JPH0559069B2 - - Google Patents

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請求の範囲 １ マグネシア部分安定化ジルコニアセラミツク
材料において、 (a) セラミツク材料の25〜70容積％の範囲にある
立方晶相ジルコニア含量を有し、 (b) セラミツク材料の3.0〜3.65重量％の範囲に
あるマグネシア含量を有しそして (c) セラミツク材料中のシリカ含量が1.0重量％
以下であり、 (d) 該セラミツク材料がストロンチア、バリア、
希土類金属酸化物及びその混合物からなる群か
ら選択される添加剤を該セラミツク材料の0.05
〜1.00重量％含有し、 (e) 該セラミツク材料のミクロ組織が立方晶安定
化ジルコニア結晶粒を有し、各結晶粒が正方晶
ジルコニア析出物から変態ずみの単斜晶ジルコ
ニア析出物と引張応力の適用に際して或いは熱
処理に際して単斜晶ジルコニアに変態しうる正
方晶析出物とを含有し、該析出物がレンズ状で
ありそして最長寸法において150nmの平均長さ
を有し、その場合 (f) 前記変態ずみの単斜晶ジルコニア析出物の含
量（Ｘ）並びに研削表面での単斜晶ジルコニア
含量（Ａ）と研磨表面での単斜晶ジルコニア含
量（Ｂ）との差から決定されるものとしての前
記変態しうる正方晶析出物含量（Ａ−Ｂ）が、
該セラミツク材料の容積％に基づいて、用途に
応じて、 (i) Ｘ：10容積％以下 Ａ：40容積％以下 Ｂ：10容積％以下 (ii) Ｘ：５〜40容積％ Ａ：25〜50容積％ Ｂ：５〜50容積％ (iii) Ｘ：10〜50容積％ Ａ：25〜60容積％ Ｂ：10〜60容積％ (iv) Ｘ：15〜60容積％ Ａ：15〜75容積％ Ｂ：５〜75容積％ の組合せ（）〜（）の群から選択されるひと
つであることを特徴とするマグネシア部分安定化
ジルコニアセラミツク材料。 ２ 低温用途において、組合せ（）が選択さ
れ、 Ｘ：５容積％以下 Ａ：15〜30容積％ Ｂ：５容積％以下 であり、そして粒界単斜晶ジルコニア含量が２容
積％以下である特許請求の範囲第１項記載のマグ
ネシア部分安定化ジルコニアセラミツク材料。 ３ 400〜700℃の温度用途において、組合せ
（）が選択され、 Ｘ：５〜25容積％ Ａ：25〜45容積％ Ｂ：10〜35容積％ であり、そして粒界単斜晶ジルコニア含量が20容
積％以下である特許請求の範囲第１項記載のマグ
ネシア部分安定化ジルコニアセラミツク材料。 ４ 粒界単斜晶ジルコニア含量が10容積％以下で
ある特許請求の範囲第３項記載のマグネシア部分
安定化ジルコニアセラミツク材料。 ５ 700〜1000℃の温度用途において、組合せ
（）が選択され、 Ｘ：10〜40容積％ Ａ：30〜60容積％ Ｂ：25〜60容積％ であり、そして粒界単斜晶ジルコニア含量が35容
積％以下である特許請求の範囲第１項記載のマグ
ネシア部分安定化ジルコニアセラミツク材料。 ６ 粒界単斜晶ジルコニア含量が15容積％以下で
ある特許請求の範囲第５項記載のマグネシア部分
安定化ジルコニアセラミツク材料。 ７ 1000℃を超える温度での短時間用途におい
て、組合せ（）が選択され、 Ｘ：20〜45容積％ Ａ：35〜65容積％ Ｂ：35〜65容積％ であり、すべての正方晶析出物が単斜晶正方晶ジ
ルコニア析出物に変態ずみであり、そして粒界単
斜晶ジルコニア含量が30容積％以下である特許請
求の範囲第１項記載のマグネシア部分安定化ジル
コニアセラミツク材料。 ８ 粒界単斜晶ジルコニア含量が20容積％以下で
ある特許請求の範囲第７項記載のマグネシア部分
安定化ジルコニアセラミツク材料。 ９ 添加剤含量がセラミツク材料の0.25〜0.70重
量％の範囲にある特許請求の範囲第１〜８項いづ
れか一項記載のマグネシア部分安定化ジルコニア
セラミツク材料。 １０ マグネシア含量がセラミツク材料の3.3〜
3.5重量％の範囲にある特許請求の範囲第１〜９
項いづれか一項記載のマグネシア部分安定化ジル
コニアセラミツク材料。 １１ シリカ含量がセラミツク材料の0.5重量％
以下である特許請求の範囲第１〜１０項いづれか
一項記載のマグネシア部分安定化ジルコニアセラ
ミツク材料。 １２ シリカ含量がセラミツク材料の0.25重量％
以下である特許請求の範囲第１〜１０項いづれか
一項記載のマグネシア部分安定化ジルコニアセラ
ミツク材料。 １３ シリカ含量がセラミツク材料の0.10重量％
以下である特許請求の範囲第１〜１０項いづれか
一項記載のマグネシア部分安定化ジルコニアセラ
ミツク材料。 １４ マグネシア部分安定化ジルコニアセラミツ
ク材料を製造する方法であつて、 (1) 二酸化ジルコニウム粉末、酸化マグネシウム
粉末及びストロンチア、バリア、希土類金属酸
化物及びその組合せからなる群から選択される
添加剤の混合物、或いは焼成に際して二酸化ジ
ルコニウム粉末、酸化マグネシウム粉末及び該
添加剤を生成しうる材料の混合物であつて、酸
化マグネシウム含量が混合物の3.0〜3.65重量
％の範囲にあり、該添加剤が混合物の0.05〜
1.00重量％の範囲にあり、そしてシリカを1.0
重量％しか含まない混合物を混合しそして湿式
ミリング処理する段階と、 (2) 前記混合物を所望の形状に成型する段階と、 (3) 成型した混合物を1550〜1900℃の範囲の温度
で焼成する段階と、 (4) 焼成した材料を冷却して結晶粒内に正方晶ジ
ルコニア析出物を形成する段階と、 (5) 段階(4)の材料を更に冷却しながら、析出物を
成長せしめそしてレンズ状でありそして最長寸
法において150nmの平均長さを有する正方晶析
出物を形成する段階と、 (6) その後、材料を室温まで冷却する段階と を包含し、立方晶安定化ジルコニア結晶粒を有
し、各結晶粒が正方晶ジルコニア析出物から変態
ずみの単斜晶ジルコニア析出物と引張応力の適用
に際して或いは熱処理に際して単斜晶ジルコニア
に変態しうる正方晶析出物を含有するミクロ組織
を形成することを特徴とするマグネシア部分安定
化ジルコニアセラミツク材料製造方法。 １５ 段階(4)において、焼成した材料を焼成温度
から1400℃まで冷却して結晶粒内に正方晶ジルコ
ニア析出物を形成しそして段階(5)において材料を
1400℃から1000℃まで冷却しながら析出物を成長
せしめる特許請求の範囲第１４項記載のマグネシ
ア部分安定化ジルコニアセラミツク材料製造方
法。 １６ 段階(5)の過程で、材料の冷却が1350〜1050
℃の範囲の少なくとも一つの温度で中断されそし
て材料が該中断温度で保持される特許請求の範囲
第１４項記載のマグネシア部分安定化ジルコニア
セラミツク材料製造方法。 １７ 冷却中断が1350℃及び1100℃の２つの温度
で行われる特許請求の範囲第１６項記載のマグネ
シア部分安定化ジルコニアセラミツク材料製造方
法。 １８ 冷却中断が1350℃或いは1100℃の一つの温
度で行われる特許請求の範囲第１６項記載のマグ
ネシア部分安定化ジルコニアセラミツク材料製造
方法。 １９ 段階(5)において、材料を800℃以下まで急
速に冷却した後、1000〜1150℃の範囲の温度にお
いて時効する特許請求の範囲第１４項記載のマグ
ネシア部分安定化ジルコニアセラミツク材料製造
方法。 ２０ 時効温度が1100℃である特許請求の範囲第
１９項記載のマグネシア部分安定化ジルコニアセ
ラミツク材料製造方法。 技術分野 本発明はセラミツク材料に関する。特には、本
発明は、マグネシアで部分安定化されそして高い
強度と良好な熱衝撃耐性を有するジルコニアセラ
ミツクスに関する。 発明の背景 米国特許第4279655号の明細書において、良好
な熱衝撃耐性並びに高い強度及び耐摩耗性を具備
するマグネシア部分安定化ジルコニアセラミツク
材料が記載されている。その明細書に記されるよ
うに、良好な熱衝撃耐性と高い物理的強度とはセ
ラミツク材料について互いに相反する性質である
と長年に亘つて考えられてきた。しかし、指定さ
れたミクロ組織を具備する材料を生成することに
よつて、このこれまで予想されなかつた物理的性
質の兼備が実現可能であることが見出された。 セラミツク材料が使用される幾つかの状況にお
いて、セラミツク材料が優れた強度及び良好な熱
衝撃耐性両方を具備することは必要でない。例え
ば、線引きや生体用セラミツク（人間や動物用の
合成関節）におけるような低温用途に対しては、
セラミツクの強度及び耐摩耗性がその熱衝撃耐性
より重要であるが、真鍮、銅及び鋼用の押出ダイ
のような高温用途に対しては、熱衝撃耐性及び至
当な強度が材料の必須の特性である。 セラミツク材料の大半の用途は、材料が機能す
ることの予定される温度範囲に言及することによ
つて分類されうる。この点を例示する為に、セラ
ミツク材料の用途例が以下の表１に与えられる
（これはセラミツク材料の用途の排他的リストを
意図するものでない）。

【表】 本発明の目的は、所定の温度範囲での使用に対
して特に好適とする性質を有するセラミツク材料
を提供することである。 本発明の開示 本発明者等は、特別に優れた熱衝撃耐性を有す
るマグネシア部分安定化ジルコニアセラミツクを
生成する為には、米国特許第4279655号の明細書
に記載される材料のミクロ組織を有する材料が使
用されうるが、セラミツク材料の粒内部の単斜晶
ジルコニアの量（即ち、粒界における単斜晶ジル
コニアを除く）が増大されねばならないことを見
出した。 この発見は、本発明者に特定の用途（表１参
照）に対して好適なある範囲の部分安定化ジルコ
ニアセラミツクを開発することを可能ならしめ
た。これらセラミツクの共通の特徴は、 (a) それらが70％〜25％（容積）の範囲における
立方晶ジルコニア含量を有し、ジルコニアの残
部は正方晶或いは単斜晶であること、 (b) それらが安定化用物質としてマグネシアを
3.0〜3.65％（重量）の範囲で含有しているこ
と、 (c) それらはまたマグネシアと結合しない不溶性
ジルコニウム酸塩を形成しそしてシリカとのガ
ラス形成剤でもある或る金属酸化物である添加
剤を含有すること である。好ましくは、添加剤は、ストロンチウム
酸化物（ストロンチア）或いはバリウム酸化物
（バリア）或いは希土類金属酸化物或いはその混
合物である。添加剤含量はセラミツク材料の0.05
〜1.00％（重量）の範囲にある。 添加剤は、焼結中の結晶粒成長の抑制剤及び粒
界において核生成する共析分解の抑制剤として作
用するものと考えられる。シリカと反応する酸化
物がセラミツク材料の表面上にシリカを滲出し従
つて材料実体を精製する有益な効果を持つことも
観察された。 セラミツク材料の結晶粒のマトリツクス内での
所定量の単斜晶ジルコニアの創出は材料を時効す
る（この言葉は伝統的な治金学的意味において使
用される）ことによりもたらされる。便宜上、立
方晶安定化ジルコニアの粒内の単斜晶ジルコニア
は、本明細書において、「粒マトリツクス単斜晶」
ジルコニアと呼ばれる。最終製品の所望の性質が
実現されることを保証する為に、多くの熱処理パ
スのいずれかが本発明方法に従つて使用されう
る。 本発明の新規な材料のシリカ含量は米国特許第
4279655号に記載されるセラミツク材料における
程臨界的ではない。1.0％（重量）までのシリカ
が最終製品において許容しうる。但し、もつと低
いシリカ含量が好ましい。 本発明に従えば、高強度低温用途において使用
するに適当なセラミツク材料は、 (a) 材料の立方晶ジルコニアがセラミツク材料の
70〜25％（容積）の範囲にあり、そして (b) 材料のマグネシア含量が3.0〜3.65％（重量）
の範囲にある ようなマグネシア部分安定化ジルコニアから成
り、この材料は、 (c) それが、マグネシアと結合しない不溶性ジル
コニウム酸塩を形成する金属酸化物である添加
剤を0.05〜1.00％（重量）含有し、 (d) 材料のミクロ組織が立方晶安定化ジルコニア
粒から成り、各粒が引張応力の適用に際して或
いは熱処理に際して単斜晶ジルコニアに変態し
うる正方晶ジルコニアの析出物を含有し、該析
出物がレンズ状でありそしてその長軸において
約150nmの平均長さを有し、そして各粒が変態
した正方晶ジルコニア析出物としての粒マトリ
ツクス単斜晶ジルコニアを０〜10％（容積）の
範囲において含有し、そして (e) セラミツク材料の研削表面が０〜40％（容
積）単斜晶ジルコニアを含有しそしてセラミツ
ク材料の研磨表面が０〜10％（容積）単斜晶ジ
ルコニアを含有している 点で特徴づけられる。 正方晶析出物が生ずるマトリツクス材料が秩序
化δ（デルタ）相を含有していることがこのよう
な材料（及び本発明の他のセラミツク材料）の特
徴である。 大半の場合、セラミツク材料の結晶粒は粒界物
質により互いに分画されよう。そのような場合、
粒界物質はセラミツク材料の０〜10％（容積）の
範囲での単斜晶ジルコニアを含有しよう（粒界単
斜晶ジルコニア含量はなるだけ低くすべきであ
る）。粒界物質の残部は、結晶質或いはガラス質
のジルコニウム酸塩及び珪酸塩から成る。 当業者は、研削により或いは研磨により創生さ
れた材料の表面が研削或いは研磨媒体の粗さ及び
研削或いは研磨過程の切込み速度に応じてその組
織を変化しうることを知つている。 従つて、本明細書全体を通して、用語「研削表
面」は、英国、グロウセスターのイムプレグネー
テツドダイヤモンドプロダクツ リミテツド社よ
り製造される「RESTIMET」（商品名）研削砥
石タイプD107W−Ｆ−50A01−3M（19.3ｍ／秒の
直線表面速度において作動しそしてパス当り約
100μmの材料を除去する）を使用して調製された
表面を意味する。 また、本明細書を通して、用語「研磨表面」と
は、0.5Kg／cm²の負荷で1μダイヤモンドペースト
を使用する錫金属から構成される研磨ホイールを
使用して安定表面を得るべく60分の研磨時間にお
いて調製された表面を意味する。 明細書のこの時点で本発明を記載するのに使用
される他の用語を定義しそして本発明と関連して
引用される幾つかのパラメータの値を得るのに使
用される方法論を示すことが適切である。「良好
な熱（昇温）衝撃」とは、３mm×３mm×40mm寸法
のセラミツク材料のバーの昇温熱衝撃後４点曲げ
試験において試験された際、材料の元の強度の少
くとも40％の強度が保持されていることを意味す
る。 「熱衝撃」は、室温〜450℃の範囲の温度にお
けるサンプルを900℃における溶融アルミニウム
浴中に突込み、そして後材料をアルミニウム浴か
ら取出しそして後サンプルを450℃以下まで冷却
せしめるという20回のサイクルをサンプルに与え
ることを意味する。 表面層における総単斜晶ジルコニア量の測定
は、「ジヤーナル オブ ザ アメリカン セラ
ミツク ソサイテイ」の1972年版に発表されたア
ール．シー．ギヤービー及びピー．エス．ニコル
ソンの論文「ジルコニア系における相解析」に記
述されるＸ線回折技術を使用してセラミツク材料
の研削表面或いは研磨表面を調べることにより得
られた。1050℃〜1350℃の範囲の温度での分解反
応の生成物として定義される粒界単斜晶ジルコニ
アの含量は、直線インターセプト手法を使用して
エツチされた表面において光学的に測定された。
粒マトリツクス単斜晶ジルコニア含量（Ｘ）は研
磨表面単斜晶ジルコニア含量から粒界単斜晶ジル
コニア含量を差引くことにより計算された。セラ
ミツク材料の粒の変態可能な正方晶ジルコニア含
量は、材料の研削表面を使用してＸ線回折技術に
より測定された総単斜晶ジルコニア含量（Ａ）と
材料の研磨表面を使用するＸ線回折技術により測
定された総単斜晶ジルコニア含量（Ｂ）との間の
差（Ａ−Ｂ）である。 ここで先に定義した「高強度、低温」セラミツ
ク材料に立戻ると次の事項が銘記されるべきであ
る： (a) 好ましい粒マトリツクス単斜晶ジルコニアは
セラミツク材料の５容積％より少ない。 (b) 粒界単斜晶ジルコニア含量は好ましくはセラ
ミツク材料の２容積％より少ない。 (c) 研削表面単斜晶ジルコニア含量は好ましくは
セラミツク材料の15〜30容積％の範囲にある。 (d) 研磨表面単斜晶ジルコニア含量は好ましくは
セラミツク材料の５容積％以下であり、変態強
靱化過程の為最大限量の変態可能な正方晶ジル
コニアを残す。 (e) 材料のマグネシア含量は好ましくはセラミツ
ク材料の3.3〜3.5重量％の範囲にある。 (f) 材料の添加剤含量は好ましくは0.25〜0.70％
（重量）の範囲にある。 (g) セラミツク材料のシリカ含量は好ましくはセ
ラミツク材料の0.5％（重量）より少なく、よ
り好ましくは0.25％（重量）より少なく、そし
て一層好ましくは0.10％（重量）より少ない。 本発明の第２の様相に従えば、400〜700℃の範
囲における温度での使用に適するセラミツク材料
は、 (a) 材料の立方晶ジルコニアがセラミツク材料の
70〜25％（容積）の範囲にあり、そして (b) 材料のマグネシア含量が3.0〜3.65％（重量）
の範囲にある ようなマグネシア部分安定化ジルコニアから成
り、この材料は、 (c) それが、マグネシアと結合しない不溶性ジル
コニウム酸塩を形成する金属酸化物である添加
剤を0.05〜1.00％（重量）含有し、 (d) 材料のミクロ組織が立方晶安定化ジルコニア
粒から成り、各粒が引張応力の適用に際して或
いは熱処理に際して単斜晶ジルコニアに変態し
うる正方晶ジルコニアの析出物を含有し、該析
出物がレンズ状でありそしてその最長寸法にお
いて約150nmの平均長さを有し、そして各粒が
変態した正方晶ジルコニア析出物としての粒マ
トリツクス単斜晶ジルコニアを５〜40％（容
積）の範囲において含有し、そして (e) セラミツク材料の研削表面が25〜50％（容
積）単斜晶ジルコニアを含有しそしてセラミツ
ク材料の研磨表面が５〜50％（容積）単斜晶ジ
ルコニアを含有している 点で特徴づけられる。 この「中間温度範囲」セラミツク材料（即ち
400〜700℃の温度範囲での使用の為の材料）は、
その好ましい形態において、次のパラメータを有
する： (a) 3.3〜3.5％（重量）のマグネシア含量； (b) 0.25〜0.70％（重量）の添加剤含量； (c) ５〜25％（容積）の粒マトリツクス単斜晶ジ
ルコニア含量； (d) ０〜20％（容積）、より好ましくは10％（容
積）より少ない範囲の粒界単斜晶ジルコニア含
量； (e) 25〜45％（容積）の研削表面単斜晶ジルコニ
ア含量； (f) 10〜35％（容積）の研磨表面単斜晶ジルコニ
ア含量；及び (g) 0.5％（重量）より少なく（より好ましくは
0.25％（重量）より少なく、そして一層好まし
くは0.10％（重量）より少ない）シリカ含量。 本発明の第３の様相に従えば、700〜1000℃の
範囲における温度での使用に適当なセラミツク材
料は、 (a) 材料の立方晶ジルコニアがセラミツク材料の
70〜25％（容積）の範囲にあり、そして (b) 材料のマグネシア含量が3.0〜3.65％（重量）
の範囲にある ようなマグネシア部分安定化ジルコニアから成
り、この材料は、 (c) それが、マグネシアと結合しない不溶性ジル
コニウム酸塩を形成する金属酸化物である添加
剤を0.05〜1.00％（重量）含有し、 (d) 材料のミクロ組織が立方晶安定化ジルコニア
粒から成り、各粒が引張応力の適用に際して或
いは熱処理に際して単斜晶ジルコニアに変態し
うる正方晶ジルコニアの析出物を含有し、該析
出物がレンズ状でありそしてその最大寸法にお
いて約150nmの平均長さを有し、そして各粒が
変態した正方晶ジルコニア析出物としての粒マ
トリツクス単斜晶ジルコニアを10〜50％（容
積）の範囲において含有し、そして (e) セラミツク材料の研削表面が25〜60％（容
積）単斜晶ジルコニアを含有しそしてセラミツ
ク材料の研磨表面が10〜60％（容積）単斜晶ジ
ルコニアを含有している 点で特徴づけられる。 この「高温範囲」セラミツク材料は好ましく
は、次の特性を有する： (a) 3.3〜3.5％（重量）（一層好ましくは約3.4％）
のマグネシア含量； (b) 0.25〜0.70％（重量）の添加剤含量； (c) 10〜40％（容積）の粒マトリツクス単斜晶ジ
ルコニア含量； (d) ０〜35％（容積）、より好ましくは15％（容
積）より少ない範囲の粒界単斜晶ジルコニア含
量； (e) 30〜60％（容積）の研削表面単斜晶ジルコニ
ア含量； (f) 25〜60％（容積）の研磨表面単斜晶ジルコニ
ア含量；及び (g) 0.5％（重量）より少なく（より好ましくは
0.25％（重量）より少なく、そして一層好まし
くは0.10％（重量）より少ない）シリカ含量。 本発明の第４の様相に従えば、1000℃を越える
温度で短時間使用されうるセラミツク材料は、 (a) 材料の立方晶ジルコニアがセラミツク材料の
70〜25％（容積）の範囲にあり、そして (b) 材料のマグネシア含量が3.0〜3.65％（重量）
の範囲にある ようなマグネシア部分安定化ジルコニアから成
り、この材料は、 (c) それが、マグネシアと結合しない不溶性ジル
コニウム酸塩を形成する金属酸化物である添加
剤を0.05〜1.00％（重量）含有し、 (d) 材料のミクロ組織が立方晶安定化ジルコニア
粒から成り、各粒が引張応力の適用に際して或
いは熱処理に際して単斜晶ジルコニアに変態し
うる正方晶ジルコニアの析出物を含有し、該析
出物がレンズ状でありそしてその最長軸におい
て約150nmの平均長さを有し、そして各粒が変
態した正方晶ジルコニア析出物としての粒マト
リツクス単斜晶ジルコニアを15〜60％（容積）
の範囲において含有し、そして (e) セラミツク材料の研削表面が15〜75％（容
積）単斜晶ジルコニアを含有しそしてセラミツ
ク材料の研磨表面が５〜75％（容積）単斜晶ジ
ルコニアを含有している 点で特徴づけられる。 このような「極高温範囲」セラミツク材料は好
ましくは次の特性を有する： (a) 3.3〜3.5％（重量）のマグネシア含量； (b) 0.25〜0.70％（重量）の添加剤含量； (c) 20〜45％（容積）の粒マトリツクス単斜晶ジ
ルコニア含量； (d) 30％（容積）より少ない（より好ましくは10
％（容積）より少ない）範囲の粒界単斜晶ジル
コニア含量； (e) 35〜65％（容積）の研削表面単斜晶ジルコニ
ア含量； (f) 35〜65％（容積）の研磨表面単斜晶ジルコニ
ア含量；及び (g) 0.5％（重量）より少なく（より好ましくは
0.25％（重量）より少なく、そして一層好まし
くは0.10％（重量）より少ない）シリカ含量。 本発明のすべての様相において、好ましい添加
剤は、ストロンチア（酸化ストロンチウム）或い
はバリア（酸化バリウム）或いは希土類金属酸化
物である。 以上、４種の用途別に説明したように、本発明
は、マグネシア部分安定化ジルコニアセラミツク
材料において、 (a) セラミツク材料の25〜70容積％の範囲にある
立方晶相ジルコニア含量を有し、 (b) セラミツク材料の3.0〜3.65重量％の範囲に
あるマグネシア含量を有しそして (c) セラミツク材料中のシリカ含量が1.0重量％
以下であり、 (d) 該セラミツク材料がストロンチア、バリア、
希土類金属酸化物及びその混合物からなる群か
ら選択される添加剤を該セラミツク材料の0.05
〜1.00重量％含有し、 (e) 該セラミツク材料のミクロ組織が立方晶安定
化ジルコニア結晶粒を有し、各結晶粒が正方晶
ジルコニア析出物から変態ずみの単斜晶ジルコ
ニア析出物と引張応力の適用に際して或いは熱
処理に際して単斜晶ジルコニアに変態しうる正
方晶析出物とを含有し、該析出物がレンズ状で
ありそして最長寸法において150nmの平均長さ
を有し、その場合 (f) 前記変態ずみの単斜晶ジルコニア析出物の含
量（Ｘ）並びに研削表面での単斜晶ジルコニア
含量（Ａ）と研磨表面での単斜晶ジルコニア含
量（Ｂ）との差から決定されるものとしての前
記変態しうる正方晶析出物含量（Ａ−Ｂ）が、
該セラミツク材料の容積％に基づいて、用途に
応じて、 (i) Ｘ：10容積％以下 Ａ：40容積％以下 Ｂ：10容積％以下 (ii) Ｘ：５〜40容積％ Ａ：25〜50容積％ Ｂ：５〜50容積％ (iii) Ｘ：10〜50容積％ Ａ：25〜60容積％ Ｂ：10〜60容積％ (iv) Ｘ：15〜60容積％ Ａ：15〜75容積％ Ｂ：５〜75容積％ の組合せ（）〜（）の群から選択されるひと
つであることを特徴とするマグネシア部分安定化
ジルコニアセラミツク材料を提供するものであ
る。 本発明はまた本発明のセラミツク材料の製造方
法をも包含する。本発明のこの様相に従えば、マ
グネシア部分安定化ジルコニア材料を製造する方
法は次の順次しての段階を包含する： (1) 二酸化ジルコニウム粉末、酸化マグネシウム
粉末及びストロンチア、バリア、希土類金属酸
化物及びその組合せからなる群から選択される
添加剤の混合物、或いは焼成に際して二酸化ジ
ルコニウム粉末、酸化マグネシウム粉末及び該
添加剤を生成しうる材料の混合物であつて、酸
化マグネシウム含量が混合物の3.0〜3.65重量
％の範囲にあり、該添加剤が混合物の0.05〜
1.00重量％の範囲にあり、そしてシリカを1.0
重量％しか含まない混合物を混合しそして湿式
ミリング処理する段階、 (2) 前記混合物を所望の形状に成型する段階、 (3) 成型した混合物を1550〜1900℃の範囲の温度
で焼成する段階、 (4) 焼成した材料を冷却して結晶粒内に正方晶ジ
ルコニア析出物を形成する段階、 (5) 段階(4)の材料を更に冷却しながら、析出物を
成長せしめそしてレンズ状でありそして最長寸
法において150nmの平均長さを有する正方晶析
出物を形成する段階、 (6) 材料を室温まで冷却する段階。 冷却速度を制御することにより、用途に応じ
て、前記組合せ（）〜（）から選択される、
立方晶安定化ジルコニア結晶粒を有し、各結晶粒
が正方晶ジルコニア析出物から変態ずみの単斜晶
ジルコニア析出物と引張応力の適用に際して或い
は熱処理に際して単斜晶ジルコニアに変態しうる
正方晶析出物を含有するミクロ組織を形成するこ
とができる。 好ましくは、段階(4)において、焼成した材料を
焼成温度から1400℃まで冷却して結晶粒内に正方
晶ジルコニア析出物を形成しそして段階(5)におい
て材料を1400℃から1000℃まで冷却しながら析出
物が成長せしめられる。 段階６）中、正方晶ジルコニア析出物の一部は
単斜晶ジルコニアに変態されよう。 セラミツク技術者は、段階４）及び６）におけ
る冷却速度は成型物品の寸法に依存するがそれら
が指定された製品に対して実験により容易に決定
されうることを理解しよう。 冷却段階５）は、冷却段階を中断しそして成型
材料を中断温度に所定の期間保持することにより
変更されうる。好ましくは、そうした等温保持は
約1350℃においてそして再度約1100℃においても
たらされよう。等温保持の目的は、正方晶析出物
が粒マトリツクス内で成長する程度を制御しそし
て粒界分解を最小限にすることである。 冷却段階５）のまた別の変更例は、焼成材料を
約1400℃から800℃乃至それ以下まで所定の速度
で冷却し、その後材料の温度を約1000〜1150℃の
範囲の温度に増加し、そして材料をその増大せる
温度（時効温度）で所定の期間保持して粒マトリ
ツクス中の正方晶ジルコニアの析出物が単斜晶ジ
ルコニアに変態する程度を制御することである。
代表的時効温度は1100℃である。 正方晶ジルコニアの析出物の単斜晶ジルコニア
への変態を制御することによつて、最終製品にお
ける粒マトリツクス単斜晶ジルコニアの量が制御
されうることが理解されよう。斯くして、その製
品が意図する用途に殊に適した性質を有する部分
安定化ジルコニア製品が製造されうる。 本発明方法の冷却段階において冷却速度が直線
的である必要はないことを銘記すべきである。 本発明を例示する具体例 例１ 添加剤の効果を示す 一連のマグネシア部分安定化ジルコニア材料の
サンプルが、上に定義した方法を使用しそして冷
却段階５）において1100℃で単一の等温保持（時
効）を行つて、作製された。各サンプルにおい
て、出発物質は市販入手しうるジルコニアであり
そしてマグネシア含量は3.4％（重量）であつた。
各サンプルは材料の150本の棒から成り、これら
が実験データを得るのに使用された。各サンプル
における棒の幾つかは、非時効試片の焼成状態の
性質が測定しうるよう1100℃での時効処理を施さ
れなかつた。ストロンチアが１つを除いて各サン
プルにおける添加剤であつた。その１つのサンプ
ルは添加剤零とした。表２は研究室で為された試
験の結果をまとめたものである。

【表】 これらデータは、マグネシア部分安定化ジルコ
ニアセラミツク材料が同一或いは同様の焼成時研
削表面単斜晶ジルコニア含量を有する時、添加剤
含量が焼成時材料の強度に実質的影響を持つこと
を示す。 例２ 低温材料の例示 例１のサンプル３の組成を有するマグネシア部
分安定化ジルコニア材料が製紙工業用オートクレ
ーブノズルの形態にそしてまた金属粉末圧縮ダイ
の形態に作製された。 オートクレーブノズルは試験の為紙製造業者に
供給された。これらノズルはその意図する環境に
おいて３ケ月間機能しえた。ステンレス鋼製オー
トクレーブノズルにより通常示される３日限度と
較べると非常に好ましいものである。 粉末圧縮ダイの幾つかが、焼結中銅含入鉄及び
鋼突固め体用の塊状物を製造する為銅粉末、鉄粉
末及びマンガン粉末の特に研磨性の混合物を突固
める為粉末治金設備において使用された。このよ
うな粉末圧縮ダイは、生成塊状物の寸法誤差が許
容しえない値に達する時摩耗したとみなされた。
例１のサンプル３の組成を有するダイが、炭化タ
ングステン製の最適の先行技術ダイの約４倍の寿
命を有した。 他の粉末圧縮ダイが鉄基金属粉末からシープペ
レツト（羊における微量元素欠乏を補うのに使用
される）を形成するのに使用されそしてこの目的
の為使用された従来型式の炭化タングステンダイ
の作動寿命を少くとも２倍を有することが見出さ
れそして傷あとも全くなかつた。 例３ 本発明の中間温度用途 押圧ダイの形態をした、マグネシア部分安定化
ジルコニア製品が本発明方法により作製された。
これら製品は次のパラメータ及び作製プロセス詳
細を有した： マグネシア含量 − 3.4重量％ 添加剤 − ストロンチア 添加剤含量 − 0.25重量％ 焼成温度 − 1700℃ 時効温度 − 1100℃ 時効時間 − ６時間 研削表面単斜晶含量 − 32容積％ 研磨表面単斜晶含量 − 26容積％ 粒界単斜晶含量 − ９容積％ 粒マトリツクス含量 − 16容積％ 多数のこれらダイが試験の為アルミニウム押出
工場に供給された。この会社はこれらダイがその
会社によりこれまで使用された押出ダイより著し
く長い有用寿命を有したと報告した。 例４ 本発明の高温用途を例示 多数の真鍮押出ダイが次の製造及びプロセス詳
細を使用して本発明方法を使用するジルコニアか
ら作製された： マグネシア含量 − 3.4重量％ 添加剤 − ストロンチア 添加剤含量 − 0.25重量％ 焼成温度 − 1700℃ 時効温度 − 1100℃ 時効時間 − ９時間 研削表面単斜晶含量 − 40容積％ 研磨表面単斜晶含量 − 35容積％ 粒界単斜晶含量 − 10容積％ 粒マトリツクス含量 − 25容積％ これら押出ダイは、工業的使用へのそれらの好
適性の評価の為真鍮ワイヤの製造業者に供給され
た。こうして供給されたダイのすべてが、現在工
業的に得られる真鍮押出ダイを実質越える有用寿
命を持つことが報告された。 産業用途 本明細書の表１は本発明の材料に対する代表的
用途を提供する。しかし、表１に掲げられた用途
は本発明の材料の使途のすべてを意図するもので
ない。