JPH0559154B2 - - Google Patents
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- JPH0559154B2 JPH0559154B2 JP1022041A JP2204189A JPH0559154B2 JP H0559154 B2 JPH0559154 B2 JP H0559154B2 JP 1022041 A JP1022041 A JP 1022041A JP 2204189 A JP2204189 A JP 2204189A JP H0559154 B2 JPH0559154 B2 JP H0559154B2
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- oxide film
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- coating liquid
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明な半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化
物日膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法に
関し、さらに詳しくは熱的に安定で、かつ成膜性
の良好な半導体の表面保護又は層間絶縁用の酸化
物被膜の製造法およびこの酸化物被膜形成用塗布
液に関する。
物日膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法に
関し、さらに詳しくは熱的に安定で、かつ成膜性
の良好な半導体の表面保護又は層間絶縁用の酸化
物被膜の製造法およびこの酸化物被膜形成用塗布
液に関する。
（従来の技術）
従来、IC、LSI等の半導体素子の層間絶縁の方
法として、シラノール化合物の加水分解・縮合物
を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく知ら
れている。テトラエトキシシラン（エチルシリケ
ート）等の４官能シランを用いる方法が最も多く
検討されているが、４官能シランのみを用いる方
法では、焼成してシリカ被膜を形成する際、三次
元加橋構造が密になり剛直となるため、膜厚が厚
くなるとクラツクが発生するという欠点がある。
この欠点の改善のために２官能や３官能シランを
共加水分解する方法が特開昭57−191219号公報等
に示されているが、これらの方法では縮合物また
は膜の中に多量の炭素が含まれ、焼成によつて膜
の中に炭素が残存する場合は、その後の半導体製
造工程でクラツクが発生するという欠点がある。
また膜の中に含まれる炭素を脱離するためには、
500℃以上の高温が必要であり、炭素の脱離によ
る膜の収縮または脱離後の膜とシリコン、アルミ
等の基体との熱膨張係数の差が大きいため、膜に
クラツクが発生する欠点がある。
法として、シラノール化合物の加水分解・縮合物
を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく知ら
れている。テトラエトキシシラン（エチルシリケ
ート）等の４官能シランを用いる方法が最も多く
検討されているが、４官能シランのみを用いる方
法では、焼成してシリカ被膜を形成する際、三次
元加橋構造が密になり剛直となるため、膜厚が厚
くなるとクラツクが発生するという欠点がある。
この欠点の改善のために２官能や３官能シランを
共加水分解する方法が特開昭57−191219号公報等
に示されているが、これらの方法では縮合物また
は膜の中に多量の炭素が含まれ、焼成によつて膜
の中に炭素が残存する場合は、その後の半導体製
造工程でクラツクが発生するという欠点がある。
また膜の中に含まれる炭素を脱離するためには、
500℃以上の高温が必要であり、炭素の脱離によ
る膜の収縮または脱離後の膜とシリコン、アルミ
等の基体との熱膨張係数の差が大きいため、膜に
クラツクが発生する欠点がある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除去
し、熱的に安定で、かつ成膜性の良好な半導体の
表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜の製造法及び
この酸化物形成用塗布液を提供することにある。
し、熱的に安定で、かつ成膜性の良好な半導体の
表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜の製造法及び
この酸化物形成用塗布液を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、前記目的を達成するため種々研
究した結果、シリコン、アルミ等の基体上でクラ
ツクが発生せず、さらにその後の酸素プラズマ処
理によつてもクラツクの発生のない酸化物被膜を
形成するためには、(1)焼成時の硬化収縮歪を小さ
くする、(2)膜の寧膨張係数を基体の値に近づけ
る、(3)膜の中の炭素含有量を極めて少なくするか
または無くするという条件を満たす塗布液を用い
ることが必要であり、該塗布液は、特定の化合物
を溶剤の存在下に触媒を用いて加水分解、縮合さ
せて得られることを見出し、本発明に到達した。
究した結果、シリコン、アルミ等の基体上でクラ
ツクが発生せず、さらにその後の酸素プラズマ処
理によつてもクラツクの発生のない酸化物被膜を
形成するためには、(1)焼成時の硬化収縮歪を小さ
くする、(2)膜の寧膨張係数を基体の値に近づけ
る、(3)膜の中の炭素含有量を極めて少なくするか
または無くするという条件を満たす塗布液を用い
ることが必要であり、該塗布液は、特定の化合物
を溶剤の存在下に触媒を用いて加水分解、縮合さ
せて得られることを見出し、本発明に到達した。
本発明は、(A)一般式RmSi（OR）4-n（式中、Ｒ
は炭素数１〜４のアルキル基またはアリール基、
ｍは０〜２の整数を意味する）で表されるシラン
化合物と、(B)一般式Ｍ（OR′）ｎ（式中、Ｍはマグ
ネシウム、硼素または燐の金属原子、R′は炭素
数１〜４のアルキル基またはアリール基、ｎは金
属原子Ｍの原子価を意味する）で表される金属ア
ルコキシド化合物とを、溶媒の存在下に触媒を用
いて加水分解、縮合させて得られる反応物を含ん
でなる半導体の表面保護又は層間絶縁溶酸化物被
膜形成用塗布液およびこの塗布液を用いた酸化物
被膜の製造法に関する。
は炭素数１〜４のアルキル基またはアリール基、
ｍは０〜２の整数を意味する）で表されるシラン
化合物と、(B)一般式Ｍ（OR′）ｎ（式中、Ｍはマグ
ネシウム、硼素または燐の金属原子、R′は炭素
数１〜４のアルキル基またはアリール基、ｎは金
属原子Ｍの原子価を意味する）で表される金属ア
ルコキシド化合物とを、溶媒の存在下に触媒を用
いて加水分解、縮合させて得られる反応物を含ん
でなる半導体の表面保護又は層間絶縁溶酸化物被
膜形成用塗布液およびこの塗布液を用いた酸化物
被膜の製造法に関する。
本発明に用いられるシラン化合物は、前記一般
式RmSi（OR）4-nで表され、具体的にはSi
（OCH3）4、Si（OC2H5）4、Si（OC3H7）4等の４官能
シラン、CH3Si（OCH3）3、CH3Si（OC2H5）3、
CH3Si（OC3H7）3、C2H5Si（OCH3）3、C6H5Si
（OH3）3、CH3Si（OC6H5）3等の３官能シラン、
（CH3）2Si（OCH3）2、（CH3）2Si（OC2H5）2、
（CH3）2Si（OC3H7）2、（C2H5）2Si（OCH3）2、
（C6H5）2Si（OCH3）2、（CH3）2Si（OC6H5）2等の２
官能シランが挙げられる。これらのシラン化合物
は単独でまたは２種以上混合して用いることがで
きる。
式RmSi（OR）4-nで表され、具体的にはSi
（OCH3）4、Si（OC2H5）4、Si（OC3H7）4等の４官能
シラン、CH3Si（OCH3）3、CH3Si（OC2H5）3、
CH3Si（OC3H7）3、C2H5Si（OCH3）3、C6H5Si
（OH3）3、CH3Si（OC6H5）3等の３官能シラン、
（CH3）2Si（OCH3）2、（CH3）2Si（OC2H5）2、
（CH3）2Si（OC3H7）2、（C2H5）2Si（OCH3）2、
（C6H5）2Si（OCH3）2、（CH3）2Si（OC6H5）2等の２
官能シランが挙げられる。これらのシラン化合物
は単独でまたは２種以上混合して用いることがで
きる。
本発明に用いられる金属アルコキシド化合物
