JPH02212588A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

強誘電性液晶組成物

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JPH02212588A
JPH02212588A JP1033290A JP3329089A JPH02212588A JP H02212588 A JPH02212588 A JP H02212588A JP 1033290 A JP1033290 A JP 1033290A JP 3329089 A JP3329089 A JP 3329089A JP H02212588 A JPH02212588 A JP H02212588A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は強誘電性液晶組成物に関する。更に詳しくは高
速応答性を有し、傾き角の大きな強誘電性液晶組成物お
よびそれを用いた光スイツチング素子に関する。
〔従来の技術〕
液晶化合物は表示素子用材料として広く用いられている
が、そうした液晶表示素子の殆んどはTN型表示方式の
ものであり、液晶材料としてはネマチック相に属するも
のを用いている。
TN型表示方式は受光型のため、目が疲れない、消費電
力が極めて少ないといった特徴を持つ反面、応答が遅い
、見る角度によっては表示が見えないといった欠点があ
る。
該方式は、最近はフラットデイスプレィとしての特徴を
生かす方向に転換しつつあり、特に高速応答性と視角の
広さが要求されている。
こうした要求に答え、るべく液晶材料の改良が試みられ
てきた。しかし、他の発光型デイスプレィ(例えばエレ
クトロルミネッセンスデイスプレィ、プラズマデイスプ
レィ等)と比較すると、TN表示方式では応答時間と視
角の広さという点でかなりの差が認められる。
受光型、低消費電力といった液晶表示素子の特徴を生か
し、なお、かつ発光型デイスプレィに匹敵する応答性を
確保するためにはTN型表示方式に代わる新しい液晶表
示方式の開発が不可欠である。
そうした試みの一つに強誘電性液晶の光スイツチング現
象を利用した表示方式がN、A、  クラークとS、T
、  ラガウォールにより提案された。
(アプライド フィジックス レターズ(^ppl。
pyhs、 Lett、 38.899.1980)参
照)強誘電性液晶は1975年にR,B、メイヤー等に
よって、その存在が初めて発表されたもので(ジュルナ
ルド フィジーク(J、 Phys、) 38.89゜
1975参照)液晶構造上からカイラルスメクチックC
相、カイラルスメクチックI相、カイラルスメクチック
F相、カイラルスメクチックC相、カイラルスメクチッ
クH相、カイラルスメクチックJ相およびカイラルスメ
クチックに相(以下、それカイラルスメクチック相にお
いては、分子は層を形成しており、かつ分子は層面に対
して傾いており、らせん軸はこの層面に対して垂直であ
る。
カイラルスメクチック相では、自発分極が生じる為、こ
の層に平行に直流電界を印加すると、その極性に応じて
分子はらせん軸を回転軸として反転する。強誘電性液晶
を使用した表示素子はこのスイッチング現象を利用した
ものである。
カイラルスメクチック相のうち現在とくに注目としでは
、二つの方式が考えられる。一つの方式は2枚の偏光子
を使用する複屈折型であり、他の一つの方式は二色性色
素を利用するゲスト・ホスト型である。
この表示方式の特徴は (I)応答時間が非常に速い。
(2)メモリー性がある。
(3)視角依存性が小さい。などがあげられ、高密度表
示への可能性をひめでおり、非常に表示素子としての魅
力にあふれたものである。これに加えて、ゲスト・ホス
ト型の表示方式では、偏光板を1枚しか使用しないため
、 (4)レターデーションによる着色がない。
というすぐれた特徴がある。しかし、この表示方式にも
、現状では解決しなければならない問題が山積されてい
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
ゲストホスト型で、透過率T。n’ ”of’l’は、
偏光子の偏光軸がoffの状態時の液晶分子軸に一致す
