JPH0562881A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH0562881A JPH0562881A JP4015526A JP1552692A JPH0562881A JP H0562881 A JPH0562881 A JP H0562881A JP 4015526 A JP4015526 A JP 4015526A JP 1552692 A JP1552692 A JP 1552692A JP H0562881 A JPH0562881 A JP H0562881A
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- light
- optical system
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- wafer
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 投影レンズの種類を問わず、大気の揺らぎや
振動・熱等の環境変化に対して安定な小型高精度位置合
わせ光学系を有する露光装置を実現すること。 【構成】 位置合わせ光学系は光源光学系2、位置ずれ
検出光学系3、受光光学系4からなり、3つの光学系が
互いに偏波面保持光ファイバ20,21、マルチモード
光ファイバ28,29により結合されている。投影レン
ズ7は露光光6により照明されたレチクル5上のパター
ンをウェハ1上に結像する。位置ずれ検出光学系3は極
めて小型に作られているため、投影レンズ7の真下にお
くことができ、露光光6を蹴ることなくウェハ1の間近
でウェハ1の位置合わせを行なうことができる。
振動・熱等の環境変化に対して安定な小型高精度位置合
わせ光学系を有する露光装置を実現すること。 【構成】 位置合わせ光学系は光源光学系2、位置ずれ
検出光学系3、受光光学系4からなり、3つの光学系が
互いに偏波面保持光ファイバ20,21、マルチモード
光ファイバ28,29により結合されている。投影レン
ズ7は露光光6により照明されたレチクル5上のパター
ンをウェハ1上に結像する。位置ずれ検出光学系3は極
めて小型に作られているため、投影レンズ7の真下にお
くことができ、露光光6を蹴ることなくウェハ1の間近
でウェハ1の位置合わせを行なうことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、あるパターンを投影光
学系を介して物体上に転写する露光装置に関する。
学系を介して物体上に転写する露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、技術革新の原動力となった半導体
装置はますます高密度化され、各々の素子の微細パター
ンは0.5μm以下に及ぼうとしている。このような微
細パターンの露光において、半導体製造時に必要とされ
るような多数回にわたる重ね合わせ露光を行なうために
は、各露光間の位置合わせが極めて大切であり、その重
ね合わせ精度は0.1μm以下が必要とされる。このよ
うな位置合わせ方法の従来例として、例えば特開昭63
−78004号公報に記載の構成が知られている。
装置はますます高密度化され、各々の素子の微細パター
ンは0.5μm以下に及ぼうとしている。このような微
細パターンの露光において、半導体製造時に必要とされ
るような多数回にわたる重ね合わせ露光を行なうために
は、各露光間の位置合わせが極めて大切であり、その重
ね合わせ精度は0.1μm以下が必要とされる。このよ
うな位置合わせ方法の従来例として、例えば特開昭63
−78004号公報に記載の構成が知られている。
【0003】以下、図15を参照して従来の露光装置に
ついて説明する。図15において、高精度な位置合わせ
を実現するために、レチクル114面上に形成された1
対の第1の格子110,110’によって波面分割され
た光束のうち、第1のレンズ115,115’のスペク
トル面付近に設けた空間フィルタ116,116’によ
って所定のスペクトルを選択的に通過させ、さらに第2
のレンズ系117,117’および投影レンズ119を
通過させ、ウェハ118上に設けた1対の第2の格子1
21,121’上に投影する。ウェハ118上の第2の
格子121,121’に2光束を適当な方向から投影す
ると、回折光同士が重なった方向に回折され、各々が干
渉する。この干渉した1対の回折光122,122’を
逆方向に投影レンズ119,第2のレンズ117,11
7’中を通過させ、その回折光強度を光検出器123,
123’で検出し、それらの差がゼロとなるようにウェ
ハ118を移動させることで、レチクル114とウェハ
118との高精度な位置合わせが可能となる。
ついて説明する。図15において、高精度な位置合わせ
を実現するために、レチクル114面上に形成された1
対の第1の格子110,110’によって波面分割され
た光束のうち、第1のレンズ115,115’のスペク
トル面付近に設けた空間フィルタ116,116’によ
って所定のスペクトルを選択的に通過させ、さらに第2
のレンズ系117,117’および投影レンズ119を
通過させ、ウェハ118上に設けた1対の第2の格子1
21,121’上に投影する。ウェハ118上の第2の
格子121,121’に2光束を適当な方向から投影す
ると、回折光同士が重なった方向に回折され、各々が干
渉する。この干渉した1対の回折光122,122’を
逆方向に投影レンズ119,第2のレンズ117,11
7’中を通過させ、その回折光強度を光検出器123,
123’で検出し、それらの差がゼロとなるようにウェ
ハ118を移動させることで、レチクル114とウェハ
118との高精度な位置合わせが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、露光光とアライメント光がほぼ同波長
であり、投影光学系が両者に対して同様に良好な結像性
能を発揮する場合のみ有効であるという問題がある。例
えば、将来露光光の主流となると期待されているエキシ
マレーザ等の紫外光に対しては、屈折光学系を構成する
ための硝子材料が限られているため、色収差を補正した
色消し投影光学系を構成することは極めて困難である。
このため、色収差を補正した色消し投影光学系は露光波
長でのみ十分に色補正されるように設計され、他の波長
の光に対しては非常に大きな色収差を示し、アライメン
ト光が投影レンズを通るようなアライメント系の構成は
非常に難しくなる。また、仮にアライメント光が投影レ
ンズを通らないような構成にすると、投影レンズはウェ
ハ上に覆いかぶさるように配置される装置構成から、ウ
ェハの露光位置と位置合わせする位置とが大きく離れる
ことになり、重ね合わせ精度が低下してしまうという問
題がある。
ような構成では、露光光とアライメント光がほぼ同波長
であり、投影光学系が両者に対して同様に良好な結像性
能を発揮する場合のみ有効であるという問題がある。例
えば、将来露光光の主流となると期待されているエキシ
マレーザ等の紫外光に対しては、屈折光学系を構成する
ための硝子材料が限られているため、色収差を補正した
色消し投影光学系を構成することは極めて困難である。
このため、色収差を補正した色消し投影光学系は露光波
長でのみ十分に色補正されるように設計され、他の波長
の光に対しては非常に大きな色収差を示し、アライメン
ト光が投影レンズを通るようなアライメント系の構成は
非常に難しくなる。また、仮にアライメント光が投影レ
ンズを通らないような構成にすると、投影レンズはウェ
ハ上に覆いかぶさるように配置される装置構成から、ウ
ェハの露光位置と位置合わせする位置とが大きく離れる
ことになり、重ね合わせ精度が低下してしまうという問
題がある。
【0005】本発明は、このような従来の問題を解決す
るものであり、アライメント光学系を小型化し、これを
投影レンズと結像面上の物体との中間に置くことを可能
とし、このアライメント系により物体の位置合わせが高
精度で行なえるようにした露光装置を提供することを目
的とする。
るものであり、アライメント光学系を小型化し、これを
投影レンズと結像面上の物体との中間に置くことを可能
とし、このアライメント系により物体の位置合わせが高
精度で行なえるようにした露光装置を提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、コヒーレントなアライメント光を出射す
る光源光学系と、前記アライメント光を物体上に照射し
て戻ってきた回折光を受光する位置ずれ検出光学系と、
受光した回折光を検出する受光光学系と、前記3つの光
学系を順に結合する柔軟性を有する光導波路とを備えた
ものである。
成するために、コヒーレントなアライメント光を出射す
る光源光学系と、前記アライメント光を物体上に照射し
て戻ってきた回折光を受光する位置ずれ検出光学系と、
受光した回折光を検出する受光光学系と、前記3つの光
学系を順に結合する柔軟性を有する光導波路とを備えた
ものである。
【0007】
【作用】したがって、本発明によれば、位置ずれ検出光
学系と光源光学系と受光光学系を柔軟性を有する光導波
路で結合することにより、位置ずれ検出光学系を小型化
し、装置への実装を容易にすることができる。しがたっ
て、極めて限られたスペースしかない投影レンズ直下に
位置ずれ検出光学系を配置することができ、振動・大気
の影響や装置の熱変形の影響を極小化した高精度なアラ
イメント系を有する露光装置を実現することができる。
学系と光源光学系と受光光学系を柔軟性を有する光導波
路で結合することにより、位置ずれ検出光学系を小型化
し、装置への実装を容易にすることができる。しがたっ
て、極めて限られたスペースしかない投影レンズ直下に
位置ずれ検出光学系を配置することができ、振動・大気
の影響や装置の熱変形の影響を極小化した高精度なアラ
イメント系を有する露光装置を実現することができる。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図1は本発明の実施例における露光装置の
基本構成を示す概略構成図であり、X,Y,θの3軸の
位置合わせ系のうちX方向の1軸について示したもので
ある。図2は本発明の第1の実施例に用いられるウェハ
の位置ずれ検出を行なう位置ずれ検出光学系の概略構成
図、図3は同じく第1の実施例に用いられるレーザ光源
から出射されるレーザ光を光ファイバに結合させる光源
光学系の概略構成図である。図4は図3で示したレーザ
光源の詳細図、図5は第1の実施例におけるコリメータ
レンズの空間フィルタとしての働きを示す模式図、図6
は第1の実施例に用いられるウェハからの回折光を受光
するための受光光学系の概略構成図である。
て説明する。図1は本発明の実施例における露光装置の
基本構成を示す概略構成図であり、X,Y,θの3軸の
位置合わせ系のうちX方向の1軸について示したもので
ある。図2は本発明の第1の実施例に用いられるウェハ
の位置ずれ検出を行なう位置ずれ検出光学系の概略構成
図、図3は同じく第1の実施例に用いられるレーザ光源
から出射されるレーザ光を光ファイバに結合させる光源
光学系の概略構成図である。図4は図3で示したレーザ
光源の詳細図、図5は第1の実施例におけるコリメータ
レンズの空間フィルタとしての働きを示す模式図、図6
は第1の実施例に用いられるウェハからの回折光を受光
するための受光光学系の概略構成図である。
【0009】図1において、1は位置合わせされる物体
であるウェハ、2はアライメント光を発生する光源光学
系、3はアライメント光をウェハ1上に照射する位置ず
れ検出光学系、4はウェハ1の位置ずれ情報を有するア
ライメント光を受光する受光光学系である。5は露光の
原盤であるレチクル、6は露光光、7は投影レンズ、8
はアライメント光である。20,21は光源光学系2と
位置ずれ検出光学系3とを結ぶ第1の光ファイバである
偏波面保持光ファイバ、28,29は位置ずれ検出光学
系3と受光光学系4とを結ぶ第2の光ファイバであるマ
ルチモード光ファイバであり、それぞれ柔軟性を有する
光導波路を構成する。
であるウェハ、2はアライメント光を発生する光源光学
系、3はアライメント光をウェハ1上に照射する位置ず
れ検出光学系、4はウェハ1の位置ずれ情報を有するア
ライメント光を受光する受光光学系である。5は露光の
原盤であるレチクル、6は露光光、7は投影レンズ、8
はアライメント光である。20,21は光源光学系2と
位置ずれ検出光学系3とを結ぶ第1の光ファイバである
偏波面保持光ファイバ、28,29は位置ずれ検出光学
系3と受光光学系4とを結ぶ第2の光ファイバであるマ
ルチモード光ファイバであり、それぞれ柔軟性を有する
光導波路を構成する。
【0010】以上のような構成において、以下その動作
について説明する。本実施例における位置合わせ光学系
は、光源光学系2、位置ずれ検出光学系3、受光光学系
4からなり、3つの光学系が互いに偏波面保持光ファイ
バ20,21、マルチモード光ファイバ28、29によ
り結合されている。また、投影レンズ7は露光光6によ
り照明されたレチクル5上のパターンをウェハ1上に結
像する。この結像は、通常5:1程度の縮小光学系のた
め、投影レンズ7とレチクル5の間隔は広く、投影レン
ズ7とウェハ1の間隔は狭くなっている。しかしなが
ら、本実施例における位置ずれ検出光学系3は、極めて
小型に作られているため、投影レンズ7の真下に置くこ
とが可能になっている。
について説明する。本実施例における位置合わせ光学系
は、光源光学系2、位置ずれ検出光学系3、受光光学系
4からなり、3つの光学系が互いに偏波面保持光ファイ
バ20,21、マルチモード光ファイバ28、29によ
り結合されている。また、投影レンズ7は露光光6によ
り照明されたレチクル5上のパターンをウェハ1上に結
像する。この結像は、通常5:1程度の縮小光学系のた
め、投影レンズ7とレチクル5の間隔は広く、投影レン
ズ7とウェハ1の間隔は狭くなっている。しかしなが
ら、本実施例における位置ずれ検出光学系3は、極めて
小型に作られているため、投影レンズ7の真下に置くこ
とが可能になっている。
【0011】光源光学系2は、図4に示すように、互い
に直交偏光した周波数がf1,f2のコヒーレント光を
発生するレーザ光源12を内蔵する。本実施例では、レ
ーザ管に磁場をかけることにより2周波を得るゼーマイ
ンレーザを用いている。
に直交偏光した周波数がf1,f2のコヒーレント光を
発生するレーザ光源12を内蔵する。本実施例では、レ
ーザ管に磁場をかけることにより2周波を得るゼーマイ
ンレーザを用いている。
【0012】このような光源光学系2の別の例として
は、一方向に伝播する超音波を用いた光変調器や、1周
波のコヒーレント光を発生する光源を有し、このコヒー
レント光を2光束に分割したのち、ドップラー効果を用
いて光の周波数をわずかに変化させる光学素子を用いて
2光束の周波数に差を与えるような光学系が利用でき
る。なお、周波数f1とf2の周波数差としては数十k
Hz〜数十MHzが一般的に使用できる。
は、一方向に伝播する超音波を用いた光変調器や、1周
波のコヒーレント光を発生する光源を有し、このコヒー
レント光を2光束に分割したのち、ドップラー効果を用
いて光の周波数をわずかに変化させる光学素子を用いて
2光束の周波数に差を与えるような光学系が利用でき
る。なお、周波数f1とf2の周波数差としては数十k
Hz〜数十MHzが一般的に使用できる。
【0013】図3において、レーザ光源12から出射し
た周波数f1,f2を有するアライメント光(以下、ア
ライメント光f1,f2と称す。)は、偏光光学素子1
3でf1成分とf2成分に分割されたのち、(λ/2)
波長板16,17を用いて特定の方向に偏光した光とな
る。分割用偏光光学素子13としては、偏光ビームスプ
リッタのような誘電体多層膜を用いたものや、ウォラン
ストンプリズムのような複数屈折を用いたものが使用可
能である。また、波長板16,17により偏光方向を回
転させるが、その理由は偏波面保持光ファイバ20,2
1の偏光方向とアライメント光f1,f2の偏光方向を
合わせるためである。
た周波数f1,f2を有するアライメント光(以下、ア
ライメント光f1,f2と称す。)は、偏光光学素子1
3でf1成分とf2成分に分割されたのち、(λ/2)
波長板16,17を用いて特定の方向に偏光した光とな
る。分割用偏光光学素子13としては、偏光ビームスプ
リッタのような誘電体多層膜を用いたものや、ウォラン
ストンプリズムのような複数屈折を用いたものが使用可
能である。また、波長板16,17により偏光方向を回
転させるが、その理由は偏波面保持光ファイバ20,2
1の偏光方向とアライメント光f1,f2の偏光方向を
合わせるためである。
【0014】分割用偏光光学素子13により分割された
アライメント光f1とf2は、集光レンズ18,19に
より、偏波面保持光ファイバ20,21のコア上に集光
され、光ファイバ20,21内に導入される。光ファイ
バ20,21表面でのアライメント光の反射がレーザ管
に戻ることを防ぐために、適当な場所に光アイソレータ
14,15を挿入することは有用である。また、偏波面
保持光ファイバ20,21のコア径は極めて小さいた
め、光源光学系2で集光されたアライメント光のスポッ
トが位置ずれし、光ファイバ20,21への結合効率を
低下させる可能性がある。このため、光源光学系2は、
熱膨張や振動の影響を最小限にするため、高剛性かつ小
型に作る必要がある。
アライメント光f1とf2は、集光レンズ18,19に
より、偏波面保持光ファイバ20,21のコア上に集光
され、光ファイバ20,21内に導入される。光ファイ
バ20,21表面でのアライメント光の反射がレーザ管
に戻ることを防ぐために、適当な場所に光アイソレータ
14,15を挿入することは有用である。また、偏波面
保持光ファイバ20,21のコア径は極めて小さいた
め、光源光学系2で集光されたアライメント光のスポッ
トが位置ずれし、光ファイバ20,21への結合効率を
低下させる可能性がある。このため、光源光学系2は、
熱膨張や振動の影響を最小限にするため、高剛性かつ小
型に作る必要がある。
【0015】偏波面保持光ファイバ20,21内に入射
したアライメント光f1,f2は、それぞれ偏光方向を
保持したまま、図2に示す位置ずれ検出光学系3へと導
かれる。偏波面保持光ファイバ20,21から出射した
アライメント光f1,f2は、コリメータレンズ22,
23へと導かれ、ここで平行光にされる。コリメータレ
ンズ22,23としては、出射光の波面精度が十分高
く、また大きさが小さいことを要求される。このような
レンズとしては、屈折率分布型レンズ(GRINレン
ズ)や非球面レンズが適当である。コリメータレンズ2
2,23により平行にされたアライメント光f1とf2
は、落射ミラー24を経て、ウェハ1上の回折格子から
なる位置合わせマーク25上へ照射される。
したアライメント光f1,f2は、それぞれ偏光方向を
保持したまま、図2に示す位置ずれ検出光学系3へと導
かれる。偏波面保持光ファイバ20,21から出射した
アライメント光f1,f2は、コリメータレンズ22,
23へと導かれ、ここで平行光にされる。コリメータレ
ンズ22,23としては、出射光の波面精度が十分高
く、また大きさが小さいことを要求される。このような
レンズとしては、屈折率分布型レンズ(GRINレン
ズ)や非球面レンズが適当である。コリメータレンズ2
2,23により平行にされたアライメント光f1とf2
は、落射ミラー24を経て、ウェハ1上の回折格子から
なる位置合わせマーク25上へ照射される。
【0016】アライメント光f1,f2のウェハ1表面
への入射角θは、ウェハ1上の位置合わせマーク25の
回折格子のピッチをP、アライメント光の波長をλとし
て次式(1)のように設定されている。
への入射角θは、ウェハ1上の位置合わせマーク25の
回折格子のピッチをP、アライメント光の波長をλとし
て次式(1)のように設定されている。
【0017】 θ=sin-1(λ/P) ・・・(1)
【0018】このような入射角θでアライメント光f
1,f2が入射すると、回折格子25で回折されたアラ
イメント光f1,f2はともに上方に向かう。ここで、
f1とf2の電界強度E1,E2は、それぞれ式
(2)、式(3)のように表わされる。ただし、ω1と
ω2はf1とf2の角速度、φ1とφ2は偏波面保持光
ファイバ20,21のアライメント光f1,f2に対す
る光路長分の位相遅れである。
1,f2が入射すると、回折格子25で回折されたアラ
イメント光f1,f2はともに上方に向かう。ここで、
f1とf2の電界強度E1,E2は、それぞれ式
(2)、式(3)のように表わされる。ただし、ω1と
ω2はf1とf2の角速度、φ1とφ2は偏波面保持光
ファイバ20,21のアライメント光f1,f2に対す
る光路長分の位相遅れである。
【0019】 E1=A1・cos(ω1・t+2πx/P+φ1) ・・・(2)
【0020】 E2=A2・cos(ω2・t−2πx/P+φ2) ・・・(3)
【0021】アライメント光f1とf2は、このように
して同一方向に進むので、互いに干渉し、この結果式
(4)のような周波数(f1−f2)で光強度Isが変
化をするようなビート光を発生する。
して同一方向に進むので、互いに干渉し、この結果式
(4)のような周波数(f1−f2)で光強度Isが変
化をするようなビート光を発生する。
【0022】 Is=(E1+E2)2 =A12 +A22 +2A1・A2・cos((ω1−ω2)t +4πx/P+(φ1−φ2)) ・・・(4)
【0023】このビート光をコリメータレンズ26で再
びマルチモード光ファイバ28へ導入し、このビート光
よりウェハ1の位置ずれ量を検出する。マルチモード光
ファイバ28,29を使用する理由は、マルチモード光
ファイバだとコア系が大きく、アライメント光を再結合
するさいに位置ずれの影響を受けにくいことと、既にア
ライメント光f1,f2は干渉しあっているために、波
面を保持する必要がないためである。
びマルチモード光ファイバ28へ導入し、このビート光
よりウェハ1の位置ずれ量を検出する。マルチモード光
ファイバ28,29を使用する理由は、マルチモード光
ファイバだとコア系が大きく、アライメント光を再結合
するさいに位置ずれの影響を受けにくいことと、既にア
ライメント光f1,f2は干渉しあっているために、波
面を保持する必要がないためである。
【0024】ところで、光ファイバの光学的長さは温度
や応力により大きく変化する。例えば、1mの光ファイ
バの温度が1°C上昇すると、10〜20波長分くらい
の光路長変動をもたらす。また、1mの光ファイバにか
かる圧力が1Pa変化した場合、10-6〜10-5波長分
の光路長変動をもたらす。このことは偏波面保持光ファ
イバ20と21の置かれる環境の間にわずかな差があれ
ば、式(2)、式(3)における(φ1−φ2)が変化
して位置ずれ検出に誤差を生ずることがわかる。そこ
で、ビームサンプラ30は、この(φ1−φ2)を別途
計測するために置かれ、ビームサンプラ30により一部
分割されたアライメント光f1,f2は、ガラス板31
上に形成されたウェハ1と同じピッチの回折格子32上
に照射される。ガラス31板上の回折格子32は固定さ
れているため、ビート光を生じる。このビート光は、そ
の光強度をIrとすると、式(5)のように表わされ
る。
や応力により大きく変化する。例えば、1mの光ファイ
バの温度が1°C上昇すると、10〜20波長分くらい
の光路長変動をもたらす。また、1mの光ファイバにか
かる圧力が1Pa変化した場合、10-6〜10-5波長分
の光路長変動をもたらす。このことは偏波面保持光ファ
イバ20と21の置かれる環境の間にわずかな差があれ
ば、式(2)、式(3)における(φ1−φ2)が変化
して位置ずれ検出に誤差を生ずることがわかる。そこ
で、ビームサンプラ30は、この(φ1−φ2)を別途
計測するために置かれ、ビームサンプラ30により一部
分割されたアライメント光f1,f2は、ガラス板31
上に形成されたウェハ1と同じピッチの回折格子32上
に照射される。ガラス31板上の回折格子32は固定さ
れているため、ビート光を生じる。このビート光は、そ
の光強度をIrとすると、式(5)のように表わされ
る。
【0025】 Ir=A12 +A22 +2A1・A2・cos((ω1−ω2)t +(φ1−φ2)) ・・・(5)
【0026】このビート光も信号光と同様にマルチモー
ド光ファイバ29内へとコリメータレンズ27により導
かれる。ここで回折格子32が形成されたガラス板31
は、アライメント光に対して斜めに置くことが大切であ
る。なぜなら、回折光は透過方向だけでなく反射方向に
も生じ、また、ガラス板31をアライメント光に対して
垂直に置いた場合、反射回折光33はウェハからの反射
回折光と混ざり、位置ずれ検出精度を低下させる可能性
があるからである。また、回折格子32が形成されたガ
ラス板31は、アライメント光f1,f2を互いに干渉
させるように配置したハーフミラーでも代用できる。
ド光ファイバ29内へとコリメータレンズ27により導
かれる。ここで回折格子32が形成されたガラス板31
は、アライメント光に対して斜めに置くことが大切であ
る。なぜなら、回折光は透過方向だけでなく反射方向に
も生じ、また、ガラス板31をアライメント光に対して
垂直に置いた場合、反射回折光33はウェハからの反射
回折光と混ざり、位置ずれ検出精度を低下させる可能性
があるからである。また、回折格子32が形成されたガ
ラス板31は、アライメント光f1,f2を互いに干渉
させるように配置したハーフミラーでも代用できる。
【0027】ウェハ1上の回折格子25は、ウェハ1が
受ける各プロセスにより多種多様に変化する。一般的に
は、半導体材料により形成される凹凸の上にアライメン
ト光に対して透明なレジストを塗布した形であり、アラ
イメント光に対しては光学多層膜として作用する場合が
多い。光学多層膜は光の偏光方向に対しその作用が敏感
に変化するため、アライメント光f1,f2は、ウェハ
1に対してP偏光(入射平面内での偏光)、またはS偏
光(入射平面に垂直な偏光)のどちらにかたよっていて
も、ウェハ1の表面状態の影響を受けやすくなり不利で
ある。このため、偏波面保持光ファイバ20,21の出
口において偏光方向が45°傾くように光ファイバ2
0,21を固定している。こうすることによりウェハ1
面上ではP偏光とS偏光が5:5の割合になり、ウェハ
1の状態からくる悪影響を最小限に抑えることができ
る。
受ける各プロセスにより多種多様に変化する。一般的に
は、半導体材料により形成される凹凸の上にアライメン
ト光に対して透明なレジストを塗布した形であり、アラ
イメント光に対しては光学多層膜として作用する場合が
多い。光学多層膜は光の偏光方向に対しその作用が敏感
に変化するため、アライメント光f1,f2は、ウェハ
1に対してP偏光(入射平面内での偏光)、またはS偏
光(入射平面に垂直な偏光)のどちらにかたよっていて
も、ウェハ1の表面状態の影響を受けやすくなり不利で
ある。このため、偏波面保持光ファイバ20,21の出
口において偏光方向が45°傾くように光ファイバ2
0,21を固定している。こうすることによりウェハ1
面上ではP偏光とS偏光が5:5の割合になり、ウェハ
1の状態からくる悪影響を最小限に抑えることができ
る。
【0028】ここで、ウェハ1の表面がアルミパターン
等で荒れていた場合を考えると、回折したアライメント
光(回折光)34の中にアルミパターンからのスペック
ルも混じることになる。このような回折光34をコリメ
ータレンズ26で受けたときの焦点面上(マルチモード
光ファイバ28面上)での光パターンを図5に示す。こ
の図から明らかなように、中央部に配置されるマルチモ
ード光ファイバ28のコア35には、スペックル光36
を排除したアライメント光34が受光されることがわか
る。このようにコリメータレンズ26とコア35はアラ
イメント光34に対する空間フィルタとしても作用する
ことがわかる。
等で荒れていた場合を考えると、回折したアライメント
光(回折光)34の中にアルミパターンからのスペック
ルも混じることになる。このような回折光34をコリメ
ータレンズ26で受けたときの焦点面上(マルチモード
光ファイバ28面上)での光パターンを図5に示す。こ
の図から明らかなように、中央部に配置されるマルチモ
ード光ファイバ28のコア35には、スペックル光36
を排除したアライメント光34が受光されることがわか
る。このようにコリメータレンズ26とコア35はアラ
イメント光34に対する空間フィルタとしても作用する
ことがわかる。
【0029】次に、図6を用いて受光光学系4について
説明する。受光光学系4では、2本のマルチモード光フ
ァイバ28,29により伝送されてきたアライメント光
をホトマルチプライヤ等の光検出器37,38に導入
し、電気信号に変換する。電気信号に変換された2つの
信号間の相対位相差を位相比較器39で検出すると、式
(4)、(5)から式(6)のようになり、ウェハ1の
位置ずれxに比例した出力を得ることができる。
説明する。受光光学系4では、2本のマルチモード光フ
ァイバ28,29により伝送されてきたアライメント光
をホトマルチプライヤ等の光検出器37,38に導入
し、電気信号に変換する。電気信号に変換された2つの
信号間の相対位相差を位相比較器39で検出すると、式
(4)、(5)から式(6)のようになり、ウェハ1の
位置ずれxに比例した出力を得ることができる。
【0030】 (Isの位相)−(Irの位相)=4πx/P ・・・(6)
【0031】したがって、この出力を基にして位置ずれ
量が零になるようにウェハステージ40を移動すること
により、ウェハ1の投影レンズ7に対する位置ずれをな
くすことができる。
量が零になるようにウェハステージ40を移動すること
により、ウェハ1の投影レンズ7に対する位置ずれをな
くすことができる。
【0032】以上のように、本実施例では、露光装置本
体とは離れた位置に配置された光源光学系2から、光フ
ァイバ20,21によりアライメント光を投影レンズ7
の直下に置かれた位置ずれ検出光学系3に導き、位置ず
れ検出光学系3からアライメント光をウェハ1の位置合
わせマーク25上に照射し、ウェハ1からの回折光34
を再び光ファイバ28,29により受光光学系4へ送
り、光検出器37,38でウェハ1の位置ずれ情報を持
ったビート光を電気信号に変換し、位相比較器39でウ
ェハ1の位置ずれ量を求め、これに基づきウェハステー
ジ40を動かし、ウェハ1の位置ずれ量が零になるよう
に制御することにより、投影レンズ7に対するウェハ1
の位置合わせを高精度で行なうことができる。
体とは離れた位置に配置された光源光学系2から、光フ
ァイバ20,21によりアライメント光を投影レンズ7
の直下に置かれた位置ずれ検出光学系3に導き、位置ず
れ検出光学系3からアライメント光をウェハ1の位置合
わせマーク25上に照射し、ウェハ1からの回折光34
を再び光ファイバ28,29により受光光学系4へ送
り、光検出器37,38でウェハ1の位置ずれ情報を持
ったビート光を電気信号に変換し、位相比較器39でウ
ェハ1の位置ずれ量を求め、これに基づきウェハステー
ジ40を動かし、ウェハ1の位置ずれ量が零になるよう
に制御することにより、投影レンズ7に対するウェハ1
の位置合わせを高精度で行なうことができる。
【0033】以上、本発明につき第1の実施例を用いて
説明したが、本実施例の利点は、まず光源光学系2と受
光光学系4を位置ずれ検出光学系3から光ファイバ2
0,21,28,29を用いて分離したことにより、位
置ずれ検出光学系3を小型化し、また熱源となるレーザ
光源12を繊細な機構部分から遠ざけることができるこ
とである。位置ずれ検出光学系3が小型化されることに
より、この光学系3の露光装置内での配置の自由度が増
大し、位置ずれ検出光学系3を投影レンズ7とウェハ1
との間の極めて狭い場所に配置することができるように
なる。このため、露光位置に極めて近い場所での位置合
わせが行なえるようになっただけでなく、レーザ干渉計
測で最も検出誤差となりやすい大気からの影響を最小限
にすることが可能となる。さらに、位置ずれ検出光学系
3の中に基準となるような回折格子32を設置し、この
光学系3全体をコンパクトに構成したことにより、振動
その他の外乱に極めて強い光学系を実現することができ
る。また、レーザ光源12からの熱を露光装置本体に伝
えないことにより、熱的な機構の変形を防止することが
でき、安定した位置合わせ動作を保証できるようにな
る。さらにまた、光ファイバという極めて柔軟性の高い
光導波路を用いてアライメント系を構成しているので、
装置への実装、光軸調整がきわめて容易になり、他の装
置への転用も容易であるという利点もある。
説明したが、本実施例の利点は、まず光源光学系2と受
光光学系4を位置ずれ検出光学系3から光ファイバ2
0,21,28,29を用いて分離したことにより、位
置ずれ検出光学系3を小型化し、また熱源となるレーザ
光源12を繊細な機構部分から遠ざけることができるこ
とである。位置ずれ検出光学系3が小型化されることに
より、この光学系3の露光装置内での配置の自由度が増
大し、位置ずれ検出光学系3を投影レンズ7とウェハ1
との間の極めて狭い場所に配置することができるように
なる。このため、露光位置に極めて近い場所での位置合
わせが行なえるようになっただけでなく、レーザ干渉計
測で最も検出誤差となりやすい大気からの影響を最小限
にすることが可能となる。さらに、位置ずれ検出光学系
3の中に基準となるような回折格子32を設置し、この
光学系3全体をコンパクトに構成したことにより、振動
その他の外乱に極めて強い光学系を実現することができ
る。また、レーザ光源12からの熱を露光装置本体に伝
えないことにより、熱的な機構の変形を防止することが
でき、安定した位置合わせ動作を保証できるようにな
る。さらにまた、光ファイバという極めて柔軟性の高い
光導波路を用いてアライメント系を構成しているので、
装置への実装、光軸調整がきわめて容易になり、他の装
置への転用も容易であるという利点もある。
【0034】さて、上記第1の実施例では、位置合わせ
の場所と露光位置がきわめて近い位置合わせ(OffA
xisアライメント)用の光学系であったが、次に述べ
る本発明の第2の実施例では、位置合わせの場所と露光
位置が同一であるような位置合わせ(OnAxisアラ
イメント)用の光学系の構成が、図7から図12に示さ
れている。これらの図において、上記第1の実施例の説
明に用いた符号が、同様な要素に対して用いられてい
る。
の場所と露光位置がきわめて近い位置合わせ(OffA
xisアライメント)用の光学系であったが、次に述べ
る本発明の第2の実施例では、位置合わせの場所と露光
位置が同一であるような位置合わせ(OnAxisアラ
イメント)用の光学系の構成が、図7から図12に示さ
れている。これらの図において、上記第1の実施例の説
明に用いた符号が、同様な要素に対して用いられてい
る。
【0035】OnAxisアライメントを行なう際に重
要なことは、露光光を蹴ることなくアライメント光を露
光光束の中に導き入れることである。一般的には露光光
とアライメント光の波長の違いを利用して、ダイクロイ
ックミラー等でアライメント光を露光光の中に導き入れ
る。しかしながら、今回のように位置ずれ検出光学系3
を投影レンズ7とウェハ1の間という極めて限られたス
ペースに配置する場合には、ダイクロイックミラーを使
用することは不可能である。
要なことは、露光光を蹴ることなくアライメント光を露
光光束の中に導き入れることである。一般的には露光光
とアライメント光の波長の違いを利用して、ダイクロイ
ックミラー等でアライメント光を露光光の中に導き入れ
る。しかしながら、今回のように位置ずれ検出光学系3
を投影レンズ7とウェハ1の間という極めて限られたス
ペースに配置する場合には、ダイクロイックミラーを使
用することは不可能である。
【0036】そこで、本発明の第2の実施例では、図7
に示すように、露光光専用に設計製作された投影レンズ
7の最下面であるコーティング面41をダイクロイック
ミラーの代用としている。コーティング面41は露光光
に対してほぼ100%の透過効率を示し、アライメント
光に対しては極めて低い透過効率を持つように設計され
ている。すなわち、投影レンズ7の最下面であるコーテ
ィング面41は、平面または曲率の大きな面からなり、
アライメント光8に対してはほぼ完全な反射面として作
用する。
に示すように、露光光専用に設計製作された投影レンズ
7の最下面であるコーティング面41をダイクロイック
ミラーの代用としている。コーティング面41は露光光
に対してほぼ100%の透過効率を示し、アライメント
光に対しては極めて低い透過効率を持つように設計され
ている。すなわち、投影レンズ7の最下面であるコーテ
ィング面41は、平面または曲率の大きな面からなり、
アライメント光8に対してはほぼ完全な反射面として作
用する。
【0037】次に、本発明の第2の実施例における光源
光学系2および位置ずれ検出光学系3について説明す
る。光源光学系2は、図3に示す第1の実施例における
光源光学系2と同じ構成および機能を有する。位置ずれ
検出光学系は、図8に示すように、図2に示す第1の実
施例に対し、コリメータレンズ26の代わりに結像レン
ズ44が、マルチモード光ファイバ28の代わりに画像
伝送光ファイバ43が、また落射ミラー24の代わりに
折り返しミラー42が配置されている点が異なる。結像
レンズ44は、ウェハ1の位置合わせマーク(回折格
子)42を画像伝送光ファイバ43面上に結像するため
のものであり、GRINレンズや小型球面・非球面レン
ズが使用できる。画像伝送光ファイバ43は、図11に
示すように、1本の光ファイバの中に多数のコアがクラ
ッドを共有するように溶融一体化された光ファイバであ
り、入射端面の像をそのまま出射端面に再現することが
できる。このことから、結像レンズ44と画像伝送光フ
ァイバ43の組み合わせにより、ウェハ1上の位置合わ
せマーク45の状態を受光光学系4の中に再現すること
ができる。また、折り返しミラー42は、位置ずれ検出
光学系3からのアライメント光を投影レンズ7のコーテ
ィング面41に向けたり、ウェハ1上の位置合わせマー
ク45から反射してコーティング面41で反射された回
折光を再び位置ずれ検出光学系3に向けるために用いら
れる。
光学系2および位置ずれ検出光学系3について説明す
る。光源光学系2は、図3に示す第1の実施例における
光源光学系2と同じ構成および機能を有する。位置ずれ
検出光学系は、図8に示すように、図2に示す第1の実
施例に対し、コリメータレンズ26の代わりに結像レン
ズ44が、マルチモード光ファイバ28の代わりに画像
伝送光ファイバ43が、また落射ミラー24の代わりに
折り返しミラー42が配置されている点が異なる。結像
レンズ44は、ウェハ1の位置合わせマーク(回折格
子)42を画像伝送光ファイバ43面上に結像するため
のものであり、GRINレンズや小型球面・非球面レン
ズが使用できる。画像伝送光ファイバ43は、図11に
示すように、1本の光ファイバの中に多数のコアがクラ
ッドを共有するように溶融一体化された光ファイバであ
り、入射端面の像をそのまま出射端面に再現することが
できる。このことから、結像レンズ44と画像伝送光フ
ァイバ43の組み合わせにより、ウェハ1上の位置合わ
せマーク45の状態を受光光学系4の中に再現すること
ができる。また、折り返しミラー42は、位置ずれ検出
光学系3からのアライメント光を投影レンズ7のコーテ
ィング面41に向けたり、ウェハ1上の位置合わせマー
ク45から反射してコーティング面41で反射された回
折光を再び位置ずれ検出光学系3に向けるために用いら
れる。
【0038】位置ずれ検出光学系3から折り返しミラー
42により上方に向けて出射されたアライメント光は、
投影レンズ7の最下面のコーティング面41で反射し、
これにより露光光6の光束内に入る。ウェハ1面上に
は、図10に示すような2次元回折格子45が設けられ
ている。この回折格子45は、X方向の回折格子とY方
向の回折格子を重ね合わせたものであり、X方向の回折
パターンは位置ずれを検出し、Y方向の回折パターンは
斜めに入射したアライメント光を再び斜め方向に同一角
度で回折するためのものである。たとえば、図7に戻
り、アライメント光8のウェハ1に対する入射角がαで
あるとき、Y方向のピッチPyは次式(7)となるよう
に決定される。
42により上方に向けて出射されたアライメント光は、
投影レンズ7の最下面のコーティング面41で反射し、
これにより露光光6の光束内に入る。ウェハ1面上に
は、図10に示すような2次元回折格子45が設けられ
ている。この回折格子45は、X方向の回折格子とY方
向の回折格子を重ね合わせたものであり、X方向の回折
パターンは位置ずれを検出し、Y方向の回折パターンは
斜めに入射したアライメント光を再び斜め方向に同一角
度で回折するためのものである。たとえば、図7に戻
り、アライメント光8のウェハ1に対する入射角がαで
あるとき、Y方向のピッチPyは次式(7)となるよう
に決定される。
【0039】 2Py・sinα=nλ (n=1,2,・・・) ・・・(7)
【0040】このようなY方向の回折パターンのおかげ
でアライメント光8は、ウェハ1上で回折されたのち再
び位置ずれ検出光学系3へと戻ることができる。
でアライメント光8は、ウェハ1上で回折されたのち再
び位置ずれ検出光学系3へと戻ることができる。
【0041】次に、第2の実施例における受光光学系4
について、図9を参照して説明する。画像伝送光ファイ
バ43の出射端の像を拡大レンズ46で拡大し、そこに
アクチュエータ47,48により2次元的に駆動される
アパーチャ49を配置してある。このアパーチャ49に
より任意の位置にある位置合わせマークに対してそのマ
ークだけからのアライメント光を集光レンズ50を通し
て光検出器38により受光することが可能となる。この
様子を図12に示す。この図12から、3つの位置合わ
せワークの内、最も右側のものがアパーチャ49により
選択されている様子がわかる。これ以外の古い位置合わ
せマークは光検出器38で受光されない。
について、図9を参照して説明する。画像伝送光ファイ
バ43の出射端の像を拡大レンズ46で拡大し、そこに
アクチュエータ47,48により2次元的に駆動される
アパーチャ49を配置してある。このアパーチャ49に
より任意の位置にある位置合わせマークに対してそのマ
ークだけからのアライメント光を集光レンズ50を通し
て光検出器38により受光することが可能となる。この
様子を図12に示す。この図12から、3つの位置合わ
せワークの内、最も右側のものがアパーチャ49により
選択されている様子がわかる。これ以外の古い位置合わ
せマークは光検出器38で受光されない。
【0042】このような受光光学系4の構成をとる利点
は、次のように説明できる。すなわち、位置合わせマー
クは、ウェハがプロセス処理を受けるに従って次第に壊
れてゆくため、次々と新しい位置合わせマークを使う必
要性が生じる。OnAxisアライメントにおいては、
露光位置が即、位置合わせ位置であるため、このことは
位置合わせ時の位置合わせマーク45の位置が位置ずれ
検出光学系3に対してずれてゆくことを意味する。した
がって、上記アパーチャ49を動かすことにより、場所
が変わっても、最新の位置合わせマーク45からのアラ
イメント光のみを検出することにより、位置合わせマー
クが更新されても高い検出精度を維持できることにな
る。図12は古い位置合わせマークが受光光学系4の視
野からはずされていく様子も表わしている。
は、次のように説明できる。すなわち、位置合わせマー
クは、ウェハがプロセス処理を受けるに従って次第に壊
れてゆくため、次々と新しい位置合わせマークを使う必
要性が生じる。OnAxisアライメントにおいては、
露光位置が即、位置合わせ位置であるため、このことは
位置合わせ時の位置合わせマーク45の位置が位置ずれ
検出光学系3に対してずれてゆくことを意味する。した
がって、上記アパーチャ49を動かすことにより、場所
が変わっても、最新の位置合わせマーク45からのアラ
イメント光のみを検出することにより、位置合わせマー
クが更新されても高い検出精度を維持できることにな
る。図12は古い位置合わせマークが受光光学系4の視
野からはずされていく様子も表わしている。
【0043】以上、本発明につき第2の実施例を用いて
説明したが、本発明の第2の実施例においては、第1の
実施例において説明した利点の外に、露光中も位置合わ
せが可能であるという利点がある。このため、ウェハ1
が露光位置に来たときに、投影レンズ7に対して正確に
位置合わせされるため、重ね合わせ精度にウェハステー
ジ40の運動精度の影響を受けないような露光装置を構
成することが可能となる。
説明したが、本発明の第2の実施例においては、第1の
実施例において説明した利点の外に、露光中も位置合わ
せが可能であるという利点がある。このため、ウェハ1
が露光位置に来たときに、投影レンズ7に対して正確に
位置合わせされるため、重ね合わせ精度にウェハステー
ジ40の運動精度の影響を受けないような露光装置を構
成することが可能となる。
【0044】以上のように、本実施例では、露光装置本
体とは離れた位置に配置された光源光学系2から、光フ
ァイバ20,21によりアライメント光を投影レンズ7
の直下に置かれた位置ずれ検出光学系3に導き、位置ず
れ検出光学系3からアライメント光をウェハ1の位置合
わせマーク25上に照射し、ウェハ1からの回折光34
を再び光ファイバ28,29により受光光学系4へ送
り、光検出器37,38でウェハ1の位置ずれ情報を持
ったビート光を電気信号に変換し、位相比較器39でウ
ェハ1の位置ずれ量を求め、これに基づきウェハステー
ジ40を動かし、ウェハ1の位置ずれ量が零になるよう
に制御することにより、投影レンズ7に対するウェハ1
の位置合わせを高精度で行なうことができる。
体とは離れた位置に配置された光源光学系2から、光フ
ァイバ20,21によりアライメント光を投影レンズ7
の直下に置かれた位置ずれ検出光学系3に導き、位置ず
れ検出光学系3からアライメント光をウェハ1の位置合
わせマーク25上に照射し、ウェハ1からの回折光34
を再び光ファイバ28,29により受光光学系4へ送
り、光検出器37,38でウェハ1の位置ずれ情報を持
ったビート光を電気信号に変換し、位相比較器39でウ
ェハ1の位置ずれ量を求め、これに基づきウェハステー
ジ40を動かし、ウェハ1の位置ずれ量が零になるよう
に制御することにより、投影レンズ7に対するウェハ1
の位置合わせを高精度で行なうことができる。
【0045】次に、本発明の第3の実施例について、図
13を用いて説明する。本実施例においては、光源光学
系を除いては、上記第1および第2の実施例と同様な構
成および機能を有するので、以下には光源光学系につい
てのみ説明する。
13を用いて説明する。本実施例においては、光源光学
系を除いては、上記第1および第2の実施例と同様な構
成および機能を有するので、以下には光源光学系につい
てのみ説明する。
【0046】図13において、51は単一周波の直線偏
光コヒーレント光を発生するレーザ光源、52はアイソ
レータ、53,54は超音波を用いた音響光学変調器、
55,56は1/2λ波長板、57,58は集光レン
ズ、59はビームストッパである。20,21はこの光
源光学系2を上記した位置ずれ検出光学系3に結合する
ための偏波面保持光ファイバである。
光コヒーレント光を発生するレーザ光源、52はアイソ
レータ、53,54は超音波を用いた音響光学変調器、
55,56は1/2λ波長板、57,58は集光レン
ズ、59はビームストッパである。20,21はこの光
源光学系2を上記した位置ずれ検出光学系3に結合する
ための偏波面保持光ファイバである。
【0047】光源51から出射されたコヒーレント光
は、アイソレータ52を通り、第1の音響光学変調器5
3により、変調を受けない0次回折光60と変調を受け
た1次回折光61とに分離される。1次回折光61は、
1/2λ波長板55を通過し、集光レンズ57で偏波面
保持光ファイバ20に結合される。変調を受けなかった
0次回折光60は、今度は第2の音響光学変調器54に
入り、変調を受けない0次回折光62と変調を受けた1
次回折光63とに分離され、0次回折光62はビームス
トッパ59で阻止され、1次回折光63は1/2λ波長
板56を通過し、偏波面保持光ファイバ21に結合され
る。ここで、アイソレータ52は、各光学素子表面から
反射されてレーザ光源51に戻ってくる光によるレーザ
光源51の不安定化を排除するために配置されている。
1/2λ波長板55,56は、1次回折光61,63の
偏光面と偏波面保持光ファイバ20,21の偏光面を一
致させるために挿入されている。このことは上記第1の
実施例中の光源光学系2で説明した通りである。
は、アイソレータ52を通り、第1の音響光学変調器5
3により、変調を受けない0次回折光60と変調を受け
た1次回折光61とに分離される。1次回折光61は、
1/2λ波長板55を通過し、集光レンズ57で偏波面
保持光ファイバ20に結合される。変調を受けなかった
0次回折光60は、今度は第2の音響光学変調器54に
入り、変調を受けない0次回折光62と変調を受けた1
次回折光63とに分離され、0次回折光62はビームス
トッパ59で阻止され、1次回折光63は1/2λ波長
板56を通過し、偏波面保持光ファイバ21に結合され
る。ここで、アイソレータ52は、各光学素子表面から
反射されてレーザ光源51に戻ってくる光によるレーザ
光源51の不安定化を排除するために配置されている。
1/2λ波長板55,56は、1次回折光61,63の
偏光面と偏波面保持光ファイバ20,21の偏光面を一
致させるために挿入されている。このことは上記第1の
実施例中の光源光学系2で説明した通りである。
【0048】本実施例における光源光学系2は、図3に
示す第1の実施例における光源光学系2と異なり、レー
ザ光源51を2周波から単一周波にしたため、前記実施
例で問題となっていた2周波の混ざり込みによる位置ず
れ検出精度の悪化を完全に除去できるという利点があ
る。また、コヒーレント光を分割せずに、二つの音響光
学変調器53,54を1本の光軸に直列に配したことに
より、コヒーレント光のうちでアライメント光として利
用できる光線の割合を増大させることができる。
示す第1の実施例における光源光学系2と異なり、レー
ザ光源51を2周波から単一周波にしたため、前記実施
例で問題となっていた2周波の混ざり込みによる位置ず
れ検出精度の悪化を完全に除去できるという利点があ
る。また、コヒーレント光を分割せずに、二つの音響光
学変調器53,54を1本の光軸に直列に配したことに
より、コヒーレント光のうちでアライメント光として利
用できる光線の割合を増大させることができる。
【0049】すなわち、本実施例における光源光学系2
を、図14に示す光源光学系2のように、ビームスプリ
ッタ64により2分割してからそれぞれ音響光学変調器
53,54により変調するように構成してもよいが、こ
の場合、各音響光学変調器53,54における1次回折
光61,63の入射光に対する強度比をそれぞれP1,
P2とすると、レーザ光源51からのコヒーレント光の
うちでアライメント光として利用できる光の割合は、次
式(8)のようになる。
を、図14に示す光源光学系2のように、ビームスプリ
ッタ64により2分割してからそれぞれ音響光学変調器
53,54により変調するように構成してもよいが、こ
の場合、各音響光学変調器53,54における1次回折
光61,63の入射光に対する強度比をそれぞれP1,
P2とすると、レーザ光源51からのコヒーレント光の
うちでアライメント光として利用できる光の割合は、次
式(8)のようになる。
【0050】 (P1+P2)/2 ・・・(8)
【0051】一方、図13に示す光源光学系2を用いた
場合は、アライメント光として利用できる光の割合は、
次式(9)のようになる。
場合は、アライメント光として利用できる光の割合は、
次式(9)のようになる。
【0052】 P1+(1−P1)・P2 ・・・(9)
【0053】したがって、これら二つの式から分かるよ
うに、図13に示す光源光学系2を用いることによっ
て、次式(10)で表わされるだけの光量の利得がある
ことになる。
うに、図13に示す光源光学系2を用いることによっ
て、次式(10)で表わされるだけの光量の利得がある
ことになる。
【0054】 1/2・(1−(1−P1)・(1−P2))>0 ・・・(10)
【0055】本実施例はまた、一般的に露光装置には複
数の位置合わせ装置が必要になるので、レーザ光源51
からのアライメント光強度が強い場合、アライメント光
を途中で分割することにより、1台の光源で複数の位置
合わせ装置にアライメント光を供給できることになり、
計測誤差の原因となる熱源を少なくすることができると
いう利点が生じる。
数の位置合わせ装置が必要になるので、レーザ光源51
からのアライメント光強度が強い場合、アライメント光
を途中で分割することにより、1台の光源で複数の位置
合わせ装置にアライメント光を供給できることになり、
計測誤差の原因となる熱源を少なくすることができると
いう利点が生じる。
【0056】また、通常回折光強度は、音響光学変調器
53,54に与えられる振動数に依存しており、コント
ラストの高いビート光を得るためには、2本のアライメ
ント光強度ができるだけ等しくなるように音響光学変調
器53,54を配置する必要があり、図14に示す構成
では、回折光の強度差がそのままアライメント光の強度
差になっているが、図13に示す構成では、強度の低い
音響光学変調器53を光源上流側に配置することによ
り、アライメント光の強度差を緩和することができる。
53,54に与えられる振動数に依存しており、コント
ラストの高いビート光を得るためには、2本のアライメ
ント光強度ができるだけ等しくなるように音響光学変調
器53,54を配置する必要があり、図14に示す構成
では、回折光の強度差がそのままアライメント光の強度
差になっているが、図13に示す構成では、強度の低い
音響光学変調器53を光源上流側に配置することによ
り、アライメント光の強度差を緩和することができる。
【0057】以上、本発明につき第3の実施例を用いて
説明したが、本実施例では、第1および第2の実施例に
おいて説明した利点以外に、強度の高いアライメント光
と両アライメント光の強度差を小さくできるため、コン
トラストの高いビート光が得られ、位置合わせ精度を向
上させることができる利点がある。また、光学系を構成
する素子の総数を減らせることにより、光学系の機械的
強度をあげることができるという利点も有する。
説明したが、本実施例では、第1および第2の実施例に
おいて説明した利点以外に、強度の高いアライメント光
と両アライメント光の強度差を小さくできるため、コン
トラストの高いビート光が得られ、位置合わせ精度を向
上させることができる利点がある。また、光学系を構成
する素子の総数を減らせることにより、光学系の機械的
強度をあげることができるという利点も有する。
【0058】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、位置ず
れ検出光学系と光源光学系と受光光学系を柔軟性を有す
る光導波路で結合することにより、位置ずれ検出光学系
を小型化し、装置への実装を容易にすることができる。
したがって、極めて限られたスペースしかない投影レン
ズ直下に位置ずれ検出光学系を配置することができ、振
動・大気の影響や装置の熱変形の影響を極小化した高精
度なアライメント系を有する露光装置を実現することが
できる。
れ検出光学系と光源光学系と受光光学系を柔軟性を有す
る光導波路で結合することにより、位置ずれ検出光学系
を小型化し、装置への実装を容易にすることができる。
したがって、極めて限られたスペースしかない投影レン
ズ直下に位置ずれ検出光学系を配置することができ、振
動・大気の影響や装置の熱変形の影響を極小化した高精
度なアライメント系を有する露光装置を実現することが
できる。
【図1】本発明の実施例における露光装置の基本構成を
示す概略構成図
示す概略構成図
【図2】本発明の第1の実施例におけるアライメント光
をウェハに照射する位置ずれ検出光学系の概略構成図
をウェハに照射する位置ずれ検出光学系の概略構成図
【図3】同第1の実施例におけるレーザ光を発生する光
源光学系の概略構成図
源光学系の概略構成図
【図4】同第1の実施例におけるレーザ光源の偏光状態
を示す偏光方向図
を示す偏光方向図
【図5】同第1の実施例におけるコリメータレンズの空
間フィルタとしての働きを示す模式図
間フィルタとしての働きを示す模式図
【図6】同第1の実施例におけるアライメント光を受光
する受光光学系の概略構成図
する受光光学系の概略構成図
【図7】本発明の第2の実施例におけるOnAxisア
ライメントを実施するための構成を示す部分拡大断面図
ライメントを実施するための構成を示す部分拡大断面図
【図8】同第2の実施例における位置ずれ検出光学系の
概略構成図
概略構成図
【図9】同第2の実施例における受光光学系の概略構成
図
図
【図10】同第2の実施例における2次元回折格子から
なる位置合わせマークの部分平面図
なる位置合わせマークの部分平面図
【図11】同第2の実施例における画像伝送光ファイバ
の概略断面図
の概略断面図
【図12】同第2の実施例における位置合わせマークの
更新方法を説明するための模式図
更新方法を説明するための模式図
【図13】本発明の第3の実施例における光源光学系の
概略構成図
概略構成図
【図14】同第3の実施例における光源光学系の変形例
を示す概略構成図
を示す概略構成図
【図15】従来の露光装置の一例を示す概略構成図
1 ウェハ 2 光源光学系 3 位置ずれ検出光学系 4 受光光学系 5 レチクル 6 露光光 7 投影レンズ 8 アライメント光 12 レーザ光源 20,21 偏波面保持光ファイバ(第1の光ファイ
バ) 25,45 位置合わせマーク(回折格子) 28,29 マルチモード光ファイバ(第2の光ファイ
バ) 32 回折格子(位置ずれ検出の基準) 37,38 光検出器 39 位相比較器 40 ウェハステージ 43 画像伝送光ファイバ 49 アパーチャ 51 レーザ光源 52 アイソレータ 53,54 音響光学変調器 55,56 波長板 57,58 集光レンズ 59 ビームストッパ 60,62 0次回折光 61,63 1次回折光 64 ビームスプリッタ
バ) 25,45 位置合わせマーク(回折格子) 28,29 マルチモード光ファイバ(第2の光ファイ
バ) 32 回折格子(位置ずれ検出の基準) 37,38 光検出器 39 位相比較器 40 ウェハステージ 43 画像伝送光ファイバ 49 アパーチャ 51 レーザ光源 52 アイソレータ 53,54 音響光学変調器 55,56 波長板 57,58 集光レンズ 59 ビームストッパ 60,62 0次回折光 61,63 1次回折光 64 ビームスプリッタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久 保 圭 司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐 藤 健 夫 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内
Claims (10)
- 【請求項1】 投影レンズの結像面上におかれる物体を
投影レンズに対して位置決めするために、コヒーレント
なアライメント光を出射する光源光学系と、前記アライ
メント光を物体上に照射して戻ってきた回折光を受光す
る位置ずれ検出光学系と、受光した回折光を検出する受
光光学系と、前記3つの光学系を順に結合する柔軟性を
有する光導波路とを備えた露光装置。 - 【請求項2】 露光装置本体とは離れた位置に配置され
てコヒーレントなアライメント光を出射する光源光学系
と、前記光源光学系に第1の光ファイバを介して接続さ
れて投影レンズの近傍に配置された位置ずれ検出光学系
と、前記位置ずれ検出光学系に第2の光ファイバを介し
て接続されて露光装置本体とは離れた位置に配置された
受光光学系とを備え、前記光源光学系から前記第1の光
ファイバを介して位置ずれ検出光学系によりウェハ上の
回折格子にアライメント光を照射し、前記ウェハからの
回折光を前記第2の光ファイバを介して前記受光光学系
へ導き、この受光した回折光からウェハの位置ずれ量を
求めることを特徴とする露光装置。 - 【請求項3】 光源光学系から出射された周波数差のあ
る2つの光束を2本の第1の光ファイバでそれぞれ位置
ずれ検出光学系に導き、前記位置ずれ検出光学系からウ
ェハの回折格子上にそれぞれ特定の入射角度で照射され
て戻ってきた2つの光束を2本の第2の光ファイバでそ
れぞれ受光して受光光学系に導くことを特徴とする請求
項2記載の露光装置。 - 【請求項4】 コヒーレントなアライメント光を出射す
る光源光学系は、2周波のコヒーレント光を発生する光
源と、前記2周波のコヒーレント光を分離するための偏
光光学素子とを備えたことを特徴とする請求項3記載の
露光装置。 - 【請求項5】 コヒーレントなアライメント光を出射す
る光源光学系は、1周波のコヒーレント光を発生する光
源と、その光軸上に直列に配されて、周波数のわずかに
異なる回折光を順次出力する二つの音響光学変調器とを
備えたことを特徴とする請求項3記載の露光装置。 - 【請求項6】 コヒーレントなアライメント光を出射す
る光源光学系は、1周波のコヒーレント光を発生する光
源と、前記コヒーレント光を2光束に分割するビームス
プリッタと、それぞれの光束を入射して周波数のわずか
に異なる回折光を順次出力する二つの音響光学変調器と
を備えたことを特徴とする請求項3記載の露光装置。 - 【請求項7】 ウェハ上からの2つの光束を持つ回折光
を互いに干渉させることを特徴とする請求項3から6の
いずれかに記載の露光装置。 - 【請求項8】 位置ずれ検出光学系は、その内部に位置
ずれ検出の基準を持ち、光ファイバが周囲の環境から受
ける外乱に対して位置ずれ検出精度の低下を防止したこ
とを特徴とする請求項3から7のいずれかに記載の露光
装置。 - 【請求項9】 位置ずれ検出光学系からウェハ上に照射
するアライメント光を投影レンズの最下面のコーティン
グ面で反射させてからウェハ上に照射するとともに、ウ
ェハ上からの回折光をこのコーティング面で反射させて
から位置ずれ検出光学系に取り込むことを特徴とする請
求項3から8のいずれかに記載の露光装置。 - 【請求項10】 第2の光ファイバーの一方を画像伝送
光ファイバとしてウェハ上の回折格子の拡大像をアパー
チャに結像させ、前記アパーチャの位置を制御すること
により、前記回折格子が更新された場合にその最も新し
いものを受光可能としたことを特徴とする請求項9記載
の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015526A JPH0562881A (ja) | 1991-04-24 | 1992-01-30 | 露光装置 |
| US07/872,216 US5329354A (en) | 1991-04-24 | 1992-04-22 | Alignment apparatus for use in exposure system for optically transferring pattern onto object |
| EP92106947A EP0510641B1 (en) | 1991-04-24 | 1992-04-23 | Alignment apparatus for use in exposure system for optically transferring pattern onto object |
| DE69208713T DE69208713T2 (de) | 1991-04-24 | 1992-04-23 | Justiervorrichtung eines Belichtungssystems zum optischen Übertragen von Mustern auf Gegenstände |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-94427 | 1991-04-24 | ||
| JP9442791 | 1991-04-24 | ||
| JP4015526A JPH0562881A (ja) | 1991-04-24 | 1992-01-30 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562881A true JPH0562881A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=26351701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4015526A Pending JPH0562881A (ja) | 1991-04-24 | 1992-01-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562881A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021522538A (ja) * | 2018-05-16 | 2021-08-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 高安定コリメータアセンブリ、リソグラフィ装置及び方法 |
| JP2021196166A (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-27 | Dmg森精機株式会社 | 変位検出装置 |
| CN114096920A (zh) * | 2019-07-24 | 2022-02-25 | Asml控股股份有限公司 | 芯片上晶片对准传感器 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP4015526A patent/JPH0562881A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021522538A (ja) * | 2018-05-16 | 2021-08-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | 高安定コリメータアセンブリ、リソグラフィ装置及び方法 |
| CN114096920A (zh) * | 2019-07-24 | 2022-02-25 | Asml控股股份有限公司 | 芯片上晶片对准传感器 |
| CN114096920B (zh) * | 2019-07-24 | 2024-10-29 | Asml控股股份有限公司 | 芯片上晶片对准传感器 |
| US12487081B2 (en) | 2019-07-24 | 2025-12-02 | Asml Holding N.V. | On chip wafer alignment sensor |
| JP2021196166A (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-27 | Dmg森精機株式会社 | 変位検出装置 |
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