は、前記一般式Ｍ（OR′）ｎで表され、具体的に
はＢ（O-iC3H7）3、Mg（OC3H7）2、Ｐ（O-iC3H7）3
等が挙げられる。これらの金属アルコキシド化合
物は単独でまたは２種以上混合して用いることが
できる。また前記一般式中のＲとR′は等しくて
も異なつていてもよい。
は、前記一般式Ｍ（OR′）ｎで表され、具体的に
はＢ（O-iC3H7）3、Mg（OC3H7）2、Ｐ（O-iC3H7）3
等が挙げられる。これらの金属アルコキシド化合
物は単独でまたは２種以上混合して用いることが
できる。また前記一般式中のＲとR′は等しくて
も異なつていてもよい。
本発明に用いられる前記シラン化合物と金属ア
ルコキシド化合物との共重合組成としては、成膜
性、炭素残渣等の点から、シラン化合物70〜90モ
ル％および金属アルコキシド化合物10〜30モル％
の範囲が好ましく、またこれらのシラン化合物
が、４官能シランSi（OR）4であるか、４官能シラ
ンSi（OR）420〜40モル％、３官能シランRSi
（OR）320〜60モル％、および２官能シランR2Si
（OR）20〜40モル％の混合物であることが好まし
い。
ルコキシド化合物との共重合組成としては、成膜
性、炭素残渣等の点から、シラン化合物70〜90モ
ル％および金属アルコキシド化合物10〜30モル％
の範囲が好ましく、またこれらのシラン化合物
が、４官能シランSi（OR）4であるか、４官能シラ
ンSi（OR）420〜40モル％、３官能シランRSi
（OR）320〜60モル％、および２官能シランR2Si
（OR）20〜40モル％の混合物であることが好まし
い。
本発明に用いられる溶媒としては、成膜性の点
から、シラン化合物中のアルキル基またはアリー
ル基の炭素を有するアルコール、アルキル基また
はアリール基と反応しないＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド等のアミド系の溶媒などが用いられる。
これは混合して用いてもよい。
から、シラン化合物中のアルキル基またはアリー
ル基の炭素を有するアルコール、アルキル基また
はアリール基と反応しないＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド等のアミド系の溶媒などが用いられる。
これは混合して用いてもよい。
本発明に用いられる反応触媒としては、例えば
塩酸、硫酸、燐酸、硼酸、フツ酸などの無機酸、
五酸化燐、酸化硼素などの酸化物、シユウ酸など
の有機酸等が用いられる。該触該の添加量は、シ
ラン化合物と金属アルコキシド化合物に対して合
計量0.1〜５重量％が好ましい。
塩酸、硫酸、燐酸、硼酸、フツ酸などの無機酸、
五酸化燐、酸化硼素などの酸化物、シユウ酸など
の有機酸等が用いられる。該触該の添加量は、シ
ラン化合物と金属アルコキシド化合物に対して合
計量0.1〜５重量％が好ましい。
本発明の塗布液は、前記アルコキシシラン化合
物と金属アルコキシド化合物とを溶媒の存在下に
前記触媒を用いて加水分解、縮合させて得られ
る。また該溶液を用いて得られる酸化物被膜の熱
膨張係数は、選定する金属アルコキシド化合物の
種類および量によつて任意に変化させることがで
きる。
物と金属アルコキシド化合物とを溶媒の存在下に
前記触媒を用いて加水分解、縮合させて得られ
る。また該溶液を用いて得られる酸化物被膜の熱
膨張係数は、選定する金属アルコキシド化合物の
種類および量によつて任意に変化させることがで
きる。
本発明の塗布液を用いて酸化物被膜を形成する
に際しては、シリコン、ガラス、セラミツクス、
アルミ等の基体表面に、スピナー、ハケ、スプレ
ー等で塗布液を塗布したのち、通常50〜200℃、
好ましくは100〜150℃で乾燥し、次いで通常400
〜800℃、好ましくは400〜500℃で焼成する。
に際しては、シリコン、ガラス、セラミツクス、
アルミ等の基体表面に、スピナー、ハケ、スプレ
ー等で塗布液を塗布したのち、通常50〜200℃、
好ましくは100〜150℃で乾燥し、次いで通常400
〜800℃、好ましくは400〜500℃で焼成する。
本発明の塗布液を用いて得られる酸化物被膜
は、従来のシラノール縮合物を用いて得られる酸
化膜被膜と比較して、炭素含有量が少なく、また
第２成分としてマグネシウム、硼素または燐の酸
化物が含まれ、これらがSiO2と共重合体を形成
するために熱的に安定であり、成膜性も良好とな
る。
は、従来のシラノール縮合物を用いて得られる酸
化膜被膜と比較して、炭素含有量が少なく、また
第２成分としてマグネシウム、硼素または燐の酸
化物が含まれ、これらがSiO2と共重合体を形成
するために熱的に安定であり、成膜性も良好とな
る。
（実施例）
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例 １
Si（OCH3）451ｇ、CH3Si（OCH3）345ｇ、
（CH3）2Si（OCH3）212ｇ、Ｂ（ｉ−OC3H7）331ｇ、
Mg（OC3H7）210ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド160ｇおよびメチルアルコール40ｇの混合溶
媒中に溶解し、この溶液にさらにシユウ酸0.6ｇ
を溶解させた水55ｇを添加して加水分解、縮合を
行い、反応物溶液を作製した。
（CH3）2Si（OCH3）212ｇ、Ｂ（ｉ−OC3H7）331ｇ、
Mg（OC3H7）210ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド160ｇおよびメチルアルコール40ｇの混合溶
媒中に溶解し、この溶液にさらにシユウ酸0.6ｇ
を溶解させた水55ｇを添加して加水分解、縮合を
行い、反応物溶液を作製した。
この溶液をスピナーを用いて3000rpmでSiウエ
ハー上に塗布した後、150℃で１時間乾燥し、次
いで電気炉中、400℃で１時間焼成したところ、
無色透明でクラツクのないシリカ系被膜が得られ
た。
ハー上に塗布した後、150℃で１時間乾燥し、次
いで電気炉中、400℃で１時間焼成したところ、
無色透明でクラツクのないシリカ系被膜が得られ
た。
該シリカ系被膜の膜厚を、表面あらさ計（商品
名タリステツプ、ランクテーラーホブソン社製）
を用いて測定したところ、0.7μｍであつた。また
該被膜の吸収スペクトルを赤外分光光度計を用い
て測定いしたところ、Si−Ｏ−Si吸収の他に、
Mg−Ｏ、Ｂ−Ｏ結合の吸収が観察され、完全な
酸化膜であることが確認された。さらに本酸化膜
をバレル型酸素プラズマ灰化装置PR−501A型
（ヤマト科学社製）を用いて400Wで20分間処理し
たが、膜中にクラツクは認められなかつた。
名タリステツプ、ランクテーラーホブソン社製）
を用いて測定したところ、0.7μｍであつた。また
該被膜の吸収スペクトルを赤外分光光度計を用い
て測定いしたところ、Si−Ｏ−Si吸収の他に、
Mg−Ｏ、Ｂ−Ｏ結合の吸収が観察され、完全な
酸化膜であることが確認された。さらに本酸化膜
をバレル型酸素プラズマ灰化装置PR−501A型
（ヤマト科学社製）を用いて400Wで20分間処理し
たが、膜中にクラツクは認められなかつた。
また前記溶液を、厚さ0.7μｍ、ラインアンドス
ペース幅0.5〜5μｍのアルミパターンが蒸着され
たSiウエハー上に前記と同様の条件で成膜したと
ころ、無色透明でクラツクのない酸化被膜が得ら
れた。
ペース幅0.5〜5μｍのアルミパターンが蒸着され
たSiウエハー上に前記と同様の条件で成膜したと
ころ、無色透明でクラツクのない酸化被膜が得ら
れた。
さらに前記溶液を150℃で３時間乾燥した後、
得られた粉末を直径12mmのペレツト状に圧縮成形
し、電気炉中で1000℃で１時間焼成した。この試
料の熱膨張係数を理学電機社製、熱物理試験機
TMA8150型で測定したところ、室温から450℃
までの平均線熱膨張係数は7.0×10-6であつた。
得られた粉末を直径12mmのペレツト状に圧縮成形
し、電気炉中で1000℃で１時間焼成した。この試
料の熱膨張係数を理学電機社製、熱物理試験機
TMA8150型で測定したところ、室温から450℃
までの平均線熱膨張係数は7.0×10-6であつた。
実施例 ２
Si（OC2H5）4145ｇ、Ｐ（OC3H7）341ｇ、Mg
（OC3H7）214ｇをエチルアルコール300ｇに溶解
し、この液にさらにシユウ酸0.8ｇを溶解させた
水66ｇを添加して加水分解、縮合を行い反応物溶
液を作製した。
（OC3H7）214ｇをエチルアルコール300ｇに溶解
し、この液にさらにシユウ酸0.8ｇを溶解させた
水66ｇを添加して加水分解、縮合を行い反応物溶
液を作製した。
この液を実施例１と同様な条件でSiウエハー上
に塗布、乾燥、焼成したところ、膜厚0.5μｍの無
色透明でクラツクのないシリカ系被膜が得られ
た。また前記溶液を実施例１と同様な条件でアル
ミパターンを蒸着したSiウエハー上に成膜したと
ころ、無色透明でクラツクのない酸化物被膜が得
られた。
に塗布、乾燥、焼成したところ、膜厚0.5μｍの無
色透明でクラツクのないシリカ系被膜が得られ
た。また前記溶液を実施例１と同様な条件でアル
ミパターンを蒸着したSiウエハー上に成膜したと
ころ、無色透明でクラツクのない酸化物被膜が得
られた。
実施例 ３
Si（OC2H5）469ｇ、CH3Si（OC2H5）359ｇ、
（CH3）2Si（OC2H5）225ｇ、Ｂ（O-iC3H7）331ｇをエ
チルアルコール26ｇおよびＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド105ｇの混合溶媒中に溶解し、この溶液
にさらにシユウ酸0.6ｇを溶解させた水56ｇを添
加して加水分解、縮合を行い、反応物溶液を作製
した。
（CH3）2Si（OC2H5）225ｇ、Ｂ（O-iC3H7）331ｇをエ
チルアルコール26ｇおよびＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド105ｇの混合溶媒中に溶解し、この溶液
にさらにシユウ酸0.6ｇを溶解させた水56ｇを添
加して加水分解、縮合を行い、反応物溶液を作製
した。
この溶液を実施例１と同様な条件でSiウエハー
およびアルミパターンを蒸着したSiウエハー上に
成膜したところ、膜厚0.7μｍの無色透明でクラツ
クのない酸化物被膜が得られた。
およびアルミパターンを蒸着したSiウエハー上に
成膜したところ、膜厚0.7μｍの無色透明でクラツ
クのない酸化物被膜が得られた。
実施例 ４
Si（OCH3）4、51ｇ、CH3Si（OCH3）330ｇ、
C6H5Si（OCH3）322ｇ、（CH3）2Si（OCH3）212ｇ、
Ｂ（O-iC3H7）331ｇ、Mg（OC3H7）210ｇをジエチ
レングリコールジエチルエーテル200ｇに溶解し、
この溶液に燐酸0.5ｇを溶解させた水55ｇを添加
して加水分解、縮合を行い、反応物溶液を作製し
た。
C6H5Si（OCH3）322ｇ、（CH3）2Si（OCH3）212ｇ、
Ｂ（O-iC3H7）331ｇ、Mg（OC3H7）210ｇをジエチ
レングリコールジエチルエーテル200ｇに溶解し、
この溶液に燐酸0.5ｇを溶解させた水55ｇを添加
して加水分解、縮合を行い、反応物溶液を作製し
た。
この溶液を実施例１と同様な条件でSiウエハー
およびアルミパターンを蒸着したSiウエハー上に
成膜したところ、膜厚0.8μｍの無色透明でクラツ
クのない酸化物被膜が得られた。
およびアルミパターンを蒸着したSiウエハー上に
成膜したところ、膜厚0.8μｍの無色透明でクラツ
クのない酸化物被膜が得られた。
比較例 １
Si（OC2H5）435ｇを、エチルアルコール64ｇお
よび酢酸エチル26ｇの混合溶媒に溶解し、この溶
液にさらにシユウ酸0.5ｇを溶解させた水12ｇを
添加して加水分解、縮合を行い、シラノールオリ
ゴマー溶液を作製した。
よび酢酸エチル26ｇの混合溶媒に溶解し、この溶
液にさらにシユウ酸0.5ｇを溶解させた水12ｇを
添加して加水分解、縮合を行い、シラノールオリ
ゴマー溶液を作製した。
この溶液を実施例１と同様にしてSiウエハー上
に塗布したところ、約0.4μｍの膜が得られたが、
膜には多数のクラツクが存在していた。
に塗布したところ、約0.4μｍの膜が得られたが、
膜には多数のクラツクが存在していた。
比較例 ２
Si（OCH3）417ｇ、CH3Si（OCH3）325ｇおよび
（CH3）2Si（OCH3）25ｇを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド48ｇおよびメタノール６ｇの混合溶媒に
溶解し、この溶液にさらに燐酸0.5ｇを溶解させ
た水20ｇを添加して加水分解、縮合を行い、シラ
ノールオリゴマー溶液を作製した。
（CH3）2Si（OCH3）25ｇを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド48ｇおよびメタノール６ｇの混合溶媒に
溶解し、この溶液にさらに燐酸0.5ｇを溶解させ
た水20ｇを添加して加水分解、縮合を行い、シラ
ノールオリゴマー溶液を作製した。
この溶液を実施例１と同様にしてSiウエハー上
に塗布したところ、約0.7μｍの膜が得られた。該
膜の吸収スペクトルを赤外分光光度計を用いて測
定したところ、Si−Ｏ−Si吸収の他にSi−CH3の
強い吸収がみられ、完全にSiO2膜になつていな
いことが確認された。またこの膜を実施例１と同
様にして400Wで20分間酸素プラズマ処理したと
ころ、膜中にクラツクが発生した。
に塗布したところ、約0.7μｍの膜が得られた。該
膜の吸収スペクトルを赤外分光光度計を用いて測
定したところ、Si−Ｏ−Si吸収の他にSi−CH3の
強い吸収がみられ、完全にSiO2膜になつていな
いことが確認された。またこの膜を実施例１と同
様にして400Wで20分間酸素プラズマ処理したと
ころ、膜中にクラツクが発生した。
（発明の効果）
本発明の酸化物被膜形成用塗布液は、熱的に安
定で成膜性に優れるため、該塗布液を用いて基体
表面上に形成した酸化膜被膜には、1.5μｍ程度の
厚さとしてもクラツクの発生がなく、本発明の酸
化物被膜形成用塗布液は、半導体の表面保護又は
層間絶縁用として好適であり電子部品、特に半導
体の多層配線における層間段差の被膜、磁気バブ
ルメモリー等の素子表面の平坦化等に有効であ
る。
定で成膜性に優れるため、該塗布液を用いて基体
表面上に形成した酸化膜被膜には、1.5μｍ程度の
厚さとしてもクラツクの発生がなく、本発明の酸
化物被膜形成用塗布液は、半導体の表面保護又は
層間絶縁用として好適であり電子部品、特に半導
体の多層配線における層間段差の被膜、磁気バブ
ルメモリー等の素子表面の平坦化等に有効であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (A)一般式RmSi（OR）4-n（式中、Ｒは炭素数
１〜４のアルキル基またはアリール基、ｍは０〜
２の整数を意味する）で表されるシラン化合物
と、(B)一般式Ｍ（OR′）ｎ（式中、Ｍはマグネシウ
ム、硼素または燐の金属原子、R′は炭素数１〜
４のアルキル基またはアリール基、ｎは金属原子
Ｍの原子価を意味する）で表される金属アルコキ
ジド化合物とを、溶媒の存在下に触媒を用いて加
水分解、縮合させて得られる反応物を含んでなる
半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成
用塗布液。 ２ 請求項１記載の塗布液を、基体表面上に塗布
後50〜200℃で乾燥し、ついで400〜800℃で焼成
する半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022041A JPH021778A (ja) | 1988-02-02 | 1989-01-31 | 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-22370 | 1988-02-02 | ||
| JP2237088 | 1988-02-02 | ||
| JP1022041A JPH021778A (ja) | 1988-02-02 | 1989-01-31 | 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021778A JPH021778A (ja) | 1990-01-08 |
| JPH0559154B2 true JPH0559154B2 (ja) | 1993-08-30 |
Family
ID=12080747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1022041A Granted JPH021778A (ja) | 1988-02-02 | 1989-01-31 | 半導体の表面保護又は層間絶縁用酸化物被膜形成用塗布液および酸化物被膜の製造法 |
Country Status (3)
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| JP (1) | JPH021778A (ja) |
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