JPH0655717B2 - 4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−オン誘導体の製造方法 - Google Patents

4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−オン誘導体の製造方法

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JPH0655717B2
JPH0655717B2 JP62028942A JP2894287A JPH0655717B2 JP H0655717 B2 JPH0655717 B2 JP H0655717B2 JP 62028942 A JP62028942 A JP 62028942A JP 2894287 A JP2894287 A JP 2894287A JP H0655717 B2 JPH0655717 B2 JP H0655717B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、3−位に水酸基が保護されたヒドロキシエチ
ル基を有し、4−位にアセトキシ基を有する4−アセト
キシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−オン誘導
体の新規な製造方法に関する。
4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチン−2−
オン誘導体は、チエナマイシン等に代表されるカルバペ
ネム系β−ラクタム抗生物質や、ペネム系β−ラクタム
抗生物質の合成中間体として有用であることが知られて
いる〔たとえば、レイダー等、テトラヘドロン・レター
ズ、23巻、2293頁(1982年)、およびヨシダ
等、ケミカル・アンド・フアーマシユテイカル・ブレチ
ン(Chem,Pham,Bull,)29巻,2899頁(1981
年)〕。
(従来の技術と問題点) 従来、4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジ
ン−2−オン誘導体の合成法として、6−アミノペニシ
ラン酸から合成する方法〔ヨシダ等、Chem,Pharm,Bul
l,29巻,2899頁(1981年)〕、スレオニン
から合成する方法〔シオザキ等、テトラヘドロン、39
巻、2399頁(1983年)〕、アスパラギン酸から
合成する方法〔レイダー等、テトラヘドロン・レター
ズ、23巻、2293頁(1982年)〕、β−ヒドロ
キシ酪酸のメタルエノレートから合成する方法〔ナカイ
等、ケミストリー・レターズ、1927頁(1984
年)〕等が知られている。しかし、いずれの方法におい
ても、β−ラクタム環の4−位にアセトキシ基を導入す
るために、酢酸水銀、硫酸水銀等の水銀化合物や四酢酸
鉛等の工業的には好ましくない試薬を使用する難点を有
していた。
本発明者らは、3位にO−保護ヒドロキシエチル基、4
位にシリルエーテル基を有する新規なβ−ラクタム化合
物(Nは無保護)を用いて4−位にアセトキシ基を導入
する製法を見出し、既に特許出願した(昭和61年特許
出願第101856号)。本発明者らは更に詳細な検討
を行なつた結果、上記の反応において、水あるいは酢酸
をある一定の量加えることにより収率が向上することを
見出して、本発明に至つた。以下に詳細を説明する。
(問題点を解決するための手段および作用効果) 本発明は、一般式(I) (式中、R1は水酸基の保護基、R2,R3,R4はC1〜C6
低級アルキル基、フエニル基またはアラルキル基を示
す)で表わされるβ−ラクタム化合物に、有機溶媒中で
0.1〜1.0(v/v)%の水又は0.6〜5.0
(v/v)%の酢酸の存在下に、0.2〜3重量%と無
水酢酸を作用させることを特徴とする、一般式(II) (式中、R1は水酸基の保護基を示す)で表わされる4
−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−
オン誘導体の製造方法を要旨とする。
一般式(I)で示される4−位にシリルエーテル基を有す
るβ−ラクタム化合物は、本発明者らが既に出願(特開
昭61−18791)したように、反応式Iの方法によ
つて簡便に取得できる。
反応式I: β−ラクタム化合物(I)の3−位のヒドロキシエチル基
のO−保護基であるR1としては、R1が一般式(III) (式中、R5,R6,R7はC1〜C6の低級アルキル基を示す)
で表わされるトリアルキルシリル基、たとえばtert−ブ
チルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イ
ソプロピルジメチルシリル基、イソプチルジメチルシリ
ル基、1,2−ジメチルプロピルジメチルシリル基、ジメ
チル−1,1,2−トリメチルプロピルシリル基や、その他
t−ブチル基、ベンジル基、トリクロロエトキシカルボ
ニル基、tert−ブトキシカルボニル基、p−ニトロベン
ジルオキシカルボニル基等が挙げられるが、好ましくは
反応中により安定であり、さらに酸処理により選択的に
脱保護されうるtert−ブチルジメチルシリル基やイソプ
ロピルジメチルシリル基やジメチル−1,1,2−トリメチ
ルプロピルシリル基がよい。又、β−ラクタム化合物
(I)のR2,R3,R4は、メチル、エチル、イソプロピル、イ
ソブチル、tert−ブチル、1,1,2−トリメチルプロピル
等のC1〜C6の低級アルキル基、フエニル基、又はベン
ジル基、p−ニトロベンジル基等のアラルキル基から同
一または異なつた基を選択できるが、好ましくはR2
3=R4=メチルが最適である。
上記のように調製した一般式(I) (式中、R1,R2,R3,R4は前記と同じ)で示されるβ−ラ
クタム化合物に、有機溶媒中、低濃度の水または酢酸の
存在下に、置換ピリジンと無水酢酸を作用させて、目的
の4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−
2−オン誘導体(II) (式中、R1は前記と同じ)に変換するのであるが、こ
のとき水または酢酸の反応系における濃度は、満足すべ
き収率で化合物(II)を得るために重要な因子であり、さ
らに最適な濃度範囲が存在する。水あるいは酢酸の好ま
しい反応系にける濃度は、使用する溶媒に対して水の場
合は0.1〜1.0(v/v)%の範囲、酢酸の場合は0.6〜5.0(v/
v)%の範囲が採用される。これより低いと下記の一般式
(IV)で示される副生物 (式中、R1は前記と同じ)の生成量が多く、また濃度
が高くなると基質の分解の副反応が多くなり、満足すべ
き収率で目的の化合物(II)を得ることはできない。
使用する置換ピリジンとしては、4−ジメチルアミノピ
リジン、4−ジエチルアミノピリジン等のジアルキルア
ミノピリジンや、4−ピロリジノピリジンや4−ピペリ
ジノピリジン等の含窒素複素環基を置換基として有する
置換ピリジンが好ましい。置換ピリジンの反応系におけ
る濃度は0.2〜3重量%の範囲が好ましい。
無水酢酸の量は、置換ピリジンに対し、少ないと反応速
度が低下するため、置換ピリジンに対して過剰量あれば
よく、好ましくは反応系における濃度が10〜50重量
%の濃度の範囲で使用すればよい。
反応に使用する溶媒としては、塩化メチレンや四塩化炭
素等のハロゲン系溶媒、n−ヘキサン等の炭化水素、ト
ルエン等の芳香族系炭化水素や酢酸エチルやテトラヒド
ロフランやテトラヒドロピランが好ましい。また、ピリ
ジンやピコリン、ルチジンやジエチルエーテル、ジグラ
イム、ジメチルホルムアミドやアセトン等の溶媒も使用
できる。
反応温度は0℃〜−70℃の低温領域で実施することで
目的の化合物(II)を満足すべき収率で得ることができ
る。好ましくは、−10℃〜−60℃の温度条件下で反
応をおこなえばよい。
反応操作としては、テトラヒドロフランや酢酸エチル等
の有機溶媒に、一般式(I)で示される4−位にシリルエ
ーテル基を有するβ−ラクタム化合物を溶解し、この溶
液を冷却し、水あるいは酢酸を適量加え、この温度で無
水酢酸および4−ジメチルアミノピリジン等の置換ピリ
ジンを一度に、あるいは分割して加えて反応を行なう。
反応経過を薄層クロマトグラフイーでチエツクしながら
実施し、原料が消失又は微量になつたところで、水へ反
応液を注ぐ。次に有機層を炭酸水素ナトリウム、水で洗
浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し
て得られら粗結晶をn−ヘキサン等の溶媒で再結晶する
ことにより目的の4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチ
ルアゼチジン−2−オン誘導体を得る。また溶媒を留去
した反応混合物からカラムクロマトグラフイーにより4
−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−
オン誘導体を得ることもできる。
(実施例) 以下実施例で本発明を詳しく説明するが、これらの実施
例によつて本発明が限定されるものではない。
実施例1 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R−1−te
rt−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン−
2−オンの合成 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−2−オン〔mp 95〜96℃,▲〔α〕25 D
▼=−9.5°(c=1.0,CHCl3)〕157mgをテトラヒド
ロフラン1.6mlに溶解し、これを−35℃に冷却した。
ついで、水0.005ml、無水酢酸0.5mlを添加し、さらに2
0mgの4−ジメチルアミノピリジンを添加して、−35
℃で22時間攪拌した。反応後、酢酸エチルと5%NaHC
O3水溶液を加え分液し、水で有機層を洗浄し、溶媒を減
圧留去して固体140mgを得た。
反応混合物を高速液体カラムクロマトグラフイー(カラ
ムYMC−パツク(A−303 ODS)4.6×250m
m、カラム温度15℃、溶媒(CH3CN:水=6:4v/v)
流量1ml/分、検出210nm)で分析すると、99.5mgの
(3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−
2−オンが生成していた(収率70%)。
さらに、この反応混合物をn−ヘキサンに溶解し、不溶
物過後、−15℃で冷却放置すると89mgの白色固体
が得られ、以下の物性値から目的の(3R,4R)−4
−アセトキシ−3−〔(R)−1−tertブチルジメチル
シリロキシエチル〕アゼチジン−2−オンであることが
確認された。
▲〔α〕25 D▼=+50°(c=0.5,CHCl3) mp=107〜108℃1 Hnmr(90MHz CDCl3)、δ(ppm):0.08(6H,s)、
0.84(9H,s)、1.20(3H,d)、2.10(3H,
s)、3.04(1H,dd)、4.12(1H,m)、5.76(1
H,d)、6.78(NH) 実施例2 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン
−2−オンの合成 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−2−オン156mgを1.6mlの酢酸エチルに溶
解し、−35℃に冷却後、水を0.005ml、無水酢酸0.5ml
を添加し、さらに30mgの4−ジメチルアミノピリジン
を添加して、−35℃で21時間攪拌した。反応後、実
施例1と同様の方法で処理をし、高速液体クロマトグラ
フイーで分析したところ(3R,4R)−4−アセトキ
シ−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリロキ
シエチル〕アゼチジン−2−オンが85mg生成していた
(収率60%)。反応物をn−ヘキサンより再結するこ
とにより上記の化合物を76mg針状結晶として得た。
実施例3 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン
−2−オンの合成 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−2−オン156mgを1.6mlの酢酸エチルに溶
解し、−35℃に冷却後、酢酸を0.03ml、無水酢酸0.5m
lを添加し、さらに30mgの4−ジメチルアミノピリジ
ンを添加して、−35℃で21時間攪拌した。反応後、
実施例1と同様の方法で処理をし、高速液体クロマトグ
ラフイーで分析したところ(3R,4R)−4−アセト
キシ−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリロ
キシエチル〕アゼチジン−2−オンが83mg生成してい
た(収率59%)。
実施例4 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン
−2−オンの合成 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−2−オン155mgをテトラヒドロフラン1.6m
lに溶解し、これを−35°に冷却した。ついで、酢酸
0.03ml、無水酢酸0.5mlを添加し、さらに20mgの4−
ジメチルアミノピリジンを添加して、−35℃で22時
間攪拌した。その後、実施例1と同様な処理を行ない、
高速液体クロマトグラフイーで分析したところ(3R,
4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−tert−ブ
チルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン−2−オ
ンが84mg生成していた(収率60%)。
実施例5 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン
−2−オンの合成 実施例1と同じ仕込みを行ない、その際の水の添加だけ
を変化させた実験を実施した。その結果を表1に示し
た。処理及び分析は実施例1と同じように行なつた。
実施例6 各種の4−アルキルシリロキシアゼチジン−2−オン
(化合物A)を原料として実施例2と同一の方法で反応
及び処理を行ない、得られる4−アセトキシアゼチジン
−2−オン(化合物B)の生成収率を表2に示した。
実施例7 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン
−2−オンの合成 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕−4−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−2−オン311.3mgをピリジン3.2mlに溶解し、
−50℃に冷却し、ついで無水酢酸0.3mlと30mgの4
−ジメチルアミノピリジンおよび10μの水を添加し
て、−50℃で18.5時間攪拌した。反応後、ヘキサンを
加え、クエン酸と炭酸水素ナトリウムからなるバツフア
ー液を加え、分液し、水で有機層を洗浄し、溶媒を減圧
留去して固体を得た(294.9mg)。
実施例1と同様に分析したところ(3R,4R)−4−
アセトキシ−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチル
シリロキシエチル〕−アセチジン−2−オンが180mg
生成していた(収率64%)。
実施例8 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン
−2−オンの合成 実施例1におけるテトラヒドロフランを下記の各種溶媒
に変えて、実施例1と同様の反応を実施して、下記の収
率を得た。
実施例9 (3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−1−
tert−(ブチルジメチルシリロキシ)エチル〕−アゼチ
ジン−2−オンの合成 (3R,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリロキシ)エチル〕−4−トリメチルシリロキシ
アゼチジン−2−オン300mgをテトラヒドロフラン1
mlに溶解し、これを−55℃に冷却した。ついで、水0.
005ml、無水酢酸0.8ml添加し、さらに35mgの4−ジメ
チルアミノピリジンを添加して−55℃で69時間攪拌
した。反応後、酢酸エチル20ml、5%NaHCO3水溶液2
0mlを加え、分液し、有機層を水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して固体265mgを
得た。
反応混合物を高速液体カラムクロマトグラフイー(カラ
ム:YMC−パツク(A−303 ODS)4.6×25
0mm、温度:15℃ 溶媒:CH3CN:水=6:4(v/v)、
流量:1ml/分、検出:210nm)で分析すると212
mgの(3R,4R)−4−アセトキシ−3−〔(R)−
1−(tert−ブチルジメチルシリロキシ)エチル〕−ア
ゼチジン−2−オンが生成していた(収率78%)。
参考例 実施例1および実施例2に関し、同様な反応を行なつ
た。その際、水あるいは酢酸などの量を変化させて実験
を行つた。その結果を表3に示した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 清 兵庫県明石市松ケ丘5丁目15―41 (56)参考文献 特開 昭61−18758(JP,A)

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) (式中、Rは水酸基の保護基、R,R,RはC
    〜Cの低級アルキル基、フェニル基またはアラルキ
    ル基を示す。) で表わされるβ−ラクタム化合物に、有機溶媒中で0.1
    〜1.0(v/v)%の水又は0.6〜5.0(v/v)%の酢
    酸の存在下で、0.2〜3重量%の置換ピリジンと無水酢
    酸を作用させることを特徴とする、一般式(II) (式中、R1は水酸基の保護基を示す)で表わされる4
    −アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−
    オン誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】Rが一般式(III) (式中、R,R,RはC〜Cの低級アルキル
    基を示す)である特許請求の範囲第1項記載の製造方
    法。
  3. 【請求項3】Rがtert−ブチルジメチルシリル基
    である特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  4. 【請求項4】Rがイソプロピルジメチルシリル基であ
    る特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  5. 【請求項5】Rがジメチル−1,1,2−トリメチル
    プロピルシリル基である特許請求の範囲第1項記載の製
    造方法。
  6. 【請求項6】R,R,Rがメチル基である特許請
    求の範囲第1項記載の製造方法。
  7. 【請求項7】置換ピリジンが4−ジメチルアミノピリジ
    ンである特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  8. 【請求項8】置換ピリジンが4−ピロリジノピリジンで
    ある特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  9. 【請求項9】置換ピリジンが4−ピペリジノピリジンで
    ある特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  10. 【請求項10】有機溶媒がテトラヒドロフランである特
    許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  11. 【請求項11】有機溶媒がピリジンである特許請求の範
    囲第1項記載の製造方法。
JP62028942A 1986-04-30 1987-02-09 4−アセトキシ−3−ヒドロキシエチルアゼチジン−2−オン誘導体の製造方法 Expired - Fee Related JPH0655717B2 (ja)

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