JPH0564963B2 - - Google Patents

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JPH0564963B2
JPH0564963B2 JP21602888A JP21602888A JPH0564963B2 JP H0564963 B2 JPH0564963 B2 JP H0564963B2 JP 21602888 A JP21602888 A JP 21602888A JP 21602888 A JP21602888 A JP 21602888A JP H0564963 B2 JPH0564963 B2 JP H0564963B2
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JP
Japan
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film
perfluoroalkyl
polyallylamine
fluorine
group
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JP21602888A
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English (en)
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JPH0264114A (ja
Inventor
Akira Sekya
Masanori Tamura
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Priority to JP21602888A priority Critical patent/JPH0264114A/ja
Publication of JPH0264114A publication Critical patent/JPH0264114A/ja
Publication of JPH0564963B2 publication Critical patent/JPH0564963B2/ja
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[技術分野] 本発明方法は新規な含フツ素高分子物質、その
製造方法及びそのラングミユアーブロジエツト膜
に関するものである。 [従来技術] 長鎖のペルフルオロアルキル基で装飾した高分
子化合物は撥水撥油性、防塵性、耐食性などに優
れた性質を示し、表面改質材用として基板保護に
用いられている。また、酸素透過膜の素材として
も優れており、ペルフルオロアルキル基の酸素親
和性により、酸素透過の選択性の向上が成されて
いる。 しかし、ペルフルオロアルキル基を導入した高
分子化合物はペルフルオロアルキル基の持つ撥水
撥油性により溶媒に溶け難く、膜素材としては扱
いにくい。つまり、表面改質材、基板保護材とし
て重要である超薄膜とすることが難しい。また、
撥水撥油性、酸素親和性などの機能基であるペル
フルオロアルキル基を高分子表面に配列制御する
ことは、表面改質材や酸素分離膜としての機能の
性能を高める上で重要であるが、表面への配列を
制御することは容易はことではない。 本発明者は、ポリアリルアミンまたはポリビニ
ルアミンをアミド結合または尿素結合によりペル
フルオロアルキル基で修飾し、これらの高分子を
用いてラングミユアーブロジエツト手法で分子配
列を制御した超薄膜を作成した[昭和62年特許願
第1350号、昭和63年特許願第32188号、昭和63年
特許願第32189号]。しかし、溶液中で徐々にアミ
ド結合の加水分解を生じる、あるいは溶解度が低
く扱いにくいなどの問題点も有り、さらに新たな
超薄膜材料の開発が望まれている。 [目的] 本発明者は、ペルフルオロアルキル基の疎水性
を利用した超薄膜の作成方法について鋭意研究を
重ね、ポリアリルアミンのアミノ基をチオ尿素結
合によりo−、m−、またはp−(ペルフルオロ
アルキル)フエニル基で修飾して得られる高分子
化合物は、超薄膜材料として好適なものであるこ
とを見出し、本発明を完成するに至つた。 [構成] 本発明によれば、一般式 (式中、Rfは炭素数6〜15のペルフルオロアル
キル基を示し、ベンゼン環へのRf基を結合位置
はo−、m−、またはp−位であり、mは10〜
1500の数を示し、nは0<n<0.6mを満たす数
である。)で表わされる含フツ素高分子化合物が
提供される。 本発明による前記含フツ素高分子化合物は、下
記一般式()で表わされるポリアリルアミン
と、一般式()で表わされるo−、m−、また
はp−(ペルフルオロアルキル)フエニルイソチ
オシアナートとを次式によつて反応させることに
より製造される。 (式中、Rf、mおよびnは前記と同じ意味を持
つ。) 前記反応で用いたポリアリルアミンは、ポリア
リルアミン塩酸塩(平均分子量約9000)を、塩基
により中和して得た。 前記ポリアリルアミンの修飾反応は、反応溶媒
としてアルコール類とベンゼンの混合溶媒を用
い、反応温度として5℃〜50℃、好ましくは15℃
〜30℃で実施することができる。この反応を好ま
しく行なうには、ポリアリルアミンのアルコール
類とベンゼンの混合溶媒中にo−、m−、または
p−(ペルフルオロアルキル)フエニルイソチオ
シアナートを加える。加える(ペルフルオロアル
キル)フエニルイソチオシアナートの量を変える
ことにより、任意の割合でポリアリルアミンにチ
オ尿素結合でo−、m−、またはp−(ペルフル
オロアルキル)フエニル基を修飾できる。数分か
ら数時間の撹拌後、反応溶液を濃縮、水洗して、
得られた高分子化合物を乾燥する。得られた含フ
ツ素高分子は赤外吸収スペクトルにより前記一般
式()で表わされる含フツ素ポリアリルアミン
であることが同定された。 本発明の一般式()で示した含フツ素ポリア
リルアミンは有機溶剤に溶け、この希薄溶液を水
面上に展開することで容易に単分子膜を形成し、
ラングミスアーブロジエツト膜を作成できる。水
面上にこの含フツ素高分子を展開した時の表面圧
−表面積曲線(F−A曲線)の測定から、o−、
m−、p−各異性体のいずれの場合にもポリアリ
ルアミンへの修飾率の減少により(ペルフルオロ
アルキル)フエニル基一つの占める面積が大きく
なつた超薄膜が作成できることが分かる。また、
同じ修飾率で比較した場合、o−、m−、p−の
順に(ペルフルオロアルキル)フエニル基一つの
占める面積が小さくなり、特にp−異性体のポリ
アリルアミン中のアミノ基への修飾率40%のもの
ではペルフルオロアルキル基の断面積である28Å
の半分以下の値を示すことが明らかとなつた。
このことからこの薄膜は、修飾率ばかりでなくベ
ンゼン環の異性体によつても(ペルフルオロアル
キル)フエニル基の配列状態が変化し、p−異性
体の修飾率40%のものではペルフルオロアルキ
ル)フエニル基が重なつた配列を持つた超薄膜で
あることが分かつた。 また、F−A曲線の立ち上がりから、このラン
グミユアーブロジエツト膜が安定な膜であること
が分かる。 この超薄膜をガラス基板上に1層又は、多層を
すくいとり、この膜の膜厚及びn−アルカンに対
する臨界表面張力γcdyn/cmを求めた結果、γc値
は1層と5層ではほぼ同じ値を示し、またo−、
m−、p−各異性体のいずれの場合にもポリアリ
ルアミンへの修飾率が高くなるほど小さい値を示
した。o−異性体では約21〜17dyn/cmを示し、
m−異性体では約19〜15dyn/cmを示し、p−異
性体では約18〜15dyn/cmを示した。これらのγc
値はポリテトラフルオロエチレンのγc値
18.5dyn/cmに近く、これらの膜が表面エネルギ
ーの低い優れた膜であるといえる。 [効果] すなわち、本発明によれポリアリルアミンにチ
オ尿素結合でo−、m−、またはp−(ペルフル
オロアルキル)フエニル基を導入試薬であるo
−、m−、またはp−(ペルフルオロアルキル)
フエニルイソチオシアナートの量を任意に変える
ことにより種々の割合で修飾できる。得られた含
フツ素高分子化合物は可溶性であり、ラングミユ
アーブロジエツト法により超薄膜化することがで
き、従来にない超薄膜表面改質物質として用いる
ことができる。また、この超薄膜は1つの(ペル
フルオロアルキル)フエニル基の占める面積を
(ペルフルオロアルキル)フエニル基のポリアリ
ルアミンへの修飾率、及びベンゼン環の位置異性
体を変えることにより制御できる。 また、これらの膜の表面は機能基であるペルフ
ルオロアルキル基が存在し、含フツ素基特有の優
れた低表面エネルギー性を示す。さらに、(ペル
フルオロアルキル)フエニル基のポリアリルアミ
ンへの修飾率、及びベンゼン環の位置異性を変え
ることによりこの膜の表面状態を制御することが
でき、ポリテトラフルオロエチレンと比較して表
面エネルギーのやや高い状態から、より低い状態
まで変化させることができる。 従来、ベンゼン環を有する含フツ素基をチオ尿
素結合でポリアリルアミンに修飾し、ラングミユ
アーブロジエツト法により、分子内や分子間で配
列制御した機能性の高分子超薄膜を作成した例は
ない。 なお、本明細書でいうラングミユアーブロジエ
ツト膜とは、従来よく知られているラングミユア
ーブロジエツト法により得られる単分子膜及び累
積膜を意味する。 [実施例] 次に本発明を実施例により、更に詳細に説明す
る。 実施例 1 メタノール9mlに金属ナトリウム116mgを加え、
水素の発生がなくなつてからポリアリルアミン塩
素塩(平均分子量、約9000)469.6mgを加え、蓋
をして撹拌する。析出した塩化ナトリウムを濾過
して取り除き、メタノール11mlとベンゼン5mlを
加える。この溶液に、p−(ペルフルオロオクチ
ル)フエニルイソチオシアナート139.3mgをメタ
ノール4mlとベンゼン1mlの混合溶媒に溶かして
1度に加える。この反応液は均一でそのままラン
グミユアーブロジエツト膜製作の高分子溶液の原
液として使用できる。この溶液を減圧下で溶媒除
去し、さらに水洗して乾燥するポリアリルアミン
中のアミノ基のうち5%にチオ尿素結合でp−
(ペルフルオロオクチル)フエニル基が修飾され
た高分子が得られた。得られた高分子は赤外線吸
収スペクトルにより、炭酸−フツ素結合:1300〜
1100cm-1の強い吸収が認められたことにより確認
された。 同様の方法で、o−、m−、またはp−(ペル
フルオロオクチル)フエニルイソチオシアナート
を用い、ポリアリルアミンのアミノ基に対して、
5、10、20、30、40%のモル比で反応を行ない、
それぞれ修飾率5、10、20、30、40%の高分子化
合物を得た。但し、修飾率30%以上の高分子化合
物は反応溶媒に溶けにくく、反応中に一部が析出
した。 実施例 2 ラングミユアーブロジエツト膜の作製 実施例1で合成した含フツ素高分子をそれぞれ
の異性体(o−、m−、p−)及び(ペルフルオ
ロアルキル)フエニル基の修飾率(M%)に対応
して(o−、m−、p−)PAPHF(M)と略す。 ラングミユアーブロジエツト法において、o
−、m−、及びp−PAPHF5、10、20、30、40
のトリフルオロエタノール・ベンゼン希薄混合溶
液(p−PAPHF5、10、20の場合はメタノー
ル・ベンゼン希薄混合溶液)をそれぞれ調製し、
これらの溶液を17℃の水面上にそれぞれ展開した
ときの表面圧−表面積の関係(F−A曲線)を測
定した結果を第1図に示す。この結果により、膜
中のフルオロアルキル基1分子の占める面積、つ
まり極限面積はo−PAPHF5、10、20、30、40
の順にそれぞれ87、87、63、57、45Å2、m−
PAPHF5、10、20、30、40の順にそれぞれ88、
74、54、48、33Å2、p−PAPHF5、10、20、
30、40の順にそれぞれ71、57、32、31、11Å2
値を示した。 この水面上の超薄膜をガラス基板上に表面圧
20mN・m-1で単分子膜、及び累積膜として移し
とつた。これらは透明な膜であつた。 実施例 3 臨界表面張力γcの設定 実施例2でガラス基板上に移しとつた単分子
膜、及び累積膜について、n−アルカンとの接触
角を設定し、Zismanプロツトから求めた臨界表
面張力γc値を最小二乗法で計算した。これらの
結果は第1表に示した。 実施例 4 膜厚の測定 実施例2で得たラングミユアーブロジエツト膜
の19層累積膜(o−PAPHF20、30については7
層累積膜、o−PAPHF10、p−PAHF10につい
ては12層累積膜)を用い、タリステツプで膜厚を
測定した。つまり、薄膜を一部剥し、膜と基板と
の段差をタリステツプにより測定した。得られた
膜厚を累積層の数で割り、1層の膜厚とした。こ
れらの結果は第1表に示した。
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による含フツ素高分子ラング
ミユアーブロジエツト膜のF−A曲線を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rfは炭素数6〜15のペルフルオロアル
    キル基を示し、ベンゼン環へのRf基の結合位置
    はo−、m−、またはp−位であり、mは10〜
    1500の数を示し、nは0<n<0.6mを満たす数
    である。)で表わされる含フツ素高分子化合物。 2 一般式 (式中、Rfは炭素数6〜15のペルフルオロアル
    キル基を示し、ベンゼン環へのRf基の結合位置
    はo−、m−、またはp−位であり、mは10〜
    1500の数を示し、nは0<n<0.6mを満たす数
    である。)で表わされる含フツ素高分子化合物を
    製造する方法において、 一般式 (式中、mは前記と同じ意味を持つ。)で表わさ
    れるポリアリルアミンと、 一般式 (式中、Rfは前記と同じ意味を持つ。)で表わさ
    れるo−、m−、またはp−(ペルフルオロアル
    キル)フエニルイソチオシアナートとを反応させ
    ることを特徴とする方法。 3 一般式 (式中、Rfは炭素数6〜15のペルフルオロアル
    キル基を示し、ベンゼン環へのRf基を結合位置
    はo−、m−、またはp−位であり、mは10〜
    1500の数を示し、nは0<n<0.6mを満たす数
    である。)で表わされる含フツ素高分子化合物を
    用いたラングミユアーブロジエツト膜。
JP21602888A 1988-08-30 1988-08-30 含フッ素基を修飾した高分子化合物とその製造方法及び超薄膜 Granted JPH0264114A (ja)

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