パターン３１〜３７を設ける。
ここで電極パターン３１，３２．３７と電極部３４，３
５．３６との間で摺動子６を摺動させることにより可変
抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３となる。
５．３６との間で摺動子６を摺動させることにより可変
抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３となる。
すなわち電極部３１と摺動子６に圧接された抵抗体パタ
ーン２１との接点部５１間の抵抗値が第１図における可
変抵抗部Ｒ１に電極パターン３２と摺動子６に圧接され
た抵抗体パターン２２との接点部５２間における抵抗値
が第１図における可変抵抗部Ｒ２に電極パターン３６と
摺動子６に圧接された抵抗体２３の接点部５３間の抵抗
値が第１図における可変抵抗部Ｒ３に抵抗パターン２４
の抵抗値が第１図における固定抵抗部Ｒ４にそれぞれな
るように構成する。
ーン２１との接点部５１間の抵抗値が第１図における可
変抵抗部Ｒ１に電極パターン３２と摺動子６に圧接され
た抵抗体パターン２２との接点部５２間における抵抗値
が第１図における可変抵抗部Ｒ２に電極パターン３６と
摺動子６に圧接された抵抗体２３の接点部５３間の抵抗
値が第１図における可変抵抗部Ｒ３に抵抗パターン２４
の抵抗値が第１図における固定抵抗部Ｒ４にそれぞれな
るように構成する。
このＴ型可変抵抗減衰器は、第１図に示す如く入力部Ａ
及び共通接地部Ｃから入った入力信号は可変抵抗部Ｒ１
，Ｒ２，Ｒ３および固定抵抗部Ｒ４によって減衰され、
出力信号は、出力部Ｂと共通接地部Ｃにより取り出すこ
とが出来る。
及び共通接地部Ｃから入った入力信号は可変抵抗部Ｒ１
，Ｒ２，Ｒ３および固定抵抗部Ｒ４によって減衰され、
出力信号は、出力部Ｂと共通接地部Ｃにより取り出すこ
とが出来る。
又、この可変抵抗減衰器の減衰量は、可変抵抗部Ｒ１，
Ｒ２、Ｒ３の抵抗値により決まり、摺動子６が電極部３
１．３２の方向に摺動すれば、減衰量は小さくなり、電
極部３１．３２の位置で最小値となる。
Ｒ２、Ｒ３の抵抗値により決まり、摺動子６が電極部３
１．３２の方向に摺動すれば、減衰量は小さくなり、電
極部３１．３２の位置で最小値となる。
表面電極３３の方向に摺動すれば、減衰量は大きくなり
、電極部３３方向の最大位置、すなわち摺動子６が電極
部３４ 、３５．３６の位置に来た時に、減衰量は最大
値となる。
、電極部３３方向の最大位置、すなわち摺動子６が電極
部３４ 、３５．３６の位置に来た時に、減衰量は最大
値となる。
次に第３図すの如く、外装ケース８に電険部３１．３２
に接続する入出力端子７１．７２と電極部３３に接続す
る接地端子７３を設け、かつ第３図ａに示した抵抗体２
１〜２４と電極部３１〜３７に相対して基板１を介して
導電性平板４を接地端子７３に接続して設け、基板１を
誘電体として、抵抗体２１〜２４および電極部３１〜３
３と導電性平板４との間で第５図に等価回路図として示
す如くキャパシタンス部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を設ける。
に接続する入出力端子７１．７２と電極部３３に接続す
る接地端子７３を設け、かつ第３図ａに示した抵抗体２
１〜２４と電極部３１〜３７に相対して基板１を介して
導電性平板４を接地端子７３に接続して設け、基板１を
誘電体として、抵抗体２１〜２４および電極部３１〜３
３と導電性平板４との間で第５図に等価回路図として示
す如くキャパシタンス部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を設ける。
第４図に分割斜視図を示す。
同図では平板４が第３図すより大きく描かれており、こ
のように平板４の大きさを選択することによりＣ，、Ｃ
２，Ｃ３を設計できる。
のように平板４の大きさを選択することによりＣ，、Ｃ
２，Ｃ３を設計できる。
高周波数帯域で使用した場合、周波数が高くなるに従っ
て、インダクタンス成分Ｌ１〜Ｌ４、Ｌｒ１〜Ｌｒ３、
Ｌｅ１〜Ｌｅ３は可変抵抗減衰器のインピーダンス増加
を招き可変抵抗減衰器の周波数特性、特に不整合減衰量
が劣化する。
て、インダクタンス成分Ｌ１〜Ｌ４、Ｌｒ１〜Ｌｒ３、
Ｌｅ１〜Ｌｅ３は可変抵抗減衰器のインピーダンス増加
を招き可変抵抗減衰器の周波数特性、特に不整合減衰量
が劣化する。
しかし、本考案によるキャパシタンス部ＣＩ。Ｃ２，Ｃ
３を設けることによって、このインピーダンス増加を補
正することができる。
３を設けることによって、このインピーダンス増加を補
正することができる。
導電性平板４は接地端子７３と一体成形されたものとし
ても取り扱うことができるので、平板４の代りに蒸着導
電層を形成する場合に比べ、製造工程が簡略化される利
点がある。
ても取り扱うことができるので、平板４の代りに蒸着導
電層を形成する場合に比べ、製造工程が簡略化される利
点がある。
本考案を使用した可変抵抗減衰器の測定を行なったとこ
ろ第６図に示す如く、補正を行なわない従来品に比べ特
性が大幅に改善されることが、確認された。
ろ第６図に示す如く、補正を行なわない従来品に比べ特
性が大幅に改善されることが、確認された。
以上、本考案の可変抵抗減衰器は、高周波帯域において
も優れた特性を示し得る効果は大きい。
も優れた特性を示し得る効果は大きい。
又、本考案は、本実施例の他に高周波帯域において使用
される可変抵抗器にも応用できる利点がある。
される可変抵抗器にも応用できる利点がある。
なお、上記実施例では金属平板を用いて説明したが、金
属平板に限定されず、導電体（例えば金属蒸着層）であ
ればインダクタンスの悪影響を避ける効果に支障のない
ことはあきらかである。
属平板に限定されず、導電体（例えば金属蒸着層）であ
ればインダクタンスの悪影響を避ける効果に支障のない
ことはあきらかである。
第１図は、Ｔ型可変抵抗減衰器の回路図、第２図は実際
的なＴ型可変抵抗減衰器の回路図、第３図ａ、ｌ）は、
それぞれ本考案実施例の基板表面の平面図および基板裏
面の平面図、第４図は第３図の実際使用例の分割図、第
５図は、第３図の回路図、第６図は第３図の不整合減衰
量を示す周波数特性図である。 １・・・・・・絶縁基板、２１〜２４・・・・・・抵抗
体、３１〜３７・・・・・・表面電極部、４・・・・・
・金属平板、５１〜５３・・・・・・接点部、６・・・
・・・摺動子、７１〜７３・・・・・・人出力及び接地
端子、８・・・・・・外装ケース、Ｒ，−Ｒ，、・・・
・・・可変抵抗部の抵抗、Ｒ４・・・・・・固定抵抗部
の抵抗、Ｌ１〜Ｌ４・・・・・・抵抗体のインダクタン
ス、Ｌｒ１〜Ｌｒ３・・・・・・表面電極のインダクタ
ンス、Ｌｅ１〜Ｌｅ３・・・・・・リード端子のインダ
クタンス、Ｃ１〜Ｃ３・・・・・・本考案により構成し
たキャパシタンス。
的なＴ型可変抵抗減衰器の回路図、第３図ａ、ｌ）は、
それぞれ本考案実施例の基板表面の平面図および基板裏
面の平面図、第４図は第３図の実際使用例の分割図、第
５図は、第３図の回路図、第６図は第３図の不整合減衰
量を示す周波数特性図である。 １・・・・・・絶縁基板、２１〜２４・・・・・・抵抗
体、３１〜３７・・・・・・表面電極部、４・・・・・
・金属平板、５１〜５３・・・・・・接点部、６・・・
・・・摺動子、７１〜７３・・・・・・人出力及び接地
端子、８・・・・・・外装ケース、Ｒ，−Ｒ，、・・・
・・・可変抵抗部の抵抗、Ｒ４・・・・・・固定抵抗部
の抵抗、Ｌ１〜Ｌ４・・・・・・抵抗体のインダクタン
ス、Ｌｒ１〜Ｌｒ３・・・・・・表面電極のインダクタ
ンス、Ｌｅ１〜Ｌｅ３・・・・・・リード端子のインダ
クタンス、Ｃ１〜Ｃ３・・・・・・本考案により構成し
たキャパシタンス。
Claims (1)
- 絶縁基板表面の一端側で入力電極および出力電極にそれ
ぞれ接続されて設けられた第１および第２の抵抗体と、
前記第１および第２の抵抗体の間に設けられ、かつ前記
入力電極および出力電極と反対側に位置する低インピー
ダンス側の電極に接続された第３の抵抗体と、前記第１
、第２および第３の抵抗体に摺動接触して各抵抗体を電
気的に短絡する摺動子と、前記絶縁基板の裏面に密着し
て設けられ、かつ前記低インピーダンス側の電極に接続
された導電性平板とを有し、前記第１、第２および第３
の抵抗体と前記導電性平板との間に前記絶縁基板を誘電
体とするキャパシタンス部が形成されていることを特徴
とする可変抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12664777U JPS584164Y2 (ja) | 1977-09-19 | 1977-09-19 | 可変抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12664777U JPS584164Y2 (ja) | 1977-09-19 | 1977-09-19 | 可変抵抗減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5451346U JPS5451346U (ja) | 1979-04-09 |
| JPS584164Y2 true JPS584164Y2 (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=29088671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12664777U Expired JPS584164Y2 (ja) | 1977-09-19 | 1977-09-19 | 可変抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584164Y2 (ja) |
-
1977
- 1977-09-19 JP JP12664777U patent/JPS584164Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5451346U (ja) | 1979-04-09 |
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