JPH0560250B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0560250B2 JPH0560250B2 JP59268813A JP26881384A JPH0560250B2 JP H0560250 B2 JPH0560250 B2 JP H0560250B2 JP 59268813 A JP59268813 A JP 59268813A JP 26881384 A JP26881384 A JP 26881384A JP H0560250 B2 JPH0560250 B2 JP H0560250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- polished
- wafer
- bonding
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、シリコンなどの半導体ウエーハ同士
を直接接着させる方法およびその方法に使用する
治具に関する。
を直接接着させる方法およびその方法に使用する
治具に関する。
鏡面研磨されたシリコンなどの二枚の半導体ウ
エーハを、その研磨面同士を清浄な条件下で接触
させると強固な接合体ウエーハが得られる。この
方法は、ウエーハ間に接着材等の異種物質を介在
させる必要がないため、その後の高温処理や各種
化学処理が自由にでき、またpn接合や誘電体埋
め込みも簡便にできる、といつた利点を有する。
エーハを、その研磨面同士を清浄な条件下で接触
させると強固な接合体ウエーハが得られる。この
方法は、ウエーハ間に接着材等の異種物質を介在
させる必要がないため、その後の高温処理や各種
化学処理が自由にでき、またpn接合や誘電体埋
め込みも簡便にできる、といつた利点を有する。
ところでこの方法で半導体ウエーハを接着させ
る場合、ウエーハの反り等のため周辺部が先に接
着し、接合部に気泡が取り残されることがしばし
ばある。この対策として、真空中で接着すること
が考えられる。しかしこれでは、装置が大掛りな
ものとなる。
る場合、ウエーハの反り等のため周辺部が先に接
着し、接合部に気泡が取り残されることがしばし
ばある。この対策として、真空中で接着すること
が考えられる。しかしこれでは、装置が大掛りな
ものとなる。
本発明は、半導体ウエーハ同士を内部に気泡を
残すことなく簡便に接着する方法およびその方法
に使用する治具を提供することを目的とする。
残すことなく簡便に接着する方法およびその方法
に使用する治具を提供することを目的とする。
本発明の方法は、鏡面研磨された二枚の半導体
ウエーハの研磨面同士を接着させるに当たつて、
少なくとも一方の半導体ウエーハをその研磨面中
央部が凸型となるようにたわませた状態でその凸
型面を他方の半導体ウエーハに接触させて、両ウ
エーハの接着を行なうことを特徴とする。
ウエーハの研磨面同士を接着させるに当たつて、
少なくとも一方の半導体ウエーハをその研磨面中
央部が凸型となるようにたわませた状態でその凸
型面を他方の半導体ウエーハに接触させて、両ウ
エーハの接着を行なうことを特徴とする。
本発明の治具は、上記のように一方に半導体研
磨面中央部を凸型にたわませて保持するためのも
のであり、表面中央部が凸型となるようにテーパ
面または曲面成型されその表面に開口する排気孔
を有する基台と、この基台に重ねられ、半導体ウ
エーハが載置される面の外周部に溝が形成されか
つその溝に沿つて前記基台の排気孔と連通する複
数個の排気孔が形成された弾性体からなるチヤツ
クを備える。そしてチヤツク上に載せられた半導
体ウエーハを、チヤツクの排気孔および基台の排
気孔を介して真空吸引することにより、チヤツク
と共に半導体ウエーハを基台の表面形状を反映し
て中央部が凸型となる状態で保持するようにした
ものである。
磨面中央部を凸型にたわませて保持するためのも
のであり、表面中央部が凸型となるようにテーパ
面または曲面成型されその表面に開口する排気孔
を有する基台と、この基台に重ねられ、半導体ウ
エーハが載置される面の外周部に溝が形成されか
つその溝に沿つて前記基台の排気孔と連通する複
数個の排気孔が形成された弾性体からなるチヤツ
クを備える。そしてチヤツク上に載せられた半導
体ウエーハを、チヤツクの排気孔および基台の排
気孔を介して真空吸引することにより、チヤツク
と共に半導体ウエーハを基台の表面形状を反映し
て中央部が凸型となる状態で保持するようにした
ものである。
本発明の方法および治具を用いれば、二枚の半
導体ウエーハ同士を内部に気泡が残らないように
接着して強固な接合体ウエーハを得ることができ
る。しかも真空中での接着と異なり、大掛りな装
置を要せず、極めて簡便に接着を行なうことがで
きる。
導体ウエーハ同士を内部に気泡が残らないように
接着して強固な接合体ウエーハを得ることができ
る。しかも真空中での接着と異なり、大掛りな装
