JPS5926596Y2 - ウエ−ハ取扱い治具 - Google Patents
ウエ−ハ取扱い治具Info
- Publication number
- JPS5926596Y2 JPS5926596Y2 JP3043080U JP3043080U JPS5926596Y2 JP S5926596 Y2 JPS5926596 Y2 JP S5926596Y2 JP 3043080 U JP3043080 U JP 3043080U JP 3043080 U JP3043080 U JP 3043080U JP S5926596 Y2 JPS5926596 Y2 JP S5926596Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weber
- arm
- webbers
- diffusion
- webers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Gripping Jigs, Holding Jigs, And Positioning Jigs (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体ウェーバ等のウェーバを取扱う治具に関
するものである。
するものである。
一般に、トランジスタ等の半導体装置の製造工程には半
導体ウェーバに適当な不純物領域を形成する拡散工程や
、半導体ウェーバに酸化膜や窒化膜等を形成する工程な
どがある。
導体ウェーバに適当な不純物領域を形成する拡散工程や
、半導体ウェーバに酸化膜や窒化膜等を形成する工程な
どがある。
この半導体つ工−ハの拡散工程は従来では第1図に示す
ような装置で行っていた。
ような装置で行っていた。
即ち、第1図の1は複数枚の半導体ウェーバ(以下、単
にウェーバと称す)、2は複数のウェーバ1を定ピツチ
lで1枚ずつ離して植立支持するボート、3は炉心管、
4は炉心管3の一関目端を適宜閉塞する蓋体、5は炉心
管3の外周面上に装着されたヒーターである。
にウェーバと称す)、2は複数のウェーバ1を定ピツチ
lで1枚ずつ離して植立支持するボート、3は炉心管、
4は炉心管3の一関目端を適宜閉塞する蓋体、5は炉心
管3の外周面上に装着されたヒーターである。
この装置による拡散動作は、まず炉心管3内に複数のウ
ェーバ1をボート2で支持して収納配置しておいて、炉
心管3の一端を蓋体4で閉し、その後にヒーター5で炉
心管3内部を高温加熱する。
ェーバ1をボート2で支持して収納配置しておいて、炉
心管3の一端を蓋体4で閉し、その後にヒーター5で炉
心管3内部を高温加熱する。
次に炉心管3の他の開口端よりキャリアガス6や不純物
拡散に必要なドーパントガス7を炉心管3内に供給して
熱分解し、各ウェーバ1の片面に不純物を拡散する。
拡散に必要なドーパントガス7を炉心管3内に供給して
熱分解し、各ウェーバ1の片面に不純物を拡散する。
尚、不要となったガス8は蓋体4に設けた排気口9から
排出する。
排出する。
ところで、いま例えばウェーバ1かNPN型トランジス
タの製造に用いられる場合、このウェーバ1は始めの状
態が第2図に示すように高濃度のN+型領領域片面側に
低濃度のN−型領域を形成したものが使用される。
タの製造に用いられる場合、このウェーバ1は始めの状
態が第2図に示すように高濃度のN+型領領域片面側に
低濃度のN−型領域を形成したものが使用される。
そして、N+型領領域表面上に予め酸化膜10を被着形
成しておいてから、ウェーバ1を炉心管3内に入れ、上
記要領で1回目の拡散、つまり第3図に示すようにN−
型領域の片面側からベース電極としてのP型領域を拡散
形成する。
成しておいてから、ウェーバ1を炉心管3内に入れ、上
記要領で1回目の拡散、つまり第3図に示すようにN−
型領域の片面側からベース電極としてのP型領域を拡散
形成する。
この時、N+型領領域酸化膜10で保護されているから
、ここにP型領域が拡散されることはない。
、ここにP型領域が拡散されることはない。
次に、このウェーバ1を炉心管3から取出し、P型領域
の表面上に酸化膜を形成しこの酸化膜に適当なパターン
の窓孔を形成してから再びウェーバ1を炉心管3に入れ
て、2回目の拡散、即ちP型領域にエミッタ電極として
のN型領域を選択拡散形成している。
の表面上に酸化膜を形成しこの酸化膜に適当なパターン
の窓孔を形成してから再びウェーバ1を炉心管3に入れ
て、2回目の拡散、即ちP型領域にエミッタ電極として
のN型領域を選択拡散形成している。
このように、ウェーバの片面に不純物を拡散する場合、
ウェーバの拡散しない片面だけに酸化膜を予め形成して
、両面拡散を防止する工夫が必要であった。
ウェーバの拡散しない片面だけに酸化膜を予め形成して
、両面拡散を防止する工夫が必要であった。
しかし、この片面だけの酸化膜形成は煩雑で、例えばま
すウェーバの両面に酸化膜を形成してから片面の酸化膜
上にワックスを塗布し、その後にワックスのない他の面
の酸化膜をエツチングで除去してから、塗布されたワッ
クスを除去する等の多くの工程を必要とし、作業性が悪
かった。
すウェーバの両面に酸化膜を形成してから片面の酸化膜
上にワックスを塗布し、その後にワックスのない他の面
の酸化膜をエツチングで除去してから、塗布されたワッ
クスを除去する等の多くの工程を必要とし、作業性が悪
かった。
そこで上記欠点を除去する工夫として、第4図に示すよ
うにボート11上に2枚のウェーバ12a、12bを背
面合せで重ねたものを定ピツチl′で複数組を植立支持
することが提案されている。
うにボート11上に2枚のウェーバ12a、12bを背
面合せで重ねたものを定ピツチl′で複数組を植立支持
することが提案されている。
例えば、ウェーバ12 a 、12 bが前述したNP
N型トランシスターの製造に用いられる場合は、各ウェ
ーバ12 a 、12 bの両面の酸化膜を除去してか
ら、夫々のN+型領領域ある背面を重ね、夫々のN−型
領域のある前面を表に出す。
N型トランシスターの製造に用いられる場合は、各ウェ
ーバ12 a 、12 bの両面の酸化膜を除去してか
ら、夫々のN+型領領域ある背面を重ね、夫々のN−型
領域のある前面を表に出す。
このようにすれば各ウェーバ12a、12bが互いに相
手のN+型領領域の不純物拡散を防止して、各ウェーバ
12 a 、12 bは同時に所要の片面拡散がなされ
る。
手のN+型領領域の不純物拡散を防止して、各ウェーバ
12 a 、12 bは同時に所要の片面拡散がなされ
る。
又、この種ウェーバ12 a 、12 bの厚さは薄く
、従って2枚重ねてボート11上に配列してもそのピッ
チ幅l′は第1図で示した1枚のウェーバのピッチ幅l
とはほとんど変らない。
、従って2枚重ねてボート11上に配列してもそのピッ
チ幅l′は第1図で示した1枚のウェーバのピッチ幅l
とはほとんど変らない。
そのため第1図と比べ、ウェーバを2枚重ねると同一寸
法のボート上に約2倍の数のウェーバが支持されて熱処
理され、作業能率が著しく向上する。
法のボート上に約2倍の数のウェーバが支持されて熱処
理され、作業能率が著しく向上する。
ところで、第4図の2枚のウェーバ12 a 、12
bを熱処理後にボート11から取外す場合、各ウェーバ
12a、12bは夫々反対方向になっているため、1枚
ずつに離して方向を揃えてから他の治具へ整列させる必
要がある。
bを熱処理後にボート11から取外す場合、各ウェーバ
12a、12bは夫々反対方向になっているため、1枚
ずつに離して方向を揃えてから他の治具へ整列させる必
要がある。
この2枚重ねのウェーバ12a、12bを離してボート
11から取外すものとして、従来は第5図に示すような
ピンセット13を使用していた。
11から取外すものとして、従来は第5図に示すような
ピンセット13を使用していた。
つまり、この種ウェーバ12a、12bのエツジは割れ
や欠けを防止するため予め面取りがなされている。
や欠けを防止するため予め面取りがなされている。
そこで、この2枚重ねのウェーバ12 a 、12 b
の対向する面取り部分にピンセット13をこじ入れて各
ウェーバ12a、12bを離隔せしめ、まず一方のウェ
ーバ12a或は12 bをピンセット13で゛取出すよ
うにしていた。
の対向する面取り部分にピンセット13をこじ入れて各
ウェーバ12a、12bを離隔せしめ、まず一方のウェ
ーバ12a或は12 bをピンセット13で゛取出すよ
うにしていた。
しかし、ウェーバ12 a 、12 bは薄いものであ
り、これをピンセット13で1枚ずつ挾んで取出してい
ては非常に作業性が悪く、而もピンセット13でウェー
バ表面を傷付ける恐れがあった。
り、これをピンセット13で1枚ずつ挾んで取出してい
ては非常に作業性が悪く、而もピンセット13でウェー
バ表面を傷付ける恐れがあった。
本考案は上記ピンセットによるウェーバ取扱い上の問題
点に鑑み、これを解決したもので、ウェーバを真空吸着
する取扱い治具を提供する。
点に鑑み、これを解決したもので、ウェーバを真空吸着
する取扱い治具を提供する。
以下、本考案を実施例でもって説明する。
第6図に於て、14.15は二本の管状のアーム、16
.17は各アーム14.15の開口した先端部に対向さ
せて装着した吸着部、18は各アーム14.15の一端
部に連結された真空引き用の支持アームで、この支持ア
ーム18と各アーム14.15の内部は連通している。
.17は各アーム14.15の開口した先端部に対向さ
せて装着した吸着部、18は各アーム14.15の一端
部に連結された真空引き用の支持アームで、この支持ア
ーム18と各アーム14.15の内部は連通している。
又、各アーム14.15は支持アーム18との連結部を
支点に揺動するように取付けられている。
支点に揺動するように取付けられている。
又、19は各アーム14.15の対向する内側面に両端
が固定されたスプリングで、各アーム14.15を常時
押し拡げる作用をする。
が固定されたスプリングで、各アーム14.15を常時
押し拡げる作用をする。
又、20は各アーム14.15の最大拡がり角度を調整
するストッパーで、例えば各アーム14.15に突設し
た耳部(図示せず)を貫通する1本のネジ棒21の両端
部にナツト22 、23を螺装した構成にする。
するストッパーで、例えば各アーム14.15に突設し
た耳部(図示せず)を貫通する1本のネジ棒21の両端
部にナツト22 、23を螺装した構成にする。
すると各アーム14゜15はスプリング19でナラ)
22.23の位置まで押し拡げられて停止する。
22.23の位置まで押し拡げられて停止する。
上記吸着部16.17は、例えば中央部に穴24.25
を穿設したゴム等の弾性のある吸着盤26.27を各ア
ーム14.15の開口先端部に前記穴24.25が連通
ずるように取付ける。
を穿設したゴム等の弾性のある吸着盤26.27を各ア
ーム14.15の開口先端部に前記穴24.25が連通
ずるように取付ける。
すると、支持アーム18内を第6図矢印方向に真空引き
すると、外部の空気は吸着盤26.27の穴24.25
から各アーム14.15内を通って支持アーム18へと
流れて、吸着盤26.27が後述要領で、ウェーバを真
空吸着する。
すると、外部の空気は吸着盤26.27の穴24.25
から各アーム14.15内を通って支持アーム18へと
流れて、吸着盤26.27が後述要領で、ウェーバを真
空吸着する。
尚、各吸着盤26.27は外力に応じて任意に角度が変
化するように取付けると便利である。
化するように取付けると便利である。
次に上記構成によるウェーバ取扱い動作を第7図及び第
8図を参照して説明する。
8図を参照して説明する。
まず各アーム14.15に外力を加えず、最大角度開か
せて、各吸着部16.17を十分な間隔をもって対向さ
せておく。
せて、各吸着部16.17を十分な間隔をもって対向さ
せておく。
次に各吸着物16.17を2枚重ねのウェーバ28.2
9の両側方に位置させてから、作業員の手でもって各ア
ーム14.15を閉じていく。
9の両側方に位置させてから、作業員の手でもって各ア
ーム14.15を閉じていく。
この時、真空引き動作を併行して行う。
すると、吸着部16.17の各吸着盤26.27が各ウ
ェーバ28.29の側面に接触した時点で、各ウェーバ
28.29は夫々の吸着盤26.27に真空吸着される
(第7図参照)。
ェーバ28.29の側面に接触した時点で、各ウェーバ
28.29は夫々の吸着盤26.27に真空吸着される
(第7図参照)。
そして、ウェーバ28.29の吸着が完了すると、各ア
ーム14.15から手をフリーにする。
ーム14.15から手をフリーにする。
すると各アーム14.15はスプリング19のバネ力で
元の位置まで拡がり、この時各ウェーバ28.29も吸
着盤26.27と共に移動して、2枚重ねのものが1枚
ずつに引き離される(第8図参照)。
元の位置まで拡がり、この時各ウェーバ28.29も吸
着盤26.27と共に移動して、2枚重ねのものが1枚
ずつに引き離される(第8図参照)。
後は適当な時点で真空引きを止めれば各吸着盤26.2
7からウェーバ28.29が夫々に取外される。
7からウェーバ28.29が夫々に取外される。
尚、この真空引きの0N−OFF操作は、例えば作業台
の下に足ペダルを置いて、この足ペダルを作業員が適当
に踏んだり外したりすることによって行えばよい。
の下に足ペダルを置いて、この足ペダルを作業員が適当
に踏んだり外したりすることによって行えばよい。
又、別の方法として、例えば上記アーム14.15の一
部に作業員の指で簡単に開閉できる穴を内部の空気流通
路と連結して穿設しておき、ウェーバ28.29を真空
吸着する時はこの穴を指で閉じ、ウェーバ28゜29の
真空吸着を止める時は穴から指を離して内部を大気に開
放させるようにしてもよい。
部に作業員の指で簡単に開閉できる穴を内部の空気流通
路と連結して穿設しておき、ウェーバ28.29を真空
吸着する時はこの穴を指で閉じ、ウェーバ28゜29の
真空吸着を止める時は穴から指を離して内部を大気に開
放させるようにしてもよい。
尚、本考案は2枚重ねのウェーバを吸着して弓き離す操
作に限らず、例えば3枚重ねのウェーバを一度に1枚ず
つに分離させる操作にも利用できる。
作に限らず、例えば3枚重ねのウェーバを一度に1枚ず
つに分離させる操作にも利用できる。
又、ウェーバは半導体装置の製造に於ける拡散工程に使
用する半導体ウェーバに限らず、酸化膜形成工程等に使
用する半導体ウェーバでもよい。
用する半導体ウェーバに限らず、酸化膜形成工程等に使
用する半導体ウェーバでもよい。
更に、ウェーバは半導体に限らず、他の金属や絶縁材か
らなるウェーバであってもよい。
らなるウェーバであってもよい。
以上説明したように、本考案によれば二本のアームを片
手で開閉するだけで重ねたウェーバを簡単に引き離すこ
とができ、ピンセットでウェーバを1枚ずつ取出してい
たのに比べ、非常に作業性が良くなり、而もウェーバを
真空吸着するためウェーバを傷付ける心配がなくなる。
手で開閉するだけで重ねたウェーバを簡単に引き離すこ
とができ、ピンセットでウェーバを1枚ずつ取出してい
たのに比べ、非常に作業性が良くなり、而もウェーバを
真空吸着するためウェーバを傷付ける心配がなくなる。
第1図は半導体ウェーバの拡散装置の一例を示す断面図
、第2図は第1図要部の拡散前の拡大断面図、第3図は
第1図要部の拡散後の拡大断面図、第4図は本考案によ
る治具で取扱われるウェーバの前提となる2枚重ねウェ
ーバとその支持部材の一部断面図、第5図は2枚重ねウ
ェーバを分離する従来治具を説明する要部側面図、第6
図は本考案による治具の実施例を示す一部断面側面図、
第7図及び第8図は第6図に示す治具の動作を説明する
各動作時の側面図である。 14.15・・・・・・アーム、16.17・・・・・
・吸着部、28.29・・・・・・ウェーバ。
、第2図は第1図要部の拡散前の拡大断面図、第3図は
第1図要部の拡散後の拡大断面図、第4図は本考案によ
る治具で取扱われるウェーバの前提となる2枚重ねウェ
ーバとその支持部材の一部断面図、第5図は2枚重ねウ
ェーバを分離する従来治具を説明する要部側面図、第6
図は本考案による治具の実施例を示す一部断面側面図、
第7図及び第8図は第6図に示す治具の動作を説明する
各動作時の側面図である。 14.15・・・・・・アーム、16.17・・・・・
・吸着部、28.29・・・・・・ウェーバ。
Claims (1)
- 所定角度の範囲内で開閉し、内部が適宜真空引きされる
二本の管状アームと、各アームの開口先端部に対向して
配設され、ウェーバを真空吸着する吸着部とを具備した
ことを特徴とするウェーバ取扱い治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043080U JPS5926596Y2 (ja) | 1980-03-08 | 1980-03-08 | ウエ−ハ取扱い治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043080U JPS5926596Y2 (ja) | 1980-03-08 | 1980-03-08 | ウエ−ハ取扱い治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56132753U JPS56132753U (ja) | 1981-10-08 |
| JPS5926596Y2 true JPS5926596Y2 (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=29626322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043080U Expired JPS5926596Y2 (ja) | 1980-03-08 | 1980-03-08 | ウエ−ハ取扱い治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5926596Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-03-08 JP JP3043080U patent/JPS5926596Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56132753U (ja) | 1981-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910009451B1 (ko) | 진공핀셋 | |
| US20020025652A1 (en) | Method and apparatus for processing composite member | |
| JPH09181153A (ja) | 半導体ウェーハ固定装置 | |
| JPS6099538A (ja) | ピンチヤツク | |
| JP3748375B2 (ja) | 半導体チップのピックアップ装置 | |
| JPS6271215A (ja) | ウエハ接合装置 | |
| JPS61145839A (ja) | 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具 | |
| JP4197874B2 (ja) | 低拡張率エキスパンダおよび拡張フィルムシート固定方法 | |
| JPS5926596Y2 (ja) | ウエ−ハ取扱い治具 | |
| EP1605076A3 (en) | Method for preventing contamination during the fabrication of a semiconductor device | |
| JPH05152549A (ja) | 半導体素子形成用基板の製造方法 | |
| JP2569175Y2 (ja) | ベローズ形ウェーハ真空チャック | |
| JP2726861B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS58155736A (ja) | 半導体基板用ハンドリング装置 | |
| JPS6252929U (ja) | ||
| JPH0217480Y2 (ja) | ||
| JPS6116693Y2 (ja) | ||
| JPS63245935A (ja) | ペレツトボンデイング装置 | |
| JPH0566988U (ja) | 真空チャック | |
| JPS59134848A (ja) | ウエハ−チヤツク | |
| JPS6174336A (ja) | ウエハチヤツク | |
| JPH0235734A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003179003A (ja) | 真空吸着式エキスパンダおよび拡張フィルムシート固定方法 | |
| JPS5658241A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH07122584A (ja) | 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット |