JPH0573190B2 - - Google Patents
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- JPH0573190B2 JPH0573190B2 JP31123886A JP31123886A JPH0573190B2 JP H0573190 B2 JPH0573190 B2 JP H0573190B2 JP 31123886 A JP31123886 A JP 31123886A JP 31123886 A JP31123886 A JP 31123886A JP H0573190 B2 JPH0573190 B2 JP H0573190B2
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- electrons
- grid electrode
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光エネルギーの照射で試料から放出
される電子の数を計数する電子計数装置に関す
る。
される電子の数を計数する電子計数装置に関す
る。
（従来技術）
従来、例えば半導体等の試料表面に形成された
酸化膜等の膜厚を大気開放状態で計測する方法と
して、試料表面に光を照射し、光の照射により試
料上の薄膜を通つて外部に放出される電子を電子
検出部に導入し、導入電子により引き起こされる
気体放電現象を利用して放出電子の数を計数し、
この放出電子数に基づいて膜厚を計測する方法が
知られている（特願昭59−118818号等）。
酸化膜等の膜厚を大気開放状態で計測する方法と
して、試料表面に光を照射し、光の照射により試
料上の薄膜を通つて外部に放出される電子を電子
検出部に導入し、導入電子により引き起こされる
気体放電現象を利用して放出電子の数を計数し、
この放出電子数に基づいて膜厚を計測する方法が
知られている（特願昭59−118818号等）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の電子計数装置
にあつては、電子検出部内に配置した陽極リング
に高電圧の印加して試料から放出された電子によ
り、気体放電を引き起こし、この気体放電による
陽極電圧のパルス変化から電子数を計数するよう
にしているが、陽極電圧の決め方がはつきりして
おらず、放出電子を導入したときに気体放電を引
き起こす適宜の陽極電圧、例えば3.4KVに設定し
ていたとしても、大気開放型であることから、気
圧や温度の変化により同じ試料であつても電子計
数率が異なる結果を招いており、安定した電子の
計数ができないという問題があつた。
にあつては、電子検出部内に配置した陽極リング
に高電圧の印加して試料から放出された電子によ
り、気体放電を引き起こし、この気体放電による
陽極電圧のパルス変化から電子数を計数するよう
にしているが、陽極電圧の決め方がはつきりして
おらず、放出電子を導入したときに気体放電を引
き起こす適宜の陽極電圧、例えば3.4KVに設定し
ていたとしても、大気開放型であることから、気
圧や温度の変化により同じ試料であつても電子計
数率が異なる結果を招いており、安定した電子の
計数ができないという問題があつた。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてな
されたもので、気圧や温度が変動しても常に安定
した放出電子の計数結果が得られる最適陽極電圧
を設定できるようにした電子計数装置を提供する
ことを目的とする。
されたもので、気圧や温度が変動しても常に安定
した放出電子の計数結果が得られる最適陽極電圧
を設定できるようにした電子計数装置を提供する
ことを目的とする。
この目的を達成するため本発明にあつては、電
子検出部内に配置した陽極の印加電圧を可変する
電圧可変手段と、陽極電圧の可変により気体放電
が開始される放電開始電圧を検出する電圧検出手
段と、この放電開始電圧に陽極電圧の変化に対し
計数値が略一定となる予め定まつたプラトー電圧
幅の略２分の１の電圧を加算して最適陽極電圧と
して設定する電圧設定手段とを設けるようにした
ものである。
子検出部内に配置した陽極の印加電圧を可変する
電圧可変手段と、陽極電圧の可変により気体放電
が開始される放電開始電圧を検出する電圧検出手
段と、この放電開始電圧に陽極電圧の変化に対し
計数値が略一定となる予め定まつたプラトー電圧
幅の略２分の１の電圧を加算して最適陽極電圧と
して設定する電圧設定手段とを設けるようにした
ものである。
（作用）
このような本発明の構成によれば、試料の測定
に先立つて陽極電圧を可変することで放電開始電
圧、例えば、電子計数率がバツクグラウドノイズ
に基づく閾値を越えたときの電圧を放電開始電圧
Vsとして検出し、この放電開始電圧Vsに予め定
まつているプラトー電圧幅Pwの２分の１の電圧
を加算した電圧（Vs＋Pw／２）を最適陽極電圧
として設定する。
に先立つて陽極電圧を可変することで放電開始電
圧、例えば、電子計数率がバツクグラウドノイズ
に基づく閾値を越えたときの電圧を放電開始電圧
Vsとして検出し、この放電開始電圧Vsに予め定
まつているプラトー電圧幅Pwの２分の１の電圧
を加算した電圧（Vs＋Pw／２）を最適陽極電圧
として設定する。
ここでプラトー電圧幅Pwとは、放出電子を電
子検出部内に導入して陽極による高電界中で気体
放電を引き起こしたときに、気体放電のなだれ的
な増幅を阻止するために第１格子電極の電圧を上
昇させて電界を低下させる所謂クエンチング電圧
の高さに等しい電圧幅であり、このように第１格
子格子電極に印加するクエンチング電圧の高さか
らプラトー電圧幅Pwが一義的に定まつているこ
とら、放電開始電圧の検出に基づき直ちに最適陽
極電圧を設定することができる。
子検出部内に導入して陽極による高電界中で気体
放電を引き起こしたときに、気体放電のなだれ的
な増幅を阻止するために第１格子電極の電圧を上
昇させて電界を低下させる所謂クエンチング電圧
の高さに等しい電圧幅であり、このように第１格
子格子電極に印加するクエンチング電圧の高さか
らプラトー電圧幅Pwが一義的に定まつているこ
とら、放電開始電圧の検出に基づき直ちに最適陽
極電圧を設定することができる。
このようにして設定された最適陽極電圧にあつ
ては、気圧や温度の変化により陽極電圧に対する
電子計数率の特性が変化しても、最適陽極電圧を
中心とした±Pw／２の範囲の変動であれば、電
子計数率は略一定に保たれ、安定した電子計数を
行なうことができる。
ては、気圧や温度の変化により陽極電圧に対する
電子計数率の特性が変化しても、最適陽極電圧を
中心とした±Pw／２の範囲の変動であれば、電
子計数率は略一定に保たれ、安定した電子計数を
行なうことができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示した説明図であ
る。
る。
まず構成を説明すると、１は電子検出部であ
り、試料１０をセツトする試料台８側に検出窓２
を開口した金属製のケース３を有し、ケース３は
アースされている。ケース３内には陽極リング４
が配置され、陽極リング４には高圧電源２３が接
続され、高圧電源２３により例えば3.0〜4.0KV
の範囲で陽極電圧を可変することができる。陽極
リング４に対する検出窓２側には順次第１格子電
極５と第２格子電極６が配置される。
り、試料１０をセツトする試料台８側に検出窓２
を開口した金属製のケース３を有し、ケース３は
アースされている。ケース３内には陽極リング４
が配置され、陽極リング４には高圧電源２３が接
続され、高圧電源２３により例えば3.0〜4.0KV
の範囲で陽極電圧を可変することができる。陽極
リング４に対する検出窓２側には順次第１格子電
極５と第２格子電極６が配置される。
一方、電子検出部１の側方には光源装置９が配
置され、試料台８にセツトした試料１０の表面に
対し斜め上方より所定波長の単波長光を照射して
いる。光源装置９は重水素ランプ等の光源１１
と、光源１１からの光を所定波長の単波長光に変
換するためのモノクロメータ１２を有し、さらに
モノクロメータ１２の前後に光強度を調整するた
めのスリツト１３，１４を設けている。モノクロ
メータ１２は所定の波長域、例えば150nm〜
600nmの範囲で単波長を走査する機能を有する。
置され、試料台８にセツトした試料１０の表面に
対し斜め上方より所定波長の単波長光を照射して
いる。光源装置９は重水素ランプ等の光源１１
と、光源１１からの光を所定波長の単波長光に変
換するためのモノクロメータ１２を有し、さらに
モノクロメータ１２の前後に光強度を調整するた
めのスリツト１３，１４を設けている。モノクロ
メータ１２は所定の波長域、例えば150nm〜
600nmの範囲で単波長を走査する機能を有する。
更に、電子検出部１による試料放出電子の計数
回路として、陽極リング４をコンデンサＣを介し
て接続した増幅器１８と、電子検出部１に導入し
た電子による気体放電現像に生ずる増幅器１８を
介して得られる陽極リング４の電圧パルスを入力
した第１パルス発生器２０と第２パルス発生器２
２が設けられ、第１パルス発生器２０の出力は第
１格子電極５に接続され、また、第２パルス発生
器２２の出力は第２格子電極６に接続される。
回路として、陽極リング４をコンデンサＣを介し
て接続した増幅器１８と、電子検出部１に導入し
た電子による気体放電現像に生ずる増幅器１８を
介して得られる陽極リング４の電圧パルスを入力
した第１パルス発生器２０と第２パルス発生器２
２が設けられ、第１パルス発生器２０の出力は第
１格子電極５に接続され、また、第２パルス発生
器２２の出力は第２格子電極６に接続される。
ここで、増幅器１８より導入電子による気体放
電で陽極リング４からの電圧パルスが出力された
ときの第１のパルス発生器２０及び第２パルス発
生器２２の出力波形は次のようになる。
電で陽極リング４からの電圧パルスが出力された
ときの第１のパルス発生器２０及び第２パルス発
生器２２の出力波形は次のようになる。
初期状態において第２図ｂ，ｃに示すように、
第１パルス発生器２０による第１格子電極５の電
圧は例えば100Vであり、また第２格子電極６の
電圧は第２パルス発生器２２の出力により例えば
80Vとなつており、光源装置９からの光の照射で
試料１０から放出された電子は第２格子電極６及
び第１格子電極５を通過して陽極リング４に引き
寄せられる。陽極リング４の近傍に放出電子が近
づくと陽極リング４による高電界を受けた電子の
加速で気体放電現像が引き起こされ、このため陽
極電圧は第２図ａに示すようにパルス的な立ち下
がり変化を起こす。この陽極電圧の変化に対し第
１のパルス発生器２０はそれまでの第１格子電極
５の印加電圧を、例えば300V高い400Vに予せ定
めたクエンチング時間Teに亘つてアツプする。
このため陽極リング４と第１格子電極５の電位差
は300V低下し、陽極リング４の近傍の電界強度
が下がることで気体放電により生じた光や陽イオ
ンによる２次電子は放電電圧に達することができ
ず、なだれ的な放電が阻止される。
第１パルス発生器２０による第１格子電極５の電
圧は例えば100Vであり、また第２格子電極６の
電圧は第２パルス発生器２２の出力により例えば
80Vとなつており、光源装置９からの光の照射で
試料１０から放出された電子は第２格子電極６及
び第１格子電極５を通過して陽極リング４に引き
寄せられる。陽極リング４の近傍に放出電子が近
づくと陽極リング４による高電界を受けた電子の
加速で気体放電現像が引き起こされ、このため陽
極電圧は第２図ａに示すようにパルス的な立ち下
がり変化を起こす。この陽極電圧の変化に対し第
１のパルス発生器２０はそれまでの第１格子電極
５の印加電圧を、例えば300V高い400Vに予せ定
めたクエンチング時間Teに亘つてアツプする。
このため陽極リング４と第１格子電極５の電位差
は300V低下し、陽極リング４の近傍の電界強度
が下がることで気体放電により生じた光や陽イオ
ンによる２次電子は放電電圧に達することができ
ず、なだれ的な放電が阻止される。
一方、気体放電による陽極電圧の立ち下がりに
同期して第２パルス発生器２２は、それまでの第
２格子電極６の電圧80Vを例えば110V低い−30V
に所定のクエンチング時間Teに亘つて下げる。
この第２格子電極２の−30Vへの低下により増幅
作用を伴う気体放電によつて生じた陽イオンが第
２格子電極６で補足されて中和され、これによつ
て陽イオンが試料１０に到達して光電子の放出に
に影響を及ぼすことを防ぐと同時に、外部からの
電子の導入を遮断する。
同期して第２パルス発生器２２は、それまでの第
２格子電極６の電圧80Vを例えば110V低い−30V
に所定のクエンチング時間Teに亘つて下げる。
この第２格子電極２の−30Vへの低下により増幅
作用を伴う気体放電によつて生じた陽イオンが第
２格子電極６で補足されて中和され、これによつ
て陽イオンが試料１０に到達して光電子の放出に
に影響を及ぼすことを防ぐと同時に、外部からの
電子の導入を遮断する。
この第２図の信号波形図に示したように、試料
１０から電子が放出される毎に同様な動作が繰り
返され、放出電子１個に対応して増幅器１８より
電圧パルスが１つ出力される。
１０から電子が放出される毎に同様な動作が繰り
返され、放出電子１個に対応して増幅器１８より
電圧パルスが１つ出力される。
このようにして増幅器１８より出力される電圧
パルスは計数手段２４で計数され、例えば単位時
間当りの計数率Ｎ（cps）を出力するようになる。
パルスは計数手段２４で計数され、例えば単位時
間当りの計数率Ｎ（cps）を出力するようになる。
計数手段２４に続いては陽極電圧を最適電圧に
設定するための演算手段２６が設けられる。
設定するための演算手段２６が設けられる。
この演算手段２６は、装置の使用に先立つて所
定の基準試料を試料台８にセツトした状態で光源
９より単波長光を照射した状態で次の陽極最適電
圧の設定処理を行なう。
定の基準試料を試料台８にセツトした状態で光源
９より単波長光を照射した状態で次の陽極最適電
圧の設定処理を行なう。
(A) まず、高圧電源２３に対し陽極電圧を例えば
3.0KVから4.0KVに可変させるための制御信号
を出力する。
3.0KVから4.0KVに可変させるための制御信号
を出力する。
(B) 前記(A)の高圧電源２３に対する陽極電圧の可
変状態で計数手段２４を介して得られる計数率
Ｎを監視しており、試料１０からの電子放出が
無いときのバツクグラウンドノイズに基づいて
定まる閾値No、例えばNo＝10（cps）以上とな
る計数率が得られたときに、このときの陽極印
加電圧を放電開始電圧Vsとして検出する。
変状態で計数手段２４を介して得られる計数率
Ｎを監視しており、試料１０からの電子放出が
無いときのバツクグラウンドノイズに基づいて
定まる閾値No、例えばNo＝10（cps）以上とな
る計数率が得られたときに、このときの陽極印
加電圧を放電開始電圧Vsとして検出する。
(C) 前記(B)で検出された放電開始電圧Vsに、第
２図ｂに示した第１格子電極５に印加する気体
放電素子のためのクエンチング電圧の高さに相
当するプラトー電圧幅Pwの２分の１の電圧を
加えた電圧（Vs＋Pw／２）を演算し、この電
圧を最適陽極電圧Vaoとして高圧電源２３に設
定する。
２図ｂに示した第１格子電極５に印加する気体
放電素子のためのクエンチング電圧の高さに相
当するプラトー電圧幅Pwの２分の１の電圧を
加えた電圧（Vs＋Pw／２）を演算し、この電
圧を最適陽極電圧Vaoとして高圧電源２３に設
定する。
更に、演算手段２６は前述した陽極最適電圧の
設定機能に加えて、例えば試料１０の表面に形成
された酸化膜等の膜厚を計測する場合には、計数
手段２４から得られた計数率Ｎに基づいて膜厚Ｔ
を演算する手段を要し、この膜厚演厚手段は、 ｜ogN＝｜ogN1−Ｔ／2.30λ 但し、 λ：薄膜内の電子平均自由工程（オングストロ
ーム） N1：膜厚が零のときの計数率 として膜厚Ｔを演算する。勿論、計数手段２４で
得られた電子計数率Ｎをそのまま出力するように
しても良い。また波長を可変させ、その計数率を
出力させ、金属等の仕事関数を演算させるように
してもよい。
設定機能に加えて、例えば試料１０の表面に形成
された酸化膜等の膜厚を計測する場合には、計数
手段２４から得られた計数率Ｎに基づいて膜厚Ｔ
を演算する手段を要し、この膜厚演厚手段は、 ｜ogN＝｜ogN1−Ｔ／2.30λ 但し、 λ：薄膜内の電子平均自由工程（オングストロ
ーム） N1：膜厚が零のときの計数率 として膜厚Ｔを演算する。勿論、計数手段２４で
得られた電子計数率Ｎをそのまま出力するように
しても良い。また波長を可変させ、その計数率を
出力させ、金属等の仕事関数を演算させるように
してもよい。
演算手段２６の出力は表示手段２８に与えられ
ており、表示手段２８において演算された膜厚、
電子計数率、仕事関数を表示するようになる。
ており、表示手段２８において演算された膜厚、
電子計数率、仕事関数を表示するようになる。
次に、第１図の実施例の作用を説明する。
第３図は第１図の実施例に設けた演算手段２６
による最適陽極電圧の設定処理を示したフローチ
ヤートであり、装置の使用に先立つて最適陽極電
圧の設定処理を行なうようになる。
による最適陽極電圧の設定処理を示したフローチ
ヤートであり、装置の使用に先立つて最適陽極電
圧の設定処理を行なうようになる。
即ち、最適陽極電圧の設定処理に際しては、図
示のように試料台８に適宜の基準試料１０をセツ
トし、光源装置９より所定の単波長光を照射して
試料１０より電子を放出させる。または、光を照
射せず微弱な放射線源を置いて電子を放出させて
も良い。
示のように試料台８に適宜の基準試料１０をセツ
トし、光源装置９より所定の単波長光を照射して
試料１０より電子を放出させる。または、光を照
射せず微弱な放射線源を置いて電子を放出させて
も良い。
初期状態において演算手段２６は高圧電源２３
に対し電圧可変範囲の最低電圧、例えば3.0KVを
初基値として設定しており、ブロツク３０に示す
ように初期設定した陽極電圧Vaを例えば段階的
に上昇させ、陽極電圧Vaを上昇する毎に計数手
段２４を介して得られる計数率Ｎをバツクグラウ
ンドノイズに基づく閾値Noと判別ブロツク３２
で比較し、計数率Ｎが閾値Noに達するまでブロ
ツク３０の陽極電圧Vaの上昇を繰り返す。
に対し電圧可変範囲の最低電圧、例えば3.0KVを
初基値として設定しており、ブロツク３０に示す
ように初期設定した陽極電圧Vaを例えば段階的
に上昇させ、陽極電圧Vaを上昇する毎に計数手
段２４を介して得られる計数率Ｎをバツクグラウ
ンドノイズに基づく閾値Noと判別ブロツク３２
で比較し、計数率Ｎが閾値Noに達するまでブロ
ツク３０の陽極電圧Vaの上昇を繰り返す。
判別ブロツク３２で計数率Ｎの閾値Noへの到
達を判別すると次のブロツク３４に進み、計数率
Ｎが閾値Noを越えたときの陽極電圧を放電開始
電圧Vsとして検出すると共に、この放電開始電
圧Vsに予め定まつたプラトー電圧幅Pwの半分の
電圧を加え合わせて最適陽極電圧Vaoを演算し、
次のブロツク３６で演算した最適陽極電圧Vaoと
なるように高圧電源２３を制御し、最適陽極電圧
の設定処理を終了する。
達を判別すると次のブロツク３４に進み、計数率
Ｎが閾値Noを越えたときの陽極電圧を放電開始
電圧Vsとして検出すると共に、この放電開始電
圧Vsに予め定まつたプラトー電圧幅Pwの半分の
電圧を加え合わせて最適陽極電圧Vaoを演算し、
次のブロツク３６で演算した最適陽極電圧Vaoと
なるように高圧電源２３を制御し、最適陽極電圧
の設定処理を終了する。
ここで、陽極電圧Vaの変化に対する計数率Ｎ
の関係は第４図に示す特性となる。
の関係は第４図に示す特性となる。
即ち、陽極電圧Vaを増加していくと、ある陽
極電圧に達したときに導入電子による気体放電に
よつて電子計数率Ｎが得られるようになり、バツ
クグラウンドノイズに基づく閾値Noを越える計
数率Ｎが得られたときの陽極電圧を放電開始電圧
Vsとする。更に陽極電圧を増加させると、ある
電圧を越えるまでは計数率Ｎが略一定に保たれる
状態が続き、この電圧を越える計数率Ｎが急激に
増加して計数不能な状態となる。
極電圧に達したときに導入電子による気体放電に
よつて電子計数率Ｎが得られるようになり、バツ
クグラウンドノイズに基づく閾値Noを越える計
数率Ｎが得られたときの陽極電圧を放電開始電圧
Vsとする。更に陽極電圧を増加させると、ある
電圧を越えるまでは計数率Ｎが略一定に保たれる
状態が続き、この電圧を越える計数率Ｎが急激に
増加して計数不能な状態となる。
ここで、陽極電圧の変化に対し計数率Ｎが略一
定となる範囲がプラトー電圧幅Pwと定義され、
このプラトー電圧幅Pwは、第２図ｂに示した第
１格子電極５に印加するクエンチング電圧の高さ
に一致するようになる。
定となる範囲がプラトー電圧幅Pwと定義され、
このプラトー電圧幅Pwは、第２図ｂに示した第
１格子電極５に印加するクエンチング電圧の高さ
に一致するようになる。
具体的に説明すると、例えば第１格子電極５が
100V、第２格子電極６を80Vに設定し、クエン
チングパルスがない状態で電子を計数した場合、
陽極電圧が3.4KVでなだれ的な放電現象の増幅作
用が発生したとすると、その電位差は3.3KVであ
る。いま、クエンチング電圧の高さが300Vであ
ることから、陽極リング４と第１格子電極５との
電位差が3.0〜3.3KVにあるとき、なだれ的な放
電現象の増幅作用を阻止することができる。この
ため第４図のクエンチング電圧の高さに対応した
プラトー幅Pwの間においては、略一定の電子計
数率Ｎが得られる特性となる。
100V、第２格子電極６を80Vに設定し、クエン
チングパルスがない状態で電子を計数した場合、
陽極電圧が3.4KVでなだれ的な放電現象の増幅作
用が発生したとすると、その電位差は3.3KVであ
る。いま、クエンチング電圧の高さが300Vであ
ることから、陽極リング４と第１格子電極５との
電位差が3.0〜3.3KVにあるとき、なだれ的な放
電現象の増幅作用を阻止することができる。この
ため第４図のクエンチング電圧の高さに対応した
プラトー幅Pwの間においては、略一定の電子計
数率Ｎが得られる特性となる。
このような陽極電圧に対する計数率Ｎの特性に
対し、本発明にあつては、放電開始電圧Vsにプ
ラトー電圧幅Pwの半分の電圧を加えた電圧を陽
極最適電圧Vaoとして設定していることから、最
適陽極電圧Vaoは計数率が略一定となるプラトー
幅Pwの中心に設定されることとなる。
対し、本発明にあつては、放電開始電圧Vsにプ
ラトー電圧幅Pwの半分の電圧を加えた電圧を陽
極最適電圧Vaoとして設定していることから、最
適陽極電圧Vaoは計数率が略一定となるプラトー
幅Pwの中心に設定されることとなる。
このように陽極最適電圧Vaoがプラトー幅Pw
の中心に設定された場合、気圧や温度の変化に対
し第４図に示す特性曲線は破線で示すようにシフ
トする変動を生ずるが、この変動幅が±Pw／２
以内にある限り、最適陽極電圧Vaoはプラトー幅
Pwの中に納まつており、気圧や温度が変動して
も計数率Ｎはほとんど変動せず、気圧や温度の変
動に対し安定した計数結果を得ることができる。
の中心に設定された場合、気圧や温度の変化に対
し第４図に示す特性曲線は破線で示すようにシフ
トする変動を生ずるが、この変動幅が±Pw／２
以内にある限り、最適陽極電圧Vaoはプラトー幅
Pwの中に納まつており、気圧や温度が変動して
も計数率Ｎはほとんど変動せず、気圧や温度の変
動に対し安定した計数結果を得ることができる。
（発明の効果）
以上説明してきたように本発明によれば、電圧
可変手段により陽極電圧を可変して放電開始電圧
を検出し、この放電開始電圧に陽極電圧の変化に
対し電子計数率が略一定となる予め定まつたプラ
トー電圧幅の略２分の１の電圧を加えて最適陽極
電圧として設定するようにしたため、気圧や温度
の変化により陽極電圧に対する計数率の特性が変
動しても、常に安定した放出電子の計数状態を得
ることができ、この点は気圧や温度の変動のみな
らず、電子検出部に対する試料までの距離の変動
に依存した陽極電圧に対する計数率Ｎの特性の変
化についても全く同様に、安定で且つ効率の良い
電子計数を行うことができる。
可変手段により陽極電圧を可変して放電開始電圧
を検出し、この放電開始電圧に陽極電圧の変化に
対し電子計数率が略一定となる予め定まつたプラ
トー電圧幅の略２分の１の電圧を加えて最適陽極
電圧として設定するようにしたため、気圧や温度
の変化により陽極電圧に対する計数率の特性が変
動しても、常に安定した放出電子の計数状態を得
ることができ、この点は気圧や温度の変動のみな
らず、電子検出部に対する試料までの距離の変動
に依存した陽極電圧に対する計数率Ｎの特性の変
化についても全く同様に、安定で且つ効率の良い
電子計数を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例を示した説明図、第
２図は電子検出部における陽極電圧、第１及び第
２格子電極電圧の変化を示した信号波形図、第３
図は本発明による最適陽極電圧の設定処理を示し
たフローチヤート、第４図は陽極電圧に対する電
子計数率の関係を示したグラフ図である。 １：電子検出部、２：検出窓、３：ケース、
４：陽極リング、５：第１格子電極、６：第２格
子電極、８：試料台、９：光源装置、１０：試
料、１１：光源、１２：モノクロメータ、１３，
１４：スリツト、１８：増幅器、２０：第１パル
ス発生器、２２：第２パルス発生器、２３：高圧
電源、２４：計数手段、２６：演算手段、２８：
表示手段。
２図は電子検出部における陽極電圧、第１及び第
２格子電極電圧の変化を示した信号波形図、第３
図は本発明による最適陽極電圧の設定処理を示し
たフローチヤート、第４図は陽極電圧に対する電
子計数率の関係を示したグラフ図である。 １：電子検出部、２：検出窓、３：ケース、
４：陽極リング、５：第１格子電極、６：第２格
子電極、８：試料台、９：光源装置、１０：試
料、１１：光源、１２：モノクロメータ、１３，
１４：スリツト、１８：増幅器、２０：第１パル
ス発生器、２２：第２パルス発生器、２３：高圧
電源、２４：計数手段、２６：演算手段、２８：
表示手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方に検出窓を備えたケース内に高電圧が印
加された陽極リングを配置すると共に該陽極リン
グの検出窓側に第１格子電極及び第２格子電極を
順次配置した電子検出部を有し、光を照射した試
料から放出される電子を前記電子検出部内に導入
し、該導入電子により生ずる気体放電に基づいて
電子の数を計数する電子計数装置に於いて、 前記陽極の印加電圧を可変する電圧可変手段
と、該電圧可変手段により陽極電圧を可変したと
きの放電開始電圧を検出する電圧検出手段と、該
電圧検出手段で検出した放電開始電圧に陽極電圧
の変化に対し電子計数値が略一定となる予め定ま
つたプラトー電圧幅の略２分の１の電圧を加えて
陽極最適電圧として設定する電圧設定手段とを設
けたことを特徴とする電子計数装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31123886A JPS63167255A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 電子計数装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31123886A JPS63167255A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 電子計数装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63167255A JPS63167255A (ja) | 1988-07-11 |
| JPH0573190B2 true JPH0573190B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=18014753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31123886A Granted JPS63167255A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 電子計数装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63167255A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110672001A (zh) * | 2019-10-24 | 2020-01-10 | 中航通飞华南飞机工业有限公司 | 一种铁磁性材料表面非铁磁材料厚度测量方法及装置 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31123886A patent/JPS63167255A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63167255A (ja) | 1988-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |