JPS63167254A - 電子計数装置 - Google Patents
電子計数装置Info
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- JPS63167254A JPS63167254A JP31123786A JP31123786A JPS63167254A JP S63167254 A JPS63167254 A JP S63167254A JP 31123786 A JP31123786 A JP 31123786A JP 31123786 A JP31123786 A JP 31123786A JP S63167254 A JPS63167254 A JP S63167254A
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光エネルギーの照射で試料から放出された電
子の数を計数する電子計数装置に関する。
子の数を計数する電子計数装置に関する。
（従来技術）
従来、例えば半導体等の試料表面に形成された酸化膜の
膜厚を計測する方法として、試お１表面に光を照射し、
光の照射により試料上の薄膜を通って外部に放出される
電子を電子検出部により計数して膜厚を計測する方法が
知られている（特願昭５９−１１８８１８号等）。
膜厚を計測する方法として、試お１表面に光を照射し、
光の照射により試料上の薄膜を通って外部に放出される
電子を電子検出部により計数して膜厚を計測する方法が
知られている（特願昭５９−１１８８１８号等）。
（発明が解決しようとりる問題点）
しかしながら、このような従来の電子計数装置にあって
は、試おｌに単波長光を照射する光源装置に設けたラン
プ、レンズ等の光学部材の汚れ、あるいは光フフイバー
により光を導いたとぎにファイバーの劣下等により試料
に照射される光量が変化し、正確な電子数の計測ができ
なくなる恐れがあった。
は、試おｌに単波長光を照射する光源装置に設けたラン
プ、レンズ等の光学部材の汚れ、あるいは光フフイバー
により光を導いたとぎにファイバーの劣下等により試料
に照射される光量が変化し、正確な電子数の計測ができ
なくなる恐れがあった。
例えば、光源装置からの単波長光を所定波長域で走査し
たときの電子語数率から試料酸化膜の仕事関数を測定す
る場合、初期状態の光量の低下がないとぎには第８図（
ａ ＞に示すような走査波長に対し傾きα１をもった計
数率の特性が得られたものが、光量が低下すると第８図
（ｂ ）に示すように、傾きがα２に減少する特性とな
り、あたかも酸化膜が厚くなったような測定結果が得ら
れてしまうという問題があった。
たときの電子語数率から試料酸化膜の仕事関数を測定す
る場合、初期状態の光量の低下がないとぎには第８図（
ａ ＞に示すような走査波長に対し傾きα１をもった計
数率の特性が得られたものが、光量が低下すると第８図
（ｂ ）に示すように、傾きがα２に減少する特性とな
り、あたかも酸化膜が厚くなったような測定結果が得ら
れてしまうという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、光学部材の汚れ等により試料に照射する光の光量
変化があっても常に光量変化のない初期状態と同、じ電
子数の計数結果が得られるようにした電子計数装置を提
供することを目的とする。
ので、光学部材の汚れ等により試料に照射する光の光量
変化があっても常に光量変化のない初期状態と同、じ電
子数の計数結果が得られるようにした電子計数装置を提
供することを目的とする。
この目的を達成するため本発明にあっては、試料に光を
照射し、試料から放出される電子を電子計数部内に導入
して電子の数を計数する電子計数装置に於いて、試料に
照射される光の光量を検出する光量検出手段と、初期状
態で検出された光量（基準光量）と計測時の光量とに基
づいて補正係数を演算する補正係数演算手段と、この補
正係数に塁づいて電子数の計数値を補正する補正手段と
を設ｃノるようにしたものである。
照射し、試料から放出される電子を電子計数部内に導入
して電子の数を計数する電子計数装置に於いて、試料に
照射される光の光量を検出する光量検出手段と、初期状
態で検出された光量（基準光量）と計測時の光量とに基
づいて補正係数を演算する補正係数演算手段と、この補
正係数に塁づいて電子数の計数値を補正する補正手段と
を設ｃノるようにしたものである。
（作用）
このような本発明の構成によれば、光源装置の光学部材
の汚れ、若しくは試料に光を導く光ファイバーの劣下等
により試料に照射される光量が減少したとしても、光量
変化に基づく補正係数により初期状態での基準光量の照
射で得られたと同じ電子数の計数結果を得ることができ
、光量の変動の影響を受けることなく正確な電子数の旧
教を行なうことができる。
の汚れ、若しくは試料に光を導く光ファイバーの劣下等
により試料に照射される光量が減少したとしても、光量
変化に基づく補正係数により初期状態での基準光量の照
射で得られたと同じ電子数の計数結果を得ることができ
、光量の変動の影響を受けることなく正確な電子数の旧
教を行なうことができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示した説明図である。
まず構成を説明すると、１は電子検出部であり、下部に
検出窓２を開口した全屈製のケース３を有し、ケース３
はアースされている。ケース３内には陽極リング４が配
置され、陽極リング４には高圧電源２３から例えば３．
４ＫＶの高電圧が印加されている。陽極リング４とケー
ス３の間には第１格子電極５が設置される。第１格子電
極５には第１パルス発生器２０の出力が与えられ、第１
パルス発生器２０は試料１２からの放出電子を導入して
いないときには、例えば１００Ｖの電圧を第１格子電極
５に印加しており、試料１２から放出された電子の導入
により陽極リング４の近傍で気体放電現象を生じて増幅
器１８より第２図（ａ）に示すような電子パルスが発生
すると、第１パルス発生器２０は所定のクエンチング時
間τに亘って３００Ｖにアップした矩形波パルスを発生
し、クエンチング時間τに亘って第１格子電極５を４０
０Ｖに保つ。このように第１格子電極５の電圧が１００
Ｖから４００Ｖに増加されると、陽極リング４と第１格
子電極との間の電位差が３００Ｖだけ低下し、これによ
って放出電子の導入により生じた気体放電作用による光
や陽イＡンによる二次電子は放電電圧に達することがで
きず、なだれ的な放電が阻止される。
検出窓２を開口した全屈製のケース３を有し、ケース３
はアースされている。ケース３内には陽極リング４が配
置され、陽極リング４には高圧電源２３から例えば３．
４ＫＶの高電圧が印加されている。陽極リング４とケー
ス３の間には第１格子電極５が設置される。第１格子電
極５には第１パルス発生器２０の出力が与えられ、第１
パルス発生器２０は試料１２からの放出電子を導入して
いないときには、例えば１００Ｖの電圧を第１格子電極
５に印加しており、試料１２から放出された電子の導入
により陽極リング４の近傍で気体放電現象を生じて増幅
器１８より第２図（ａ）に示すような電子パルスが発生
すると、第１パルス発生器２０は所定のクエンチング時
間τに亘って３００Ｖにアップした矩形波パルスを発生
し、クエンチング時間τに亘って第１格子電極５を４０
０Ｖに保つ。このように第１格子電極５の電圧が１００
Ｖから４００Ｖに増加されると、陽極リング４と第１格
子電極との間の電位差が３００Ｖだけ低下し、これによ
って放出電子の導入により生じた気体放電作用による光
や陽イＡンによる二次電子は放電電圧に達することがで
きず、なだれ的な放電が阻止される。
一方、第１格子電極５の外側には第２格子電極６が配置
され、第２格子電極６には第２パルス発生器２２の出力
が与えられている。第２パルス発生器２２は放出電子の
導入がない状態にあっては例えば８０Ｖの電圧を第２格
子電極６に印加しており、放出電子の導入により第２図
（ａ）に示すように気体放電現象により陽極リング４よ
り電圧パルスが増幅器１８を介して与えられると、第２
図（Ｃ）に示すように、例えば−１１０Ｖダウンした矩
形パルスをクエンチング時間τに亘って出力する。この
クエンチング時間τに亘る一３０Ｖの矩形波パルスを受
けた第２格子電極６は、それまでの格子電圧８０Ｖから
一３０Ｖに下がることで増幅作用を伴う気体放電によっ
て発生した陽イオンを第２格子電極６で補足して中和し
、これによって陽イオンが試料１０に到達して試料１０
からの光電子の放出作用に影響を及ぼすことを防ぎ、且
つ外部からの電子が電子検出部１に導入されるのを遮断
する。
され、第２格子電極６には第２パルス発生器２２の出力
が与えられている。第２パルス発生器２２は放出電子の
導入がない状態にあっては例えば８０Ｖの電圧を第２格
子電極６に印加しており、放出電子の導入により第２図
（ａ）に示すように気体放電現象により陽極リング４よ
り電圧パルスが増幅器１８を介して与えられると、第２
図（Ｃ）に示すように、例えば−１１０Ｖダウンした矩
形パルスをクエンチング時間τに亘って出力する。この
クエンチング時間τに亘る一３０Ｖの矩形波パルスを受
けた第２格子電極６は、それまでの格子電圧８０Ｖから
一３０Ｖに下がることで増幅作用を伴う気体放電によっ
て発生した陽イオンを第２格子電極６で補足して中和し
、これによって陽イオンが試料１０に到達して試料１０
からの光電子の放出作用に影響を及ぼすことを防ぎ、且
つ外部からの電子が電子検出部１に導入されるのを遮断
する。
一方、電子検出部１の検出窓２の下方には試料台１３が
設【プられ、試料台１３にセットされた試ｉｌｌ １２
に対しては光源装置７より所定の単波長光が照射されて
いる。光源装置７は重水素ランプ等の光源８と、光源８
からの光を単波長化するモノクロメータ９を備え、更に
モノクロメータ９の前後に光強度を調整するためのスリ
ット１０．１１を設（プている。モノクロメータ９は所
定の波長域、例えば１５０ｎｌｌｌ〜６００ ｎｍの範
囲で単波長光を走査する機能をもち、この波長走査によ
り例えば試料１２の仕事関数を求めるための測定結果を
得ることができる。
設【プられ、試料台１３にセットされた試ｉｌｌ １２
に対しては光源装置７より所定の単波長光が照射されて
いる。光源装置７は重水素ランプ等の光源８と、光源８
からの光を単波長化するモノクロメータ９を備え、更に
モノクロメータ９の前後に光強度を調整するためのスリ
ット１０．１１を設（プている。モノクロメータ９は所
定の波長域、例えば１５０ｎｌｌｌ〜６００ ｎｍの範
囲で単波長光を走査する機能をもち、この波長走査によ
り例えば試料１２の仕事関数を求めるための測定結果を
得ることができる。
試料台１３における試料１２をセットしない状態での光
源装置７からの光の照射位置には受光素子１５が設［ご
？されており、受光素子１５の受光出力は光量測定手段
１６に与えられ、試料１２の測定前における光源装置７
からの光量を検出できるようにしている。
源装置７からの光の照射位置には受光素子１５が設［ご
？されており、受光素子１５の受光出力は光量測定手段
１６に与えられ、試料１２の測定前における光源装置７
からの光量を検出できるようにしている。
一方、試料１２から放出された電子の導入による陽極リ
ング４近傍での気体放電現象で生じた電圧パルスは増幅
器１８で増幅された後、計数手段２４に与えられており
、計数手段２４で電圧パルスを計数することで電子数、
例えば電子計数率（ＣｐＳ）を求めるにうにしている。
ング４近傍での気体放電現象で生じた電圧パルスは増幅
器１８で増幅された後、計数手段２４に与えられており
、計数手段２４で電圧パルスを計数することで電子数、
例えば電子計数率（ＣｐＳ）を求めるにうにしている。
計数手段２４に続いては演算手段２６が設りられ、演算
手段２６に対しては計数手段２４で８１数した電子数Ｎ
と光量測定手段１６で測定した光量が与えられており、
演算手段２６は光量測定手段１６で検出された光量に基
づいて電子計数値を補正して表示手段２８に表示するよ
うになる。
手段２６に対しては計数手段２４で８１数した電子数Ｎ
と光量測定手段１６で測定した光量が与えられており、
演算手段２６は光量測定手段１６で検出された光量に基
づいて電子計数値を補正して表示手段２８に表示するよ
うになる。
ここで、演算手段２６による補正演算処理を作用と共に
説明すると次のようになる。
説明すると次のようになる。
第３図は光源装置７のモノクロメータ９により試料１２
に照射する単波長光を所定の波長域で走査したときの光
量変化を示したグラフ図である。
に照射する単波長光を所定の波長域で走査したときの光
量変化を示したグラフ図である。
このグラフ図に実線Ａで示すように、初期状態におって
は光源装置７の光源８及びレンズ等に汚れがないことか
ら、モノクロメータ９により波長走査を行なったときの
光量は、各波長において最大光量として得られる。
は光源装置７の光源８及びレンズ等に汚れがないことか
ら、モノクロメータ９により波長走査を行なったときの
光量は、各波長において最大光量として得られる。
ところで、光源８の分光特性は各波長で一定とならず、
例えば第３図の曲線Ａに示すような強度変化を示す。
例えば第３図の曲線Ａに示すような強度変化を示す。
そこで演算手段２６にあっては、光源装置７の分光強度
の変動に対し、例えば波長λＯにおける光ＩＷＯで与え
られる一定の基準光ｆｆ１Ｗｏとなるように電子計数値
の補正を施す。
の変動に対し、例えば波長λＯにおける光ＩＷＯで与え
られる一定の基準光ｆｆ１Ｗｏとなるように電子計数値
の補正を施す。
即ち、モノクロメータ９により波長域λＯ〜λｎの範囲
で波長走査を行なって各波長λＯ５λ１゜λ２．・・・
λｉ、・・・λｎのそれぞれにおＣプる光＠ＷＯ，Ｗ１
．Ｗ２． ・・・Ｗｉ 、＊＊＊ＷＱを求め、この測
定光量を基準光ｆｆ１Ｗｏに補正するための補正係数Ｋ
Ｏ−Ｋｌｌを次式により各波長毎に求める。
で波長走査を行なって各波長λＯ５λ１゜λ２．・・・
λｉ、・・・λｎのそれぞれにおＣプる光＠ＷＯ，Ｗ１
．Ｗ２． ・・・Ｗｉ 、＊＊＊ＷＱを求め、この測
定光量を基準光ｆｆ１Ｗｏに補正するための補正係数Ｋ
Ｏ−Ｋｌｌを次式により各波長毎に求める。
一方、翳１数手段２４で測定した電子数Ｎｏは第２図に
示したようにデッドタイムとなるクエンチング時間τを
除いた時間での電子数であることから、例えば Ｎ＝ＮＯ／ （１−Ｎｏ・τ） ・・・（２）但し、Ｎ
：放出電子数 ＮＯ：測定した電子数 τ ：クエンヂング時間 としてデッドタイムとしてのクエンチング時間τ分の電
子数を補正した放出電子数Ｎを求める。
示したようにデッドタイムとなるクエンチング時間τを
除いた時間での電子数であることから、例えば Ｎ＝ＮＯ／ （１−Ｎｏ・τ） ・・・（２）但し、Ｎ
：放出電子数 ＮＯ：測定した電子数 τ ：クエンヂング時間 としてデッドタイムとしてのクエンチング時間τ分の電
子数を補正した放出電子数Ｎを求める。
そして演算手段２６は各走査波長で得られた前記第（２
）式で得られる放出電子数Ｎについて前記第（１）式で
与えられる対応波長の補正係数を用いて、 Ｎｔ ＝ｘ−Ｋｒ ・・・（３）として基
準光量ＷＯの照射で得られる真の放出電子数Ｎｔを求め
る。
）式で得られる放出電子数Ｎについて前記第（１）式で
与えられる対応波長の補正係数を用いて、 Ｎｔ ＝ｘ−Ｋｒ ・・・（３）として基
準光量ＷＯの照射で得られる真の放出電子数Ｎｔを求め
る。
次に第３図の破線Ｂに示すように、光源装置７の光学部
材の汚れ等により試料１２に照射される光Ｇが減少した
とぎには、試料１２の測定に先立つでモノクロメータ９
により波長域λＯ〜λｎの範囲で中波長光を走査し、光
量測定手段１６により第３図の破線Ｂで示すような走査
波長に対する光！ｎ特性を求める。
材の汚れ等により試料１２に照射される光Ｇが減少した
とぎには、試料１２の測定に先立つでモノクロメータ９
により波長域λＯ〜λｎの範囲で中波長光を走査し、光
量測定手段１６により第３図の破線Ｂで示すような走査
波長に対する光！ｎ特性を求める。
このように光量が減少した破線Ｂの光量を走査波長範囲
で求めたならば、前記第（１）式における分Ｒ１を、Ｗ
ｏｌ〜Ｗｎ１に置き換えて補正像＠Ｋ。
で求めたならば、前記第（１）式における分Ｒ１を、Ｗ
ｏｌ〜Ｗｎ１に置き換えて補正像＠Ｋ。
〜ｌ（ｎを求め、そのとき計数手段２４で冑られた試料
１２からの測定電子数Ｎｏから前記第（２）式によって
放出電子数Ｎを求め、更に第（１）式で求めた補正係数
Ｋｉを用いて測定波長λｉにおける真の放出電子数Ｎｔ
を前記第（３）式から演算するようになる。
１２からの測定電子数Ｎｏから前記第（２）式によって
放出電子数Ｎを求め、更に第（１）式で求めた補正係数
Ｋｉを用いて測定波長λｉにおける真の放出電子数Ｎｔ
を前記第（３）式から演算するようになる。
この結果、光源装置７にお（づる光源８の劣化、若しく
は光学部材の汚れ等により試料１２に照射される光量が
減少したとしても、常に初期状態における光量（但し、
分光感度を一定値に補正）と同じ光量の照射を受けたと
同じ真の放出電子数Ｎｔを求めることができる。
は光学部材の汚れ等により試料１２に照射される光量が
減少したとしても、常に初期状態における光量（但し、
分光感度を一定値に補正）と同じ光量の照射を受けたと
同じ真の放出電子数Ｎｔを求めることができる。
更に、第１図の光量測定手段１６にあっては、受光素子
１５で検出された光量が予め定めた閾値レベル以下とな
ったときには警報信号を出力して光学系の清掃や光源８
の交換を促すようにしても良い。
１５で検出された光量が予め定めた閾値レベル以下とな
ったときには警報信号を出力して光学系の清掃や光源８
の交換を促すようにしても良い。
第４図は本発明の他の実施例を示した説明図であり、こ
の実施例にあっては、光源装置７から光ファイバー３０
によって試料１２に光を照射するようにしたことを特徴
とする。
の実施例にあっては、光源装置７から光ファイバー３０
によって試料１２に光を照射するようにしたことを特徴
とする。
この実施例にあっても、第１図の実施例と同様、光フ？
イバー３０を介して照ｑ４された光は試料台１３に設け
た受光素子１５で電気信号に変換され、光量測定手段１
６で光量が検出され、演算手段２６において初期状態に
おける光量の照明を受けたと同じ真の電子放出数Ｎｔを
演算して表示手段２８に表示するようになる。
イバー３０を介して照ｑ４された光は試料台１３に設け
た受光素子１５で電気信号に変換され、光量測定手段１
６で光量が検出され、演算手段２６において初期状態に
おける光量の照明を受けたと同じ真の電子放出数Ｎｔを
演算して表示手段２８に表示するようになる。
第５図は本発明の他の実施例を示した説明図であり、こ
の実施例にあっては、光源装置７からの光を光ファイバ
ー３０によって試料１２に照射すると共に、光ファイバ
ー３０の入口側と出口側のそれぞれに光ファイバーを分
岐接続して受光素子’１５ａ、１５ｂを設けるようにし
たことを特徴とする。
の実施例にあっては、光源装置７からの光を光ファイバ
ー３０によって試料１２に照射すると共に、光ファイバ
ー３０の入口側と出口側のそれぞれに光ファイバーを分
岐接続して受光素子’１５ａ、１５ｂを設けるようにし
たことを特徴とする。
この実施例にあっては、光源装置７から出た光を受光素
子’１５ａで電気信号に変換して光量測定手段１６で測
定すると共に、光ファイバー３０を通過した光を受光素
子’１５ｂで電気信号に変換して光量測定手段１６で測
定することとなり、受光素子１５ａの受光出力から光量
変化が生じたとぎには光源装置７の汚れ、若しくは光源
の劣化であることがわかり、一方、受光素子１５ｂの受
光出力から光量低下を検出したときには光ファイバー３
０の劣化による光量低下であることがわかる。
子’１５ａで電気信号に変換して光量測定手段１６で測
定すると共に、光ファイバー３０を通過した光を受光素
子’１５ｂで電気信号に変換して光量測定手段１６で測
定することとなり、受光素子１５ａの受光出力から光量
変化が生じたとぎには光源装置７の汚れ、若しくは光源
の劣化であることがわかり、一方、受光素子１５ｂの受
光出力から光量低下を検出したときには光ファイバー３
０の劣化による光量低下であることがわかる。
勿論、演算手段２６における検出光量に基づく補正は、
光ファイバー３０を通った光を受光する受光素子１５ｂ
の受光出力に基づいて得られた光量により行なうことに
なる。
光ファイバー３０を通った光を受光する受光素子１５ｂ
の受光出力に基づいて得られた光量により行なうことに
なる。
尚、上記の実施例は、光源装置からの単波長光を所定の
波長域で走査して使用する場合を例に取るものであった
が、特定の波長に単波長光を固定して使用する場合につ
いても、全く同様にして測定に先立ら光源からの光ｍ測
定に基づいて初期状態の光量に補正するための補正係数
を求め、試料測定で得られた放出電子数を真の放出電子
数に補正することができる。
波長域で走査して使用する場合を例に取るものであった
が、特定の波長に単波長光を固定して使用する場合につ
いても、全く同様にして測定に先立ら光源からの光ｍ測
定に基づいて初期状態の光量に補正するための補正係数
を求め、試料測定で得られた放出電子数を真の放出電子
数に補正することができる。
また第４，５図の実施例においては、光ファイバーを使
用するものであったが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、光源からの光をレンズで絞って試料に照射す
るものであってもよい。
用するものであったが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、光源からの光をレンズで絞って試料に照射す
るものであってもよい。
更に、上記の実施例にあっては、光量を測定する場合、
試料台に光ロセンサを固定していたが、本発明はこれに
限定されず、例えば第６図に示すように、光量センサと
しての受光素子１５を移動可能とし、測定時には初期位
置’１５ａから図示の測定位置に移動するようにしても
よい。更にまた、第７図に示すように、試料台１３に受
光素子１５を固定している場合にあっては、試料台１３
を移動可能にして、測定時に初期位置１３ａから図示の
測定位置に移動するようにしてもよい。
試料台に光ロセンサを固定していたが、本発明はこれに
限定されず、例えば第６図に示すように、光量センサと
しての受光素子１５を移動可能とし、測定時には初期位
置’１５ａから図示の測定位置に移動するようにしても
よい。更にまた、第７図に示すように、試料台１３に受
光素子１５を固定している場合にあっては、試料台１３
を移動可能にして、測定時に初期位置１３ａから図示の
測定位置に移動するようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明してきたように本発明によれば、試料に光を照
射し、試料から放出される電子を電子検出部に導入して
電子の数を計数する電子計数装置において、試料に照射
される光の光量を検出する光量検出手段と、光量検出手
段で検出された初期状態の光量と計測時の光量とに基づ
いて補正係数を演算する補正係数演算手段と、この補正
係数に基づいて電子数の旧教値を補正する補正手段とを
設けるようにしたため、光源装置における光源の劣化や
光学部材の汚れ、更には光ファイバーを用いて光を試料
に照射したときの光ファイバーの劣化等による光量の減
少を生じても、常に光量の減少がなかった初期状態にお
ける光の照射で得られた電子放出数と同じ計数結果を得
ることができ、光量変動の影響を受けることなく、長期
間に亘って安定した計数動作を行なわせることができる
。
射し、試料から放出される電子を電子検出部に導入して
電子の数を計数する電子計数装置において、試料に照射
される光の光量を検出する光量検出手段と、光量検出手
段で検出された初期状態の光量と計測時の光量とに基づ
いて補正係数を演算する補正係数演算手段と、この補正
係数に基づいて電子数の旧教値を補正する補正手段とを
設けるようにしたため、光源装置における光源の劣化や
光学部材の汚れ、更には光ファイバーを用いて光を試料
に照射したときの光ファイバーの劣化等による光量の減
少を生じても、常に光量の減少がなかった初期状態にお
ける光の照射で得られた電子放出数と同じ計数結果を得
ることができ、光量変動の影響を受けることなく、長期
間に亘って安定した計数動作を行なわせることができる
。
第１図は本発明の一実施例を示した説明図、第２図は第
１図の電子検出部に設けた各電極の印加電圧を示した信
号波形図、第３図は光源波長に対する光量の関係を示し
たグラフ図、第４．５図は本発明の他の実施例を示した
説明図、第６，７図は本発明における光量センサ又は試
料台を移動可能とした実施例を示した説明図、第８図は
従来の光量変動による電子数の波長に対する計測結果を
示したグラフ図である。 １：電子検出部 ２：検出窓 ３：ケース ４：陽極リング ５：第１格子電極 ６：第２格子電極 ７：光源装置 ８：光源 ９：モノクロメータ １０．１１：スリブ１〜 １２：試料 １３：試料台 １５．１５ａ、１５ｂ：受光素子 １６：光量測定手段 １８：増幅器 ２０：第１パルス発生器 ２２：第２パルス発生器 ２３：高圧電源 ２４：計数手段 ２６：演算手段 ２８：表示手段 ３０：光ファイバー
１図の電子検出部に設けた各電極の印加電圧を示した信
号波形図、第３図は光源波長に対する光量の関係を示し
たグラフ図、第４．５図は本発明の他の実施例を示した
説明図、第６，７図は本発明における光量センサ又は試
料台を移動可能とした実施例を示した説明図、第８図は
従来の光量変動による電子数の波長に対する計測結果を
示したグラフ図である。 １：電子検出部 ２：検出窓 ３：ケース ４：陽極リング ５：第１格子電極 ６：第２格子電極 ７：光源装置 ８：光源 ９：モノクロメータ １０．１１：スリブ１〜 １２：試料 １３：試料台 １５．１５ａ、１５ｂ：受光素子 １６：光量測定手段 １８：増幅器 ２０：第１パルス発生器 ２２：第２パルス発生器 ２３：高圧電源 ２４：計数手段 ２６：演算手段 ２８：表示手段 ３０：光ファイバー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料に光を照射し、該試料から放出される電子を電子検
出部に導入して電子の数を計数する電子計数装置に於い
て、 試料に照射される光の光量を検出する光量検出手段と、
該光量検出手段で検出された初期状態の光量と計測時の
光量とに基づいて補正係数を演算する補正係数演算手段
と、該補正係数に基づいて電子数の計数値を補正する補
正手段とを備えたことを特徴とする電子計数装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31123786A JPS63167254A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 電子計数装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31123786A JPS63167254A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 電子計数装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63167254A true JPS63167254A (ja) | 1988-07-11 |
| JPH0573189B2 JPH0573189B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=18014742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31123786A Granted JPS63167254A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 電子計数装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63167254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006126171A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Robert Bosch Gmbh | 燃焼室圧力の測定方法 |
| WO2016125338A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社 東芝 | ガス分析方法およびガス分析装置 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31123786A patent/JPS63167254A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006126171A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Robert Bosch Gmbh | 燃焼室圧力の測定方法 |
| WO2016125338A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | 株式会社 東芝 | ガス分析方法およびガス分析装置 |
| CN106062534A (zh) * | 2015-02-06 | 2016-10-26 | 株式会社东芝 | 气体分析方法及气体分析装置 |
| JPWO2016125338A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2017-04-27 | 株式会社東芝 | ガス分析方法およびガス分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573189B2 (ja) | 1993-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |