JPH02134843A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPH02134843A JPH02134843A JP63289458A JP28945888A JPH02134843A JP H02134843 A JPH02134843 A JP H02134843A JP 63289458 A JP63289458 A JP 63289458A JP 28945888 A JP28945888 A JP 28945888A JP H02134843 A JPH02134843 A JP H02134843A
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- Japan
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- test pattern
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- integrated circuit
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Links
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路に関する。
集積回路には、半導体基板に形成された各素子及びエレ
メントが設計値通り形成されているかをモニタするため
に、各検査用の基本エレメントで構成される検査用パタ
ーンを有しているものがある。
メントが設計値通り形成されているかをモニタするため
に、各検査用の基本エレメントで構成される検査用パタ
ーンを有しているものがある。
その場合、外部テスタにより特性チエツクができるよう
にプローブの針と接触する端子を有している。
にプローブの針と接触する端子を有している。
第３図は従来の集積回路の一例のパターン図である。
集積回路のパターンは、マトリックス状に設けられたバ
イアホール３を配線金属層４で直列に接続されたバイア
ホール検査用パターン１ｏと、その両端にバッド１を有
している。
イアホール３を配線金属層４で直列に接続されたバイア
ホール検査用パターン１ｏと、その両端にバッド１を有
している。
上述した従来の集積回路は、検査用パターンに次の二つ
の欠点があった。
の欠点があった。
第一は、１つの検査用パターンには、少なくとも２つ以
上のパッドを必要とする為、検査用パターンの数が多く
なってくると、そのパッド面積も増して集積回路を形成
するチップサイズが増大したり、また、チップサイズの
制約により検査用パターンを選択して収納する場合も出
てくる。
上のパッドを必要とする為、検査用パターンの数が多く
なってくると、そのパッド面積も増して集積回路を形成
するチップサイズが増大したり、また、チップサイズの
制約により検査用パターンを選択して収納する場合も出
てくる。
第二は、各パッドは、プローバの針を介して検査される
為に、針とパッドの接触の具合によっては不安定な検査
となりうる場合が生ずるという欠点があった。
為に、針とパッドの接触の具合によっては不安定な検査
となりうる場合が生ずるという欠点があった。
本発明の目的は、パッド数が少くかつ安定な検査のでき
る検査用パターンを有する集積回路を提供することにあ
る。
る検査用パターンを有する集積回路を提供することにあ
る。
本発明の集積回路は、半導体基板の一主面に形成された
活性領域にトランジスタ、抵抗、バイアホール及び配線
層などのテスト用の基本エレメントを有する検査用パタ
ーンと、該検査用パターンと接続しかつ試験用のプロー
ブに接触させるための複数の測定端子とを有する集積回
路において、前記測定端子の少なくとも１つが前記半導
体基板に電気的に接続されて構成されている。
活性領域にトランジスタ、抵抗、バイアホール及び配線
層などのテスト用の基本エレメントを有する検査用パタ
ーンと、該検査用パターンと接続しかつ試験用のプロー
ブに接触させるための複数の測定端子とを有する集積回
路において、前記測定端子の少なくとも１つが前記半導
体基板に電気的に接続されて構成されている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例のパタ
ーン図及びそれに対応するチップのＡＡ′線断面図であ
る。
ーン図及びそれに対応するチップのＡＡ′線断面図であ
る。
集積回路の製造方法は、まずＰ型シリコン基板５の上層
の一部にボロン等のイオンを打ち込み、さらに熱拡散を
おこなってＰ＋拡散層６を形成する。
の一部にボロン等のイオンを打ち込み、さらに熱拡散を
おこなってＰ＋拡散層６を形成する。
次に表面に下地絶縁膜８を形成し、Ｐ＋拡散層６に対応
してコンタクトホール２を開孔してそれを介して配線金
属層４とバイアホール３からなるバイアホール検査用パ
ターン１０の一方をシリコン基板５のＰ＋拡散層６に接
続する。
してコンタクトホール２を開孔してそれを介して配線金
属層４とバイアホール３からなるバイアホール検査用パ
ターン１０の一方をシリコン基板５のＰ＋拡散層６に接
続する。
その後、眉間絶縁膜９及び保護膜７を形成する。
以上の説明は、本発明の検査用パターンの実現に必要な
製造プロセスを例示したが、実際は集積回路のマスクに
本パターンを形成し、製造プロセスを処理することによ
り、実現することになる。
製造プロセスを例示したが、実際は集積回路のマスクに
本パターンを形成し、製造プロセスを処理することによ
り、実現することになる。
バイアホール検査用パターン１０の特性をチエツクする
には、１方のグローブをパッド１に接触し、他の電極は
Ｐ型シリコン基板５の裏面に接続すれば良い。
には、１方のグローブをパッド１に接触し、他の電極は
Ｐ型シリコン基板５の裏面に接続すれば良い。
従ってプローブの数は、従来の２ケから１ケに減り、か
つＰ型シリコン基板１との接続は安定なので接触不良に
よる誤検査の問題は減少する。
つＰ型シリコン基板１との接続は安定なので接触不良に
よる誤検査の問題は減少する。
第２図は本発明の第２の実施例のパターン図である。
集積回路は、バイアホール検査用パターン１０コンタク
トホール検査用パターン１１．配線層検査用パターン１
２．抵抗測定用パターン１３．オフセット値測定用パタ
ーン１４及び複数のコンタクトホール２とパッドを有し
ている。
トホール検査用パターン１１．配線層検査用パターン１
２．抵抗測定用パターン１３．オフセット値測定用パタ
ーン１４及び複数のコンタクトホール２とパッドを有し
ている。
本実施例では６つの検査用パターンを構成しており、従
来の技術では１２個のパッドを必要としたが、本実施例
のパターンでは片方を全てコンタク１ヘホールを介して
Ｐ型シリコン基板に共通接続しているので、パッド数が
半分の６個となる効果がある。
来の技術では１２個のパッドを必要としたが、本実施例
のパターンでは片方を全てコンタク１ヘホールを介して
Ｐ型シリコン基板に共通接続しているので、パッド数が
半分の６個となる効果がある。
また、コンタクトを通してシリコン基板に接続しである
だけのオフセット値測定用パターン１４を含むことで、
予めコンタクト抵抗及びＰ型シリコン基板抵抗を知るこ
とが可能である。
だけのオフセット値測定用パターン１４を含むことで、
予めコンタクト抵抗及びＰ型シリコン基板抵抗を知るこ
とが可能である。
例えば、抵抗測定用パターン１３で得られた測定値から
オフセット値測定用パターン１４がら得ｔ：測定値を引
くことで、真の抵抗値の補正が可能である。
オフセット値測定用パターン１４がら得ｔ：測定値を引
くことで、真の抵抗値の補正が可能である。
以上説明したように本発明は、検査用パターンの１つ以
上の測定端子を半導体基板に直接接続してその裏面を測
定端子のパッドとして利用することにより、従来の検査
用パターンに比べ、パッド面積分だけ小さくすることが
できる。
上の測定端子を半導体基板に直接接続してその裏面を測
定端子のパッドとして利用することにより、従来の検査
用パターンに比べ、パッド面積分だけ小さくすることが
できる。
また、測定用の端子を基板の裏面からとれるので、全て
の端子をプローブ針からとる方法に比べて安定して検査
することができる効果がある。
の端子をプローブ針からとる方法に比べて安定して検査
することができる効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例のパタ
ーン図及びそれに対応するチップのＡ〜Ａ′線断面図、
第２図は本発明の第２の実施例のパターン図、第３図は
従来の集積回路の一例のパターン図である。 １・・・パッド、２・・・コンタクトホール、３・・・
バイアホール、４・・・配線金属層、５・・・Ｐ型シリ
コン基板、１０・・・バイアホール検査用パターン、１
１・・・コンタクトホール検査用パターン、１２・・・
配線層検査用パターン、１３・・・抵抗測定用パターン
、１４・・・オフセット値測定用パターン。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅
ーン図及びそれに対応するチップのＡ〜Ａ′線断面図、
第２図は本発明の第２の実施例のパターン図、第３図は
従来の集積回路の一例のパターン図である。 １・・・パッド、２・・・コンタクトホール、３・・・
バイアホール、４・・・配線金属層、５・・・Ｐ型シリ
コン基板、１０・・・バイアホール検査用パターン、１
１・・・コンタクトホール検査用パターン、１２・・・
配線層検査用パターン、１３・・・抵抗測定用パターン
、１４・・・オフセット値測定用パターン。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に形成された活性領域にトランジ
スタ、抵抗、バイアホール及び配線層などのテスト用の
基本エレメントを有する検査用パターンと、該検査用パ
ターンと接続しかつ試験用のプローブに接触させるため
の複数の測定端子とを有する集積回路において、前記測
定端子の少なくとも１つが前記半導体基板に電気的に接
続されていることを特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289458A JPH02134843A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289458A JPH02134843A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134843A true JPH02134843A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17743527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289458A Pending JPH02134843A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333368B1 (ko) * | 1995-09-13 | 2002-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의결함체크를위한테스트패턴 |
| WO2025115081A1 (ja) * | 2023-11-28 | 2025-06-05 | 株式会社日立ハイテク | プロセス診断システム、プロセス監視システム及びウェハ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54100672A (en) * | 1978-01-26 | 1979-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS54159879A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-18 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
| JPS566143A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Hitachi Ltd | Flameless atomizer for atomic absorption analysis |
| JPS579219A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-18 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Ac detecting relay |
| JPS6188539A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Nec Corp | Ｍｏｓ電界効果トランジスタ |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63289458A patent/JPH02134843A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54100672A (en) * | 1978-01-26 | 1979-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS54159879A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-18 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
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| JPS579219A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-18 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Ac detecting relay |
| JPS6188539A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Nec Corp | Ｍｏｓ電界効果トランジスタ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333368B1 (ko) * | 1995-09-13 | 2002-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의결함체크를위한테스트패턴 |
| WO2025115081A1 (ja) * | 2023-11-28 | 2025-06-05 | 株式会社日立ハイテク | プロセス診断システム、プロセス監視システム及びウェハ |
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