JPH0563030A - 接着剤及びそれを用いた実装方法 - Google Patents
接着剤及びそれを用いた実装方法Info
- Publication number
- JPH0563030A JPH0563030A JP3253099A JP25309991A JPH0563030A JP H0563030 A JPH0563030 A JP H0563030A JP 3253099 A JP3253099 A JP 3253099A JP 25309991 A JP25309991 A JP 25309991A JP H0563030 A JPH0563030 A JP H0563030A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- circuit board
- mounting
- semiconductor chip
- mounting method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップ等の電子部品を回路基板に実装す
る際、特性の制御がしやすく、取扱いが容易な接着剤及
び実装方法を提供する。 【構成】回路基板10上に形成された配線パターン13と、
半導体チップ11上に形成されたバンプ電極12を接続する
場合、所定の温度で収縮する熱収縮性接着剤22を別の温
度で硬化する板状の熱硬化性接着剤21で挟んだ接着剤20
を使用する。 【効果】接着剤の硬化と収縮の特性が別々に制御できる
ため、最適な条件で接続を行なうことができ、実装の信
頼性が向上する。また、接着剤が板状なので、取扱いが
容易となり作業性の向上が図れる。
る際、特性の制御がしやすく、取扱いが容易な接着剤及
び実装方法を提供する。 【構成】回路基板10上に形成された配線パターン13と、
半導体チップ11上に形成されたバンプ電極12を接続する
場合、所定の温度で収縮する熱収縮性接着剤22を別の温
度で硬化する板状の熱硬化性接着剤21で挟んだ接着剤20
を使用する。 【効果】接着剤の硬化と収縮の特性が別々に制御できる
ため、最適な条件で接続を行なうことができ、実装の信
頼性が向上する。また、接着剤が板状なので、取扱いが
容易となり作業性の向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ等の電子
部品の実装に関し、特にその接着剤及び実装方法に関す
るものである。
部品の実装に関し、特にその接着剤及び実装方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉやＧａＡｓを材料に用いた半導体チ
ップを回路基板に実装する方法として、フリップチップ
法がある。これは、バンプ（突起電極）が形成された半
導体チップをフェイスダウン方式で、回路基板に接続す
る方法である。
ップを回路基板に実装する方法として、フリップチップ
法がある。これは、バンプ（突起電極）が形成された半
導体チップをフェイスダウン方式で、回路基板に接続す
る方法である。
【０００３】図１に、従来例を示す。同図は、回路基板
10に半導体チップ11を接続した状態の断面図である。こ
こで、12は半導体チップ11上にハンダや金などで形成さ
れたバンプ電極であり、回路基板10上のＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）膜などで形成された配線パターン13と接続
される。14は半導体チップ11と回路基板10を固定するた
めの接着剤で、樹脂などが使用される。この樹脂14は、
通常、紫外線などで硬化する光硬化性樹脂で、回路基板
10が液晶ガラスなどのように透明であるような場合に、
回路基板10の底面（紙面下方）から、例えば紫外線を照
射し、樹脂14を硬化させることによって、半導体チップ
11と回路基板10を接続するようにしている。
10に半導体チップ11を接続した状態の断面図である。こ
こで、12は半導体チップ11上にハンダや金などで形成さ
れたバンプ電極であり、回路基板10上のＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）膜などで形成された配線パターン13と接続
される。14は半導体チップ11と回路基板10を固定するた
めの接着剤で、樹脂などが使用される。この樹脂14は、
通常、紫外線などで硬化する光硬化性樹脂で、回路基板
10が液晶ガラスなどのように透明であるような場合に、
回路基板10の底面（紙面下方）から、例えば紫外線を照
射し、樹脂14を硬化させることによって、半導体チップ
11と回路基板10を接続するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような方法では、樹脂14に対して硬化による接着と収縮
の特性を同時に要求することになり、実装における両方
の特性の最適化が困難であった。また、光硬化性樹脂を
接着剤として用いる場合、光を照射することができない
ような構造、材料を使用するとき、具体的には回路基板
が透明でないセラミック等を使用したときなどは、この
ような接着剤を用いた方法では実装できないという不具
合が生じていた。さらに、この光硬化性樹脂は液体の状
態で吐出するため、吐出量の制御がしにくいという問題
もあった。本発明は、このような問題を解決し、半導体
チップと回路基板の接続において、光照射のできない回
路基板においても接続が可能で、特性の分化ができ、し
かも取扱いが容易な接着剤及び実装方法を提供すること
を目的とする。
ような方法では、樹脂14に対して硬化による接着と収縮
の特性を同時に要求することになり、実装における両方
の特性の最適化が困難であった。また、光硬化性樹脂を
接着剤として用いる場合、光を照射することができない
ような構造、材料を使用するとき、具体的には回路基板
が透明でないセラミック等を使用したときなどは、この
ような接着剤を用いた方法では実装できないという不具
合が生じていた。さらに、この光硬化性樹脂は液体の状
態で吐出するため、吐出量の制御がしにくいという問題
もあった。本発明は、このような問題を解決し、半導体
チップと回路基板の接続において、光照射のできない回
路基板においても接続が可能で、特性の分化ができ、し
かも取扱いが容易な接着剤及び実装方法を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の接着剤は、所定の温度を印加することによ
り硬化による接着の機能を有する板状の熱硬化性接着剤
と、前記熱硬化性接着剤２枚に挟まれた、前記温度と異
なる温度を印加することにより収縮の機能を有する熱収
縮性接着剤、から成っている。また、本発明の実装方法
は、半導体素子と回路基板の接続を行なう実装方法であ
って、前記半導体素子上に形成された突起電極と、前記
回路基板上に形成された前記突起電極と対向する配線パ
ターンとを位置合わせし、前記半導体素子と前記回路基
板との間に、接着剤を介し、前記接着剤の硬化及び収縮
を行なうようにしている。
め、本発明の接着剤は、所定の温度を印加することによ
り硬化による接着の機能を有する板状の熱硬化性接着剤
と、前記熱硬化性接着剤２枚に挟まれた、前記温度と異
なる温度を印加することにより収縮の機能を有する熱収
縮性接着剤、から成っている。また、本発明の実装方法
は、半導体素子と回路基板の接続を行なう実装方法であ
って、前記半導体素子上に形成された突起電極と、前記
回路基板上に形成された前記突起電極と対向する配線パ
ターンとを位置合わせし、前記半導体素子と前記回路基
板との間に、接着剤を介し、前記接着剤の硬化及び収縮
を行なうようにしている。
【０００６】
【作用】このようにすると、接着剤は硬化による接着機
能と収縮機能を別々に有しているので、各々の特性の制
御が容易になる。また、硬化による接着において、例え
ば、硬化の条件が加熱であるような接着剤を用いれば、
光を照射できない場合でも問題はない。さらに、接着剤
が板状で扱いやすい形状であるため、作業性が向上す
る。
能と収縮機能を別々に有しているので、各々の特性の制
御が容易になる。また、硬化による接着において、例え
ば、硬化の条件が加熱であるような接着剤を用いれば、
光を照射できない場合でも問題はない。さらに、接着剤
が板状で扱いやすい形状であるため、作業性が向上す
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ、
説明する。図２に、本発明を実施した両面テープ型の接
着剤20の構造を示す。同図において、21は熱硬化性接着
剤のシートである。熱収縮性接着剤22は、２枚の熱硬化
性接着剤21に挟まれている。熱硬化性接着剤21及び熱収
縮性接着剤22は、いずれも加熱という条件で硬化あるい
は収縮を行なうが、その硬化、収縮が開始する温度は異
なっている。加熱により、熱硬化性接着剤21及び熱収縮
性接着剤22は、体積収縮を起こす。前記接着剤20を使用
する場合、まず熱硬化性接着剤21が硬化する温度に加熱
して硬化させることによって、回路基板10と半導体チッ
プ11を接着する。その後、熱収縮性接着剤22が収縮する
温度に加熱して収縮させることによって熱収縮性接着剤
22の体積収縮分だけ接着剤20が収縮し、それに伴なう応
力によって回路基板10の配線パターン13と半導体チップ
11のバンプ電極12が圧接される。
説明する。図２に、本発明を実施した両面テープ型の接
着剤20の構造を示す。同図において、21は熱硬化性接着
剤のシートである。熱収縮性接着剤22は、２枚の熱硬化
性接着剤21に挟まれている。熱硬化性接着剤21及び熱収
縮性接着剤22は、いずれも加熱という条件で硬化あるい
は収縮を行なうが、その硬化、収縮が開始する温度は異
なっている。加熱により、熱硬化性接着剤21及び熱収縮
性接着剤22は、体積収縮を起こす。前記接着剤20を使用
する場合、まず熱硬化性接着剤21が硬化する温度に加熱
して硬化させることによって、回路基板10と半導体チッ
プ11を接着する。その後、熱収縮性接着剤22が収縮する
温度に加熱して収縮させることによって熱収縮性接着剤
22の体積収縮分だけ接着剤20が収縮し、それに伴なう応
力によって回路基板10の配線パターン13と半導体チップ
11のバンプ電極12が圧接される。
【０００８】図３は、上述の接着剤20を用いて、回路基
板10と半導体チップ11の接続を行なった場合の実装構造
の断面図である。図１と較べ、回路基板10上の配線パタ
ーン13と半導体チップ11のバンプ電極12の接触の強度が
違う。図３に示す構造の方が圧接された状態であり、よ
り強度が大きく、実装の信頼性が向上する。
板10と半導体チップ11の接続を行なった場合の実装構造
の断面図である。図１と較べ、回路基板10上の配線パタ
ーン13と半導体チップ11のバンプ電極12の接触の強度が
違う。図３に示す構造の方が圧接された状態であり、よ
り強度が大きく、実装の信頼性が向上する。
【０００９】上述の接着剤及び実装構造は、半導体チッ
プに限らず、容量や抵抗などの電子部品の回路基板への
実装にも応用できる。
プに限らず、容量や抵抗などの電子部品の回路基板への
実装にも応用できる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接着剤が硬化による接着と収縮の両方の機能をそれぞれ
有しているため、特性のコントロールがしやすい。従っ
て、回路基板と半導体チップの接続の強度が増し、実装
の信頼性が向上する。また、加熱により硬化、収縮を生
じる接着剤なので、光の照射ができない材料の回路基板
の場合にも、容易に実装を行なうことができ、安定した
品質が得られる。さらに、板状の接着剤であるので、取
扱いが容易で、作業性の向上が図れる。また、このよう
な板状接着剤による接続であるので、半導体素子と回路
基板の熱膨張係数の差によるストレスがスライドするこ
とによって、開放され、品質向上に寄与できるという長
所もある。
接着剤が硬化による接着と収縮の両方の機能をそれぞれ
有しているため、特性のコントロールがしやすい。従っ
て、回路基板と半導体チップの接続の強度が増し、実装
の信頼性が向上する。また、加熱により硬化、収縮を生
じる接着剤なので、光の照射ができない材料の回路基板
の場合にも、容易に実装を行なうことができ、安定した
品質が得られる。さらに、板状の接着剤であるので、取
扱いが容易で、作業性の向上が図れる。また、このよう
な板状接着剤による接続であるので、半導体素子と回路
基板の熱膨張係数の差によるストレスがスライドするこ
とによって、開放され、品質向上に寄与できるという長
所もある。
【図１】 従来の実装構造を説明するための図。
【図２】 本発明を実施した接着剤の構造を示す図。
【図３】 本発明を実施した実装構造の断面図。
10 回路基板 11 半導体チップ 12 バンプ電極 13 配線パターン 14 接着剤 20 接着剤 21 熱硬化性接着剤 22 熱収縮粒子
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の温度を印加することにより硬化に
よる接着の機能を有する板状の熱硬化性接着剤と、 前記熱硬化性接着剤２枚に挟まれた、前記温度と異なる
温度を印加することにより収縮の機能を有する熱収縮性
接着剤、 から成ることを特徴とする接着剤。 - 【請求項２】 半導体素子と回路基板の接続を行なう実
装方法であって、 前記半導体素子上に形成された突起電極と、前記回路基
板上に形成された前記突起電極と対向する配線パターン
とを位置合わせし、 前記半導体素子と前記回路基板との間に接着剤を介し、
前記接着剤の硬化及び収縮を行なうことを特徴とする実
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253099A JPH0563030A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 接着剤及びそれを用いた実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253099A JPH0563030A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 接着剤及びそれを用いた実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563030A true JPH0563030A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17246478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253099A Pending JPH0563030A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 接着剤及びそれを用いた実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019516A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Seiko Epson Corporation | Dispositif semi-conducteur, procede de connexion pour microplaquette semi-conductrice, carte de circuit imprime et appareil electronique |
| JP2003208105A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3253099A patent/JPH0563030A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019516A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Seiko Epson Corporation | Dispositif semi-conducteur, procede de connexion pour microplaquette semi-conductrice, carte de circuit imprime et appareil electronique |
| US6410364B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-06-25 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of connecting a semiconductor chip, circuit board, and electronic equipment |
| US6656771B2 (en) | 1998-09-30 | 2003-12-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of connecting a semiconductor chip, circuit board, and electronic equipment |
| JP2003208105A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
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