JPH0555341A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0555341A JPH0555341A JP21766591A JP21766591A JPH0555341A JP H0555341 A JPH0555341 A JP H0555341A JP 21766591 A JP21766591 A JP 21766591A JP 21766591 A JP21766591 A JP 21766591A JP H0555341 A JPH0555341 A JP H0555341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- implanted
- ion implantation
- semiconductor device
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】抵抗層のイオン注入が不完全な製品を確実に除
去する。 【構成】内部回路１を囲むイオン注入抵抗２と測定用の
金属電極３を備えた半導体集積回路。 【効果】ウェーハ試験工程でイオン注入抵抗の抵抗値を
測定することにより、イオン注入が不完全な製品を確実
に除去することできる。
去する。 【構成】内部回路１を囲むイオン注入抵抗２と測定用の
金属電極３を備えた半導体集積回路。 【効果】ウェーハ試験工程でイオン注入抵抗の抵抗値を
測定することにより、イオン注入が不完全な製品を確実
に除去することできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体チップ外周にイオン注入抵抗層およびそのモニタ
ー電極を備えた半導体集積回路に関するものである。
半導体チップ外周にイオン注入抵抗層およびそのモニタ
ー電極を備えた半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造工程は、半導体
基板上に絶縁膜を堆積し、レジストをマスクとして選択
エッチングしてから、半導体基板と逆導電型の不純物を
イオン注入するなどの工程を繰り返している。
基板上に絶縁膜を堆積し、レジストをマスクとして選択
エッチングしてから、半導体基板と逆導電型の不純物を
イオン注入するなどの工程を繰り返している。
【０００３】イオン注入装置には、ウェーハを保持する
ためのホルダーピンが必要である。図２に示すように、
ホルダーピン跡８は全くイオン注入されない。その回り
のホルダーピンの影９（半影部分）もイオン注入が不充
分なため素子特性が不良になってしまう。
ためのホルダーピンが必要である。図２に示すように、
ホルダーピン跡８は全くイオン注入されない。その回り
のホルダーピンの影９（半影部分）もイオン注入が不充
分なため素子特性が不良になってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入によ
って抵抗層を形成する半導体集積回路では、イオン注入
が不充分で不良となるべき製品を完全に除去できていな
いという問題があった。
って抵抗層を形成する半導体集積回路では、イオン注入
が不充分で不良となるべき製品を完全に除去できていな
いという問題があった。
【０００５】例えばバイポーラ集積回路内の一部のＮＰ
Ｎトランジスタにおいて、外部ベースの一部にボロン濃
度の低い部分があっても、製品として不良と判定するの
は難かしかった。
Ｎトランジスタにおいて、外部ベースの一部にボロン濃
度の低い部分があっても、製品として不良と判定するの
は難かしかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板の一主面の内部回路をほぼ囲むようにイオン
注入抵抗が形成されたものである。
半導体基板の一主面の内部回路をほぼ囲むようにイオン
注入抵抗が形成されたものである。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例について、図１（ａ）およ
び（ｂ）を参照して説明する。
び（ｂ）を参照して説明する。
【０００８】Ｎ型半導体基板上に絶縁膜７を堆積してか
ら選択エッチングする。つぎにボロンをイオン注入して
Ｎ型半導体基板とは逆導電型のＰ型ベース５を形成す
る。このとき同時に内部回路１の周囲にもボロンをイオ
ン注入して、ベース抵抗２を形成する。
ら選択エッチングする。つぎにボロンをイオン注入して
Ｎ型半導体基板とは逆導電型のＰ型ベース５を形成す
る。このとき同時に内部回路１の周囲にもボロンをイオ
ン注入して、ベース抵抗２を形成する。
【０００９】つぎに半導体基板上の各素子に電極を形成
する工程においても、同時にベース抵抗の両端に金属電
極３を形成する。
する工程においても、同時にベース抵抗の両端に金属電
極３を形成する。
【００１０】
【発明の効果】半導体基板上の内部回路の周囲にイオン
注入抵抗を備えた。そのためウェーハ試験（Ｐ／Ｗチェ
ック）工程において、イオン注入抵抗の抵抗値を測定す
ることができる。この抵抗値により、イオン注入が不完
全な製品を確実に除去することが可能になった。
注入抵抗を備えた。そのためウェーハ試験（Ｐ／Ｗチェ
ック）工程において、イオン注入抵抗の抵抗値を測定す
ることができる。この抵抗値により、イオン注入が不完
全な製品を確実に除去することが可能になった。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例を示す平面図で
ある。 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
ある。 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
【図２】イオン注入工程によるウェーハのホルダーピン
跡を示す平面図である。
跡を示す平面図である。
１ 内部回路 ２ イオン注入抵抗 ３ 金属電極 ４ エミッタ ５ ベース ６ コレクタ ７ 絶縁膜 ８ ホルダーピン跡 ９ ホルダーピンの影 １０ 外部ベース
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面の内部回路の外周に
少なくとも一個所が開いたイオン注入抵抗が形成された
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766591A JPH0555341A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766591A JPH0555341A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555341A true JPH0555341A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16707801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21766591A Pending JPH0555341A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555341A (ja) |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP21766591A patent/JPH0555341A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4413271A (en) | Integrated circuit including test portion and method for making | |
| US4672314A (en) | Comprehensive semiconductor test structure | |
| JPH0555341A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60147154A (ja) | 抵抗構造体 | |
| GB1247583A (en) | Improvements relating to semiconductor devices | |
| JP2002141474A (ja) | プレーナ型半導体チップとそのテスト方法並びに半導体ウエハ | |
| JP2721607B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| EP0312048B1 (en) | Bipolar semiconductor device | |
| JP4299349B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS5871655A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS618939A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS588138B2 (ja) | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ | |
| JPH0613549A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100490333B1 (ko) | 바이폴라트랜지스터및그제조방법 | |
| KR100524458B1 (ko) | 반도체 소자의 테스트 패턴 | |
| JPH02134843A (ja) | 集積回路 | |
| JPH0643219A (ja) | 半導体装置およびその検査方法 | |
| JP2973709B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6373634A (ja) | 半導体素子の検査法 | |
| JPH04333255A (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR19980020525A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 제조방법 | |
| JP2004031859A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06267878A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH04330762A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH01315142A (ja) | 半導体装置の製造方法 |