JPH07123105B2 - 位置合わせ装置 - Google Patents
位置合わせ装置Info
- Publication number
- JPH07123105B2 JPH07123105B2 JP2252405A JP25240590A JPH07123105B2 JP H07123105 B2 JPH07123105 B2 JP H07123105B2 JP 2252405 A JP2252405 A JP 2252405A JP 25240590 A JP25240590 A JP 25240590A JP H07123105 B2 JPH07123105 B2 JP H07123105B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical system
- alignment
- interference fringes
- beat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば、レチクル上のパターンを投影光学系
を介してウエハ上に転写する露光装置に用いる位置合わ
せ装置に関するものである。
を介してウエハ上に転写する露光装置に用いる位置合わ
せ装置に関するものである。
従来の技術 近年、半導体装置はますます高密度化され、各々の素子
の微細パターンの寸法は0.5μm以下に及ぼうとしてい
る。このような微細パターンの露光において、半導体製
造時に必要とされるような多数回にわたる重ね合わせ露
光を行うためには、各露光間の位置合わせが極めて大切
であり、その重ね合わせ精度は0.1μm以下が必要とさ
れる。
の微細パターンの寸法は0.5μm以下に及ぼうとしてい
る。このような微細パターンの露光において、半導体製
造時に必要とされるような多数回にわたる重ね合わせ露
光を行うためには、各露光間の位置合わせが極めて大切
であり、その重ね合わせ精度は0.1μm以下が必要とさ
れる。
従来の位置合わせ装置として、特開昭63−78004号公報
に記載されている構成が知られている。以下、図面を参
照しながら上記従来の位置合わせ装置について説明す
る。
に記載されている構成が知られている。以下、図面を参
照しながら上記従来の位置合わせ装置について説明す
る。
第13図は従来の露光装置を示す構成図である。第13図に
おいて、レーザ光源101から出射したコヒーレントな2
周波のアライメント光はミラー102で2光束に分割さ
れ、レチクル103上に形成された1対の第1の回折格子1
04a、104bで回折される。各回折光は第1、第2のレン
ズ系105a、105bのスペクトル面で適当な光束になり、空
間フィルタ106a、106bを通過し、更に第2のレンズ系10
7a、107bと投影光学系108を通過して、ウエハ109上に設
けられた第2の1対の回折格子上110a、110bに投影す
る。この回折光111a、111bは逆方向に投影光学系108、
第2のレンズ系107a、107bを通過し、光検出器112a、11
2bに導かれる。そして、ウエハ109上の第2の回折格子1
10a、110bに2光束を適当な方向から投影すると、回折
光同志が重なった方向に回折され、各々が干渉する。こ
の干渉した1対の回折光強度を光検出器112a、112bで検
出し、この検出結果をコンパレータ113で比較し、制御
系114の駆動によりウェハ109を移動させ、上記一対の回
折光強度の差が零となる箇所を選択することにより、レ
チクル103とウェハ109との位置合わせが可能となる。
おいて、レーザ光源101から出射したコヒーレントな2
周波のアライメント光はミラー102で2光束に分割さ
れ、レチクル103上に形成された1対の第1の回折格子1
04a、104bで回折される。各回折光は第1、第2のレン
ズ系105a、105bのスペクトル面で適当な光束になり、空
間フィルタ106a、106bを通過し、更に第2のレンズ系10
7a、107bと投影光学系108を通過して、ウエハ109上に設
けられた第2の1対の回折格子上110a、110bに投影す
る。この回折光111a、111bは逆方向に投影光学系108、
第2のレンズ系107a、107bを通過し、光検出器112a、11
2bに導かれる。そして、ウエハ109上の第2の回折格子1
10a、110bに2光束を適当な方向から投影すると、回折
光同志が重なった方向に回折され、各々が干渉する。こ
の干渉した1対の回折光強度を光検出器112a、112bで検
出し、この検出結果をコンパレータ113で比較し、制御
系114の駆動によりウェハ109を移動させ、上記一対の回
折光強度の差が零となる箇所を選択することにより、レ
チクル103とウェハ109との位置合わせが可能となる。
一方、レチクル103のパターンは投影用光源115および照
明光学系116により照明され、その投影像は投影レンズ1
08を介してウェハ109上に結像する。
明光学系116により照明され、その投影像は投影レンズ1
08を介してウェハ109上に結像する。
発明が解決しようとする課題 しかし、以上のような従来例の構成では、投影用光源11
5から出射した露光光とレーザ光源101から出射したアラ
イメント光がほぼ同波長であり、投影光学系108が両者
に対して同様に良好な結像性能を発揮する場合にのみ有
効である。例えば、将来、露光光の主流となると期待さ
れているエキシマレーザ等の紫外光に対しては、屈折光
学系を構成するための硝子材料が限られるため、色収差
を補正した色消し投影光学系を構成することは極めて困
難である。このため、投影光学系108は露光波長でのみ
十分に色補正されるように設計され、他の波長の光に対
しては非常に大きな色収差を示す。このため、アライメ
ント光の波長は露光波長に十分に近いことが望ましい。
ところが、半導体製作のプロセスからは、アライメント
波長が露光波長から十分に離れていることが要望され
る。この理由として、化学増感レジスト等の高感度レジ
ストの使用に伴い、アライメント光によるレジストの露
光が心配される点、投影光学系108の結像性能の限界を
補うために使用される多層レジストや多重反射を防止す
る染料入りレジストが露光波長に近いアライメント光を
吸収してしまう点などを挙げることができる。つまり、
半導体製作プロセス上の理由によりアライメント光の波
長は露光波長から十分離れていなければならない。した
がって、上記従来例の構成では、レチクルとウェハの高
精度な位置合わせが困難になってしまう課題がある。
5から出射した露光光とレーザ光源101から出射したアラ
イメント光がほぼ同波長であり、投影光学系108が両者
に対して同様に良好な結像性能を発揮する場合にのみ有
効である。例えば、将来、露光光の主流となると期待さ
れているエキシマレーザ等の紫外光に対しては、屈折光
学系を構成するための硝子材料が限られるため、色収差
を補正した色消し投影光学系を構成することは極めて困
難である。このため、投影光学系108は露光波長でのみ
十分に色補正されるように設計され、他の波長の光に対
しては非常に大きな色収差を示す。このため、アライメ
ント光の波長は露光波長に十分に近いことが望ましい。
ところが、半導体製作のプロセスからは、アライメント
波長が露光波長から十分に離れていることが要望され
る。この理由として、化学増感レジスト等の高感度レジ
ストの使用に伴い、アライメント光によるレジストの露
光が心配される点、投影光学系108の結像性能の限界を
補うために使用される多層レジストや多重反射を防止す
る染料入りレジストが露光波長に近いアライメント光を
吸収してしまう点などを挙げることができる。つまり、
半導体製作プロセス上の理由によりアライメント光の波
長は露光波長から十分離れていなければならない。した
がって、上記従来例の構成では、レチクルとウェハの高
精度な位置合わせが困難になってしまう課題がある。
本発明は、アライメント光として露光波長とは異なる波
長を用いても回折格子を用いた投影光学系を通して行う
スルー・ザ・レンズ・アライメント(TTLアライメン
ト)において、第1と第2の物体の高精度な位置合わせ
を行うことができるようにした位置合わせ装置を提供す
ることを目的とするものである。
長を用いても回折格子を用いた投影光学系を通して行う
スルー・ザ・レンズ・アライメント(TTLアライメン
ト)において、第1と第2の物体の高精度な位置合わせ
を行うことができるようにした位置合わせ装置を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の位置合わせ装置
は、第1の物体のパターンを投影光学系を用いて第2の
物体上に露光する露光装置に使用可能な少なくとも前記
第2の物体の位置合わせを行う位置合わせ装置であっ
て、露光波長とは異なった波長を有する可干渉光を出射
するアライメント光源と、前記可干渉光を第1の光束と
第2の光束に分割する分割光学系と、前記第1の光束を
前記第1の物体の所定位置に反射する第1の反射光学系
と、前記第2の光束を前記第1の物体の前記所定位置に
反射する第2の反射光学系と、前記第1の物体上の前記
所定位置において前記第1の反射光学系を介して形成さ
れた第1の反射像と前記第2の反射光学系を介して形成
された第2の反射像とをともに正立像または倒立像とな
るように一致させる一致手段と、前記第1の反射像と前
記第2の反射像とが干渉して形成された第1の干渉縞が
前記投影光学系を介して前記第2の物体上に第2の干渉
縞として投影される際に色消しを行う補正光学系と、前
記第2の干渉縞からビート周波数を有するビート光を生
成する第1のビート光生成手段と、前記ビート光を受光
する受光手段と、前記受光手段からの出力信号と基準信
号とを比較する比較手段とを有した主構成である。
は、第1の物体のパターンを投影光学系を用いて第2の
物体上に露光する露光装置に使用可能な少なくとも前記
第2の物体の位置合わせを行う位置合わせ装置であっ
て、露光波長とは異なった波長を有する可干渉光を出射
するアライメント光源と、前記可干渉光を第1の光束と
第2の光束に分割する分割光学系と、前記第1の光束を
前記第1の物体の所定位置に反射する第1の反射光学系
と、前記第2の光束を前記第1の物体の前記所定位置に
反射する第2の反射光学系と、前記第1の物体上の前記
所定位置において前記第1の反射光学系を介して形成さ
れた第1の反射像と前記第2の反射光学系を介して形成
された第2の反射像とをともに正立像または倒立像とな
るように一致させる一致手段と、前記第1の反射像と前
記第2の反射像とが干渉して形成された第1の干渉縞が
前記投影光学系を介して前記第2の物体上に第2の干渉
縞として投影される際に色消しを行う補正光学系と、前
記第2の干渉縞からビート周波数を有するビート光を生
成する第1のビート光生成手段と、前記ビート光を受光
する受光手段と、前記受光手段からの出力信号と基準信
号とを比較する比較手段とを有した主構成である。
ここで、一致手段が、分割光学系中に設けられた反射手
段であることが好適である。
段であることが好適である。
更に、第1の干渉縞からビート周波数を有するビート光
を生成する第2のビート光生成手段を有し、第1の物体
の位置合わせをも行う構成であってもよい。
を生成する第2のビート光生成手段を有し、第1の物体
の位置合わせをも行う構成であってもよい。
また、第1および第2の干渉縞は、等ピッチの進行型干
渉縞であってもよい。
渉縞であってもよい。
また、第1の干渉縞は、ピッチが調整自在であることが
好適である。
好適である。
また、第1および第2のビート光生成手段は、各々第1
および第2の干渉縞のピッチ数と整数倍の関係にあるピ
ッチ数を有する回折格子であり、前記第1および第2の
干渉縞は、アライメント光源から直接に出射されるかま
たは出射後に変調されて得られた互いに周波数が異なっ
た2周波の光束同士を利用して生成される構成であって
もよい。
および第2の干渉縞のピッチ数と整数倍の関係にあるピ
ッチ数を有する回折格子であり、前記第1および第2の
干渉縞は、アライメント光源から直接に出射されるかま
たは出射後に変調されて得られた互いに周波数が異なっ
た2周波の光束同士を利用して生成される構成であって
もよい。
更に、第1および/または第2のビート光生成手段から
のビート光のスペックルパターンを除去する空間フィル
タリング光学系を有していてもよい。
のビート光のスペックルパターンを除去する空間フィル
タリング光学系を有していてもよい。
また、アライメント光源から互いに振動方向が異なった
2周波の光束が出射され、前記2周波の光束は偏光光学
素子である分割光学系で2光束に分割された後、いずれ
か一方に一致手段が設けられた第1の反射光学系または
第2の反射光学系を経由して、合成光学系に入射し、前
記合成光学系を経由して第1の物体上に投影される構成
であってもよいし、アライメント光源から出射した1周
波の光束が入射される分割光学系は、2光束に分割しか
つドップラー効果を用いて互いの周波数を異ならせ、い
ずれか一方一致手段が設けられた第1の反射光学系また
は第2の反射光学系を経由して、合成光学系に入射し、
前記合成光学系を経由して第1の物体上に投影される構
成であってもよい。
2周波の光束が出射され、前記2周波の光束は偏光光学
素子である分割光学系で2光束に分割された後、いずれ
か一方に一致手段が設けられた第1の反射光学系または
第2の反射光学系を経由して、合成光学系に入射し、前
記合成光学系を経由して第1の物体上に投影される構成
であってもよいし、アライメント光源から出射した1周
波の光束が入射される分割光学系は、2光束に分割しか
つドップラー効果を用いて互いの周波数を異ならせ、い
ずれか一方一致手段が設けられた第1の反射光学系また
は第2の反射光学系を経由して、合成光学系に入射し、
前記合成光学系を経由して第1の物体上に投影される構
成であってもよい。
更に、分割光学系および合成光学系が同一ベース上に固
定され、脱着自在なユニットを構成することもできる。
定され、脱着自在なユニットを構成することもできる。
作 用 したがって、本発明によれば、アライメント光源が露光
波長とは異なった波長を有する可干渉光を出射し、分割
光学系が可干渉光を第1の光束と第2の光束に分割し、
第1の反射光学系が第1の光束を第1物体の所定位置に
反射し、第2の反射光学系が第2の光束を第1の物体の
所定位置に反射し、この際、一致手段が第1の物体上の
所定位置において形成された第1の反射像と第2の反射
像とをともに正立像または倒立像となるように一致させ
る。
波長とは異なった波長を有する可干渉光を出射し、分割
光学系が可干渉光を第1の光束と第2の光束に分割し、
第1の反射光学系が第1の光束を第1物体の所定位置に
反射し、第2の反射光学系が第2の光束を第1の物体の
所定位置に反射し、この際、一致手段が第1の物体上の
所定位置において形成された第1の反射像と第2の反射
像とをともに正立像または倒立像となるように一致させ
る。
そして、第1の反射像と第2の反射像とが干渉して形成
された第1の干渉縞が投影光学系を介して第2の物体上
に第2の干渉縞として投影される際に補正光学系が色消
しを行い、第2の干渉縞からビート周波数を有するビー
ト光が生成され、受光手段がこのビート光を受光し、比
較手段がこの受光手段からの出力信号と基準信号とを比
較して、少なくとも第2の物体の位置合わせを行う。
された第1の干渉縞が投影光学系を介して第2の物体上
に第2の干渉縞として投影される際に補正光学系が色消
しを行い、第2の干渉縞からビート周波数を有するビー
ト光が生成され、受光手段がこのビート光を受光し、比
較手段がこの受光手段からの出力信号と基準信号とを比
較して、少なくとも第2の物体の位置合わせを行う。
更に、第1の干渉縞からビート周波数を有するビート光
を生成し、第1の物体の位置合わせをも行う。
を生成し、第1の物体の位置合わせをも行う。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
まず、本発明の第1及び第2の実施例について説明す
る。第1図と第3図ないし第7図は本発明の第1の実施
例における位置わせ装置を、第2図ないし第7図は本発
明の第2の実施例における位置合わせ装置を示し、第1
図及び第2図は全体の構成図で、第2図は第1図と基本
的構成は同一であるが、分割光学系の部分に改良を加え
てある。第3図は第1図及び第2図のII矢視部の拡大
図、第4図は第1図及び第2図のIII矢視部の拡大図、
第5図は色補正を行う投影レンズの画角内の特定領域を
示すレチクルの平面図、第6図はレーザ光源から出射さ
れるレーザ光の偏光方向図、第7図は空間フィルタリン
グ光学系内の空間フィルタの働きの説明用平面図であ
る。また、第8図(a)〜(d)は上記実施例の動作説
明用で、同図(a)、(b)、(c)はウェハ(第2の
物体)における干渉縞と位置合わせ用回折格子の重なり
具合の変化説明図、同図(d)はスキャン領域の説明図
である。
る。第1図と第3図ないし第7図は本発明の第1の実施
例における位置わせ装置を、第2図ないし第7図は本発
明の第2の実施例における位置合わせ装置を示し、第1
図及び第2図は全体の構成図で、第2図は第1図と基本
的構成は同一であるが、分割光学系の部分に改良を加え
てある。第3図は第1図及び第2図のII矢視部の拡大
図、第4図は第1図及び第2図のIII矢視部の拡大図、
第5図は色補正を行う投影レンズの画角内の特定領域を
示すレチクルの平面図、第6図はレーザ光源から出射さ
れるレーザ光の偏光方向図、第7図は空間フィルタリン
グ光学系内の空間フィルタの働きの説明用平面図であ
る。また、第8図(a)〜(d)は上記実施例の動作説
明用で、同図(a)、(b)、(c)はウェハ(第2の
物体)における干渉縞と位置合わせ用回折格子の重なり
具合の変化説明図、同図(d)はスキャン領域の説明図
である。
本第1及び第2の実施例においては、X、Y、θの3軸
の位置合わせ系の内、X方向の1軸の位置合わせについ
て説明するが、その他の軸についても同様にして位置合
わせすることができる。
の位置合わせ系の内、X方向の1軸の位置合わせについ
て説明するが、その他の軸についても同様にして位置合
わせすることができる。
第1図及び第2図において、1は第1の物体である露光
原盤のレチクル、2はレチクル1のパターンが露光され
る第2の物体であるウェハ、3はウェハ2を移動させる
ウェハステージ、4は投影レンズ(投影光学系)であ
り、この投影レンズ4の物体面上にレチクル1が配置さ
れ、像面上にウェハ2が配置されている。5はレチクル
1上に設けられた位置合わせ用マーク(以下、位置合わ
せ用ブランクと呼ぶ)、6はウェハ2上に設けられた位
置合わせ用マーク(以下、位置合わせ用回折格子と呼
ぶ)、7は照明光学系、8は照明光学系7を透過した露
光光である。9は位置合わせ用の光源であり、直交偏光
した2つの異なる周波数(f1、f2)のアライメント光10
を出射する。11は分割光学系であり、第1の実施例の場
合には第1図に示すように、分割光学系11は、レーザ光
源9から出射したアライメント光10を分割する偏光ビー
ムスプリッタ12と、偏光ビームスプリッタ12で分割され
たf1、f2成分のアライメント光10を円偏光化する波長板
13とからなる。一方第2の実施例の場合には第2図に示
すように、分割光学系11がレーザ光源9から出射したア
ライメント光10を分割する偏光ビームスプリッタ12と、
偏光ビームスプリッタ12で分割されたf1、f2成分のアラ
イメント光10を円偏光化する波長板13と偏光ビームスプ
リッタ12を透過したアライメント光を垂直方向に反射す
るミラー50とから構成されている。第1図及び第2図に
おいて、14は合成光学系であり、分割光学系11で分割さ
れた、f1、f2成分のアライメント光10を反射するミラー
15と、このミラー15の角度を調整する微調機構16とから
なる。17はミラー15で反射されたf1、f2成分のアライメ
ント光10を干渉させてレチクル1の位置合わせ用ブラン
ク5に照射させる落射ミラー、18は位置合わせ用ブラン
ク5でアライメント光10が干渉して特定領域で発生する
進行型干渉縞19(第3図参照)に対応して投影レンズ4
の色収差を補正するための補正光学系、20はウェハ2上
の位置合わせ用回折格子6により回折された回折光、21
は空間フィルタリング光学系であり、空間フィルタ22を
有し、投影レンズ4、補正光学系18、レチクル1を通過
し、落射ミラー17、ミラー23で反射された回折光20の中
央部のみを透過させる。24は空間フィルタリング光学系
21を透過した回折光20が導かれる光検出器、25はレーザ
干渉計、26はウェハステージ3上に設けられたL型ミラ
ーである。
原盤のレチクル、2はレチクル1のパターンが露光され
る第2の物体であるウェハ、3はウェハ2を移動させる
ウェハステージ、4は投影レンズ(投影光学系)であ
り、この投影レンズ4の物体面上にレチクル1が配置さ
れ、像面上にウェハ2が配置されている。5はレチクル
1上に設けられた位置合わせ用マーク(以下、位置合わ
せ用ブランクと呼ぶ)、6はウェハ2上に設けられた位
置合わせ用マーク(以下、位置合わせ用回折格子と呼
ぶ)、7は照明光学系、8は照明光学系7を透過した露
光光である。9は位置合わせ用の光源であり、直交偏光
した2つの異なる周波数(f1、f2)のアライメント光10
を出射する。11は分割光学系であり、第1の実施例の場
合には第1図に示すように、分割光学系11は、レーザ光
源9から出射したアライメント光10を分割する偏光ビー
ムスプリッタ12と、偏光ビームスプリッタ12で分割され
たf1、f2成分のアライメント光10を円偏光化する波長板
13とからなる。一方第2の実施例の場合には第2図に示
すように、分割光学系11がレーザ光源9から出射したア
ライメント光10を分割する偏光ビームスプリッタ12と、
偏光ビームスプリッタ12で分割されたf1、f2成分のアラ
イメント光10を円偏光化する波長板13と偏光ビームスプ
リッタ12を透過したアライメント光を垂直方向に反射す
るミラー50とから構成されている。第1図及び第2図に
おいて、14は合成光学系であり、分割光学系11で分割さ
れた、f1、f2成分のアライメント光10を反射するミラー
15と、このミラー15の角度を調整する微調機構16とから
なる。17はミラー15で反射されたf1、f2成分のアライメ
ント光10を干渉させてレチクル1の位置合わせ用ブラン
ク5に照射させる落射ミラー、18は位置合わせ用ブラン
ク5でアライメント光10が干渉して特定領域で発生する
進行型干渉縞19(第3図参照)に対応して投影レンズ4
の色収差を補正するための補正光学系、20はウェハ2上
の位置合わせ用回折格子6により回折された回折光、21
は空間フィルタリング光学系であり、空間フィルタ22を
有し、投影レンズ4、補正光学系18、レチクル1を通過
し、落射ミラー17、ミラー23で反射された回折光20の中
央部のみを透過させる。24は空間フィルタリング光学系
21を透過した回折光20が導かれる光検出器、25はレーザ
干渉計、26はウェハステージ3上に設けられたL型ミラ
ーである。
以上の構成をその動作と共に、更に詳細に説明する。
位置合わせ用のレーザ光源9は第6図に示すように、互
いに直交偏光し、周波数がf1、f2のコヒーレントなアラ
イメント光10を出射する光学ユニットであり、本第1及
び第2の実施例では、レーザ管に磁場をかけることによ
り2周波を得るゼーマンレーザを用いている。この他、
このような光学ユニットしては、一方向に伝播する超音
波を用いた光変調器や、回転回折格子を用い、周波数を
ドップラーシフトさせることにより、2周波を得るよう
な装置を利用することができる。また、f1とf2の周波数
差としては数十KHz〜数十MHzが一般的である。
いに直交偏光し、周波数がf1、f2のコヒーレントなアラ
イメント光10を出射する光学ユニットであり、本第1及
び第2の実施例では、レーザ管に磁場をかけることによ
り2周波を得るゼーマンレーザを用いている。この他、
このような光学ユニットしては、一方向に伝播する超音
波を用いた光変調器や、回転回折格子を用い、周波数を
ドップラーシフトさせることにより、2周波を得るよう
な装置を利用することができる。また、f1とf2の周波数
差としては数十KHz〜数十MHzが一般的である。
レーザ光源9から出射したアライメント光10は、第1図
及び第2図のいずれの場合も分割光学系11において、偏
光ビームスプリッタ12によりf1成分とf2成分に分割され
た後、波長板13により直線偏光から円偏光化される。分
割光学系11としては、偏光ビームスプリッタ12のような
誘電体多層膜を用いたものの他、ウォランストンリズム
のような複屈折を用いたものが使用可能である。また、
アライメント光10が直線偏光のままであると、多重反射
による強度変動の影響を受けやすく、ウェハ2のアライ
メント時のアライメント信号強度マージンが少ないた
め、円偏光化する。
及び第2図のいずれの場合も分割光学系11において、偏
光ビームスプリッタ12によりf1成分とf2成分に分割され
た後、波長板13により直線偏光から円偏光化される。分
割光学系11としては、偏光ビームスプリッタ12のような
誘電体多層膜を用いたものの他、ウォランストンリズム
のような複屈折を用いたものが使用可能である。また、
アライメント光10が直線偏光のままであると、多重反射
による強度変動の影響を受けやすく、ウェハ2のアライ
メント時のアライメント信号強度マージンが少ないた
め、円偏光化する。
分割光学系11により分割されたf1成分とf2成分のアライ
メント光10は、合成光学系14におけるミラー15により反
射され、落射ミラーにより干渉されてレチクル1上の位
置合わせ用ブランク5上に照射される。合成光学系14に
おけるミラー15は全反射を利用したプリズム等に代える
ことも可能である。位置合わせ用ブランク5上で交わる
f1、f2成分のアライメント光10は互いに干渉し、干渉縞
を生ずる。干渉縞のピッチは、約8μmとなるようにミ
ラー15の角度が微調機構16により調整されているが、後
述するような理由から、干渉縞のピッチは数パーセント
の範囲で微調可能なようになっている。
メント光10は、合成光学系14におけるミラー15により反
射され、落射ミラーにより干渉されてレチクル1上の位
置合わせ用ブランク5上に照射される。合成光学系14に
おけるミラー15は全反射を利用したプリズム等に代える
ことも可能である。位置合わせ用ブランク5上で交わる
f1、f2成分のアライメント光10は互いに干渉し、干渉縞
を生ずる。干渉縞のピッチは、約8μmとなるようにミ
ラー15の角度が微調機構16により調整されているが、後
述するような理由から、干渉縞のピッチは数パーセント
の範囲で微調可能なようになっている。
ところで、分割光学系11が第1図に示すような構成、す
なわちレーザー光が偏光ビームスプリッタにより、2光
束に分離され、それぞれの光がミラーによって、レチク
ル上で重なり合う構成においては、重なり合う2光束を
見たときは、1方はミラー1枚の反射によって倒立像
(鏡像)となり他方は偏光ビームスプリッタとミラーの
2回反射によって正立像になる。このため、重なり合う
点では、2つの光束間に、本来分離する前の状態と微妙
に幾可学的な相違を生じ、結果、そこから得られる信号
の精度がわずかに劣化する可能性が残されている。
なわちレーザー光が偏光ビームスプリッタにより、2光
束に分離され、それぞれの光がミラーによって、レチク
ル上で重なり合う構成においては、重なり合う2光束を
見たときは、1方はミラー1枚の反射によって倒立像
(鏡像)となり他方は偏光ビームスプリッタとミラーの
2回反射によって正立像になる。このため、重なり合う
点では、2つの光束間に、本来分離する前の状態と微妙
に幾可学的な相違を生じ、結果、そこから得られる信号
の精度がわずかに劣化する可能性が残されている。
第2図に示す第2の実施例の分割光学系11ではこれらの
課題の解決を図っている。即ち、本実施例では、第1の
実施例と異なりレチクル上で重なり合う光束はどちらも
同じ回数反射されるので、分離前と同じ状態で重なり、
その結果、精度の向上が得られる。さらに、偏光ビーム
スプリッタから、レチクル上で重なり合う点までの2光
束の光路長が等しくなるよう構成すれば、偏光ビームス
プリッタに入射し、2つの光束に分離した点の光の波面
がそのまま再現できるので、より空間コヒーレンシーが
高まり精度向上が得られる。
課題の解決を図っている。即ち、本実施例では、第1の
実施例と異なりレチクル上で重なり合う光束はどちらも
同じ回数反射されるので、分離前と同じ状態で重なり、
その結果、精度の向上が得られる。さらに、偏光ビーム
スプリッタから、レチクル上で重なり合う点までの2光
束の光路長が等しくなるよう構成すれば、偏光ビームス
プリッタに入射し、2つの光束に分離した点の光の波面
がそのまま再現できるので、より空間コヒーレンシーが
高まり精度向上が得られる。
また、上記構成では偏光ビームスプリッタから反射ミラ
ーまでを一体化したユニットにすれば、このユニット内
で2光束が構成する平面内の変位に対して、出射する光
束の角度が変化しないという特徴を合わせもつため、こ
のユニツトの調整が容易になり、また、その後の経時的
変化に対しても精度劣化を妨げるという利点を有してい
る。
ーまでを一体化したユニットにすれば、このユニット内
で2光束が構成する平面内の変位に対して、出射する光
束の角度が変化しないという特徴を合わせもつため、こ
のユニツトの調整が容易になり、また、その後の経時的
変化に対しても精度劣化を妨げるという利点を有してい
る。
いずれの場合も、f1とf2成分のアライメント光10は互い
に干渉するが、その周波数はわずかに異なっているた
め、干渉縞は第3図に示すように一方向にビート周波数
で振動しながら進行することになる。このような進行波
としての干渉縞を進行型干渉縞19と呼ぶことにする。
に干渉するが、その周波数はわずかに異なっているた
め、干渉縞は第3図に示すように一方向にビート周波数
で振動しながら進行することになる。このような進行波
としての干渉縞を進行型干渉縞19と呼ぶことにする。
KrFエキシマレーザから出射された露光光8が照明光学
系7を介してレチクル1に照明され、このレチクル1の
像が投影レンズ4によりウェハ2上に投影する。このよ
うに投影レンズ4は、露光光8の露光波長に合わせて設
計されているため、レーザ光源9から出射されるf1、f2
成分のアライメント光10の干渉により形成される進行型
干渉縞19を投影レンズ4だけでウェハ2上に結像するこ
とは色収差が大きすぎて不可能である。しかし、レチク
ル1上で進行型干渉縞19が形成される領域は狭く、この
特定領域に対してだけ投影レンズ4の色収差を十分に補
正することが可能である。ここで、補正光学系18は、例
えば、第5図に示すように、投影レンズ4の有効画角27
の特定領域28(図中では同一円環領域)において、投影
レンズ4の色収差を補正しており、レーザ光源9から出
射されるf1、f2成分のアライメント光10によりレチクル
1上の特定領域28内に作られる進行型干渉縞19は、ウェ
ハ2上に正確に投影結像される。なお、第5図におい
て、29はパターン領域を示している。
系7を介してレチクル1に照明され、このレチクル1の
像が投影レンズ4によりウェハ2上に投影する。このよ
うに投影レンズ4は、露光光8の露光波長に合わせて設
計されているため、レーザ光源9から出射されるf1、f2
成分のアライメント光10の干渉により形成される進行型
干渉縞19を投影レンズ4だけでウェハ2上に結像するこ
とは色収差が大きすぎて不可能である。しかし、レチク
ル1上で進行型干渉縞19が形成される領域は狭く、この
特定領域に対してだけ投影レンズ4の色収差を十分に補
正することが可能である。ここで、補正光学系18は、例
えば、第5図に示すように、投影レンズ4の有効画角27
の特定領域28(図中では同一円環領域)において、投影
レンズ4の色収差を補正しており、レーザ光源9から出
射されるf1、f2成分のアライメント光10によりレチクル
1上の特定領域28内に作られる進行型干渉縞19は、ウェ
ハ2上に正確に投影結像される。なお、第5図におい
て、29はパターン領域を示している。
上記補正光学系18について更に詳細に説明すると、補正
光学系18の働きには大きく分けて次の2つがある。
光学系18の働きには大きく分けて次の2つがある。
(1) 波長の違いに起因する投影レンズ4の収差を補
正すること。
正すること。
KrFエキシマレーザを用いた場合の露光光8(λ=248.5
nm)に適する投影レンズ4に用いられる合成石英等の屈
折率は、エキシマレーザ光のような紫外光と、アライメ
ント光10のような可視光に対する屈折率が大きく異なっ
ている。このため、エキシマレーザ光に合わせて最適設
計された投影レンズ4のアライメント光10に対する色収
差は極めて大きく、投影レンズ4の全画角27を色補正で
きるような補正光学系18を設計することは極めて難し
い。そこで、本実施例のように、投影レンズ4の画角の
中で、位置合わせ用ブランク5の存在するごく限られた
領域に対して色補正を行うような補正光学系18を用いる
ことにより、補正光学系18の設計はかなり容易なものと
なる。このようにして、アライメント波長で形成される
進行型干渉縞19を、小さな収差と十分なMTFを持つ光学
系によりウェハ2上へ投影することが可能となる。
nm)に適する投影レンズ4に用いられる合成石英等の屈
折率は、エキシマレーザ光のような紫外光と、アライメ
ント光10のような可視光に対する屈折率が大きく異なっ
ている。このため、エキシマレーザ光に合わせて最適設
計された投影レンズ4のアライメント光10に対する色収
差は極めて大きく、投影レンズ4の全画角27を色補正で
きるような補正光学系18を設計することは極めて難し
い。そこで、本実施例のように、投影レンズ4の画角の
中で、位置合わせ用ブランク5の存在するごく限られた
領域に対して色補正を行うような補正光学系18を用いる
ことにより、補正光学系18の設計はかなり容易なものと
なる。このようにして、アライメント波長で形成される
進行型干渉縞19を、小さな収差と十分なMTFを持つ光学
系によりウェハ2上へ投影することが可能となる。
(2) アライメント光10に対するレチクル1、ウェハ
2間の投影倍率を補正すること。
2間の投影倍率を補正すること。
露光光8の波長より長波長のアライメント光10に対し、
投影レンズ4はより長い焦点距離を持つ。例えば、HeNe
レーザに対する投影レンズ4の焦点距離は、KrF露光波
長の数10倍あり、当然、結像倍率も数10倍となる(結像
位置ももちろん異なる)。このような関係のもとで、ア
ライメント光10での投影倍率を露光光8の波長での投影
倍率と等しくすることは、補正光学系18の設計上無理が
多い。このため、露光光8の波長での投影倍率が5であ
るとしても、アライメント光10での投影倍率は1程度に
抑えることが好ましい。一方、補正光学系18と投影レン
ズ4の合成倍率を色収差を完全に補正しつつ正確に1に
することは、レンズの製造、組立上かなり難しいので、
この合成倍率誤差を補正するような機構を他に設けるこ
とが必要となる。この補正機構は上記合成光学系14中の
微調機構16である。つまり、合成倍率が1.01となった場
合には、進行型干渉縞19のピッチを0.99倍になるように
微調機構16を調整すれば、ウェハ2上に投影される進行
型干渉縞30(第4図参照)のピッチは不変である。
投影レンズ4はより長い焦点距離を持つ。例えば、HeNe
レーザに対する投影レンズ4の焦点距離は、KrF露光波
長の数10倍あり、当然、結像倍率も数10倍となる(結像
位置ももちろん異なる)。このような関係のもとで、ア
ライメント光10での投影倍率を露光光8の波長での投影
倍率と等しくすることは、補正光学系18の設計上無理が
多い。このため、露光光8の波長での投影倍率が5であ
るとしても、アライメント光10での投影倍率は1程度に
抑えることが好ましい。一方、補正光学系18と投影レン
ズ4の合成倍率を色収差を完全に補正しつつ正確に1に
することは、レンズの製造、組立上かなり難しいので、
この合成倍率誤差を補正するような機構を他に設けるこ
とが必要となる。この補正機構は上記合成光学系14中の
微調機構16である。つまり、合成倍率が1.01となった場
合には、進行型干渉縞19のピッチを0.99倍になるように
微調機構16を調整すれば、ウェハ2上に投影される進行
型干渉縞30(第4図参照)のピッチは不変である。
レチクル1上に形成された進行型干渉縞19は、補正光学
系18、投影レンズ4を通過し、ウェハ2へ至り、第4図
に示すように、位置合わせ用回折格子6の上に再び進行
型干渉縞30を形成する。この進行型干渉縞30はウェハ2
上の位置合わせ用回折格子6と等ピッチになるようにあ
らかじめ合成光学系14を調整してあるため、進行型干渉
縞30と位置合わせ用回折格子6により生じる垂直方向の
回折光20の強度はビート周波数(f1とf2の周波数差)で
変化するようになる。進行型干渉縞30が位置合わせ用回
折格子6とちょうど重なったときに回折光20は強度ピー
クになり、180度位置ずれしているときに回折光20は強
度最低となる。つまり、この回折光20の強度は位置合わ
せ用回折格子6の位置ずれ情報を交流成分の位相の中に
含んでいることになる。したがって、2周波レーザ光源
9から基準となるビート信号を取り出し、更に、空間フ
ィルタリング光学系21を介して光検出器24で検出した回
折光20の強度信号と共に、位相計に入力することによ
り、ウェハ2の位置ずれ量を正確に知ることができる。
系18、投影レンズ4を通過し、ウェハ2へ至り、第4図
に示すように、位置合わせ用回折格子6の上に再び進行
型干渉縞30を形成する。この進行型干渉縞30はウェハ2
上の位置合わせ用回折格子6と等ピッチになるようにあ
らかじめ合成光学系14を調整してあるため、進行型干渉
縞30と位置合わせ用回折格子6により生じる垂直方向の
回折光20の強度はビート周波数(f1とf2の周波数差)で
変化するようになる。進行型干渉縞30が位置合わせ用回
折格子6とちょうど重なったときに回折光20は強度ピー
クになり、180度位置ずれしているときに回折光20は強
度最低となる。つまり、この回折光20の強度は位置合わ
せ用回折格子6の位置ずれ情報を交流成分の位相の中に
含んでいることになる。したがって、2周波レーザ光源
9から基準となるビート信号を取り出し、更に、空間フ
ィルタリング光学系21を介して光検出器24で検出した回
折光20の強度信号と共に、位相計に入力することによ
り、ウェハ2の位置ずれ量を正確に知ることができる。
ここで、空間フィルタリング用光学系21の役割を説明す
る。例えば、ウェハ2の表面がアルミパターン等で荒れ
ていた場合を考えると、回折光20の中にはアルミパター
ンからのスペックルも混じることになる。この時の空間
フィルタリング光学系21のフーリエ面上での光パターン
を第7図に示す。同図より、中央部のみを透過するよう
な空間フィルタ22を用いることで、スペックルパターン
31を落とすことができることがわかる。
る。例えば、ウェハ2の表面がアルミパターン等で荒れ
ていた場合を考えると、回折光20の中にはアルミパター
ンからのスペックルも混じることになる。この時の空間
フィルタリング光学系21のフーリエ面上での光パターン
を第7図に示す。同図より、中央部のみを透過するよう
な空間フィルタ22を用いることで、スペックルパターン
31を落とすことができることがわかる。
本実施例において、補正光学系18の投影レンズ4に対す
る取付け位置精度は極めて重要である。仮に、補正光学
系18が何らかの原因で位置ずれしたとすると、レチクル
1上の位置合わせ用マーク5とウェハ2上の位置合わせ
用マーク6との共役関係がずれてしまう。したがって、
補正光学系18は投影レンズ4に対して長時間安定性を持
つて強固に固定されなければならない。そのために、補
正光学系18を投影レンズ4と一体構造に作製する等の工
夫が有効である。
る取付け位置精度は極めて重要である。仮に、補正光学
系18が何らかの原因で位置ずれしたとすると、レチクル
1上の位置合わせ用マーク5とウェハ2上の位置合わせ
用マーク6との共役関係がずれてしまう。したがって、
補正光学系18は投影レンズ4に対して長時間安定性を持
つて強固に固定されなければならない。そのために、補
正光学系18を投影レンズ4と一体構造に作製する等の工
夫が有効である。
また、上記位置ずれ検出法が、使用している位置合わせ
用マークの周期性のために、ウェハ2の位置合わせ用回
折格子6のピッチの半分の検出レンジしか持たないこと
に対し、レチクル1上の位置合わせ用ブランク5の投影
像とビート信号強度を用いることにより、検出レンジを
事実上無限大にできることについて第1図、第2図およ
び第8図を参照しながら説明する。ウェハ2は一定速度
でスキャン可能なウェハステージ3上に載せられてお
り、ウェハステージ3は位置ずれ量が零と想定される位
置を含んだスキャン領域32(第8図(d)参照)をスキ
ャンするものとする。第8図(a)(b)、(c)に示
すように、進行型干渉縞30と位置合わせ用回折格子6の
重なり具合が変化して行く(第8図(a)、(b)、
(c)はそれぞれ第8図(d)の点A、B、Cに相当す
る)。このとき、光検出器24からのビート信号を振幅検
出回路に入力し、スキャン時のウェハステージ3のレー
ザ干渉計25による座標を横軸に、ビート信号の振幅を縦
軸にとると、第8図(d)に示すような3角形に近いパ
ターンが一般的に得られる。この3角形状パターンの中
心位置を計算することにより、位置ずれ量零のウェハ2
の位置を知ることができる。このときの検出精度は、最
終的なウェハ2とレチクル1の位置合わせ精度には十分
ではないが、粗アライメントとしては十分な精度を持っ
ており、前述の位相検出による位置ずれ検出法と組合わ
せることにより、極めて広い検出レンジを持ったアライ
メント系の構成が可能である。
用マークの周期性のために、ウェハ2の位置合わせ用回
折格子6のピッチの半分の検出レンジしか持たないこと
に対し、レチクル1上の位置合わせ用ブランク5の投影
像とビート信号強度を用いることにより、検出レンジを
事実上無限大にできることについて第1図、第2図およ
び第8図を参照しながら説明する。ウェハ2は一定速度
でスキャン可能なウェハステージ3上に載せられてお
り、ウェハステージ3は位置ずれ量が零と想定される位
置を含んだスキャン領域32(第8図(d)参照)をスキ
ャンするものとする。第8図(a)(b)、(c)に示
すように、進行型干渉縞30と位置合わせ用回折格子6の
重なり具合が変化して行く(第8図(a)、(b)、
(c)はそれぞれ第8図(d)の点A、B、Cに相当す
る)。このとき、光検出器24からのビート信号を振幅検
出回路に入力し、スキャン時のウェハステージ3のレー
ザ干渉計25による座標を横軸に、ビート信号の振幅を縦
軸にとると、第8図(d)に示すような3角形に近いパ
ターンが一般的に得られる。この3角形状パターンの中
心位置を計算することにより、位置ずれ量零のウェハ2
の位置を知ることができる。このときの検出精度は、最
終的なウェハ2とレチクル1の位置合わせ精度には十分
ではないが、粗アライメントとしては十分な精度を持っ
ており、前述の位相検出による位置ずれ検出法と組合わ
せることにより、極めて広い検出レンジを持ったアライ
メント系の構成が可能である。
本位置ずれ検出法の1つの特徴は、進行型干渉縞19を一
度レチクル1上に形成し、それをウェハ2上に投影する
ことである。このため、ウェハ2のアライメントだけで
なレチクル1のアライメントも同時に行うことが可能で
ある。この場合の装置を第3の実施例として第9図〜第
12図に示す。
度レチクル1上に形成し、それをウェハ2上に投影する
ことである。このため、ウェハ2のアライメントだけで
なレチクル1のアライメントも同時に行うことが可能で
ある。この場合の装置を第3の実施例として第9図〜第
12図に示す。
第9図ないし第12図は本発明の第3の実施例における位
置合わせ装置を示し、第9図は全体の構成図、第10図は
第9図のIX矢視部の拡大図、第11図、第12はレチクル上
の位置合わせ用マークの配置図である。本実施例の分割
光学系については第2の実施例と同じ構成のものを用い
たが、第1の実施例に示すものであっても良いことはも
ちろんである。
置合わせ装置を示し、第9図は全体の構成図、第10図は
第9図のIX矢視部の拡大図、第11図、第12はレチクル上
の位置合わせ用マークの配置図である。本実施例の分割
光学系については第2の実施例と同じ構成のものを用い
たが、第1の実施例に示すものであっても良いことはも
ちろんである。
本実施例においては、レチクル1上に設けられた位置合
わせ用回折格子33からの回折光34(第10図参照)が別の
空間フィルタリング光学系35を介して別の光検出器36に
より検出される。光検出器24の前段に設けられた視野絞
り37は位置合わせ用ブランク5からの光だけを光検出器
24に導くためのものである。レチクル1上の進行型干渉
縞19は前述の理由によりピッチを合成光学系14により微
調されているため、レチクル1の位置合わせ用回折格子
33とのピッチ誤差が生じる可能性がある。このため、レ
チクル1の位置合わせ用回折格子33の回折格子本数はで
きるだけ少ないことが望ましい。レチクル1は一般的に
石英硝子上にCrパターンを描画したものであり、回折効
率が高い。このため、多少、レチクル1の位置合わせ用
回折格子33の面積が小さくとも、ビート信号を光検出器
36で拾うことに支障はないからである。同様な効果は空
間フィルタリング光学系35により、レチクル1からの戻
り光の視野制限を行うことによっても得られる。レチク
ル1の位置合わせ用回折格子33の様子を第11図に示す。
このように補正光学系18と投影レンズ4の合成倍率を1
倍としているため光検出器24と光検出器36のビート信号
の両方の検出が可能となり、両者の検出信号の位相を比
較すると、レチクル1とウェハ2の相対合わせが可能と
なり、レチクル1、ウェハ2の単独アライメントより更
に高いアライメント精度が期待できる(スルー・ザ・レ
チクル・アライメント、またはTTRアライメント)。更
に、第12図に示すようなレチクル位置合わせ用回折格子
33の配置も使用可能である。この位置合わせ用回折格子
33の特徴は、たとえ進行型干渉縞19にローテーション
(位置合わせ用回折格子33の格子方向と、進行型干渉縞
19の縦方向がずれること)が発生しても、ウェハ2とレ
チクル1の相対位置ずれ量検出にアッベ誤差を生じない
ことである。なぜなら、進行型干渉縞19のローテーショ
ンの有無にかかわらず、ウェハ2、レチクル1の位置ず
れ検出量は(位置合わせ用回折格子6、33のパターンの
一様性を仮定すると、)位置合わせ用回折格子6、33の
重心位置で代表されるものであり、第12図に示すパター
ンではウェハ2、レチクル1の位置合わせ用回折格子
6、33の重心位置が見かけ上一致するからである。
わせ用回折格子33からの回折光34(第10図参照)が別の
空間フィルタリング光学系35を介して別の光検出器36に
より検出される。光検出器24の前段に設けられた視野絞
り37は位置合わせ用ブランク5からの光だけを光検出器
24に導くためのものである。レチクル1上の進行型干渉
縞19は前述の理由によりピッチを合成光学系14により微
調されているため、レチクル1の位置合わせ用回折格子
33とのピッチ誤差が生じる可能性がある。このため、レ
チクル1の位置合わせ用回折格子33の回折格子本数はで
きるだけ少ないことが望ましい。レチクル1は一般的に
石英硝子上にCrパターンを描画したものであり、回折効
率が高い。このため、多少、レチクル1の位置合わせ用
回折格子33の面積が小さくとも、ビート信号を光検出器
36で拾うことに支障はないからである。同様な効果は空
間フィルタリング光学系35により、レチクル1からの戻
り光の視野制限を行うことによっても得られる。レチク
ル1の位置合わせ用回折格子33の様子を第11図に示す。
このように補正光学系18と投影レンズ4の合成倍率を1
倍としているため光検出器24と光検出器36のビート信号
の両方の検出が可能となり、両者の検出信号の位相を比
較すると、レチクル1とウェハ2の相対合わせが可能と
なり、レチクル1、ウェハ2の単独アライメントより更
に高いアライメント精度が期待できる(スルー・ザ・レ
チクル・アライメント、またはTTRアライメント)。更
に、第12図に示すようなレチクル位置合わせ用回折格子
33の配置も使用可能である。この位置合わせ用回折格子
33の特徴は、たとえ進行型干渉縞19にローテーション
(位置合わせ用回折格子33の格子方向と、進行型干渉縞
19の縦方向がずれること)が発生しても、ウェハ2とレ
チクル1の相対位置ずれ量検出にアッベ誤差を生じない
ことである。なぜなら、進行型干渉縞19のローテーショ
ンの有無にかかわらず、ウェハ2、レチクル1の位置ず
れ検出量は(位置合わせ用回折格子6、33のパターンの
一様性を仮定すると、)位置合わせ用回折格子6、33の
重心位置で代表されるものであり、第12図に示すパター
ンではウェハ2、レチクル1の位置合わせ用回折格子
6、33の重心位置が見かけ上一致するからである。
このように本発明では、特定位置に置かれたレチクル1
上の位置合わせ用ブランク5を、露光波長とは異なるコ
ヒーレントな2周波のアライメント光10を用いて照明
し、進行型干渉縞19を形成し、補正光学系18と投影レン
ズ4によって、ウェハ2上の位置合わせ用回折格子6上
に投影し、回折光20を空間フィルタリング光学系21を透
過して光検出器24に導き、ビート信号を検出し、その位
相情報を調べることでウェハ2の位置ずれを知ることが
でき、この位置ずれ検出量に基づいてウェハステージ3
を操作して位置ずれをなくし、正確な位置合わせを行う
ことができる。
上の位置合わせ用ブランク5を、露光波長とは異なるコ
ヒーレントな2周波のアライメント光10を用いて照明
し、進行型干渉縞19を形成し、補正光学系18と投影レン
ズ4によって、ウェハ2上の位置合わせ用回折格子6上
に投影し、回折光20を空間フィルタリング光学系21を透
過して光検出器24に導き、ビート信号を検出し、その位
相情報を調べることでウェハ2の位置ずれを知ることが
でき、この位置ずれ検出量に基づいてウェハステージ3
を操作して位置ずれをなくし、正確な位置合わせを行う
ことができる。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、アライメント光源が
露光波長とは異なった波長を有する可干渉光を出射し、
分割光学系が可干渉光を第1の光束と第2の光束に分割
し、第1の反射光学系が第1の光束を第1の物体の所定
位置に反射し、第2の反射光学系が第2の光束を第1の
物体の所定位置に反射する際に、一致手段を設けること
により、第1の物体上の所定位置において形成された第
1の反射像と第2の反射像とをともに正立像または倒立
像となるように一致させることができるため、アライメ
ント光源の実質的に同一領域からの光を第1の物体上の
同一領域上に投影することができる。
露光波長とは異なった波長を有する可干渉光を出射し、
分割光学系が可干渉光を第1の光束と第2の光束に分割
し、第1の反射光学系が第1の光束を第1の物体の所定
位置に反射し、第2の反射光学系が第2の光束を第1の
物体の所定位置に反射する際に、一致手段を設けること
により、第1の物体上の所定位置において形成された第
1の反射像と第2の反射像とをともに正立像または倒立
像となるように一致させることができるため、アライメ
ント光源の実質的に同一領域からの光を第1の物体上の
同一領域上に投影することができる。
よって、第1の反射像と第2の反射像とが干渉して形成
される第1の干渉縞、ひいては投影光学系を介して第2
の物体上に投影される第2の干渉縞を良好に形成するこ
とができ、これらの干渉縞から生成されるビート信号の
誤差要因を排除することができるため、第1物体や第2
物体を高精度に位置合わせすることができる。
される第1の干渉縞、ひいては投影光学系を介して第2
の物体上に投影される第2の干渉縞を良好に形成するこ
とができ、これらの干渉縞から生成されるビート信号の
誤差要因を排除することができるため、第1物体や第2
物体を高精度に位置合わせすることができる。
第1図ないし第7図は本発明の第1及び第2の実施例に
おける位置合わせ装置を示し、第1図は第1の実施例の
全体の構成図、第2図は第2の実施例の全体の構成図、
第3図は第1図及び第2図のII矢視部の拡大図、第4図
は第1図及び第2図のIII矢視部の拡大図、第5図は色
補正を行う投影レンズ内の画角内の特定領域を示すレチ
クルの平面図、第6図はレーザ光源から出射されるレー
ザ光の偏光方向図、第7図は空間フィルタリング光学系
内の空間フィルタの働きの説明用平面図、第8図(a)
〜(d)は上記実施例の動作説明用で、同図(a)、
(b)、(c)はウェハ(第2物体)における干渉縞と
位置合わせ用回折格子の重なり具合の変化説明図、同図
(d)はスキャン領域の説明図、第9図ないし第12図は
本発明の第3の実施例における位置合わせ装置を示し、
第9図は全体の構成図、第10図は第9図のIX矢視部の拡
大図、第11図、第12図はレチクル上の位置合わせ用マー
クの配置図、第13図は従来の位置合わせ装置を示す全体
構成図である。 1……レチクル、2……ウェハ、3……ウェハステー
ジ、4……投影レンズ、5……位置合わせ用ブランク
(位置合わせ用マーク)、6……位置合わせ用回折格子
(位置合わせ用マーク)、7……照明光学系、8……露
光光、9……光源、10……アライメント光、11……分割
光学系、14……合成光学系、18……補正光学系、19……
進行型干渉縞、20……回折光、21……空間フィルタリン
グ光学系、24……光検出器、25……レーザ干渉計、30…
…進行型干渉縞、33……位置合わせ回折格子、34……回
折光、35……空間フィルタリング光学系、36……光検出
器、50……ミラー。
おける位置合わせ装置を示し、第1図は第1の実施例の
全体の構成図、第2図は第2の実施例の全体の構成図、
第3図は第1図及び第2図のII矢視部の拡大図、第4図
は第1図及び第2図のIII矢視部の拡大図、第5図は色
補正を行う投影レンズ内の画角内の特定領域を示すレチ
クルの平面図、第6図はレーザ光源から出射されるレー
ザ光の偏光方向図、第7図は空間フィルタリング光学系
内の空間フィルタの働きの説明用平面図、第8図(a)
〜(d)は上記実施例の動作説明用で、同図(a)、
(b)、(c)はウェハ(第2物体)における干渉縞と
位置合わせ用回折格子の重なり具合の変化説明図、同図
(d)はスキャン領域の説明図、第9図ないし第12図は
本発明の第3の実施例における位置合わせ装置を示し、
第9図は全体の構成図、第10図は第9図のIX矢視部の拡
大図、第11図、第12図はレチクル上の位置合わせ用マー
クの配置図、第13図は従来の位置合わせ装置を示す全体
構成図である。 1……レチクル、2……ウェハ、3……ウェハステー
ジ、4……投影レンズ、5……位置合わせ用ブランク
(位置合わせ用マーク)、6……位置合わせ用回折格子
(位置合わせ用マーク)、7……照明光学系、8……露
光光、9……光源、10……アライメント光、11……分割
光学系、14……合成光学系、18……補正光学系、19……
進行型干渉縞、20……回折光、21……空間フィルタリン
グ光学系、24……光検出器、25……レーザ干渉計、30…
…進行型干渉縞、33……位置合わせ回折格子、34……回
折光、35……空間フィルタリング光学系、36……光検出
器、50……ミラー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 522 D (72)発明者 杉山 吉幸 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 青木 新一郎 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−28502(JP,A) 特開 平2−112709(JP,A) 特開 平2−283011(JP,A) 特開 平3−2504(JP,A)
Claims (10)
- 【請求項1】第1の物体のパターンを投影光学系を用い
て第2の物体上に露光する露光装置に使用可能な少なく
とも前記第2の物体の位置合わせを行う位置合わせ装置
であって、露光波長とは異なった波長を有する可干渉光
を出射するアライメント光源と、前記可干渉光を第1の
光束と第2の光束に分割する分割光学系と、前記第1の
光束を前記第1の物体の所定位置に反射する第1の反射
光学系と、前記第2の光束を前記第1の物体の前記所定
位置に反射する第2の反射光学系と、前記第1の物体上
の前記所定位置において前記第1の反射光学系を介して
形成された第1の反射像と前記第2の反射光学系を介し
て形成された第2の反射像とをともに正立像または倒立
像となるように一致させる一致手段と、前記第1の反射
像と前記第2の反射像とが干渉して形成された第1の干
渉縞が前記投影光学系を介して前記第2の物体上に第2
の干渉縞として投影される際に色消しを行う補正光学系
と、前記第2の干渉縞からビート周波数を有するビート
光を生成する第1のビート光生成手段と、前記ビート光
を受光する受光手段と、前記受光手段からの出力信号と
基準信号とを比較する比較手段と、を有する位置合わせ
装置。 - 【請求項2】一致手段が、分割光学系中に設けられた反
射手段である請求項1記載の位置合わせ装置。 - 【請求項3】更に、第1の干渉縞からビート周波数を有
するビート光を生成する第2のビート光生成手段を有
し、第1の物体の位置合わせをも行う請求項1または2
記載の位置合わせ装置。 - 【請求項4】第1および第2の干渉縞は、等ピッチの進
行型干渉縞である請求項3記載の位置合わせ装置。 - 【請求項5】第1の干渉縞は、ピッチが調整自在である
請求項1から4のいずれかに記載の位置合わせ装置。 - 【請求項6】第1および第2のビート光生成手段は、各
々第1および第2の干渉縞のピッチと整数倍の関係にあ
るピッチ数を有する回折格子であり、前記第1および第
2の干渉縞は、アライメント光源から直接に出射される
かまたは出射後に変調されて得られた互いに周波数が異
なった2周波の光束同士を利用して生成される請求項5
記載の位置合わせ装置。 - 【請求項7】更に、第1および/または第2のビート光
生成手段からのビート光のスペックルパターンを除去す
る空間フィルタリング光学系を有する請求項3から6の
いずれか記載の位置合わせ装置。 - 【請求項8】アライメント光源から互いに振動方向が異
なった2周波の光束が出射され、前記2周波の光束は偏
光光学素子である分割光学系で2光束に分割された後、
いずれか一方に一致手段が設けられた第1の反射光学系
または第2の反射光学系を経由して、合成光学系に入射
し、前記合成光学系を経由して第1の物体上に投影され
る請求項1から7のいずれかに記載の位置合わせ装置。 - 【請求項9】アライメント光源から出射した1周波の光
束が入射される分割光学系は、2光束に分割しかつドッ
プラー効果を用いて互いの周波数を異ならせ、いずれか
一方一致手段が設けられた第1の反射光学系または第2
の反射光学系を経由して、合成光学系に入射し、前記合
成光学系を経由して第1の物体上に投影される請求項1
から7のいずれかに記載の位置合わせ装置。 - 【請求項10】分割光学系および合成光学系が同一ベー
ス上に固定され、脱着自在なユニットを構成する請求項
8または9記載の位置合わせ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/762,111 US5231467A (en) | 1990-09-20 | 1991-09-19 | Reflective alignment position signal producing apparatus |
| DE69109220T DE69109220T2 (de) | 1990-09-20 | 1991-09-20 | Lagesignalgeber. |
| EP91308593A EP0477026B1 (en) | 1990-09-20 | 1991-09-20 | Position signal producing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-342009 | 1989-12-27 | ||
| JP34200989 | 1989-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232216A JPH03232216A (ja) | 1991-10-16 |
| JPH07123105B2 true JPH07123105B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=18350476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252405A Expired - Fee Related JPH07123105B2 (ja) | 1989-12-27 | 1990-09-20 | 位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123105B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7433018B2 (en) * | 2005-12-27 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pattern alignment method and lithographic apparatus |
| FR3026484B1 (fr) * | 2014-09-29 | 2018-06-15 | Altatech Semiconductor | Procede et systeme d'inspection de plaquettes transparentes pour l'electronique, l'optique ou l'optoelectronique |
| US10732524B2 (en) | 2015-07-31 | 2020-08-04 | Asml Holding N.V. | Optical system of an alignment system |
| CN115657412B (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-25 | 歌尔股份有限公司 | 光路校准装置和光路调整方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228502A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-30 | Toshiba Corp | 位置合せ方法 |
| JP2683385B2 (ja) * | 1988-10-21 | 1997-11-26 | オリンパス光学工業株式会社 | 位置合せ方法および位置合せ装置 |
| JP2906433B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1999-06-21 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JPH032504A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2252405A patent/JPH07123105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03232216A (ja) | 1991-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2658051B2 (ja) | 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法 | |
| JP2913755B2 (ja) | 位置合わせ方法及び装置 | |
| JP3128827B2 (ja) | 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス | |
| US5272501A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US5118953A (en) | Substrate alignment apparatus using diffracted and reflected radiation beams | |
| JPH0685387B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US6535272B2 (en) | Position transducer and exposure apparatus with same | |
| EP0477026B1 (en) | Position signal producing apparatus | |
| US5053628A (en) | Position signal producing apparatus for water alignment | |
| JPH06177013A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH07123105B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPH05226224A (ja) | 露光装置の位置合わせ装置 | |
| JPH02133913A (ja) | 位置合わせ装置,露光装置及び素子製造方法 | |
| JPH07161611A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2808595B2 (ja) | 位置検出装置及び該装置を用いた投影露光装置 | |
| JP3339591B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH0428217A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPH09119811A (ja) | 位置合わせ装置、露光装置及び露光方法 | |
| JPH09250904A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH08124830A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0430413A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP2787698B2 (ja) | アライメント装置および位置検出装置 | |
| JPH0566108A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP3004303B2 (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| JPH0828319B2 (ja) | 投影露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |