JPH0328583Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0328583Y2 JPH0328583Y2 JP4791686U JP4791686U JPH0328583Y2 JP H0328583 Y2 JPH0328583 Y2 JP H0328583Y2 JP 4791686 U JP4791686 U JP 4791686U JP 4791686 U JP4791686 U JP 4791686U JP H0328583 Y2 JPH0328583 Y2 JP H0328583Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- insulating plate
- feedback
- terminals
- layers
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この考案は高周波信号を増幅する高周波帰還増
幅器に関する。
幅器に関する。
「従来技術」
マイクロ波のような高い周波数の信号を増幅す
る増幅器において、帰還回路に使用する抵抗器は
並列容量が小さいことが要求される。つまり帰還
抵抗器に並列に容量を持つとき、増幅する信号の
周波数に応じて帰還回路のインピーダンスが変化
し、増幅率が周波数によつて大きく変化する欠点
がある。このため従来は第2図に示すように並列
容量が小さいチツプ形抵抗器1及び2を二個直列
接続して用いている。
る増幅器において、帰還回路に使用する抵抗器は
並列容量が小さいことが要求される。つまり帰還
抵抗器に並列に容量を持つとき、増幅する信号の
周波数に応じて帰還回路のインピーダンスが変化
し、増幅率が周波数によつて大きく変化する欠点
がある。このため従来は第2図に示すように並列
容量が小さいチツプ形抵抗器1及び2を二個直列
接続して用いている。
チツプ抵抗器1及び2は周知のように抵抗体が
膜状に形成されるため並列容量を小さくすること
ができる。
膜状に形成されるため並列容量を小さくすること
ができる。
然も第2図に示すように二個のチツプ形抵抗器
1と2を直列接続することによつて二個のチツプ
形抵抗器1と2の並列容量は直列接続されて全体
として更に小さい容量値となる。
1と2を直列接続することによつて二個のチツプ
形抵抗器1と2の並列容量は直列接続されて全体
として更に小さい容量値となる。
またチツプ形抵抗器1と2を第2図に示すよう
に一方の抵抗器2を能動素子3の出力側端子4に
植設し、この植設した抵抗器2の他端に抵抗器1
を直角に結合し、抵抗器1の他端を電線5を通じ
て能動素子3の入力端子6に接続する立体構造に
することにより抵抗器1,2及び電線5とアース
導体7との間の距離を大きく採ることができる。
よつて帰還回路とアースとの間の浮遊容量を小さ
くすることができる構造としている。
に一方の抵抗器2を能動素子3の出力側端子4に
植設し、この植設した抵抗器2の他端に抵抗器1
を直角に結合し、抵抗器1の他端を電線5を通じ
て能動素子3の入力端子6に接続する立体構造に
することにより抵抗器1,2及び電線5とアース
導体7との間の距離を大きく採ることができる。
よつて帰還回路とアースとの間の浮遊容量を小さ
くすることができる構造としている。
なお第2図において8はチツプ形容量を示す。
このチツプ形容量8は抵抗器1及び2と直列接続
され、帰還回路を構成している。従つて能動素子
3と抵抗器1及び2と、容量8は第3図に示すよ
うな回路として表わすことができる。
このチツプ形容量8は抵抗器1及び2と直列接続
され、帰還回路を構成している。従つて能動素子
3と抵抗器1及び2と、容量8は第3図に示すよ
うな回路として表わすことができる。
「考案が解決しようとする問題点」
第2図に示す従来の構造にした場合、チツプ部
品を基板に対して植設して使用するため機械的な
強度が弱い欠点がある。また組立に手間が掛る欠
点がある。
品を基板に対して植設して使用するため機械的な
強度が弱い欠点がある。また組立に手間が掛る欠
点がある。
「問題点を解決するための手段」
この考案においては補助絶縁板に複数の抵抗体
層を形成し、この複数の抵抗体層を容量素子で直
列接続して一つの帰還抵抗器を構成し、この帰還
抵抗器の両端から端子を導出し、この端子によつ
て能動素子を装着した主絶縁板に補助絶縁板を垂
直に植設し、帰還抵抗器を能動素子の入力と出力
との間に接続する構成としたものである。
層を形成し、この複数の抵抗体層を容量素子で直
列接続して一つの帰還抵抗器を構成し、この帰還
抵抗器の両端から端子を導出し、この端子によつ
て能動素子を装着した主絶縁板に補助絶縁板を垂
直に植設し、帰還抵抗器を能動素子の入力と出力
との間に接続する構成としたものである。
この考案の構成によれば複数の抵抗体層を直列
接続することによつて帰還抵抗器の並列容量を小
さくすることができる。
接続することによつて帰還抵抗器の並列容量を小
さくすることができる。
また帰還抵抗器の両端に端子を突設し、この端
子によつて帰還抵抗器を能動素子の入力と出力と
の間に接続して補助絶縁板を主絶縁板に対して垂
直に植設する構造としたことにより帰還抵抗器と
アースとの間の浮遊容量値を小さくすることがで
きる。
子によつて帰還抵抗器を能動素子の入力と出力と
の間に接続して補助絶縁板を主絶縁板に対して垂
直に植設する構造としたことにより帰還抵抗器と
アースとの間の浮遊容量値を小さくすることがで
きる。
よつてこの考案によれば帰還抵抗器の並列容量
と浮遊容量を小さい値とすることができるため周
波数に対して均一な増幅率を持つ高周波帰還増幅
器を得ることができる。
と浮遊容量を小さい値とすることができるため周
波数に対して均一な増幅率を持つ高周波帰還増幅
器を得ることができる。
然も補助絶縁板に帰還抵抗器を一体に形成する
ため組立が容易である。また機械的な強度も強い
高周波帰還増幅器を提供できる。
ため組立が容易である。また機械的な強度も強い
高周波帰還増幅器を提供できる。
「実施例」
第1図にこの考案の一実施例を示す。第1図に
おいて第2図と対応する部分には同一符号を付し
て示す。
おいて第2図と対応する部分には同一符号を付し
て示す。
第1図において11は補助絶縁板を示す。この
補助絶縁板11にこの実施例では二つの抵抗体層
12,13を形成し、この二つの抵抗体層12,
13の間に導電層14,15を形成し、この導電
層14,15を介してチツプ形容量8を接続し、
抵抗と容量を直列接続した帰還回路を構成した場
合を示す。
補助絶縁板11にこの実施例では二つの抵抗体層
12,13を形成し、この二つの抵抗体層12,
13の間に導電層14,15を形成し、この導電
層14,15を介してチツプ形容量8を接続し、
抵抗と容量を直列接続した帰還回路を構成した場
合を示す。
つまり補助絶縁板11には両端に導電層16と
17を形成すると共にこの導電層16と17にそ
れぞれ一端が接触した抵抗体層12,13を形成
する。これら抵抗体層12と13の各他端にこれ
ら抵抗体層12と13を直列接続するための導電
層14,15を形成し、この導電層14,15に
チツプ形容量8の電極8A,8Bを半田付けし、
チツプ形容量8を抵抗体層12と13の間に直列
に接続する。この接続構造によれば第3図に示し
た帰還回路と同じ帰還回路が構成される。一方こ
の考案においては導電層16と17に端子18と
19を取付ける。この端子18と19は補助絶縁
板11の一つの辺から外側に突出して設ける。補
助絶縁板11はチツプ形容量8を装着した状態で
全体に特に図示しないが例えばエポキシ樹脂等を
コーテイングし、絶縁層を被覆する。
17を形成すると共にこの導電層16と17にそ
れぞれ一端が接触した抵抗体層12,13を形成
する。これら抵抗体層12と13の各他端にこれ
ら抵抗体層12と13を直列接続するための導電
層14,15を形成し、この導電層14,15に
チツプ形容量8の電極8A,8Bを半田付けし、
チツプ形容量8を抵抗体層12と13の間に直列
に接続する。この接続構造によれば第3図に示し
た帰還回路と同じ帰還回路が構成される。一方こ
の考案においては導電層16と17に端子18と
19を取付ける。この端子18と19は補助絶縁
板11の一つの辺から外側に突出して設ける。補
助絶縁板11はチツプ形容量8を装着した状態で
全体に特に図示しないが例えばエポキシ樹脂等を
コーテイングし、絶縁層を被覆する。
この端子18と19を主絶縁板に装着した高周
波増幅用能動素子3の出力側端子4と入力側端子
6に接続する。
波増幅用能動素子3の出力側端子4と入力側端子
6に接続する。
このように構成することにより補助絶縁板11
に形成した複数の抵抗体層12,13は互に直列
接続されるから、これら抵抗体層12と13を直
列接続する導電層16と14及び15と17の各
相互間において並列容量が存在したとしても、そ
の並列容量は互に直列接続されて端子18と19
の間で見ると並列容量を小さくすることができ
る。
に形成した複数の抵抗体層12,13は互に直列
接続されるから、これら抵抗体層12と13を直
列接続する導電層16と14及び15と17の各
相互間において並列容量が存在したとしても、そ
の並列容量は互に直列接続されて端子18と19
の間で見ると並列容量を小さくすることができ
る。
また端子18と19を突設し、この端子18と
19によつて補助絶縁板11を主絶縁板に垂直に
植設する構造としたから抵抗体層12,13とア
ース導体7との間の浮遊容量を小さくすることが
できる。
19によつて補助絶縁板11を主絶縁板に垂直に
植設する構造としたから抵抗体層12,13とア
ース導体7との間の浮遊容量を小さくすることが
できる。
「考案の作用効果」
以上説明したようにこの考案によれば帰還抵抗
器が持つ並列容量の値を小さくし、また帰還抵抗
器の浮遊容量を小さくすることができる。
器が持つ並列容量の値を小さくし、また帰還抵抗
器の浮遊容量を小さくすることができる。
よつてこの考案の構造によれば高周波帰還増幅
器の周波数特性を広い帯域にわたつて平坦な増幅
特性にすることができる。
器の周波数特性を広い帯域にわたつて平坦な増幅
特性にすることができる。
また帰還抵抗を主絶縁板の上に植設したからア
ースとの間の容量つまり浮遊容量を小さくするこ
とができる。よつてこれによつても増幅素子3の
利得を広い帯域にわたつて平坦化することができ
る。
ースとの間の容量つまり浮遊容量を小さくするこ
とができる。よつてこれによつても増幅素子3の
利得を広い帯域にわたつて平坦化することができ
る。
またこの考案によれば帰還回路の一辺が補助絶
縁板に装着されるから、組立が容易となる。また
一つの補助絶縁板が植設される構造のため機械的
な強度も強く得られる利点もある。
縁板に装着されるから、組立が容易となる。また
一つの補助絶縁板が植設される構造のため機械的
な強度も強く得られる利点もある。
なお上述の実施例では補助絶縁板11に二つの
抵抗体層12,13を形成した場合を説明した
が、その数は二つに限られるものでないことは容
易に理解できよう。
抵抗体層12,13を形成した場合を説明した
が、その数は二つに限られるものでないことは容
易に理解できよう。
第1図はこの考案の一実施例を説明するための
斜視図、第2図は従来技術を説明するための斜視
図、第3図は高周波帰還増幅器の電気的な回路構
造を説明するための接続図である。 3:高周波増幅用能動素子、4:出力側端子、
6:入力側端子、7:アース導体、8:チツプ形
容量、11:補助絶縁板、12,13:抵抗体
層、14,15,16,17:導電層、18,1
9:端子。
斜視図、第2図は従来技術を説明するための斜視
図、第3図は高周波帰還増幅器の電気的な回路構
造を説明するための接続図である。 3:高周波増幅用能動素子、4:出力側端子、
6:入力側端子、7:アース導体、8:チツプ形
容量、11:補助絶縁板、12,13:抵抗体
層、14,15,16,17:導電層、18,1
9:端子。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 A 絶縁板の一板面に入力端子と出力端子が形
成され、これら端子に高周波増幅用能動素子が
接続された主絶縁基板と、 B 絶縁板の一板面の直線上に複数の抵抗体層に
分割して形成され、かつこれら複数の抵抗体層
の両端にそれぞれ導電層が形成された補助絶縁
板と、 C 上記複数の抵抗層の相対する導電層をチツプ
形容量素子で直列接続して成る帰還抵抗器と、 D この帰還抵抗器の両端の導電層からそれぞれ
導出され、上記高周波増幅用能動素子の入力端
子と出力端子にそれぞれ接続される端子と、 を有し、これらの端子により上記主絶縁基板上に
上記補助絶縁板を垂直に植設して成る高周波帰還
増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4791686U JPH0328583Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4791686U JPH0328583Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159010U JPS62159010U (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0328583Y2 true JPH0328583Y2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=30868962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4791686U Expired JPH0328583Y2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0328583Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP4791686U patent/JPH0328583Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62159010U (ja) | 1987-10-08 |
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