るように配置したとき、on状態、off状態時の光の
透過率である。偏光軸とらせん軸とのなす角をδとすれ
ばT  、T   は、それぞれon   off +ssn  (δ+θ)e−al(λ)d)・・・・・
・(I)・ 2 +5in2(δ−のe−aJ−(λ)dl  ・−(2
)(I,2式中、an  (λ)、a、t(λ)は、そ
れぞれ液晶分子軸に平行、垂直な偏光に対する液晶中の
二色性色素による光の吸収係数、θは傾き角、dはセル
厚を示す。) で表される。(固体物理VOL、20゜No、7.48
1−41i8(I985)参照) 1.2式からθ−δ−(45°)のときに、最大表示コ
ントラストが得られることがわが零 る。つまり傾き角が45°のS。組成物がもっとも良い
コントラストを与える。これは、複屈折型素子において
最大コントラストを与える液晶組成物の傾き角(22,
5”)のちょうど2倍である。
一方、応答時間は次の関係式から判るように、傾き角が
大きくなるにつれて、急激に遅くなっていく。
P   ・ E (3式中、τは応答時間、η。は傾き角によらない標準
化した固有の回転粘度、θは傾き角、P8は自発分極、
Eは電界強度を表わす。)それ故、現存するゲスト・ホ
スト用に用いられている強誘電性液晶組成物の応答時間
は複屈折型より著しく遅く、現在のところ、傾き角が大
きくて、応答時間の速い実用的な強誘電性液晶材料は殆
どない。
例えば、特開昭62−22889号公報記載のゲスト・
ホスト型表示素子用強誘電性液晶組成物、および特願昭
63−192633号記載の強誘電性液晶組成物は、本
出願人が先に特許出願したものであるが、傾き角が40
°程度の組成物は、応答速度が遅く、応答速度が約20
0μseaの組成物は、傾き角が約30°しかなく、ま
だまだ実用的でない。
高速応答性で傾き角が大きな強誘電性液晶組成物を得る
ためには、3式かられかる様により低粘性の強誘電性液
晶組成物が望まれる。
また、傾き角の大きな強誘電性液晶組成物は、その屈折
率異方性を応用した空間光変調器やある波長のみを通過
させるバンド・バス・フィルターにも応用できる。(O
PTICAL !ll0cIETY OF AMERI
CA1988年年会予稿集、188ページ、IIUGH
JMASTER3ON等とN0EL A、 CI、AR
K等1.参照)傾き角の大きな強誘電性液晶組成物は上
記の様な応用分野もあり、尚−層、応答性の向上と、傾
き角の向上が熱望される。
本発明の第一の目的は、室温を含む広い温度節句の大き
な強誘電性液晶組成物を提供することであり、第二の目
的は上記の液晶組成物を用いた応答性に優れた光スイツ
チング素子を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、特開昭62−22889号公報および特
願昭63−192633号に記載の発明を更に改良すべ
く鋭意研究を行なった結果、以下に示す如く、化合物を
組み合わせることにより、ネ 室温を含む広い温度範囲でS。相を示し、高速応答性を
有し、且つ傾き角の大きな強誘電性液晶組成物が得られ
ることを見い出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、■ 下記A、B2成分それぞれの
少なくとも一種宛を併せ含有し、A、 B2成分の含有
量がそれぞれAが30〜95重量%、Bが5〜50重量
%である強誘電性液晶組成物である。
但しA成分は一般式(I)で表わされる化合物であり、 R1<訓ドアdo−R2(I) (I式中、R1は炭素数1〜18のアルキル基またはア
ルコキシ基を示し、kは1または2の整数を示し、R2
は直鎖または分枝状のアルキル基を示す。) B成分は自発分極が10nCca−2以上の強誘電性液
晶性化合物である。
■ また前記、一般式CI)の化合物のR1が炭素数3
〜14のアルキル基またはアルコキシ基であり、R2が
一般式(II)で表わされる光学活性基である強誘電性
液晶組成物である。
(■式中、gは0〜10の整数を示し、R3は炭素数2
〜10のアルキル基を示し、*は不斉炭素原子を示す。
) ■ また前記■の一般式(n)において、gが2〜7の
整数であり、R3が炭素数2〜4のアルキル基である強
誘電性液晶組成物である。
■ また前記■■■の一般式(I)のR1が炭素数3〜
12のアルコキシ基である強誘電性液晶組成物である。
■ また前記■■■の一般式(n)の基を含む化合物が
ラセミ体である強誘電性液晶組成物である。
■ また前記■〜■のB成分が一般式(III)で表わ
される化合物である強誘電性液晶組成物である。
R4(斤X昏0−R5(m) (I式中、R4は炭素数2〜14のアルキル基またはア
ルコキシ基を示し、mは1または2の整数、nは0また
は1の整数を示し、Xは R5は1つ以上の不斉炭素原子を有する光学活性基を示
す。) ■ また前記■の一般式(m)の化合物のR5が下記一
般式(IV)、(V)または(Vr)で表わされる光学
活性基である強誘電性液晶組成物である。
(但し■、■または■式中、R,R7R8は炭素数2〜
10のアルキル基を示し、pは0又はlの整数を示し、
*は不斉炭素原子を示す。)■ また前記■〜■の強誘
電性液晶組成物の相転移系列が高温側から順に等方性液
体−コレステリツク相→カイラルスメクチックC相を示
す強誘電性液晶組成物である。
■ 前記■〜■の強誘電性液晶組成物を利用した光スイ
ツチング素子である。
次に例を挙げて説明する。
以下に示す化合物((I) 、 (if)はA成分、(
iv)はB成分である。)からなる強誘電性液晶組成物
828重量% 40重量% きく、自発分極値は87nCcss応答速度は、320
μsecと高速応答である。このように、本発明に従っ
てA、B成分を混合した組成物は優れた特性を示す。こ
こで(I11)はA、B成分以外の化合物であるが、こ
れはA成分である化合物(I)1* (I1)は独自に比較的低温域にS。レンジを有してお
り、化合物c 1ii)は、比較的高温域にS。相を* 広く有していることから、Scレンジを広げる目的で加
えたものである。この様に、A、B成分以外の化合物も
加えてよい。A、B成分以外に混合されうる化合物の代
表例を以下に挙げる。
20重量% Chはコレステリック相、夏 は等方性液体相をO 示す)25℃における傾き角は45@と非常に大08H
13<温◎(訃08 H13 07H15(’許◎−<1c6Hta caHiy<奸◎4C,H2S C6H,□o(ト@8ic6H,3 一方、組成物aのA成分を他の系に置き換え、B成分を
同じ割合にした、以下に示す化合物からなる強誘電性液
晶組成物b 20重量% 20重量% 20重量% き角を飛躍的に大きくする働きがあることは明らかであ
る。又、A成分がラセミ体であってもその効果に変わり
ない。
次に組成物aのA成分を同じ割合とし、B成分を自発分
極値が10nCcm−”未満の化合物(vlll)(2
5℃における自発分極値は1.4n Ccm−21に置
き換えた以下に示す化合物からなる強誘電性液晶組成物
C 20重量% 20重量% 値は、74nCcms応答速度は324μsecである
が、傾き角は26°と小さくゲストφホスト用の組成物
としては不適である。
組成物aと組成物すを比較すると、A成分に傾20重量
% 零 の転移温度は、C「−0℃−5c−75℃−ch−94
℃−I であり、25℃における傾き角はO 46°と非常に大きいが、応答速度は2.3−8eeで
あり、応答性の点において実用的ではないことがわかる
組成物aと組成物Cを比較すると、B成分に応答速度を
高める働きがあることは明らかである。
さらに、A成分が傾き角を増大させる効果を及ぼすこと
は組成物aと組成物すを比較した場合と同様に明らかで
ある。
これらの例から、傾き角を大きくし、かつ応答速度を高
めるには、A、B成分が不可欠であることがわかる。
以下に、A成分として好適な化合物の代表例を挙げる。
(特願昭62−265933参照)(但し、士はラセミ
体を示す。) 以下にB成分として好適な化合物の代表例を挙げる。(
特願昭62−103977号参照)B成分は一般式(m
)以外の化合物でも自発分極値が10nCca+−2以
上であればよい。また複数用いても何ら問題ない。
本発明の組成物を用いることにより、小さな傾き角しか
有さない組成物では、実現不可能な素子や、もしくは、
小さな傾き角しか有さない組成物を使用した素子よりも
著しく特性の向上した素子が得られる。たとえば、2色
性色素を混合したゲスト・ホスト型素子に、これらの組
成物は、極めて好適である。また、全反射を利用した空
間光路変換器や光変調器の素子やレターデーションを利
用したバンドパス特性を有する素子にも、本発明の組成
物の高速応答性とその大きな傾き角がもたらす大きなΔ
nの変化とがそれらの素子特性を著しく向上させる。
これらの液晶素子において、少なくとも片側の基板の、
配向処理に用いる配向膜は、厚さが100〜3000人
のポリイミド系、ポリアミド系、ポリビニルアルコール
系、ナイロン系、ポリアミドイミド系、ポリイミドシロ
キサン系高分子または、sioや酸化イツトリウム、酸
化チタンなどの金属酸化膜であることが望ましい。
これらの素子を組み合わせたデイスプレィや光シヤツタ
ーアレイの駆動は、アクティブ方式でもスタティック方
式やマトリックス方式のいずれでも良い。
本組成物は、通常の強誘電性液晶の混合方法によって容
易に調製できる。たとえば、室温を含むるだめには、複
数の成分化合物を混合し、融点を下げることによって、
容易に達成できるし、らせん欠陥をセル中に形成しない
ようにするためには、長さ、に伸せば良い。また配向性
を良くするために、コレステリック相におけるらせんピ
ッチを仲すこピッチと同様に、コレステリック相でのら
せんのねじり方向が逆のもの同志を混合すれば、らせん
ピッチを長くすることができる。
〔実施例〕
以下、実施例により、本発明を更に詳細に説明するが、
本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
本発明における各種の測定は、次の方法で行なった。自
発分極(Ps)の大きさは、三角波法にて測定し、傾き
角(θ)は、ホモジニアス配向させたセルに臨界電場以
上の十分高い電場を印加したときの消光位と、それから
極性を反転させた時の消光位との移動角(2θに対応)
より求めた。
応答時間は配向処理を施した電極間隔が10μmのセル
に各組成物を注入し±5vμm−1で100Hzの矩形
波を印加した時の透過光強度の変化から測定した。コレ
ステリックピッチは、くさび型セルを使用し、偏光顕微
鏡下にて線欠陥(ディスクリネイシッンライン)の間隔
(R)を測定し、くさび型セルの傾斜角をθとした時の
理論式P(ピッチ)=2f!tanθを用いて間接的に
求めた。
なお実施例には、A、B成分の他にS *相の温度を広
げることを目的とした化合物やコレステリックとした化
合物が含まれている。しかじこれらの化合物の混合によ
って、本発明の組成物の特長である高速応答性と高ティ
ルト角がそこなわれることない。
(実施例1) 本発明に従って、下記の組成の強誘電性液晶組成物を調
整した。右端にA記号のものはA成分、日記号のものは
B成分であり、記号のないものはA、B成分以外の化合
物を示す。以下同様とする。
(I11) C5a、、o4ic8H,□9.7重量% 13重量% 7重量% 前記、強誘電性液晶組成物の転移温度は、であり、25
℃において、Psは68nCcs−2傾き角は43℃、
応答時間は、250μsecであった。但しN*はネマ
チック相を示す。
以上明らかな様に、本発明のA、B成分の化合物を組み
合わせることにより、室温を含む広い温かも傾き角の大
きな組成物が得られることが判明した。
(実施例2) 本発明に従って、下記の組成の強誘電性液晶組成物を調
整した。
9.5重量% 13重量% 前記、強誘電性液晶組成物の転移温度は、であり、25
℃において、Psは60nCcm−2傾き角は42℃、
応答時間は、310μSeeであルでは、らせん構造が
形成されない程長く配向性も良好であった。
以上のことから明らかな様に、本発明のA、 B成分の
化合物を組み合わせることによって、室温を含む広い温
度範囲においてS *相を示し、高速応答性を有し、し
かも傾き角が大きく、さらには、N 相、S *相のピ
ッチの長い強誘電性液晶組成物 物が得られることが判明した。
(実施例3) 実施例2にて調整した強誘電性液晶組成物に、次式 グ動作が観察された。
以上のことから本発明のA、B成分の化合物を組み合わ
せることによってコントラストの良いゲストホスト方式
に好適な強誘電性液晶組成物が得られることが判明した
〔発明の効果〕
本発明により、高速応答性を有し、しかも傾き角の大き
な強誘電性液晶組成物が得られ、該液晶組成物を用いる
ことにより、コントラストが良く、しかも高速応答性を
あわせもつゲストホスト型素子や、光路変換素子などの
液晶素子が得られる。
で表わされる、アントラキノン系色素D−16(BDH
社製)を3重量%添加して、ゲスト・ホスト型にした組
成物を調製した。この組成物を10μmのセルに注入し
、1枚の偏光子を偏光面が、分子軸に平行になる様に配
置し、0.5Hz。
50Vの低周波の交流を印加したところ、コントラスト
の良い(I:11.5)明瞭なスイツチン出願人代理人
  藤  本  博  光手続補正書 平成元年4月18日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記A、B2成分それぞれの少なくとも1種宛を併
    せ含有し、A、B2成分の含有量がそれぞれAが30〜
    95重量%、Bが5〜50重量%である強誘電性液晶組
    成物。 但しA成分は一般式( I )で表わされる化合物であり
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ( I 式中、R^1は炭素数1〜18のアルキル基また
    はアルコキシ基を示し、kは1または2の整数を示し、
    R^2は直鎖または分枝状のアルキル基を示す。) B成分は自発分極が10nCcm^−^2以上の強誘電
    性液晶性化合物である。 2、請求項1記載の一般式( I )の化合物のR^1が
    炭素数3〜14のアルキル基またはアルコキシ基であり
    、R^2が下記一般式(II)で表わされる光学活性基で
    ある強誘電性液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (II式中、lは0〜10の整数を示し、R^3は炭素数
    2〜10のアルキル基を示し、*は不斉炭素原子を示す
    。) 3、請求項2記載の一般式(II)において、lが2〜7
    の整数であり、R^3が炭素数2〜4のアルキル基であ
    る強誘電性液晶組成物。 4、請求項1、2または3のいずれかに記載の一般式(
    I )のR^1が炭素数3〜12のアルコキシ基である
    強誘電性液晶組成物。 5、請求項2、3または4のいずれかに記載の一般式(
    II)の基を含む化合物がラセミ体である強誘電性液晶組
    成物。 6、請求項1、2、3、4または5のいずれかに記載の
    B成分が下記一般式(III)で表わされる化合物である
    強誘電性液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (III式中、R^4は炭素数2〜14のアルキル基また
    はアルコキシ基を示し、mは1または2の整数、nは0
    または1の整数を示し、xは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    または▲数式、化学式、表等があります▼を示し、R^
    5は1つ以上の不斉炭素原子を有する光学活性基を示す
    。) 7、請求項6記載の一般式(III)の化合物において、
    R^5が下記一般式(IV)、(V)または(VI)で表わ
    される光学活性基である強誘電性液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(V) ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) (IV、V、VI式中、R^6、R^7、R^8は炭素数2
    〜10のアルキル基を示し、pは0または1の整数を示
    し、*は不斉炭素原子を示す。) 8、請求項1〜7のいずれかに記載の強誘電性液晶組成
    物の相転移系列が高温側から順に等方性液体→コレステ
    リック相→カイラルスメクチックC相を示す強誘電性液
    晶組成物。9、請求項1〜8のいずれかに記載の強誘電
    性液晶組成物を利用した光スイッチング素子。
JP1033290A 1989-02-13 1989-02-13 強誘電性液晶組成物 Expired - Lifetime JP2953624B2 (ja)

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