置を要せず、極めて簡便に接着を行なうことがで
きる。
以下本発明の実施例を説明する。
第１図ａ〜ｃは一実施例の方法を説明するため
の図である。これらの図において、１１，１２は
接着すべき二枚の半導体ウエーハであり、それぞ
れの接着すべき面は鏡面研磨されている。１３は
一方の半導体ウエーハ１１を保持する治具であ
り、１４は他方の半導体ウエーハ１２を平坦に支
持する支持台である。第１図ａに示すように、治
具１３はその表面が中央部が凸型となるように曲
面加工されており、半導体ウエーハ１１はこの治
具１３により研磨面が中央部凸型となるように保
持される。このように保持された半導体ウエーハ
１１を、第１図ｂに示すように他方の半導体ウエ
ーハ１２に凸型の中央部から接触させ、治具１３
による半導体ウエーハ１１の保持を解除すること
により、第１図ｃに示すように、半導体ウエーハ
１１，１２を接着させる。
の図である。これらの図において、１１，１２は
接着すべき二枚の半導体ウエーハであり、それぞ
れの接着すべき面は鏡面研磨されている。１３は
一方の半導体ウエーハ１１を保持する治具であ
り、１４は他方の半導体ウエーハ１２を平坦に支
持する支持台である。第１図ａに示すように、治
具１３はその表面が中央部が凸型となるように曲
面加工されており、半導体ウエーハ１１はこの治
具１３により研磨面が中央部凸型となるように保
持される。このように保持された半導体ウエーハ
１１を、第１図ｂに示すように他方の半導体ウエ
ーハ１２に凸型の中央部から接触させ、治具１３
による半導体ウエーハ１１の保持を解除すること
により、第１図ｃに示すように、半導体ウエーハ
１１，１２を接着させる。
この方法によれば、二枚の半導体ウエーハ１
１，１２を残留ガスなしに全面確実に接着させ
て、強固な接合体ウエーハを得ることができる。
１，１２を残留ガスなしに全面確実に接着させ
て、強固な接合体ウエーハを得ることができる。
第２図ａ，ｂは、第１図で示したウエーハ保持
治具１３の具体的な構成例を示す。ａは平面図で
あり、ｂはそのＡ−A′断面図である。２４は金
属等でつくつた基台であり、表面中央部が凸型と
なるように曲面加工されており、表面に開口する
排気孔２５が形成されている。２１は基台２４上
に被せられる、半導体ウエーハを載置するための
ラバー・チヤツクである。このラバー・チヤツク
２１の表面にはその外周部に半導体ウエーハを保
持するための溝２２が形成され、この溝２２に沿
つて複数の排気孔２３が形成されている。基台２
４の下に排気管２６が設けられており、この排気
管２６を介してラバー・チヤツク２１上に載置さ
れた半導体ウエーハを真空吸引するようになつて
いる。
治具１３の具体的な構成例を示す。ａは平面図で
あり、ｂはそのＡ−A′断面図である。２４は金
属等でつくつた基台であり、表面中央部が凸型と
なるように曲面加工されており、表面に開口する
排気孔２５が形成されている。２１は基台２４上
に被せられる、半導体ウエーハを載置するための
ラバー・チヤツクである。このラバー・チヤツク
２１の表面にはその外周部に半導体ウエーハを保
持するための溝２２が形成され、この溝２２に沿
つて複数の排気孔２３が形成されている。基台２
４の下に排気管２６が設けられており、この排気
管２６を介してラバー・チヤツク２１上に載置さ
れた半導体ウエーハを真空吸引するようになつて
いる。
第３図はこの治具１３を用いて半導体ウエーハ
１１を保持した様子を示している。図示のよう
に、排気管２６を介して真空吸引することによ
り、排気孔２５，２３を介して半導体ウエーハ１
１の外周部が引張られてラバー・チヤツク２１が
基台２４の表面形状に従つてたわみ、この結果半
導体ウエーハ１１は中央部が凸型いなつた状態で
保持される。
１１を保持した様子を示している。図示のよう
に、排気管２６を介して真空吸引することによ
り、排気孔２５，２３を介して半導体ウエーハ１
１の外周部が引張られてラバー・チヤツク２１が
基台２４の表面形状に従つてたわみ、この結果半
導体ウエーハ１１は中央部が凸型いなつた状態で
保持される。
このようにして保持した半導体ウエーハ１１
を、第１図で説明したようにもう一方の半導体ウ
エーハ１２に接触させ、ラバー・チヤツク２１内
に空気等を少しずつ導入して半導体ウエーハ１１
のたわみを徐々に回復させる。これにより、接着
面は中央部から周辺部に向かつて広がり、気泡を
取り込むことなくウエーハ１１，１２を接着する
ことができる。
を、第１図で説明したようにもう一方の半導体ウ
エーハ１２に接触させ、ラバー・チヤツク２１内
に空気等を少しずつ導入して半導体ウエーハ１１
のたわみを徐々に回復させる。これにより、接着
面は中央部から周辺部に向かつて広がり、気泡を
取り込むことなくウエーハ１１，１２を接着する
ことができる。
本発明は上記実施例に限られない。例えば第１
図の方法では、半導体ウエーハ１２は平坦に支持
したが、これも半導体ウエーハ１１と同様に中央
部が凸型となるようにたわませて保持してもよ
い。また第１図において、支持台１４をゴムなど
の弾性体とし、ｂの状態から治具１３を押しつけ
る荷重を増すことにより両ウエーハ１１，１２の
接触面積を徐々に増していく、という方法をとつ
てもよい。さらに本発明の方法において、半導体
ウエーハをたわませるには、例えばウエーハの周
辺を機械的に保持し中央部を押すことによつても
可能である。
図の方法では、半導体ウエーハ１２は平坦に支持
したが、これも半導体ウエーハ１１と同様に中央
部が凸型となるようにたわませて保持してもよ
い。また第１図において、支持台１４をゴムなど
の弾性体とし、ｂの状態から治具１３を押しつけ
る荷重を増すことにより両ウエーハ１１，１２の
接触面積を徐々に増していく、という方法をとつ
てもよい。さらに本発明の方法において、半導体
ウエーハをたわませるには、例えばウエーハの周
辺を機械的に保持し中央部を押すことによつても
可能である。
また第２図のウエーハ保持治具において、ラバ
ー・チヤツク２１は他の弾性材料を用いて構成す
ることができる。また基台２４の表面は必ずしも
曲面でなくてもよく、例えば中央部が凸型となる
テーパ面であつてもよい。
ー・チヤツク２１は他の弾性材料を用いて構成す
ることができる。また基台２４の表面は必ずしも
曲面でなくてもよく、例えば中央部が凸型となる
テーパ面であつてもよい。
第１図ａ〜ｃは本発明の一実施例の方法を説明
するための図、第２図ａ，ｂはその方法に使用し
たウエーハ保持治具を示す図、第３図はこの保持
治具によりウエーハを保持した様子を示す図であ
る。 １１，１２……半導体ウエーハ、１３……ウエ
ーハ保持治具、１４……ウエーハ支持台、２１…
…ラバー・チヤツク、２２……溝、２３……排気
孔、２４……基台、２５……排気孔、２６……排
気管。
するための図、第２図ａ，ｂはその方法に使用し
たウエーハ保持治具を示す図、第３図はこの保持
治具によりウエーハを保持した様子を示す図であ
る。 １１，１２……半導体ウエーハ、１３……ウエ
ーハ保持治具、１４……ウエーハ支持台、２１…
…ラバー・チヤツク、２２……溝、２３……排気
孔、２４……基台、２５……排気孔、２６……排
気管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鏡面研磨された二枚の半導体ウエーハの研磨
面同士を清浄な条件下で直接接着させて接合体ウ
エーハを得る方法において、少なくとも一方の半
導体ウエーハの研磨面を、中央部が凸型となるよ
うにたわませて他方の半導体ウエーハの研磨面に
接触させて接着を行なうことを特徴とする半導体
ウエーハの接着方法。 ２ 鏡面研磨された二枚の半導体ウエーハの研磨
面同士を清浄な条件下で直接接着させて接合体ウ
エーハを得るための治具であつて、表面中央部が
凸型となるようにテーパ面または曲面成型され、
その表面に開口する排気孔を有する基台と、この
基台に重ねられ、半導体ウエーハが載置される面
の外周部に溝が形成されかつその溝に沿つて前記
基台の排気孔と連通する複数個の排気孔が形成さ
れた弾性体からなるチヤツクとを備え、前記チヤ
ツク上に載せられた半導体ウエーハを、チヤツク
の排気孔および基台の排気孔を介して真空吸引し
てその中央部が凸型となる状態で保持するように
したことを特徴とする半導体ウエーハの接着治
具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59268813A JPS61145839A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59268813A JPS61145839A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145839A JPS61145839A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0560250B2 true JPH0560250B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=17463609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59268813A Granted JPS61145839A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145839A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271215A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | ウエハ接合装置 |
| JP2642645B2 (ja) * | 1987-11-19 | 1997-08-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2589994B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1997-03-12 | 富士通株式会社 | ウェーハの接着方法 |
| US4837177A (en) * | 1987-12-28 | 1989-06-06 | Motorola Inc. | Method of making bipolar semiconductor device having a conductive recombination layer |
| US6635941B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of semiconductor device with improved reliability |
| TWI283906B (en) * | 2001-12-21 | 2007-07-11 | Esec Trading Sa | Pick-up tool for mounting semiconductor chips |
| AU2002307578A1 (en) | 2002-04-30 | 2003-12-02 | Agency For Science Technology And Research | A method of wafer/substrate bonding |
| US7361593B2 (en) | 2002-12-17 | 2008-04-22 | Finisar Corporation | Methods of forming vias in multilayer substrates |
| US7259466B2 (en) | 2002-12-17 | 2007-08-21 | Finisar Corporation | Low temperature bonding of multilayer substrates |
| FR2860178B1 (fr) * | 2003-09-30 | 2005-11-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de separation de plaques collees entre elles pour constituer une structure empilee. |
| US7650688B2 (en) | 2003-12-31 | 2010-01-26 | Chippac, Inc. | Bonding tool for mounting semiconductor chips |
| US7153759B2 (en) | 2004-04-20 | 2006-12-26 | Agency For Science Technology And Research | Method of fabricating microelectromechanical system structures |
| US8206525B2 (en) * | 2006-06-29 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Wafer bonding apparatus |
| JP5282100B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法 |
| US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
| JP6501447B2 (ja) | 2013-03-26 | 2019-04-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 貼合装置および貼合基板の製造方法 |
| US10586727B2 (en) | 2013-09-25 | 2020-03-10 | Shibaura Mechatronics Corporation | Suction stage, lamination device, and method for manufacturing laminated substrate |
| EP3640975B1 (de) * | 2017-09-21 | 2024-11-20 | EV Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP59268813A patent/JPS61145839A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145839A (ja) | 1986-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |