JPH0555291A - 半導体の製造方法 - Google Patents
半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0555291A JPH0555291A JP3244396A JP24439691A JPH0555291A JP H0555291 A JPH0555291 A JP H0555291A JP 3244396 A JP3244396 A JP 3244396A JP 24439691 A JP24439691 A JP 24439691A JP H0555291 A JPH0555291 A JP H0555291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- wire
- bonder
- wire bonder
- semiconductor
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ワイヤーボンダーのヒータープレート上でのリ
ードフレームの酸化を防止して、パッケージとしての信
頼性を向上させることができる、半導体の製造方法を提
供する。 【構成】ワイヤーボンド工程３を行うワイヤーボンダー
のリードフレーム供給部３ａにリードフレーム５が存在
せず、ワイヤーボンダーがリードフレーム供給待ちを判
断した場合にも、ワイヤーボンディング中のリードフレ
ーム５のボンディング動作を完了して上記モールド工程
４に移送するようにしたものである。
ードフレームの酸化を防止して、パッケージとしての信
頼性を向上させることができる、半導体の製造方法を提
供する。 【構成】ワイヤーボンド工程３を行うワイヤーボンダー
のリードフレーム供給部３ａにリードフレーム５が存在
せず、ワイヤーボンダーがリードフレーム供給待ちを判
断した場合にも、ワイヤーボンディング中のリードフレ
ーム５のボンディング動作を完了して上記モールド工程
４に移送するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造方法に係
り、特にダイボンド工程からモールド工程まで連続した
一貫製造ラインによる半導体の製造方法に関するもので
ある。
り、特にダイボンド工程からモールド工程まで連続した
一貫製造ラインによる半導体の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体の製造方法は、図
２に示されている工程を経て成されている。
２に示されている工程を経て成されている。
【０００３】図示されているように、先ず半導体はダイ
ボンド工程１に投入され、ダイボンダーでリードフレー
ム上等にダイボンディングされる。
ボンド工程１に投入され、ダイボンダーでリードフレー
ム上等にダイボンディングされる。
【０００４】次に、ダイボンディングされた半導体は接
着剤硬化工程２に移送され、キュア炉内で接着剤が硬化
される。
着剤硬化工程２に移送され、キュア炉内で接着剤が硬化
される。
【０００５】そして、接着剤の硬化した半導体はワイヤ
ーボンド工程３に移送され、ワイヤーボンダーでワイヤ
ーボンディングされる。
ーボンド工程３に移送され、ワイヤーボンダーでワイヤ
ーボンディングされる。
【０００６】その後、ワイヤーボンディングされた半導
体はモールド工程４に移送され、モールド装置でワイヤ
ごと樹脂封止される。
体はモールド工程４に移送され、モールド装置でワイヤ
ごと樹脂封止される。
【０００７】このように従来の半導体の製造方法は、ダ
イボンド工程からモールド工程まで連続した一貫製造ラ
インにより成されている。
イボンド工程からモールド工程まで連続した一貫製造ラ
インにより成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な半導体の製造方法にあっては、図３に示されているよ
うに、上記ワイヤーボンド工程３のワイヤーボンダーの
リードフレーム供給部３ａにリードフレーム５が一枚以
上ストックされていないと、上記ワイヤーボンダーはリ
ードフレーム供給待ちを判断し、ワイヤーボンディング
中のリードフレーム５が存在しても動作が停止するよう
になっている。すると、放置されたリードフレーム５は
ワイヤーボンダーのヒータープレート３ｂ上にあるた
め、ボンディング温度（２５０°Ｃ）によって該リード
フレームの酸化が進行し、変色する。この現象は、特に
銅製のリードフレームには顕著に現れる。
な半導体の製造方法にあっては、図３に示されているよ
うに、上記ワイヤーボンド工程３のワイヤーボンダーの
リードフレーム供給部３ａにリードフレーム５が一枚以
上ストックされていないと、上記ワイヤーボンダーはリ
ードフレーム供給待ちを判断し、ワイヤーボンディング
中のリードフレーム５が存在しても動作が停止するよう
になっている。すると、放置されたリードフレーム５は
ワイヤーボンダーのヒータープレート３ｂ上にあるた
め、ボンディング温度（２５０°Ｃ）によって該リード
フレームの酸化が進行し、変色する。この現象は、特に
銅製のリードフレームには顕著に現れる。
【０００９】このようにワイヤーボンディングされたリ
ードフレーム５が酸化していると、次工程のモールド工
程４でリードフレーム５とモールド樹脂との密着性が悪
くなり、隙間が生じて、この隙間から空気・水分が侵入
してパッケージの樹脂に亀裂が発生したり、チップ上の
Ａｌ配線が溶ける等の決定的な要因となり、パッケージ
としての信頼性が低下するという問題があった。
ードフレーム５が酸化していると、次工程のモールド工
程４でリードフレーム５とモールド樹脂との密着性が悪
くなり、隙間が生じて、この隙間から空気・水分が侵入
してパッケージの樹脂に亀裂が発生したり、チップ上の
Ａｌ配線が溶ける等の決定的な要因となり、パッケージ
としての信頼性が低下するという問題があった。
【００１０】本発明の目的は、上記課題に鑑み、ワイヤ
ーボンダーのヒータープレート上でのリードフレームの
酸化を防止して、パッケージとしての信頼性を向上させ
ることができる、半導体の製造方法を提供するにある。
ーボンダーのヒータープレート上でのリードフレームの
酸化を防止して、パッケージとしての信頼性を向上させ
ることができる、半導体の製造方法を提供するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明に係
る半導体の製造方法によれば、ダイボンド工程を行うダ
イボンダーと、接着剤硬化工程を行うキュア炉と、ワイ
ヤーボンド工程を行うワイヤーボンダーと、モールド工
程を行うモールド装置とを順に備えた製造ラインにより
成される半導体の製造方法において、上記ワイヤーボン
ダーのリードフレーム供給部にリードフレームが存在せ
ず、上記ワイヤーボンダーがリードフレーム供給待ちを
判断した場合にも、該ワイヤーボンダーがワイヤーボン
ディング中のリードフレームのボンディング動作を完了
して上記モールド工程に移送するようにしたことによ
り、達成される。
る半導体の製造方法によれば、ダイボンド工程を行うダ
イボンダーと、接着剤硬化工程を行うキュア炉と、ワイ
ヤーボンド工程を行うワイヤーボンダーと、モールド工
程を行うモールド装置とを順に備えた製造ラインにより
成される半導体の製造方法において、上記ワイヤーボン
ダーのリードフレーム供給部にリードフレームが存在せ
ず、上記ワイヤーボンダーがリードフレーム供給待ちを
判断した場合にも、該ワイヤーボンダーがワイヤーボン
ディング中のリードフレームのボンディング動作を完了
して上記モールド工程に移送するようにしたことによ
り、達成される。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、上記ワイヤーボンド工程を
行うワイヤーボンダーのリードフレーム供給部にリード
フレームが存在しないと、上記ワイヤーボンダーがリー
ドフレーム供給待ちを判断する。このようなリードフレ
ーム供給待ち状態の場合にも、上記ワイヤーボンダーが
ワイヤーボンディング中のリードフレームのボンディン
グ動作を完了して上記モールド工程に移送するようにな
っている。
行うワイヤーボンダーのリードフレーム供給部にリード
フレームが存在しないと、上記ワイヤーボンダーがリー
ドフレーム供給待ちを判断する。このようなリードフレ
ーム供給待ち状態の場合にも、上記ワイヤーボンダーが
ワイヤーボンディング中のリードフレームのボンディン
グ動作を完了して上記モールド工程に移送するようにな
っている。
【００１３】従って、ワイヤーボンディング中のリード
フレームが上記ワイヤーボンダーのヒートプレート上に
放置されることがないので、該リードフレームの酸化が
防止される。
フレームが上記ワイヤーボンダーのヒートプレート上に
放置されることがないので、該リードフレームの酸化が
防止される。
【００１４】これにより、次工程のモールド工程でリー
ドフレームとモールド樹脂との密着性が良くなり、これ
らの間に空気・水分が侵入しないのでパッケージの樹脂
に亀裂が発生せず、チップ上のＡｌ配線が溶けることも
なく、パッケージとしての信頼性を向上させることがで
きるものである。
ドフレームとモールド樹脂との密着性が良くなり、これ
らの間に空気・水分が侵入しないのでパッケージの樹脂
に亀裂が発生せず、チップ上のＡｌ配線が溶けることも
なく、パッケージとしての信頼性を向上させることがで
きるものである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る半導体の製造方法の好適
一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施
例の半導体の製造方法を行う製造ラインは、従来同様
に、ダイボンド工程１を行うダイボンダーと、接着剤硬
化工程２を行うキュア炉と、ワイヤーボンド工程３を行
うワイヤーボンダーと、モールド工程４を行うモールド
装置とが順に備えられている。
一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施
例の半導体の製造方法を行う製造ラインは、従来同様
に、ダイボンド工程１を行うダイボンダーと、接着剤硬
化工程２を行うキュア炉と、ワイヤーボンド工程３を行
うワイヤーボンダーと、モールド工程４を行うモールド
装置とが順に備えられている。
【００１６】このように構成された製造ラインを使用し
て本実施例の半導体の製造方法は、先ず、半導体がダイ
ボンド工程１に投入され、ダイボンダーでリードフレー
ム上等にダイボンディングされる。
て本実施例の半導体の製造方法は、先ず、半導体がダイ
ボンド工程１に投入され、ダイボンダーでリードフレー
ム上等にダイボンディングされる。
【００１７】次に、ダイボンディングされた半導体は接
着剤硬化工程２に移送され、キュア炉内で接着剤が硬化
される。
着剤硬化工程２に移送され、キュア炉内で接着剤が硬化
される。
【００１８】接着剤の硬化した半導体はワイヤーボンド
工程３に移送され、ワイヤーボンダーでワイヤーボンデ
ィングされる。このワイヤーボンダーには、図１に示さ
れているように、リードフレーム供給部３ａとヒーター
プレート３ｂとが備えられている。また、上記ワイヤー
ボンダーは、上記リードフレーム供給部３ａにリードフ
レーム５が存在しないときには、リードフレーム供給待
ちを判断するようになっている。そして、このリードフ
レーム供給待ち状態の場合にも、上記ワイヤーボンダー
はワイヤーボンディング中のリードフレーム終端のＩＣ
チップまでボンディング動作を完了し、上記モールド工
程４に移送されるように制御される。
工程３に移送され、ワイヤーボンダーでワイヤーボンデ
ィングされる。このワイヤーボンダーには、図１に示さ
れているように、リードフレーム供給部３ａとヒーター
プレート３ｂとが備えられている。また、上記ワイヤー
ボンダーは、上記リードフレーム供給部３ａにリードフ
レーム５が存在しないときには、リードフレーム供給待
ちを判断するようになっている。そして、このリードフ
レーム供給待ち状態の場合にも、上記ワイヤーボンダー
はワイヤーボンディング中のリードフレーム終端のＩＣ
チップまでボンディング動作を完了し、上記モールド工
程４に移送されるように制御される。
【００１９】そして、モールド工程４に移送された半導
体は、モールド装置でワイヤごと樹脂封止される。
体は、モールド装置でワイヤごと樹脂封止される。
【００２１】次に、上記実施例における作用を述べる。
上述したように、上記ワイヤーボンド工程３を行うワイ
ヤーボンダーのリードフレーム供給部３ａにリードフレ
ーム５が存在しないと、上記ワイヤーボンダーがリード
フレーム供給待ちを判断する。このようなリードフレー
ム供給待ち状態の場合にも、上記ワイヤーボンダーがワ
イヤーボンディング中のリードフレーム終端のＩＣチッ
プまでボンディング動作を完了して、次工程としての上
記モールド工程４に移送するようになっている。
上述したように、上記ワイヤーボンド工程３を行うワイ
ヤーボンダーのリードフレーム供給部３ａにリードフレ
ーム５が存在しないと、上記ワイヤーボンダーがリード
フレーム供給待ちを判断する。このようなリードフレー
ム供給待ち状態の場合にも、上記ワイヤーボンダーがワ
イヤーボンディング中のリードフレーム終端のＩＣチッ
プまでボンディング動作を完了して、次工程としての上
記モールド工程４に移送するようになっている。
【００２２】従って、ワイヤーボンディング中のリード
フレーム５が上記ワイヤーボンダーのヒートプレート３
ｂ上に放置されることがないので、該リードフレーム５
がボンディング温度（２５０°Ｃ）に長期間さらされる
ことが無く、その酸化が防止されることになる。
フレーム５が上記ワイヤーボンダーのヒートプレート３
ｂ上に放置されることがないので、該リードフレーム５
がボンディング温度（２５０°Ｃ）に長期間さらされる
ことが無く、その酸化が防止されることになる。
【００２３】このようにリードフレームの酸化が防止さ
れることにより、次工程のモールド工程でリードフレー
ムとモールド樹脂との密着性が良くなり、これらの間に
空気・水分が侵入しないのでパッケージの樹脂に亀裂が
発生せず、チップ上のＡｌ配線が溶けることもなく、パ
ッケージとしての信頼性を向上させることができるもの
である。
れることにより、次工程のモールド工程でリードフレー
ムとモールド樹脂との密着性が良くなり、これらの間に
空気・水分が侵入しないのでパッケージの樹脂に亀裂が
発生せず、チップ上のＡｌ配線が溶けることもなく、パ
ッケージとしての信頼性を向上させることができるもの
である。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係る半導体の
製造方法によれば、ワイヤーボンダーのヒータープレー
ト上でのリードフレームの酸化を防止して、パッケージ
としての信頼性を向上させることができる、という優れ
た効果を発揮する。
製造方法によれば、ワイヤーボンダーのヒータープレー
ト上でのリードフレームの酸化を防止して、パッケージ
としての信頼性を向上させることができる、という優れ
た効果を発揮する。
【図１】本発明に係る半導体の製造方法の一実施例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】従来の半導体の製造方法に使用されている製造
ラインを示す系統図である。
ラインを示す系統図である。
【図３】従来の半導体の製造方法の一例を示す説明図で
ある。
ある。
１ ダイボンド工程 ２ 接着剤硬化工程 ３ ワイヤーボンド工程 ３ａ リードフレーム供給部 ３ｂ ヒータープレート ４ モールド工程 ５ リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイボンド工程を行うダイボンダーと、
接着剤硬化工程を行うキュア炉と、ワイヤーボンド工程
を行うワイヤーボンダーと、モールド工程を行うモール
ド装置とを順に備えた製造ラインにより成される半導体
の製造方法において、上記ワイヤーボンダーのリードフ
レーム供給部にリードフレームが存在せず、上記ワイヤ
ーボンダーがリードフレーム供給待ちを判断した場合に
も、該ワイヤーボンダーがワイヤーボンディング中のリ
ードフレームのボンディング動作を完了して上記モール
ド工程に移送するようにしたことを特徴とする、半導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244396A JP2970115B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244396A JP2970115B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555291A true JPH0555291A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2970115B2 JP2970115B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=17118054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3244396A Expired - Fee Related JP2970115B2 (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970115B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3244396A patent/JP2970115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2970115B2 (ja) | 1999-11-02 |
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Legal Events
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 11 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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