JPH0564859B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0564859B2 JPH0564859B2 JP60074301A JP7430185A JPH0564859B2 JP H0564859 B2 JPH0564859 B2 JP H0564859B2 JP 60074301 A JP60074301 A JP 60074301A JP 7430185 A JP7430185 A JP 7430185A JP H0564859 B2 JPH0564859 B2 JP H0564859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- lead
- resist
- lead frame
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はIC、LSI等の半導体チツプを固定する
のに用いるリードフレームの製造方法に関する。
のに用いるリードフレームの製造方法に関する。
〔背景技術〕
従来より半導体チツプを樹脂モールドで一体化
して複数ピンを突設した半導体装置の組立てには
金属製のリードフレームが用いられている。この
リードフレームは薄い金属板をプレスで打ち抜い
たり、エツチングなどによつて形成されており、
その形状は第３図に示すように、半導体チツプ１
を取り付ける矩形のタブ２をその４隅において支
持するタブリード３と、タブ２の周縁に内端を臨
ませる複数のフインガ４と、これらフインガ４及
びタブリード３の外端を支持する枠部５と、枠部
５の両側縁に沿つて定間隔に設けられたスプロケ
ツト孔６とからなつている。
して複数ピンを突設した半導体装置の組立てには
金属製のリードフレームが用いられている。この
リードフレームは薄い金属板をプレスで打ち抜い
たり、エツチングなどによつて形成されており、
その形状は第３図に示すように、半導体チツプ１
を取り付ける矩形のタブ２をその４隅において支
持するタブリード３と、タブ２の周縁に内端を臨
ませる複数のフインガ４と、これらフインガ４及
びタブリード３の外端を支持する枠部５と、枠部
５の両側縁に沿つて定間隔に設けられたスプロケ
ツト孔６とからなつている。
このようなリードフレーム７を用いて半導体装
置を組立てるには、まずタブ２上に半導体チツプ
１を取り付けた後、半導体チツプ１の各電極とこ
れに対応するフインガ４の内端をワイヤあるいは
ワイヤを用いず直接に接続し、その後矩形枠部５
の内側領域を合成樹脂でモールドし、半導体チツ
プ１を被覆し、次いで枠部５を切除し、フラツト
リードあるいはインライン型の半導体装置を得る
のである。
置を組立てるには、まずタブ２上に半導体チツプ
１を取り付けた後、半導体チツプ１の各電極とこ
れに対応するフインガ４の内端をワイヤあるいは
ワイヤを用いず直接に接続し、その後矩形枠部５
の内側領域を合成樹脂でモールドし、半導体チツ
プ１を被覆し、次いで枠部５を切除し、フラツト
リードあるいはインライン型の半導体装置を得る
のである。
ところで、リードフレームには極めて細いタブ
リードやフインガが形成されるが、最近では多数
ピンの半導体装置が望まれることにより、タブリ
ード、フインガ等の径はますます細いものとなら
ざるを得ず、単なる薄板打抜きプレス加工では精
度の高いリードフレームを成形することが難しく
なつてきている。
リードやフインガが形成されるが、最近では多数
ピンの半導体装置が望まれることにより、タブリ
ード、フインガ等の径はますます細いものとなら
ざるを得ず、単なる薄板打抜きプレス加工では精
度の高いリードフレームを成形することが難しく
なつてきている。
そこで、エツチング加工を用いて微細なフイン
ガ等をもつリードフレームの成形が行われるよう
になつたが、エツチングはその製造工程が複雑で
コスト高となる欠点がある。
ガ等をもつリードフレームの成形が行われるよう
になつたが、エツチングはその製造工程が複雑で
コスト高となる欠点がある。
また、リードフレームのタブリード部は、半導
体チツプをモールドにより被覆した後、枠部より
切り離されるのであるが、従来においてはこの切
断作業を容易にするために、第４図に示すように
リードフレーム７のタブリード３に、後プレス加
工等によりハーフノツチ３ａを形成している。し
かし乍ら、タブリード３の厚さは一般的に35μ程
度の極めて薄いものであつて、ここに17μ程度の
ハーフノツチ３ａをプレス加工にて精度よく形成
するのは非常に困難である。ハーフノツチ３ａの
精度が良好でない場合には、半導体チツプ１のモ
ールド成形前にタブリード３が折れたり、またモ
ールド成形後とタブリード３の切断作業能率が低
下する等の問題が生じる。
体チツプをモールドにより被覆した後、枠部より
切り離されるのであるが、従来においてはこの切
断作業を容易にするために、第４図に示すように
リードフレーム７のタブリード３に、後プレス加
工等によりハーフノツチ３ａを形成している。し
かし乍ら、タブリード３の厚さは一般的に35μ程
度の極めて薄いものであつて、ここに17μ程度の
ハーフノツチ３ａをプレス加工にて精度よく形成
するのは非常に困難である。ハーフノツチ３ａの
精度が良好でない場合には、半導体チツプ１のモ
ールド成形前にタブリード３が折れたり、またモ
ールド成形後とタブリード３の切断作業能率が低
下する等の問題が生じる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、製
造が容易で微細なフインガ等を十分に成形できる
とともに、タブリードには切断用のハーフノツチ
を精度よく形成できる半導体装置のリードフレー
ム製造方法の提供を目的としている。
造が容易で微細なフインガ等を十分に成形できる
とともに、タブリードには切断用のハーフノツチ
を精度よく形成できる半導体装置のリードフレー
ム製造方法の提供を目的としている。
上記目的を達成するため、本発明は電鋳により
リードフレームを成形するとともに、タブリード
は非レジスト部を分断するレジスト層を覆うよう
に電鋳成形することによつて形成し、タブリード
切断用のハーフノツチを電鋳時に同時に形成する
ようにしたことを特徴としている。
リードフレームを成形するとともに、タブリード
は非レジスト部を分断するレジスト層を覆うよう
に電鋳成形することによつて形成し、タブリード
切断用のハーフノツチを電鋳時に同時に形成する
ようにしたことを特徴としている。
第１図は本発明の実施例によるリードフレーム
の製造工程を示しており、第３図におけるタブリ
ード３のＡ−Ａ線断面を拡大した状態で示してい
る。
の製造工程を示しており、第３図におけるタブリ
ード３のＡ−Ａ線断面を拡大した状態で示してい
る。
まずａ図に示すようにアルミニウムやステンレ
スの如き導電性材料、あるいはポリエステルフイ
ルム、ポリイミドテープ等の表面に蒸着や無電解
メツキ等で導電性を付与せしめた基板８上に電気
絶縁性の合成樹脂からなるレジスト層９が印刷に
よつて所望のパターンに形成される。この場合の
非レジスト部１０はリードフレーム７の形状に相
当し、ａ図では非レジスト部１０はタブリード３
の形成部分である。このレジスト層はドライフイ
ルムを用いることも可能である。
スの如き導電性材料、あるいはポリエステルフイ
ルム、ポリイミドテープ等の表面に蒸着や無電解
メツキ等で導電性を付与せしめた基板８上に電気
絶縁性の合成樹脂からなるレジスト層９が印刷に
よつて所望のパターンに形成される。この場合の
非レジスト部１０はリードフレーム７の形状に相
当し、ａ図では非レジスト部１０はタブリード３
の形成部分である。このレジスト層はドライフイ
ルムを用いることも可能である。
タブリード３形成部分の非レジスト部１０には
その基端部付近に幅の小さなレジスト部１１が前
記レジスト層９の印刷時に同時に形成されてお
り、タブリード３形成部分に相当する細長い非レ
ジスト部１０を分断している。
その基端部付近に幅の小さなレジスト部１１が前
記レジスト層９の印刷時に同時に形成されてお
り、タブリード３形成部分に相当する細長い非レ
ジスト部１０を分断している。
次にこの基板８上をカセイソーダ等により剥離
処理を施した後、電鋳成形により銅、ニツケル、
金、すず等の導電性金属を積層する。これにより
非レジスト部１０上には一定厚の導電金属層１２
が形成されるとともに、前記幅の小さなレジスト
部１１上にも電鋳進行に伴つて導電金属層が成長
し、ｂ図のように周囲の導電性金属と連結してレ
ジスト部１１を覆い一体化した導電性金属層１２
となる。
処理を施した後、電鋳成形により銅、ニツケル、
金、すず等の導電性金属を積層する。これにより
非レジスト部１０上には一定厚の導電金属層１２
が形成されるとともに、前記幅の小さなレジスト
部１１上にも電鋳進行に伴つて導電金属層が成長
し、ｂ図のように周囲の導電性金属と連結してレ
ジスト部１１を覆い一体化した導電性金属層１２
となる。
このようにして得た積層体からレジスト層９及
びレジスト部１１を除去すると、ｃ図に示す如き
基板８と導電性金属層１２とのみからなる金属板
が得られ、次いで基板８と導電性金属層１２とを
剥離すれば、ｄ図に示す如きタブリード３を有す
る一枚のリードフレーム７が得られる。このリー
ドフレーム７のタブリード３の基部にはタブリー
ド３を横断するように一定幅のハーフノツチ３ａ
が形成される。
びレジスト部１１を除去すると、ｃ図に示す如き
基板８と導電性金属層１２とのみからなる金属板
が得られ、次いで基板８と導電性金属層１２とを
剥離すれば、ｄ図に示す如きタブリード３を有す
る一枚のリードフレーム７が得られる。このリー
ドフレーム７のタブリード３の基部にはタブリー
ド３を横断するように一定幅のハーフノツチ３ａ
が形成される。
尚、本実施例では、第２図に示すようにタブリ
ード３を分断するレジスト部１１を一定幅の連続
する帯状に形成したが、例えば破線状のようなも
のでも良くその形状は必要に応じて変形させるこ
とができ、またレジスト部１１としては必ずしも
連続体でなくともよく、少なくともその上方の電
鋳にて積層される金属層１２に、切断を容易にす
るハーフノツチ３ａを形成させるものであればよ
い。
ード３を分断するレジスト部１１を一定幅の連続
する帯状に形成したが、例えば破線状のようなも
のでも良くその形状は必要に応じて変形させるこ
とができ、またレジスト部１１としては必ずしも
連続体でなくともよく、少なくともその上方の電
鋳にて積層される金属層１２に、切断を容易にす
るハーフノツチ３ａを形成させるものであればよ
い。
〔発明の効果〕
本発明は以上の通りであり、電鋳成形を用いた
ため、微細な寸法、形状を有する多数ピン半導体
装置用のリードフレームを容易にしかも低コスト
で製造することができ、更に、タブリードを切断
するためのハーフノツチも同時に且つ精度よく形
成することができ、半導体装置の組立作業能率を
向上させることができる。
ため、微細な寸法、形状を有する多数ピン半導体
装置用のリードフレームを容易にしかも低コスト
で製造することができ、更に、タブリードを切断
するためのハーフノツチも同時に且つ精度よく形
成することができ、半導体装置の組立作業能率を
向上させることができる。
第１図ａ〜ｄは本発明実施例におけるリードフ
レームの製造工程を説明する図、第２図は実施例
におけるレジストパターンの一部を示す平面図、
第３図は一般的なリードフレームの平面図、第４
図はリードフレームのタブリードにおけるハーフ
ノツチを示す部分斜視図である。 １……半導体チツプ、２……タブ、３……タブ
リード、４……フインガ、５……枠部、７……リ
ードフレーム、８……導電性金属基板、９……レ
ジスト層、１０……非レジスト部、１１……レジ
スト部、１２……導電性金属層。
レームの製造工程を説明する図、第２図は実施例
におけるレジストパターンの一部を示す平面図、
第３図は一般的なリードフレームの平面図、第４
図はリードフレームのタブリードにおけるハーフ
ノツチを示す部分斜視図である。 １……半導体チツプ、２……タブ、３……タブ
リード、４……フインガ、５……枠部、７……リ
ードフレーム、８……導電性金属基板、９……レ
ジスト層、１０……非レジスト部、１１……レジ
スト部、１２……導電性金属層。
Claims (1)
- １ 導電性基板上にレジスト層を形成し、非レジ
スト部に電鋳により所望形状の導電性金属層を形
成させ、この導電性金属層を導電性基板から剥離
して、半導体チツプを載せるタブ、タブを支持す
るタブリード、電極と接続するフインガを備えた
リードフレームを得るようにしたリードフレーム
の製造方法であつて、前記レジスト層の形成の際
に、前記タブリードを形成させるための非レジス
ト部に該非レジスト部を分断するレジスト部を設
け、このレジスト部を覆うように導電性金属層を
電鋳成形させることにより、タブリードにハーフ
ノツチを形成したことを特徴とする半導体装置の
リードフレーム製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074301A JPS61234062A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074301A JPS61234062A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234062A JPS61234062A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0564859B2 true JPH0564859B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=13543169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60074301A Granted JPS61234062A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61234062A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521417B2 (ja) * | 1994-08-22 | 1996-08-07 | 九州日立マクセル株式会社 | 電鋳方法 |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP60074301A patent/JPS61234062A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61234062A (ja) | 1986-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |