JPH0558461B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0558461B2 JPH0558461B2 JP22086585A JP22086585A JPH0558461B2 JP H0558461 B2 JPH0558461 B2 JP H0558461B2 JP 22086585 A JP22086585 A JP 22086585A JP 22086585 A JP22086585 A JP 22086585A JP H0558461 B2 JPH0558461 B2 JP H0558461B2
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- JP
- Japan
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- acid
- tetramethyl
- piperidyl
- chloro
- butane
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定の１−ハロゲン化ピペリジン化
合物からなる高分子材料用電子捕捉剤に関し、詳
しくは、１−ハロゲン化−２，２，６，６−テト
ラメチルピペリジン基を有する酸エステル化合物
からなる、高分子材料用電子捕捉剤に関する。 ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル等の高分子材料はその優れた電気絶縁性、機械
的特性を利用して電線被覆材料等に用いられてい
る。しかしながら、特に高圧ケーブル等に用いた
場合は、被覆材料中に多量の電子が発生し、この
ため被覆材料の劣化がおこり、クラツクの発生、
機械的強度の低下等の不利益を生じるためその応
用に制限を受けていた。 また、高分子材料の強度を高め、その物性を改
善するために電子線により高分子材料を架橋する
ことも行われているが、この場合も高分子材料中
に多量の電子が発生し、劣化を惹起する場合があ
り、その応用に制限を受けていた。 このため、高分子材料中の電子を効果的に捕捉
する添加剤が求められていたが、従来このような
添加剤についての知見は全くなく、電子線の照射
量を低下させる等の対策しかなかつた。 本発明者等はかかる現状に鑑み、高分子材料中
の電子を効果的に捕捉する添加剤を得るべく鋭意
検討を重ねた結果、次の一般式（）で表される
化合物を高分子材料に配合した場合、高分子材料
の中の電子を効果的に捕捉し、高分子材料に電子
線を照射した場合の上記課題を全て解消しえるこ
とを見出し本発明に到達した。 （Ｙはハロゲン原子を示し、Ｚは１〜４価の脂肪
族カルボン酸からのアシル基を示し、ｎは１〜４
を示す。） 上記一般式（）で表される化合物において、
Ｙで表されるハロゲン原子としては塩素、臭素、
弗素、沃素があげられるが、特に塩素及び臭素で
ある化合物が製造も容易であり、また、効果も大
きく好ましい。 Ｚで表されるアルシ基としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸カプリル酸、
ネオオクタン酸、２−エチルヘキシル酸、ペラル
ゴン酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン
酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、イソステアリン酸、ステアリン酸、12−ヒド
ロキシステアリン酸、オレイン酸、エライジン
酸、リノール酸、リノレン酸、オクチルメルカプ
トプロピオン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバチン酸、デ
カンジカルボン酸、ドデカンジカルボン酸、チオ
ジプロピオン酸、ブタントリカルボン酸、ブテン
トリカルボン酸、トリカルバリン酸、ブタンテト
ラカルボン酸、１，６，８，14−テトラデカンテ
トラカルボン酸等の１〜４価のカルボン酸からの
アシル基があげられ、またこれらは部分エステル
であつても良い。 従つて、上記一般式（）で表される化合物と
しては、１−クロロ−２，２，６，６−テトラメ
チル−４−ピペリジルアセテート、１−ブロモ−
２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル
アセテート、１−クロロ−２，２，６，６−テト
ラメチル−４−ピペリジルアクリレート、１−ク
ロロ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペ
リジルオクトエート、１−クロロ−２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジルステアレー
ト、ビス（１−クロロ−２，２，６，６−テトラ
メチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１
−ブロモ−２，２，６，６−テトラメチル−４−
ピペリジル）セバケート、トリス（１−クロロ−
２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）シトレート、トリス（１−クロロ−２，２，
６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン
−１，２，３−トリカルボキシレート、トリス
（１−クロロ−２，２，６，６−テトラメチル−
４−ピペリジル）−３−ブテン−１，２，３−ト
リカルボキシレート、テトラキス（１−クロロ−
２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）ブタン−１，２，３，４−テトラカルボキシ
レート、テトラキス（１−ブロモ−２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン−
１，２，３，４−テトラカルボキシレート、トリ
ス（１−クロロ−２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジル）・モノ（トリデシル）ブタン
−１、２、３、４−テトラカルボキシレート、ビ
ス（１−クロロ−２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジル）・ジ（トリデシル）ブタン−
１，２，３，４−テトラカルボキシレート等があ
げられる。 これら前記一般式（）で表される化合物の配
合量は、高分子材料100重量部に対し、0.001〜
５、好ましくは0.01〜３重量部である。 前記一般式（）で表される化合物は、ハロゲ
ン化アミンを製造する常法に従つて容易に製造す
ることができる。 以下、具体的な製造例を示す。 製造例 １ 乾燥ベンゼンにビス（２，２，６，６−テトラ
メチル−４−ピペリジル）セバケート9.6ｇを溶
解し、ここに第三ブトキシクロライド（ｔ−
C4H9OCl）6.4ｇを10℃以下で滴下した。滴下後、
室温になるまで撹拌し、過剰の第三ブトキシクロ
ライドを分解した後水洗し、脱ベンゼンした。 目的化合物のビス（１−クロロ−２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート
を融点83〜85℃の白色粉末として得た。 製造例 ２ ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピ
ペリジル）セバケートに代えて、テトラキス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）ブタン−１，２，３，４−テトラカルボキシ
レート7.9ｇを用いる他は製造例１と同様にして、
目的化合物のテトラキス（１−クロロ−２，２，
６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン
−１，２，３，４−テトラカルボキシレートを融
点約73℃の白色粉末として得た。 本発明の対象となる高分子材料としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン
−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン
−プロピレン共重合体等のα−オレフインの
（共）重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレ
ン、ポリ弗化ビニリデン、塩化ゴム、塩化ビニル
−エチレン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、塩化ビニル−（メタ）アクリル酸エステ
ル共重合体、塩化ビニル−マレイン酸エステル共
重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体
等の含ハロゲン樹脂、ポリステレン、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、スチレンと他の単量体（無
水マレイン酸、ブタジエン、アクリロニトリル
等）との共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−スチレン共重合体、アクリル酸エステル−ブ
タジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸エス
テル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルホルマール、ポリビニルブチラール、ポリ
エチレンテルフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリフエニレンオキシド、ポリアミド、
ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ポリウレタン、繊維素系樹脂、フエノール樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不
飽和ポリエステル、シリコーン樹脂などをあげる
ことができる。尚、これらの高分子材料は、当然
ながら過酸化物あるいは電子線等によつて架橋さ
れてもよい。 本発明の電子捕捉剤は従来周知の方法で高分子
材料に配合することができ、また、この際周知の
他の添加剤（例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、
加工助剤等）と併用することができる。 以下、実施例によつて本発明の電子捕捉剤の効
果をさらに詳細に説明する。 実施例 １ 濃度10％のポリビニルアルコール（PVA）水
溶液にメチルビオローゲン及び試料化合物を各々
0.1ｍＭ／ｇ（PVA）加えた。この溶液0.5mlをガ
ラス板（１×45ml）上に広げ、室温で乾燥させた
後さらに減圧下に乾燥させた。 このようにして作成したフイルムを測定用マウ
ントに取りつけた後、エリアビーム型電子線照射
装置（日新ハイボルテージ社製）を用い、窒素雰
囲気下で２メガラツドの電子線を照射した。 照射後、分光光度計（シマズUV−200S）で
555nｍ及び605nｍのメチルビオローゲンカチオ
ンの吸収度を測定し、予め作成しておいた吸収度
の対時間残存度曲線により、照射時の吸収度に補
正した。この吸収度からメチルビオローゲンカチ
オンの濃度を求め、試料化合物無添加の場合の濃
度の差から捕捉された電子の数を算出した。 その結果を表−１に示す。 【表】
合物からなる高分子材料用電子捕捉剤に関し、詳
しくは、１−ハロゲン化−２，２，６，６−テト
ラメチルピペリジン基を有する酸エステル化合物
からなる、高分子材料用電子捕捉剤に関する。 ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル等の高分子材料はその優れた電気絶縁性、機械
的特性を利用して電線被覆材料等に用いられてい
る。しかしながら、特に高圧ケーブル等に用いた
場合は、被覆材料中に多量の電子が発生し、この
ため被覆材料の劣化がおこり、クラツクの発生、
機械的強度の低下等の不利益を生じるためその応
用に制限を受けていた。 また、高分子材料の強度を高め、その物性を改
善するために電子線により高分子材料を架橋する
ことも行われているが、この場合も高分子材料中
に多量の電子が発生し、劣化を惹起する場合があ
り、その応用に制限を受けていた。 このため、高分子材料中の電子を効果的に捕捉
する添加剤が求められていたが、従来このような
添加剤についての知見は全くなく、電子線の照射
量を低下させる等の対策しかなかつた。 本発明者等はかかる現状に鑑み、高分子材料中
の電子を効果的に捕捉する添加剤を得るべく鋭意
検討を重ねた結果、次の一般式（）で表される
化合物を高分子材料に配合した場合、高分子材料
の中の電子を効果的に捕捉し、高分子材料に電子
線を照射した場合の上記課題を全て解消しえるこ
とを見出し本発明に到達した。 （Ｙはハロゲン原子を示し、Ｚは１〜４価の脂肪
族カルボン酸からのアシル基を示し、ｎは１〜４
を示す。） 上記一般式（）で表される化合物において、
Ｙで表されるハロゲン原子としては塩素、臭素、
弗素、沃素があげられるが、特に塩素及び臭素で
ある化合物が製造も容易であり、また、効果も大
きく好ましい。 Ｚで表されるアルシ基としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸カプリル酸、
ネオオクタン酸、２−エチルヘキシル酸、ペラル
ゴン酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン
酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、イソステアリン酸、ステアリン酸、12−ヒド
ロキシステアリン酸、オレイン酸、エライジン
酸、リノール酸、リノレン酸、オクチルメルカプ
トプロピオン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル
酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバチン酸、デ
カンジカルボン酸、ドデカンジカルボン酸、チオ
ジプロピオン酸、ブタントリカルボン酸、ブテン
トリカルボン酸、トリカルバリン酸、ブタンテト
ラカルボン酸、１，６，８，14−テトラデカンテ
トラカルボン酸等の１〜４価のカルボン酸からの
アシル基があげられ、またこれらは部分エステル
であつても良い。 従つて、上記一般式（）で表される化合物と
しては、１−クロロ−２，２，６，６−テトラメ
チル−４−ピペリジルアセテート、１−ブロモ−
２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル
アセテート、１−クロロ−２，２，６，６−テト
ラメチル−４−ピペリジルアクリレート、１−ク
ロロ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペ
リジルオクトエート、１−クロロ−２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジルステアレー
ト、ビス（１−クロロ−２，２，６，６−テトラ
メチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１
−ブロモ−２，２，６，６−テトラメチル−４−
ピペリジル）セバケート、トリス（１−クロロ−
２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）シトレート、トリス（１−クロロ−２，２，
６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン
−１，２，３−トリカルボキシレート、トリス
（１−クロロ−２，２，６，６−テトラメチル−
４−ピペリジル）−３−ブテン−１，２，３−ト
リカルボキシレート、テトラキス（１−クロロ−
２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）ブタン−１，２，３，４−テトラカルボキシ
レート、テトラキス（１−ブロモ−２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン−
１，２，３，４−テトラカルボキシレート、トリ
ス（１−クロロ−２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジル）・モノ（トリデシル）ブタン
−１、２、３、４−テトラカルボキシレート、ビ
ス（１−クロロ−２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジル）・ジ（トリデシル）ブタン−
１，２，３，４−テトラカルボキシレート等があ
げられる。 これら前記一般式（）で表される化合物の配
合量は、高分子材料100重量部に対し、0.001〜
５、好ましくは0.01〜３重量部である。 前記一般式（）で表される化合物は、ハロゲ
ン化アミンを製造する常法に従つて容易に製造す
ることができる。 以下、具体的な製造例を示す。 製造例 １ 乾燥ベンゼンにビス（２，２，６，６−テトラ
メチル−４−ピペリジル）セバケート9.6ｇを溶
解し、ここに第三ブトキシクロライド（ｔ−
C4H9OCl）6.4ｇを10℃以下で滴下した。滴下後、
室温になるまで撹拌し、過剰の第三ブトキシクロ
ライドを分解した後水洗し、脱ベンゼンした。 目的化合物のビス（１−クロロ−２，２，６，
６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート
を融点83〜85℃の白色粉末として得た。 製造例 ２ ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピ
ペリジル）セバケートに代えて、テトラキス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジ
ル）ブタン−１，２，３，４−テトラカルボキシ
レート7.9ｇを用いる他は製造例１と同様にして、
目的化合物のテトラキス（１−クロロ−２，２，
６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン
−１，２，３，４−テトラカルボキシレートを融
点約73℃の白色粉末として得た。 本発明の対象となる高分子材料としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン
−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン
−プロピレン共重合体等のα−オレフインの
（共）重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレ
ン、ポリ弗化ビニリデン、塩化ゴム、塩化ビニル
−エチレン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、塩化ビニル−（メタ）アクリル酸エステ
ル共重合体、塩化ビニル−マレイン酸エステル共
重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体
等の含ハロゲン樹脂、ポリステレン、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、スチレンと他の単量体（無
水マレイン酸、ブタジエン、アクリロニトリル
等）との共重合体、アクリロニトリル−ブタジエ
ン−スチレン共重合体、アクリル酸エステル−ブ
タジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸エス
テル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルホルマール、ポリビニルブチラール、ポリ
エチレンテルフタレート、ポリブチレンテレフタ
レート、ポリフエニレンオキシド、ポリアミド、
ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ポリウレタン、繊維素系樹脂、フエノール樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不
飽和ポリエステル、シリコーン樹脂などをあげる
ことができる。尚、これらの高分子材料は、当然
ながら過酸化物あるいは電子線等によつて架橋さ
れてもよい。 本発明の電子捕捉剤は従来周知の方法で高分子
材料に配合することができ、また、この際周知の
他の添加剤（例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、
加工助剤等）と併用することができる。 以下、実施例によつて本発明の電子捕捉剤の効
果をさらに詳細に説明する。 実施例 １ 濃度10％のポリビニルアルコール（PVA）水
溶液にメチルビオローゲン及び試料化合物を各々
0.1ｍＭ／ｇ（PVA）加えた。この溶液0.5mlをガ
ラス板（１×45ml）上に広げ、室温で乾燥させた
後さらに減圧下に乾燥させた。 このようにして作成したフイルムを測定用マウ
ントに取りつけた後、エリアビーム型電子線照射
装置（日新ハイボルテージ社製）を用い、窒素雰
囲気下で２メガラツドの電子線を照射した。 照射後、分光光度計（シマズUV−200S）で
555nｍ及び605nｍのメチルビオローゲンカチオ
ンの吸収度を測定し、予め作成しておいた吸収度
の対時間残存度曲線により、照射時の吸収度に補
正した。この吸収度からメチルビオローゲンカチ
オンの濃度を求め、試料化合物無添加の場合の濃
度の差から捕捉された電子の数を算出した。 その結果を表−１に示す。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次の一般式（）で表される化合物からな
る、高分子材料用電子捕捉剤。 （Ｙはハロゲン原子を示し、Ｚは１〜４価の脂肪
族カルボン酸からのアシル基を示し、ｎは１〜４
を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22086585A JPS6281453A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 高分子材料用電子捕捉剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22086585A JPS6281453A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 高分子材料用電子捕捉剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281453A JPS6281453A (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0558461B2 true JPH0558461B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=16757754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22086585A Granted JPS6281453A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 高分子材料用電子捕捉剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281453A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2582385B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1997-02-19 | 旭電化工業株式会社 | 安定化された合成樹脂組成物 |
| EA015480B1 (ru) * | 2005-01-03 | 2011-08-30 | Борд Оф Риджентс, Зе Юниверсити Оф Техас Систем | Противомикробная полимерная добавка и способы преобразования обычных и коммерчески важных полимеров в регенерируемые противомикробные полимерные материалы |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22086585A patent/JPS6281453A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6281453A (ja) | 1987-04-14 |
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