JPH0556460B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0556460B2 JPH0556460B2 JP59118820A JP11882084A JPH0556460B2 JP H0556460 B2 JPH0556460 B2 JP H0556460B2 JP 59118820 A JP59118820 A JP 59118820A JP 11882084 A JP11882084 A JP 11882084A JP H0556460 B2 JPH0556460 B2 JP H0556460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- layer
- electrons
- cleanliness
- covered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
- G01N23/2273—Measuring photoelectron spectrum, e.g. electron spectroscopy for chemical analysis [ESCA] or X-ray photoelectron spectroscopy [XPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、表面の一部が汚染層で被覆された
試料の表面の清浄度を計測する清浄度計測方法に
関する。
試料の表面の清浄度を計測する清浄度計測方法に
関する。
従来、試料表面の清浄度、即ち、試料表面の
内、油脂、塵芥等の汚染層によつて被覆されてい
ない面積はどの程度であるか、は、検査者が目視
検査によつて計測していた。しかしながら、この
ような目視検査は検査者の勘に頼らざるを得ない
ため、個人差が発生して清浄度を正確に計測でき
ないといつ問題点がある。
内、油脂、塵芥等の汚染層によつて被覆されてい
ない面積はどの程度であるか、は、検査者が目視
検査によつて計測していた。しかしながら、この
ような目視検査は検査者の勘に頼らざるを得ない
ため、個人差が発生して清浄度を正確に計測でき
ないといつ問題点がある。
この発明は、前述の問題点に着目してなされた
もので、試料の表面の清浄度を正確に計測できる
表面の清浄度計測方法を提供することを目的とし
ている。
もので、試料の表面の清浄度を正確に計測できる
表面の清浄度計測方法を提供することを目的とし
ている。
このような目的は、表面の一部が試料の光電的
仕事関数より大きい光電的仕事関数を有する汚染
層で被覆された試料の表面の清浄度を計測する清
浄度計測方法であつて、前記試料に、該試料の光
電的仕事関数以上で汚染層の光電的仕事関数未満
のエネルギーを与えて該試料表面全面から電子を
放出させ、この放出電子の内、前記汚染層に被覆
された表面からの電子を該汚染層に捕捉させる一
方、汚染層に被覆されていない表面からの電子を
検出することにより達成することができる。
仕事関数より大きい光電的仕事関数を有する汚染
層で被覆された試料の表面の清浄度を計測する清
浄度計測方法であつて、前記試料に、該試料の光
電的仕事関数以上で汚染層の光電的仕事関数未満
のエネルギーを与えて該試料表面全面から電子を
放出させ、この放出電子の内、前記汚染層に被覆
された表面からの電子を該汚染層に捕捉させる一
方、汚染層に被覆されていない表面からの電子を
検出することにより達成することができる。
ここで、前記汚染層は、その光電的仕事関数が
試料の光電的仕事関数より大きく、例えば油脂、
塵芥等が該当する。前記光電的仕事関数とは、金
属ではフエルミレベルから真空レベルまでのエネ
ルギー差であり、半導体の場合には価電子帯の上
部から真空レベルまでのエネルギー差となる。ま
た、試料に与えるエネルギー値は、試料の光電的
仕事関数以上でかつ汚染層の光電的仕事関数未満
であり、この結果、試料の表面全面から電子が発
生されるが、汚染層からは電子は放出されない。
前記試料表面から放出された電子の内、汚染層に
よつて被覆された表面から放出された電子は、汚
染層中を通る際にこの汚染層中でその運動エネル
ギーを失つて汚染層に全て捕捉される。一方、汚
染層によつて被覆されていない表面から放出され
た電子はそのまま移動を継続する。次に、この移
動を継続した電子のみが捕捉され、その数が計測
されたり、あるいは電流に変換され電流値として
検出される。次に、このような検出結果に基ずい
て汚染層に被覆されていない試料の表面積と試料
の全表面積との比が求められ、試料表面の清浄度
が計測される。このような計測を行う場合の雰囲
気は、種々の単体、混合ガスであつても、また大
気であつても何ら差し支えないのである。
試料の光電的仕事関数より大きく、例えば油脂、
塵芥等が該当する。前記光電的仕事関数とは、金
属ではフエルミレベルから真空レベルまでのエネ
ルギー差であり、半導体の場合には価電子帯の上
部から真空レベルまでのエネルギー差となる。ま
た、試料に与えるエネルギー値は、試料の光電的
仕事関数以上でかつ汚染層の光電的仕事関数未満
であり、この結果、試料の表面全面から電子が発
生されるが、汚染層からは電子は放出されない。
前記試料表面から放出された電子の内、汚染層に
よつて被覆された表面から放出された電子は、汚
染層中を通る際にこの汚染層中でその運動エネル
ギーを失つて汚染層に全て捕捉される。一方、汚
染層によつて被覆されていない表面から放出され
た電子はそのまま移動を継続する。次に、この移
動を継続した電子のみが捕捉され、その数が計測
されたり、あるいは電流に変換され電流値として
検出される。次に、このような検出結果に基ずい
て汚染層に被覆されていない試料の表面積と試料
の全表面積との比が求められ、試料表面の清浄度
が計測される。このような計測を行う場合の雰囲
気は、種々の単体、混合ガスであつても、また大
気であつても何ら差し支えないのである。
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
第１図は空気カウンターを示しており、同図に
おいて、１は下部に窓２，３が形成されたケース
であつて、このケース１はアースされて陰極とな
る。ケース１内にはリング状の陽極４が設けら
れ、この陽極４には例えば3.4KVの高圧電源５が
接続されている。陽極４とケース１との間には、
例えば100Vの電圧が印加された第１格子電極６
が設置され、この第１格子電極６とケース１の底
面上に載置された試料７との間には、例えば80V
の電圧が印加された第２格子電極８が設置されて
いる。前記試料７の表面はその一部が汚染層９、
例えば油脂層で覆われている。１０は光源であ
り、この光源１０からの光は分光器１１により単
色化され、前記試料７および汚染層９を窓２を通
して照射し、その反射光は窓３から外に出てい
く。なお、この際の単色光の強度は２個のスリツ
ト１２により調節される。１３は陽極４に接続さ
れた増幅器であり、この増幅器１３と第１格子電
極６との間には第１パルス発生器１４が設けられ
ている。この第１パルス発生器１４は陽極４に電
子パルスが発生したとき、第１格子電極６に、例
えば時間幅Te（５ｍｓ）で300Vの矩形波パルス
を送り、第１格子電極６の電圧を、第２図ｂに示
すように100Vから400Vに増加させる。また、前
記増幅器１３と第２格子電極８との間には第２パ
ルス発生器１５が設けられ、この第２パルス発生
器１５は陽極４に電子パルスが発生したとき、例
えば時間幅Te（５ｍｓ）で−110Vの矩形波パル
スを第２格子電極８に供給し、第２格子電極８の
電圧を、第２図ｃに示すように80Vから−30Vま
で低下させる。前記第１、第２パルス発生器１
４，１５は発生する矩形波パルスの時間幅および
波高電圧を任意に設定できるものである。１６は
増幅器１３に接続された計数手段であり、この計
数手段１６は陽極４に発生する電子パルスを計数
する。この計数手段１６には演算手段１７が接続
され、この演算手段１７は例えばマイクロコンピ
ユータからなる。そして、この演算手段１７は計
数手段１６からの出力、例えば１秒間当りの電子
パルスのカウント数（計数率）をＮとすると、試
料７の清浄度Ｔ、即ち、試料７の表面の内どの程
度汚染層９によつて被覆されずに残つているか、
を式、 Ｔ＝Ｎ／N1 ここで、N1は試料表面が汚染層によつて全く
被覆されていない完全清浄面のときのカウント
数（計数率） を用いて演算し、試料７の清浄度Ｔを求める。次
に、この演算手段１７からの出力信号は、例え
ば、CRT、プリンター等の表示手段１８に送ら
れ、この表示手段１８において前記演算結果、即
ち試料７の清浄度Ｔ、が表示される。
おいて、１は下部に窓２，３が形成されたケース
であつて、このケース１はアースされて陰極とな
る。ケース１内にはリング状の陽極４が設けら
れ、この陽極４には例えば3.4KVの高圧電源５が
接続されている。陽極４とケース１との間には、
例えば100Vの電圧が印加された第１格子電極６
が設置され、この第１格子電極６とケース１の底
面上に載置された試料７との間には、例えば80V
の電圧が印加された第２格子電極８が設置されて
いる。前記試料７の表面はその一部が汚染層９、
例えば油脂層で覆われている。１０は光源であ
り、この光源１０からの光は分光器１１により単
色化され、前記試料７および汚染層９を窓２を通
して照射し、その反射光は窓３から外に出てい
く。なお、この際の単色光の強度は２個のスリツ
ト１２により調節される。１３は陽極４に接続さ
れた増幅器であり、この増幅器１３と第１格子電
極６との間には第１パルス発生器１４が設けられ
ている。この第１パルス発生器１４は陽極４に電
子パルスが発生したとき、第１格子電極６に、例
えば時間幅Te（５ｍｓ）で300Vの矩形波パルス
を送り、第１格子電極６の電圧を、第２図ｂに示
すように100Vから400Vに増加させる。また、前
記増幅器１３と第２格子電極８との間には第２パ
ルス発生器１５が設けられ、この第２パルス発生
器１５は陽極４に電子パルスが発生したとき、例
えば時間幅Te（５ｍｓ）で−110Vの矩形波パル
スを第２格子電極８に供給し、第２格子電極８の
電圧を、第２図ｃに示すように80Vから−30Vま
で低下させる。前記第１、第２パルス発生器１
４，１５は発生する矩形波パルスの時間幅および
波高電圧を任意に設定できるものである。１６は
増幅器１３に接続された計数手段であり、この計
数手段１６は陽極４に発生する電子パルスを計数
する。この計数手段１６には演算手段１７が接続
され、この演算手段１７は例えばマイクロコンピ
ユータからなる。そして、この演算手段１７は計
数手段１６からの出力、例えば１秒間当りの電子
パルスのカウント数（計数率）をＮとすると、試
料７の清浄度Ｔ、即ち、試料７の表面の内どの程
度汚染層９によつて被覆されずに残つているか、
を式、 Ｔ＝Ｎ／N1 ここで、N1は試料表面が汚染層によつて全く
被覆されていない完全清浄面のときのカウント
数（計数率） を用いて演算し、試料７の清浄度Ｔを求める。次
に、この演算手段１７からの出力信号は、例え
ば、CRT、プリンター等の表示手段１８に送ら
れ、この表示手段１８において前記演算結果、即
ち試料７の清浄度Ｔ、が表示される。
次に、この発明の一実施例の作用について説明
する。
する。
まず、一定厚さ、例えば電子の平均自由行程、
以上の油脂からなる汚染層９が表面の一部に付着
された、例えばシリコンからなる試料７をケース
１の底面上に載置する。次に、高圧電源５から陽
極４に第２図ａに示すように、例えば3.4KVの高
電圧を印加する。次に、光源１０からの光を分光
器１１によつて単色光にするとともにスリツト１
２によつてその強度を調節し、試料７に照射す
る。試料７にエネルギーを与える単色光は、試料
７の光電的仕事関数以上で汚染層９の光電的仕事
関数未満のエネルギーを有する光を使用する。こ
の試料７に照射された単色光は汚染層９を突き抜
けた後、試料７の表面に光エネルギーを与えて、
この試料７の表面全面、即ち汚染層９に被覆され
ている部分および被覆されていない部分の双方、
から十eV以下の低エネルギーをもつ光電子を放
出させる。この際、単色光の有する光エネルギー
が汚染層９の光電的仕事関数未満であるので、汚
染層９からは電子は放出されない。次に、前記汚
染層９によつて被覆されている汚染表面から放出
された電子は、汚染層９を通り抜ける際、この汚
染層９によつてその運動エネルギーを失い該汚染
層９に捕捉されるので、外部に現れることができ
ないのである。一方、汚染層９によつて被覆され
ていない清浄表面から放出された電子は、そのま
ま移動を継続するのである。このように、汚染層
９に被覆された汚染表面からの電子は外部に現れ
ず、一方、汚染層９に被覆されていない清浄表面
からの電子はそのまま移動して外部に現れるの
で、この外部に現れた電子数を調べれば、試料７
の表面の内、どの程度汚染層９によつて被覆され
ずに残つているかを知ることができるのである。
前記清浄表面からの電子は、第２格子電極８およ
び第１格子電極６を通過し、陽極４に引き寄せら
れる。そして、電子が陽極４近傍に到達すると、
陽極４近傍には高電圧によつて強い電界が発生し
ているので、この電界により電子が加速され気体
放電を引き起こす。この気体増幅作用により、陽
極４に印加されている電圧は第２図ａに示すよう
に、電位が低下し、電子パルスが発生する。この
陽極４に発生した電子パルスは増幅器１３を介し
て第１パルス発生器１４および第２パルス発生器
１５に送られる。第１パルス発生器１４は電圧が
300Vで時間幅がTeの矩形波パルスを発生して第
１格子電極６に送り、第１格子電極６の電圧を
100Vから400VにTe時間だけ増加させる。この結
果、陽極４と第１格子電極６との間の電位差が
300V低下し、これによつて、気体増幅作用によ
り発生した光や陽イオンによる二次電子は放電電
圧に達することができず、連続放電が阻止され
る。一方、第２パルス発生器１５は時間幅がTe
で電圧が−110Vの矩形波パルスを第２格子電極
８に送り、第２格子電極８の電圧を80Vから−
30Vに低下させる。この結果、前記気体増幅作用
によつて発生した陽イオンがこの第２格子電極８
に捕捉されて中和される。これにより、陽イオン
が汚染層９および試料７に到達してこれらに影響
を与えるようなことはない。そして、Te時間だ
け経過すると、第１、第２格子電極６，８の電圧
は元の電圧にそれぞれ回復し、空気カウンターは
再び電子を検出できる状態となる。前記陽極４に
発生した電子パルスは同時に増幅器１３を介して
計数手段１６にも送られ、この計数手段１６は前
記電子パルス数、即ち汚染層９によつて被覆され
ていない清浄面から放出された電子数、を計数
し、計数結果、例えば計数率、を演算手段１７に
出力する。演算手段１７は前述した式に基づいて
演算して試料７の清浄度を求め、その演算結果を
表示手段１８に送る。ここで、試料７の表面が完
全清浄面であるとき、即ち汚染層９によつて全く
被覆されていないとき、には計数率が前記N1と
等しくなつて演算結果（清浄度）は１となり、ま
た、試料７の表面が汚染層９によつて被覆される
に従い計数率は小さくなつて演算結果（清浄度）
が１から０に近付き、完全汚染面であるとき、即
ち汚染層９によつて全て被覆されているとき、に
は計数率は０となつて演算結果（清浄度）は０と
なる。前記演算結果が表示手段１９に入力される
と、表示手段１８は試料７の清浄度Ｔを表示す
る。
以上の油脂からなる汚染層９が表面の一部に付着
された、例えばシリコンからなる試料７をケース
１の底面上に載置する。次に、高圧電源５から陽
極４に第２図ａに示すように、例えば3.4KVの高
電圧を印加する。次に、光源１０からの光を分光
器１１によつて単色光にするとともにスリツト１
２によつてその強度を調節し、試料７に照射す
る。試料７にエネルギーを与える単色光は、試料
７の光電的仕事関数以上で汚染層９の光電的仕事
関数未満のエネルギーを有する光を使用する。こ
の試料７に照射された単色光は汚染層９を突き抜
けた後、試料７の表面に光エネルギーを与えて、
この試料７の表面全面、即ち汚染層９に被覆され
ている部分および被覆されていない部分の双方、
から十eV以下の低エネルギーをもつ光電子を放
出させる。この際、単色光の有する光エネルギー
が汚染層９の光電的仕事関数未満であるので、汚
染層９からは電子は放出されない。次に、前記汚
染層９によつて被覆されている汚染表面から放出
された電子は、汚染層９を通り抜ける際、この汚
染層９によつてその運動エネルギーを失い該汚染
層９に捕捉されるので、外部に現れることができ
ないのである。一方、汚染層９によつて被覆され
ていない清浄表面から放出された電子は、そのま
ま移動を継続するのである。このように、汚染層
９に被覆された汚染表面からの電子は外部に現れ
ず、一方、汚染層９に被覆されていない清浄表面
からの電子はそのまま移動して外部に現れるの
で、この外部に現れた電子数を調べれば、試料７
の表面の内、どの程度汚染層９によつて被覆され
ずに残つているかを知ることができるのである。
前記清浄表面からの電子は、第２格子電極８およ
び第１格子電極６を通過し、陽極４に引き寄せら
れる。そして、電子が陽極４近傍に到達すると、
陽極４近傍には高電圧によつて強い電界が発生し
ているので、この電界により電子が加速され気体
放電を引き起こす。この気体増幅作用により、陽
極４に印加されている電圧は第２図ａに示すよう
に、電位が低下し、電子パルスが発生する。この
陽極４に発生した電子パルスは増幅器１３を介し
て第１パルス発生器１４および第２パルス発生器
１５に送られる。第１パルス発生器１４は電圧が
300Vで時間幅がTeの矩形波パルスを発生して第
１格子電極６に送り、第１格子電極６の電圧を
100Vから400VにTe時間だけ増加させる。この結
果、陽極４と第１格子電極６との間の電位差が
300V低下し、これによつて、気体増幅作用によ
り発生した光や陽イオンによる二次電子は放電電
圧に達することができず、連続放電が阻止され
る。一方、第２パルス発生器１５は時間幅がTe
で電圧が−110Vの矩形波パルスを第２格子電極
８に送り、第２格子電極８の電圧を80Vから−
30Vに低下させる。この結果、前記気体増幅作用
によつて発生した陽イオンがこの第２格子電極８
に捕捉されて中和される。これにより、陽イオン
が汚染層９および試料７に到達してこれらに影響
を与えるようなことはない。そして、Te時間だ
け経過すると、第１、第２格子電極６，８の電圧
は元の電圧にそれぞれ回復し、空気カウンターは
再び電子を検出できる状態となる。前記陽極４に
発生した電子パルスは同時に増幅器１３を介して
計数手段１６にも送られ、この計数手段１６は前
記電子パルス数、即ち汚染層９によつて被覆され
ていない清浄面から放出された電子数、を計数
し、計数結果、例えば計数率、を演算手段１７に
出力する。演算手段１７は前述した式に基づいて
演算して試料７の清浄度を求め、その演算結果を
表示手段１８に送る。ここで、試料７の表面が完
全清浄面であるとき、即ち汚染層９によつて全く
被覆されていないとき、には計数率が前記N1と
等しくなつて演算結果（清浄度）は１となり、ま
た、試料７の表面が汚染層９によつて被覆される
に従い計数率は小さくなつて演算結果（清浄度）
が１から０に近付き、完全汚染面であるとき、即
ち汚染層９によつて全て被覆されているとき、に
は計数率は０となつて演算結果（清浄度）は０と
なる。前記演算結果が表示手段１９に入力される
と、表示手段１８は試料７の清浄度Ｔを表示す
る。
なお、前述の実施例においては、低速の電子を
検出する空気カウンタと、計数手段１６と、演算
手段１７と、表示手段１８と、を一体化して１つ
の装置を構成したが、この発明においては、例え
ば空気カウンタおよび計数手段１６と、演算手段
１７および表示手段１８と、を分離し、電子数の
検出と演算表示とを別々の場所で行うようにして
もよい。
検出する空気カウンタと、計数手段１６と、演算
手段１７と、表示手段１８と、を一体化して１つ
の装置を構成したが、この発明においては、例え
ば空気カウンタおよび計数手段１６と、演算手段
１７および表示手段１８と、を分離し、電子数の
検出と演算表示とを別々の場所で行うようにして
もよい。
以上説明したように本発明においては試料の仕
事関数よりも大きく、かつ前記試料の表面に付着
している汚染物質の仕事関数よりも小さなエネル
ギーの光を照射して試料からの光電子の個数を検
出し、この個数と清浄な試料に基づく光電子の個
数との差をもつて汚染物質の量を検出するように
したので、光電子のエネルギ自体を問題とする必
要がなく、このため空気中やガス中での測定がで
きて、工業製品の清浄度のオンライン測定が可能
となる。
事関数よりも大きく、かつ前記試料の表面に付着
している汚染物質の仕事関数よりも小さなエネル
ギーの光を照射して試料からの光電子の個数を検
出し、この個数と清浄な試料に基づく光電子の個
数との差をもつて汚染物質の量を検出するように
したので、光電子のエネルギ自体を問題とする必
要がなく、このため空気中やガス中での測定がで
きて、工業製品の清浄度のオンライン測定が可能
となる。
第１図はこの発明を実施するための装置の一実
施例を示す一部がブロツクで示された断面図、第
２図は空気カウンターの電圧変化を示すグラフで
ある。 ４……陽極、７……試料、９……汚染層、１０
……光源、１６……計数手段、１７……演算手
段、１８……表示手段。
施例を示す一部がブロツクで示された断面図、第
２図は空気カウンターの電圧変化を示すグラフで
ある。 ４……陽極、７……試料、９……汚染層、１０
……光源、１６……計数手段、１７……演算手
段、１８……表示手段。
Claims (1)
- １ 試料の仕事関数よりも大きく、かつ前記試料
の表面に付着している汚染物質の仕事関数よりも
小さなエネルギーの光を照射して前記試料からの
光電子の個数を検出し、前記個数と清浄な試料に
基づく光電子の個数との差により汚染物質の量を
検出する表面の清浄度計測方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11882084A JPS60262043A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 表面の清浄度計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11882084A JPS60262043A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 表面の清浄度計測方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262043A JPS60262043A (ja) | 1985-12-25 |
| JPH0556460B2 true JPH0556460B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=14745947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11882084A Granted JPS60262043A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 表面の清浄度計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262043A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711495B2 (ja) * | 1982-05-07 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | 光電子測定方法 |
-
1984
- 1984-06-09 JP JP11882084A patent/JPS60262043A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60262043A (ja) | 1985-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kirihata et al. | Externally quenched air counter for low‐energy electron emission measurements | |
| US5393980A (en) | Quality monitor and monitoring technique employing optically stimulated electron emmission | |
| US7145320B2 (en) | Particle counting method and particle counter | |
| Jaklevic et al. | Energy dispersive X-ray fluorescence spectrometry using pulsed X-ray excitation | |
| JPH0376841B2 (ja) | ||
| JP2000357487A (ja) | 質量分析装置 | |
| JPS60262043A (ja) | 表面の清浄度計測方法 | |
| JP3481031B2 (ja) | 二重円筒形オープンカウンター | |
| JPH0556459B2 (ja) | ||
| JPH0437390B2 (ja) | ||
| US7205539B1 (en) | Sample charging control in charged-particle systems | |
| Egert et al. | A study of the electric field dependence of the photoinduced field emission current from tungsten | |
| JPH057581Y2 (ja) | ||
| JPS6233246Y2 (ja) | ||
| JPS63167254A (ja) | 電子計数装置 | |
| JPH0376842B2 (ja) | ||
| Yost et al. | A quality monitor and monitoring technique employing optically stimulated electron emission | |
| JPS62145395A (ja) | 光電子計数装置 | |
| JPS62150642A (ja) | 荷電ビ−ムを用いた電位測定装置 | |
| JPH0573190B2 (ja) | ||
| JPS63293847A (ja) | 半導体検査装置 | |
| JP2895860B2 (ja) | 質量分析方法 | |
| JPH0573579U (ja) | 集積回路製造時の中間体の動的テスト装置 | |
| JP2580515B2 (ja) | 光電子分光方法 | |
| JPS62298123A (ja) | 電子ビ−ム装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |