JPH0565456A - 気密封止用樹脂ペースト - Google Patents
気密封止用樹脂ペーストInfo
- Publication number
- JPH0565456A JPH0565456A JP3227561A JP22756191A JPH0565456A JP H0565456 A JPH0565456 A JP H0565456A JP 3227561 A JP3227561 A JP 3227561A JP 22756191 A JP22756191 A JP 22756191A JP H0565456 A JPH0565456 A JP H0565456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dianhydride
- paste
- diamine
- filler
- polyimide resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 15
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006210 cyclodehydration reaction Methods 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- -1 halogen ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006358 imidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- BWAPJIHJXDYDPW-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine Chemical compound CC1=CC(N)=C(C)C=C1N BWAPJIHJXDYDPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbenzidine Chemical group C1=C(N)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 NUIURNJTPRWVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSJXBBISBKAWAL-UHFFFAOYSA-N 4-(trifluoromethyl)pyridine-2,6-diamine Chemical compound NC1=CC(C(F)(F)F)=CC(N)=N1 HSJXBBISBKAWAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- CBLAIDIBZHTGLV-UHFFFAOYSA-N dodecane-2,11-diamine Chemical compound CC(N)CCCCCCCCC(C)N CBLAIDIBZHTGLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- UBGIFSWRDUBQIC-UHFFFAOYSA-N perylene-2,3,8,9-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=3C4=C5C=C(C(C(O)=O)=C4C=CC=3)C(O)=O)=C2C5=C1 UBGIFSWRDUBQIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTCGLFCOUJIOQH-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole-2,5-diamine Chemical compound NC1=NN=C(N)O1 YTCGLFCOUJIOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILDMGJCBFBPGH-UHFFFAOYSA-N 1,4,5,8-tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(Cl)=C2C(Cl)=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(Cl)C2=C1Cl RILDMGJCBFBPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBLZUSCEBGBILB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylthiolane 1,1-dioxide Chemical compound CC1(C)CCCS1(=O)=O KBLZUSCEBGBILB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMXCPDQUXVZBGQ-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound ClC1=C(Cl)C(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=C(Cl)C(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O XMXCPDQUXVZBGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethylbenzene-1,3-diamine Chemical group CC1=CC(C)=C(N)C(C)=C1N ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGKKWUNSNDTGDS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylheptane-1,7-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CCN XGKKWUNSNDTGDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CN YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNQVZBMRPWXYME-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylnonane-1,9-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CCCCN DNQVZBMRPWXYME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDWGBHZZXPDKDZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=C(Cl)C(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O SDWGBHZZXPDKDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJAVQHPPPBDYAN-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC(N)=CC(C)=C1N MJAVQHPPPBDYAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZWGLBCZWLGCDT-UHFFFAOYSA-N 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid Chemical compound ClC1=CC(C(O)=O)=C2C(C(=O)O)=CC(Cl)=C(C(O)=O)C2=C1C(O)=O JZWGLBCZWLGCDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLUPKIRNOCKJB-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-n,n-dimethylacetamide Chemical compound COCC(=O)N(C)C DZLUPKIRNOCKJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical compound C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O FMXFZZAJHRLHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDXGRHCEHPFUSU-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)aniline Chemical group NC1=CC=CC(C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 NDXGRHCEHPFUSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 3-[(2,3-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(CC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 3-[(3-aminophenyl)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(CC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 CKOFBUUFHALZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(2,3-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXPSTWTPRGRDO-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical group NC1=CC=CC(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 POXPSTWTPRGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEEIWUUBRYZFEH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxyhexane-1,6-diamine Chemical compound NCCC(OC)CCCN YEEIWUUBRYZFEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGEWZUYVXQESSB-UHFFFAOYSA-N 3-methylheptane-1,7-diamine Chemical compound NCCC(C)CCCCN SGEWZUYVXQESSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WECDUOXQLAIPQW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylene bis(2-methylaniline) Chemical compound C1=C(N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(N)=CC=2)=C1 WECDUOXQLAIPQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWIBGDOHXGXHEV-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethylheptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCC(C)(C)CCCN ZWIBGDOHXGXHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCSSXQMBIGEQGN-UHFFFAOYSA-N 4,6-dimethylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC(C)=C(N)C=C1N DCSSXQMBIGEQGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGRZMPCVIHBQOE-UHFFFAOYSA-N 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1C(C(O)=O)CC(C)=C2C(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(C)=C21 QGRZMPCVIHBQOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LURZHSJDIWXJOH-UHFFFAOYSA-N 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound C1C(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C)=C2CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C)=C21 LURZHSJDIWXJOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AIVVXPSKEVWKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMHOXRVODFQGCA-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-3,5-dimethylphenyl)methyl]-2,6-dimethylaniline Chemical group CC1=C(N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(N)=C(C)C=2)=C1 OMHOXRVODFQGCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJJNNSUCZDJDLP-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(3,4-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IJJNNSUCZDJDLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSBOCPVKJMBWTF-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(4-aminophenyl)ethyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)C1=CC=C(N)C=C1 HSBOCPVKJMBWTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUZDWKQSIJVSMY-UHFFFAOYSA-N 5-[4-(6-amino-2-methylhexan-2-yl)phenyl]-5-methylhexan-1-amine Chemical compound NCCCCC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)CCCCN)C=C1 DUZDWKQSIJVSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBRGOFWKNLPACT-UHFFFAOYSA-N 5-methylnonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCC(C)CCCCN MBRGOFWKNLPACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010533 azeotropic distillation Methods 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diamine Chemical compound NC1CCC(N)CC1 VKIRRGRTJUUZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOSVXXBNNCUXMT-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O WOSVXXBNNCUXMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940012017 ethylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYGWPQUPVNLSPG-UHFFFAOYSA-N icosane-2,17-diamine Chemical compound CCCC(N)CCCCCCCCCCCCCCC(C)N LYGWPQUPVNLSPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C21 KADGVXXDDWDKBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBYQSYQIKWRMOE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 BBYQSYQIKWRMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1N KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N nonane-1,9-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCN SXJVFQLYZSNZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQXBKCWOCJSIRT-UHFFFAOYSA-N octadecane-1,12-diamine Chemical compound CCCCCCC(N)CCCCCCCCCCCN VQXBKCWOCJSIRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEGZYNOCIPWFTE-UHFFFAOYSA-N octadecane-2,12-diamine Chemical compound CCCCCCC(N)CCCCCCCCCC(C)N GEGZYNOCIPWFTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- AVRVTTKGSFYCDX-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C2=C(C(C(=O)O)=CC=3C2=C2C=CC=3)C(O)=O)=C3C2=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC3=C1 AVRVTTKGSFYCDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYPCCLLEICQOCV-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1 CYPCCLLEICQOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1C(O)=O UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVRYJZTZEUPARA-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C3=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C3C2=C1 RVRYJZTZEUPARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTHVZRHBNXZKKB-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=NC(C(O)=O)=C(C(O)=O)N=C1C(O)=O RTHVZRHBNXZKKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIROPXUFDXCYLG-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,5-diamine Chemical compound NC1=CC=C(N)N=C1 MIROPXUFDXCYLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHNQIURBCCNWDN-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,6-diamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=N1 VHNQIURBCCNWDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKWDNEXDHDSTCU-UHFFFAOYSA-N pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1NC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O YKWDNEXDHDSTCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUEGQDUCMILDOJ-UHFFFAOYSA-N thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1SC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(O)=O LUEGQDUCMILDOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyloxy)silane Chemical compound C[SiH2]O[Si](C)(C)C UHUUYVZLXJHWDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
- C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶対温度300K〜500Kの範囲で200W/mK
以上の熱伝導率を有する金属及び/又は無機物からなる
高熱伝導性フィラー、アルミニウム、鉄、マグネシウム
の中から選ばれた少なくとも1種以上のフィラー、ポリ
イミド樹脂(C)及び有機溶剤(D)よりなる気密封止用樹
脂ペースト。 【効果】 大型チップの接着に適しており、ボイドの発
生が極めて少なく、ガラスシール気密性に優れ、パッケ
ージ内に残留する水分も極めて少ない、高熱伝導性で熱
放散の優れた高信頼性のペーストを得ることができる。
以上の熱伝導率を有する金属及び/又は無機物からなる
高熱伝導性フィラー、アルミニウム、鉄、マグネシウム
の中から選ばれた少なくとも1種以上のフィラー、ポリ
イミド樹脂(C)及び有機溶剤(D)よりなる気密封止用樹
脂ペースト。 【効果】 大型チップの接着に適しており、ボイドの発
生が極めて少なく、ガラスシール気密性に優れ、パッケ
ージ内に残留する水分も極めて少ない、高熱伝導性で熱
放散の優れた高信頼性のペーストを得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高熱伝導性フィラー、
特定の金属フィラー、ポリイミド樹脂及び有機溶剤から
なり、IC、LSI等の半導体素子とセラミック容器を
接着する、耐熱性及び熱伝導性に優れた気密封止用樹脂
ペーストに関するものである。
特定の金属フィラー、ポリイミド樹脂及び有機溶剤から
なり、IC、LSI等の半導体素子とセラミック容器を
接着する、耐熱性及び熱伝導性に優れた気密封止用樹脂
ペーストに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミックパッケージについて
は、半導体素子をパッケージ内にマウントする際Au−
Si共晶法により接合し、次いで低融点ガラスを用いて
ハーメチックシールによって封止するのが普通であっ
た。しかしながら、半導体素子の高集積化によるチップ
サイズの増大により、熱履歴を受けた際にチップに発生
する応力が信頼性低下につながるため、マウント材自身
に応力緩和性が求められるようになってきている。ま
た、半導体素子自体の高速応答性化が進み、チップ内部
での発熱量が多くなり、信頼性を維持するために発生し
た熱をできるだけ速やかにチップ外へ放散する必要があ
り、接合材の熱伝導性は一層重要な役目を担ってきてい
る。近年エポキシ樹脂に銀粉等の導電性フィラーを混合
した導電性樹脂ペーストが作業性、量産性、応力緩和性
の点で従来のAu−Si共晶法に比べて優れるため用い
られるようになってきているが、セラミックパッケージ
の場合には300℃以上の高温でガラスシールする工程が
あり、エポキシ樹脂系では耐熱性の点で不充分であり、
シール中に分解ガスが大量に発生し内部応力が増大して
シール部が膨れてしまうという問題があった。
は、半導体素子をパッケージ内にマウントする際Au−
Si共晶法により接合し、次いで低融点ガラスを用いて
ハーメチックシールによって封止するのが普通であっ
た。しかしながら、半導体素子の高集積化によるチップ
サイズの増大により、熱履歴を受けた際にチップに発生
する応力が信頼性低下につながるため、マウント材自身
に応力緩和性が求められるようになってきている。ま
た、半導体素子自体の高速応答性化が進み、チップ内部
での発熱量が多くなり、信頼性を維持するために発生し
た熱をできるだけ速やかにチップ外へ放散する必要があ
り、接合材の熱伝導性は一層重要な役目を担ってきてい
る。近年エポキシ樹脂に銀粉等の導電性フィラーを混合
した導電性樹脂ペーストが作業性、量産性、応力緩和性
の点で従来のAu−Si共晶法に比べて優れるため用い
られるようになってきているが、セラミックパッケージ
の場合には300℃以上の高温でガラスシールする工程が
あり、エポキシ樹脂系では耐熱性の点で不充分であり、
シール中に分解ガスが大量に発生し内部応力が増大して
シール部が膨れてしまうという問題があった。
【0003】一方、耐熱性の優れているポリイミド系樹
脂に銀粉等を混合して樹脂ペースト化する試みもなされ
ているが、このような金属粉をポリイミド系樹脂に添加
すると、熱酸化分解を促進して耐熱性を著しく低下さ
せ、300℃以上のガラスシール温度で熱分解を引起こ
し、分解発生ガスによりシール部に穴が空いたり、シー
ルできたとしてもパッケージ内に分解によって生じた多
量の水分が閉じ込められ、半導体素子の信頼性を著しく
損ねる等の問題があった。またポリイミド系樹脂にシリ
カ粉、アルミナ粉等の無機系フィラーを添加したペース
トでは耐熱性の低下は認められないものの充分な熱伝導
性が得られず好ましくなかった。このことからも気密封
止用の樹脂ペーストとしては耐熱性、熱伝導性に優れた
ものが強く要望されていた。
脂に銀粉等を混合して樹脂ペースト化する試みもなされ
ているが、このような金属粉をポリイミド系樹脂に添加
すると、熱酸化分解を促進して耐熱性を著しく低下さ
せ、300℃以上のガラスシール温度で熱分解を引起こ
し、分解発生ガスによりシール部に穴が空いたり、シー
ルできたとしてもパッケージ内に分解によって生じた多
量の水分が閉じ込められ、半導体素子の信頼性を著しく
損ねる等の問題があった。またポリイミド系樹脂にシリ
カ粉、アルミナ粉等の無機系フィラーを添加したペース
トでは耐熱性の低下は認められないものの充分な熱伝導
性が得られず好ましくなかった。このことからも気密封
止用の樹脂ペーストとしては耐熱性、熱伝導性に優れた
ものが強く要望されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、セラミ
ックパッケージ内でIC等の大型チップをマウントした
後ハーメチックシール時に発生ガスが少なく接着強度の
低下が起こらず、信頼性低下の原因となるパッケージ内
残存水分の極めて少ない高熱伝導性樹脂ペーストを得ん
として鋭意研究を重ねた結果、ポリイミド樹脂及び/又
はその前駆体であるポリアミド酸を少量の有機溶剤に溶
かし、高熱伝導性の金属及び/又は無機フィラー及びA
l、Fe、Mgのうち少なくとも1種以上の金属をフィ
ラーとして添加して得られる樹脂ペーストは耐熱性及び
熱伝導性に優れ、ガラスシール工程を経ても分解ガスの
発生が少なく、接着強度の低下も少なく、しかもパッケ
ージ内に残存する水分も極めて少ないことが判り、本発
明を完成するに至ったものである。
ックパッケージ内でIC等の大型チップをマウントした
後ハーメチックシール時に発生ガスが少なく接着強度の
低下が起こらず、信頼性低下の原因となるパッケージ内
残存水分の極めて少ない高熱伝導性樹脂ペーストを得ん
として鋭意研究を重ねた結果、ポリイミド樹脂及び/又
はその前駆体であるポリアミド酸を少量の有機溶剤に溶
かし、高熱伝導性の金属及び/又は無機フィラー及びA
l、Fe、Mgのうち少なくとも1種以上の金属をフィ
ラーとして添加して得られる樹脂ペーストは耐熱性及び
熱伝導性に優れ、ガラスシール工程を経ても分解ガスの
発生が少なく、接着強度の低下も少なく、しかもパッケ
ージ内に残存する水分も極めて少ないことが判り、本発
明を完成するに至ったものである。
【0005】その目的とするところは、上記従来技術の
問題を解決し、耐熱性及び熱伝導性に優れ、半導体素子
の信頼性を損うことなく、ハーメチックシールすること
が可能な気密封止用樹脂ペーストを提供することにあ
る。
問題を解決し、耐熱性及び熱伝導性に優れ、半導体素子
の信頼性を損うことなく、ハーメチックシールすること
が可能な気密封止用樹脂ペーストを提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶対温度300
K〜500Kの範囲で200W/mK以上の熱伝導率を有する
金属及び/又は無機物からなる高熱伝導性フィラー
(A)、アルミニウム、鉄、マグネシウムの中から選ばれ
た少なくとも1種以上のフィラー(B)、ポリイミド樹脂
(C)及び有機溶剤(D)よりなる樹脂ペーストであって、
(A)、(B)、(C)の重量割合が(A)/{(B)+(C)}=10/
90〜90/10、(B)/{(A)+(C)}=5/95〜90/10であ
り、かつ(D)の重量割合が(D)/{(A)+(B)+(C)}=
0.01/100〜50/100であることを特徴とする気密封止用
樹脂ペーストである。
K〜500Kの範囲で200W/mK以上の熱伝導率を有する
金属及び/又は無機物からなる高熱伝導性フィラー
(A)、アルミニウム、鉄、マグネシウムの中から選ばれ
た少なくとも1種以上のフィラー(B)、ポリイミド樹脂
(C)及び有機溶剤(D)よりなる樹脂ペーストであって、
(A)、(B)、(C)の重量割合が(A)/{(B)+(C)}=10/
90〜90/10、(B)/{(A)+(C)}=5/95〜90/10であ
り、かつ(D)の重量割合が(D)/{(A)+(B)+(C)}=
0.01/100〜50/100であることを特徴とする気密封止用
樹脂ペーストである。
【0007】
【作用】本発明に用いられる絶対温度300K〜500Kの範
囲で200mK/W以上の熱伝導率を有するフィラーとし
ては、Ag、Au、Cu、ダイヤモンド、高温焼結黒
鉛、ベリリアなどが挙げられるが、特に限定されるもの
ではない。但し本発明において用いられる高熱伝導性フ
ィラーにおいては、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオ
ン等のイオン性不純物の含量が好ましくは10ppm以下で
あることが望ましい。また粒子の形状としては、フレー
ク状、樹枝状や球状等のものが用いられる。異なる高熱
伝導性フィラーを混合して用いることもできる。また粒
径についても、比較的粗いものと細かいものを適宜混合
してもよい。必要な特性を得るための粒径は0.01〜50μ
mが望ましい。
囲で200mK/W以上の熱伝導率を有するフィラーとし
ては、Ag、Au、Cu、ダイヤモンド、高温焼結黒
鉛、ベリリアなどが挙げられるが、特に限定されるもの
ではない。但し本発明において用いられる高熱伝導性フ
ィラーにおいては、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオ
ン等のイオン性不純物の含量が好ましくは10ppm以下で
あることが望ましい。また粒子の形状としては、フレー
ク状、樹枝状や球状等のものが用いられる。異なる高熱
伝導性フィラーを混合して用いることもできる。また粒
径についても、比較的粗いものと細かいものを適宜混合
してもよい。必要な特性を得るための粒径は0.01〜50μ
mが望ましい。
【0008】本発明に用いられる特定の金属フィラーと
しては、Al、Fe、Mgの中から選ばれた少なくとも
1種以上のものが望ましい。使用にあたっては、1種で
も2種以上混合してもよい。形状としては、フレーク
状、樹枝状や球状等のものが用いられる。異なる粒径の
ものを混合して用いても差し支えない。本発明において
用いられる特定の金属フィラーにおいては、ハロゲンイ
オン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含量が
好ましくは10ppm以下であることが望ましい。
しては、Al、Fe、Mgの中から選ばれた少なくとも
1種以上のものが望ましい。使用にあたっては、1種で
も2種以上混合してもよい。形状としては、フレーク
状、樹枝状や球状等のものが用いられる。異なる粒径の
ものを混合して用いても差し支えない。本発明において
用いられる特定の金属フィラーにおいては、ハロゲンイ
オン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含量が
好ましくは10ppm以下であることが望ましい。
【0009】また、本発明の樹脂ペーストにおいては、
必要に応じて高熱伝導性、耐熱性を損わない範囲で
(A)、(B)以外の無機及び/又は金属フィラーを添加す
ることも可能である。
必要に応じて高熱伝導性、耐熱性を損わない範囲で
(A)、(B)以外の無機及び/又は金属フィラーを添加す
ることも可能である。
【0010】本発明において用いられる高熱伝導性フィ
ラー(A)はペースト硬化後の熱伝導性付与のために必要
であり、特定の金属フィラー(B)はガラスシール時の高
温下においてポリイミドの酸化分解を防止し発生ガス及
び水分量を低下させるために必要である。これらのペー
ストにおける割合は、バインダーであるポリイミド樹脂
(C)と合せて、(A)/{(B)+(C)}=10/90〜90/10、
(B)/{(A)+(C)}=5/95〜90/10であることが望ま
しく、10/90〜60/40、20/80〜80/20がより好ましい
範囲である。高熱伝導性フィラー(A)が(B)及び(C)に
対して10重量%未満であると、高熱伝導性が得られない
ので好ましくなく、また90重量%を越えるとペーストの
粘度が極めて上昇し、作業性の点で好ましくない。ま
た、特定の金属フィラー(B)が(A)及び(C)に対して5
重量%未満であると、ペースト硬化物中のポリイミド樹
脂が300℃以上のガラスシール工程において酸化分解す
るのを防止する効果を発揮できないので好ましくなく、
90重量%を越えると相対的にペースト硬化物中の高熱伝
導性フィラー量が少なくなり、高熱伝導性が得られない
ばかりでなく、ペーストの粘度が極めて高くなるので好
ましくない。
ラー(A)はペースト硬化後の熱伝導性付与のために必要
であり、特定の金属フィラー(B)はガラスシール時の高
温下においてポリイミドの酸化分解を防止し発生ガス及
び水分量を低下させるために必要である。これらのペー
ストにおける割合は、バインダーであるポリイミド樹脂
(C)と合せて、(A)/{(B)+(C)}=10/90〜90/10、
(B)/{(A)+(C)}=5/95〜90/10であることが望ま
しく、10/90〜60/40、20/80〜80/20がより好ましい
範囲である。高熱伝導性フィラー(A)が(B)及び(C)に
対して10重量%未満であると、高熱伝導性が得られない
ので好ましくなく、また90重量%を越えるとペーストの
粘度が極めて上昇し、作業性の点で好ましくない。ま
た、特定の金属フィラー(B)が(A)及び(C)に対して5
重量%未満であると、ペースト硬化物中のポリイミド樹
脂が300℃以上のガラスシール工程において酸化分解す
るのを防止する効果を発揮できないので好ましくなく、
90重量%を越えると相対的にペースト硬化物中の高熱伝
導性フィラー量が少なくなり、高熱伝導性が得られない
ばかりでなく、ペーストの粘度が極めて高くなるので好
ましくない。
【0011】本発明において用いられるポリイミド樹脂
(C)は、酸二無水物とジアミンとを反応させて得られる
ポリアミド酸及び/又はポリアミド酸を脱水閉環させた
ポリイミドである。
(C)は、酸二無水物とジアミンとを反応させて得られる
ポリアミド酸及び/又はポリアミド酸を脱水閉環させた
ポリイミドである。
【0012】本発明において使用されるポリイミド樹脂
を構成する酸二無水物成分の例を挙げると、ピロメリッ
ト酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、
ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-
ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,
6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,
6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン
酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラ
カルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8
-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナ
フタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8
-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二
無水物、3,3',4,4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2',3,3'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、
2,3,3',4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3",4,4"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2",3,3"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
3,3",4"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水
物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二
無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無
水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、
ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス
(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス
(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビ
ス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビ
ス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレ
ン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,
9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-
テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テト
ラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラ
カルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボ
ン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸
二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無
水物などがあげられるが、これらに限定されるものでは
ない。
を構成する酸二無水物成分の例を挙げると、ピロメリッ
ト酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無
水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、
ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-
ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,
6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,
6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン
酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラ
カルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8
-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナ
フタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8
-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二
無水物、3,3',4,4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2',3,3'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、
2,3,3',4'-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3",4,4"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2",3,3"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
3,3",4"-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水
物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二
無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無
水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、
ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス
(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス
(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビ
ス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビ
ス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレ
ン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,
9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-
テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テト
ラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラ
カルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボ
ン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸
二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無
水物などがあげられるが、これらに限定されるものでは
ない。
【0013】本発明において用いられるジアミンの例を
具体的に挙げると、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフ
ェニル、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジ
メチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレ
ン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-
2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリ
ン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレン-ジアミン、p
-フェニレン-ジアミン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルプロ
パン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルプロパン、4,4'-ジア
ミノ-ジフェニルエタン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルエ
タン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルメタン、3,3'-ジアミ
ノ-ジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルスル
フィド、3,3'-ジアミノ-ジフェニルスルフィド、4,4'-
ジアミノ-ジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノ-ジフェ
ニルスルホン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、3,
3'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、ベンジジン、3,3'-
ジアミノ-ビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノ-
ビフェニル、3,3'-ジメトキシ-ベンジジン、4,4"-ジア
ミノ-p-テルフェニル、3,3"-ジアミノ-p-テルフェニ
ル、ビス(p-アミノ-シクロヘキシル)メタン、ビス(p-β
-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチ
ル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-
アミノ-ペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-ア
ミノ-ペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノ-ナフタレン、
2,6-ジアミノ-ナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチ
ル)トルエン、2,4-ジアミノ-トルエン、m-キシレン-2,5
-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレン-
ジアミン、p-キシリレン-ジアミン、2,6-ジアミノ-ピリ
ジン、2,5-ジアミノ-ピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オ
キサジアゾール、1,4-ジアミノ-シクロヘキサン、ピペ
ラジン、メチレン-ジアミン、エチレン-ジアミン、プロ
ピレン-ジアミン、2,2-ジメチル-プロピレン-ジアミ
ン、テトラメチレン-ジアミン、ペンタメチレン-ジアミ
ン、ヘキサメチレン-ジアミン、2,5-ジメチル-ヘキサメ
チレン-ジアミン、3-メトキシ-ヘキサメチレン-ジアミ
ン、ヘプタメチレン-ジアミン、2,5-ジメチル-ヘプタメ
チレン-ジアミン、3-メチル-ヘプタメチレン-ジアミ
ン、4,4-ジメチル-ヘプタメチレン-ジアミン、オクタメ
チレン-ジアミン、ノナメチレン-ジアミン、5-メチル-
ノナメチレン-ジアミン、2,5-ジメチル-ノナメチレン-
ジアミン、デカメチレン-ジアミン、1,10-ジアミノ-1,1
0-ジメチル-デカン、2,11-ジアミノ-ドデカン、1,12-ジ
アミノ-オクタデカン、2,12-ジアミノ-オクタデカン、
2,17-ジアミノ-アイコサンなどがあげられるが、これら
に限定されるものではない。
具体的に挙げると、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフ
ェニル、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジ
メチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレ
ン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-
2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリ
ン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレン-ジアミン、p
-フェニレン-ジアミン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルプロ
パン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルプロパン、4,4'-ジア
ミノ-ジフェニルエタン、3,3'-ジアミノ-ジフェニルエ
タン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルメタン、3,3'-ジアミ
ノ-ジフェニルメタン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルスル
フィド、3,3'-ジアミノ-ジフェニルスルフィド、4,4'-
ジアミノ-ジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノ-ジフェ
ニルスルホン、4,4'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、3,
3'-ジアミノ-ジフェニルエーテル、ベンジジン、3,3'-
ジアミノ-ビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノ-
ビフェニル、3,3'-ジメトキシ-ベンジジン、4,4"-ジア
ミノ-p-テルフェニル、3,3"-ジアミノ-p-テルフェニ
ル、ビス(p-アミノ-シクロヘキシル)メタン、ビス(p-β
-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチ
ル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-
アミノ-ペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-ア
ミノ-ペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノ-ナフタレン、
2,6-ジアミノ-ナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチ
ル)トルエン、2,4-ジアミノ-トルエン、m-キシレン-2,5
-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレン-
ジアミン、p-キシリレン-ジアミン、2,6-ジアミノ-ピリ
ジン、2,5-ジアミノ-ピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オ
キサジアゾール、1,4-ジアミノ-シクロヘキサン、ピペ
ラジン、メチレン-ジアミン、エチレン-ジアミン、プロ
ピレン-ジアミン、2,2-ジメチル-プロピレン-ジアミ
ン、テトラメチレン-ジアミン、ペンタメチレン-ジアミ
ン、ヘキサメチレン-ジアミン、2,5-ジメチル-ヘキサメ
チレン-ジアミン、3-メトキシ-ヘキサメチレン-ジアミ
ン、ヘプタメチレン-ジアミン、2,5-ジメチル-ヘプタメ
チレン-ジアミン、3-メチル-ヘプタメチレン-ジアミ
ン、4,4-ジメチル-ヘプタメチレン-ジアミン、オクタメ
チレン-ジアミン、ノナメチレン-ジアミン、5-メチル-
ノナメチレン-ジアミン、2,5-ジメチル-ノナメチレン-
ジアミン、デカメチレン-ジアミン、1,10-ジアミノ-1,1
0-ジメチル-デカン、2,11-ジアミノ-ドデカン、1,12-ジ
アミノ-オクタデカン、2,12-ジアミノ-オクタデカン、
2,17-ジアミノ-アイコサンなどがあげられるが、これら
に限定されるものではない。
【0014】またセラミックパッケージ及びシリコンチ
ップへの密着性を高めるためにポリイミド樹脂成分にシ
ロキサン骨格を導入することもよく行なわれ、次式
(1)、(2)に示すジアミンや酸二無水物を用いるこ
とが可能である。
ップへの密着性を高めるためにポリイミド樹脂成分にシ
ロキサン骨格を導入することもよく行なわれ、次式
(1)、(2)に示すジアミンや酸二無水物を用いるこ
とが可能である。
【0015】
【化1】
【0016】本発明において用いられるポリイミドを溶
解する有機溶剤は特に限定されるものではないが、均一
溶解可能なものならば、一種類或いは二種類以上を併用
した混合溶媒であっても差し支えない。この種の溶媒と
して代表的なものは、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-
ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,
N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホ
アミド、N-メチル-2-ピロリドン、ピリジン、ジメチル
スルホン、テトラメチルスルホン、ジメチルテトラメチ
レンスルホン、γ-ブチロラクトン、ジグライム、テト
ラヒドロフラン、塩化メチレン、ジオキサン、シクロヘ
キサノン等があり、均一に溶解できる範囲で貧溶媒を揮
散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用することもでき
る。
解する有機溶剤は特に限定されるものではないが、均一
溶解可能なものならば、一種類或いは二種類以上を併用
した混合溶媒であっても差し支えない。この種の溶媒と
して代表的なものは、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-
ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,
N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホ
アミド、N-メチル-2-ピロリドン、ピリジン、ジメチル
スルホン、テトラメチルスルホン、ジメチルテトラメチ
レンスルホン、γ-ブチロラクトン、ジグライム、テト
ラヒドロフラン、塩化メチレン、ジオキサン、シクロヘ
キサノン等があり、均一に溶解できる範囲で貧溶媒を揮
散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用することもでき
る。
【0017】本発明において用いられる有機溶剤(D)の
重量割合は、高熱伝導性フィラー(A)、特定の金属フィ
ラー(B)、ポリイミド樹脂(C)とからなるペースト中、
(D)/{(A)+(B)+(C)}=0.01/100〜50/100である
ことが望ましい。0.01/100未満であるとペーストの粘
度が極めて高くなり作業性の点で好ましくなく、50/10
0を越えるとペースト硬化時にボイドが発生しやすくな
り、結果的に熱伝導性が低下するので好ましくない。
重量割合は、高熱伝導性フィラー(A)、特定の金属フィ
ラー(B)、ポリイミド樹脂(C)とからなるペースト中、
(D)/{(A)+(B)+(C)}=0.01/100〜50/100である
ことが望ましい。0.01/100未満であるとペーストの粘
度が極めて高くなり作業性の点で好ましくなく、50/10
0を越えるとペースト硬化時にボイドが発生しやすくな
り、結果的に熱伝導性が低下するので好ましくない。
【0018】さらに本発明においては必要により消泡剤
を添加することもできる。
を添加することもできる。
【0019】本発明の樹脂ペーストの製造工程は、次の
通りである。高熱伝導性フィラー(A)、特定の金属フィ
ラー(B)、ポリイミド樹脂(C)、有機溶剤(D)を秤量
し、必要に応じ消泡剤等を添加して撹拌機、擂潰器、乳
鉢、三本ロール、ニーダー等を単独又は適宜組合せて均
一のペースト状にする。本発明の高熱伝導性樹脂ペース
トの使用方法としては、通常のディスペンサー等で金属
フレームやセラミックパッケージ内に塗布することがで
き、IC等のチップマウント後オーブン中又は熱盤上で
加熱硬化し接着することができる。以下実施例により本
発明を具体的に説明する。
通りである。高熱伝導性フィラー(A)、特定の金属フィ
ラー(B)、ポリイミド樹脂(C)、有機溶剤(D)を秤量
し、必要に応じ消泡剤等を添加して撹拌機、擂潰器、乳
鉢、三本ロール、ニーダー等を単独又は適宜組合せて均
一のペースト状にする。本発明の高熱伝導性樹脂ペース
トの使用方法としては、通常のディスペンサー等で金属
フレームやセラミックパッケージ内に塗布することがで
き、IC等のチップマウント後オーブン中又は熱盤上で
加熱硬化し接着することができる。以下実施例により本
発明を具体的に説明する。
【0020】
(ポリイミド樹脂 合成例1)温度計、撹拌機、原料投
入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた四つ口のセパラブル
フラスコに3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物 32.22g(0.1モル)をN-メチル-2-ピロリドン 240
gに溶解させ、次いでこの系に2,6-ジアミノ-4-トリフ
ルオロメチルピリジン10.63g(0.06モル)、2,4-ジア
ミノトルエン 4.88g(0.04モル)を添加し、さらに系
を20℃に保ちながら5時間撹拌を続けて反応を完結す
る。この間ずっと乾燥窒素を流しておく。続いてこの系
にトルエン72gを添加し、乾燥窒素ガス導入管を外し
て、代りにディーンスターチ還流冷却管を取付け、氷浴
を外してオイルバスで加熱して系の温度を上昇させる。
イミド化に伴って生じる水をトルエンとの共沸により系
外へ除去しながら加熱を続け、140〜150℃でイミド化を
進めて水が生成しなくなった5時間後に反応を終了させ
た。このポリイミドワニスを30リットルの純水に撹拌し
ながら1時間かけて滴下し、樹脂を沈澱させ、濾過して
固形分のみを回収した後、乾燥機中にて120℃で3時間
乾燥させた。このようにして得たポリイミド樹脂のFT-I
Rスペクトルを測定し、1650cm-1に現れるイミド化前の
アミド結合に基づく吸収と、1780cm-1に現れるイミド環
に基づく吸収からイミド化率を求めたところ、100%イ
ミド化されていることが判った。
入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた四つ口のセパラブル
フラスコに3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物 32.22g(0.1モル)をN-メチル-2-ピロリドン 240
gに溶解させ、次いでこの系に2,6-ジアミノ-4-トリフ
ルオロメチルピリジン10.63g(0.06モル)、2,4-ジア
ミノトルエン 4.88g(0.04モル)を添加し、さらに系
を20℃に保ちながら5時間撹拌を続けて反応を完結す
る。この間ずっと乾燥窒素を流しておく。続いてこの系
にトルエン72gを添加し、乾燥窒素ガス導入管を外し
て、代りにディーンスターチ還流冷却管を取付け、氷浴
を外してオイルバスで加熱して系の温度を上昇させる。
イミド化に伴って生じる水をトルエンとの共沸により系
外へ除去しながら加熱を続け、140〜150℃でイミド化を
進めて水が生成しなくなった5時間後に反応を終了させ
た。このポリイミドワニスを30リットルの純水に撹拌し
ながら1時間かけて滴下し、樹脂を沈澱させ、濾過して
固形分のみを回収した後、乾燥機中にて120℃で3時間
乾燥させた。このようにして得たポリイミド樹脂のFT-I
Rスペクトルを測定し、1650cm-1に現れるイミド化前の
アミド結合に基づく吸収と、1780cm-1に現れるイミド環
に基づく吸収からイミド化率を求めたところ、100%イ
ミド化されていることが判った。
【0021】(ポリイミド樹脂 合成例2)合成例1と
同様の方法に従い、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物の代りに3,3',4,4'-オキシジフタル酸
二無水物 31.02g(0.1モル)を用い、2,6-ジアミノ-4-ト
リフルオロメチルピリジン/2,4-ジアミノトルエン混合
物の代りに2,4-ジアミノトルエン 12.20g(0.10モル)
を用いる。得られたポリイミド樹脂のイミド化率は80%
であった。
同様の方法に従い、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物の代りに3,3',4,4'-オキシジフタル酸
二無水物 31.02g(0.1モル)を用い、2,6-ジアミノ-4-ト
リフルオロメチルピリジン/2,4-ジアミノトルエン混合
物の代りに2,4-ジアミノトルエン 12.20g(0.10モル)
を用いる。得られたポリイミド樹脂のイミド化率は80%
であった。
【0022】(ポリイミド樹脂 合成例3)合成例1と
同様の方法、組成でポリアミド酸を合成した後、イミド
化反応を1時間で終了した。得られたポリイミド樹脂の
イミド化率は55%であった。
同様の方法、組成でポリアミド酸を合成した後、イミド
化反応を1時間で終了した。得られたポリイミド樹脂の
イミド化率は55%であった。
【0023】(ポリイミド樹脂 合成例4)合成例2の
ジアミン組成を、2,4-ジアミノトルエンを11.59g(0.0
95モル)及び 1,3-ビス(γ-アミノプロピル)-1,1,3,3-
テトラメチルジシロキサン1.24g(0.005モル)に代え
てポリアミド酸を合成した後、イミド化反応を3時間で
終了した。得られたポリイミド樹脂のイミド化率は90%
であった。
ジアミン組成を、2,4-ジアミノトルエンを11.59g(0.0
95モル)及び 1,3-ビス(γ-アミノプロピル)-1,1,3,3-
テトラメチルジシロキサン1.24g(0.005モル)に代え
てポリアミド酸を合成した後、イミド化反応を3時間で
終了した。得られたポリイミド樹脂のイミド化率は90%
であった。
【0024】(実施例1)合成例1で得られたポリイミ
ド樹脂 100重量部、平均粒径 5μmの銀粉末 150重量
部、平均粒径 2μmのアルミニウム粉末 250重量部、N-
メチル-2-ピロリドン100重量部、テトラエチレングリコ
ールジメチルエーテル 20重量部を撹拌し、均一分散液
とし、三本ロールで混練し、均一なマウント用樹脂ペー
ストを得た。得られたペーストをセラミックパッケージ
に塗布し、10×7mm角のシリコンチップをマウントし、
1時間/150℃+1時間/280℃で硬化させた直後及びさ
らに420℃で30分間処理した際の接着強度をテンシロン
万能試験機で測定したところ、何れも測定限界の20kgf
以上であった。パッケージ内の水分量をマススペクトル
装置で測定したところ1000ppmであり、ガラスシール部
にフクレ、穴は認められなかった。また軟X線画像測定
装置にてペースト硬化物内部のボイド面積を調べたとこ
ろ、全面積の5%未満であった。またペーストのみをそ
のまま硬化させたものの耐熱性を示差熱天秤装置で測定
したところ、熱分解開始温度は480℃であり、熱伝導性
を測定したところ、41W/m・Kであった。
ド樹脂 100重量部、平均粒径 5μmの銀粉末 150重量
部、平均粒径 2μmのアルミニウム粉末 250重量部、N-
メチル-2-ピロリドン100重量部、テトラエチレングリコ
ールジメチルエーテル 20重量部を撹拌し、均一分散液
とし、三本ロールで混練し、均一なマウント用樹脂ペー
ストを得た。得られたペーストをセラミックパッケージ
に塗布し、10×7mm角のシリコンチップをマウントし、
1時間/150℃+1時間/280℃で硬化させた直後及びさ
らに420℃で30分間処理した際の接着強度をテンシロン
万能試験機で測定したところ、何れも測定限界の20kgf
以上であった。パッケージ内の水分量をマススペクトル
装置で測定したところ1000ppmであり、ガラスシール部
にフクレ、穴は認められなかった。また軟X線画像測定
装置にてペースト硬化物内部のボイド面積を調べたとこ
ろ、全面積の5%未満であった。またペーストのみをそ
のまま硬化させたものの耐熱性を示差熱天秤装置で測定
したところ、熱分解開始温度は480℃であり、熱伝導性
を測定したところ、41W/m・Kであった。
【0025】(実施例2)ペースト組成のうち、アルミ
ニウムの代りに平均粒径 3μmの鉄粉末を 150重量部、
銀粉末を 250重量部とした以外は全て実施例1と同様の
方法でマウント用樹脂ペーストを得た。実施例1と同様
の方法で接着強度を測定した結果、420℃/30分間の熱
処理前後何れの強度も20kgf以上であった。また硬化物
中のボイド面積も約10%程度であり、パッケージ内の水
分は1200ppmであり、ガラスシール部にフクレ、穴は認
められなかった。またペーストのみをそのまま硬化させ
たものの耐熱性を示差熱天秤装置で測定したところ、熱
分解開始温度は460℃であり、熱伝導性を測定したとこ
ろ、53W/m・Kであった。
ニウムの代りに平均粒径 3μmの鉄粉末を 150重量部、
銀粉末を 250重量部とした以外は全て実施例1と同様の
方法でマウント用樹脂ペーストを得た。実施例1と同様
の方法で接着強度を測定した結果、420℃/30分間の熱
処理前後何れの強度も20kgf以上であった。また硬化物
中のボイド面積も約10%程度であり、パッケージ内の水
分は1200ppmであり、ガラスシール部にフクレ、穴は認
められなかった。またペーストのみをそのまま硬化させ
たものの耐熱性を示差熱天秤装置で測定したところ、熱
分解開始温度は460℃であり、熱伝導性を測定したとこ
ろ、53W/m・Kであった。
【0026】(実施例3〜5及び比較例1〜5)ペース
ト組成を表1のようにして実施例1と同様の方法でマウ
ント用樹脂ペーストを得て表1の結果を得た。
ト組成を表1のようにして実施例1と同様の方法でマウ
ント用樹脂ペーストを得て表1の結果を得た。
【0027】
【表1】
【0028】実施例1、2並びに表1の実施例3〜5の
ように、高熱伝導性フィラー、特定の金属フィラー、ポ
リイミド樹脂及び有機溶剤からなるマウント用樹脂ペー
ストを用いてチップを接着すると、接着強度は硬化後、
420℃×30分熱処理後、何れも20kgf/(10×7mm角)以上
の値が得られ、ハーメチックシール密封性に優れてお
り、パッケージ内部の水分も全て5000ppm以下であり、
高信頼性であることが判る。またボイド面積も全て10%
以下であり、耐熱性にも優れ、熱伝導性にも優れてい
た。
ように、高熱伝導性フィラー、特定の金属フィラー、ポ
リイミド樹脂及び有機溶剤からなるマウント用樹脂ペー
ストを用いてチップを接着すると、接着強度は硬化後、
420℃×30分熱処理後、何れも20kgf/(10×7mm角)以上
の値が得られ、ハーメチックシール密封性に優れてお
り、パッケージ内部の水分も全て5000ppm以下であり、
高信頼性であることが判る。またボイド面積も全て10%
以下であり、耐熱性にも優れ、熱伝導性にも優れてい
た。
【0029】比較例1、4のように特定の金属フィラー
が少ないと、ポリイミド樹脂の熱酸化分解を防止する効
果が減少し、これにより発生する水分がパッケージ内に
残ったり、分解ガスによってガラスシール部にフクレを
生じて気密性が損われた。比較例2のように高熱伝導性
フィラーの割合が少なくなると充分な熱伝導性が得られ
なくなり、比較例3のように有機溶剤の割合が多くなる
とボイドの発生につながり、このために充分な熱伝導性
が得られないので好ましくない。また比較例5のように
ポリイミド樹脂の割合及び特定の金属フィラーの割合が
少なくなると、接着強度が極端に低下するので好ましく
なかった。
が少ないと、ポリイミド樹脂の熱酸化分解を防止する効
果が減少し、これにより発生する水分がパッケージ内に
残ったり、分解ガスによってガラスシール部にフクレを
生じて気密性が損われた。比較例2のように高熱伝導性
フィラーの割合が少なくなると充分な熱伝導性が得られ
なくなり、比較例3のように有機溶剤の割合が多くなる
とボイドの発生につながり、このために充分な熱伝導性
が得られないので好ましくない。また比較例5のように
ポリイミド樹脂の割合及び特定の金属フィラーの割合が
少なくなると、接着強度が極端に低下するので好ましく
なかった。
【0030】
【発明の効果】本発明の気密封止用樹脂ペーストは、
銅、42アロイ等の金属フレーム、セラミック基板、ガラ
スエポキシ等の有機基板へのIC等半導体素子の接着に
用いることができ、特に10mm角以上の大型チップの接着
に適しており、ボイドの発生が極めて少なく、ガラスシ
ール気密性に優れ、パッケージ内に残留する水分も極め
て少ない、高熱伝導性で熱放散の優れた高信頼性のマウ
ント用樹脂ペーストである。
銅、42アロイ等の金属フレーム、セラミック基板、ガラ
スエポキシ等の有機基板へのIC等半導体素子の接着に
用いることができ、特に10mm角以上の大型チップの接着
に適しており、ボイドの発生が極めて少なく、ガラスシ
ール気密性に優れ、パッケージ内に残留する水分も極め
て少ない、高熱伝導性で熱放散の優れた高信頼性のマウ
ント用樹脂ペーストである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺島 克司 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 竹田 敏郎 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 住 友ベークライト株式会社内 (72)発明者 坂本 有史 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 住 友ベークライト株式会社内 (72)発明者 鈴木 隆 東京都千代田区内幸町1丁目2番2号 住 友ベークライト株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 絶対温度300K〜500Kの範囲で200W/
mK以上の熱伝導率を有する金属及び/又は無機物から
なる高熱伝導性フィラー(A)、アルミニウム、鉄、マグ
ネシウムの中から選ばれた少なくとも1種以上のフィラ
ー(B)、ポリイミド樹脂(C)及び有機溶剤(D)よりなる
樹脂ペーストであって、(A)、(B)、(C)の重量割合が
(A)/{(B)+(C)}=10/90〜90/10、(B)/{(A)+
(C)}=5/95〜90/10であり、かつ(D)の重量割合が
(D)/{(A)+(B)+(C)}=0.01/100〜50/100である
ことを特徴とする気密封止用樹脂ペースト。 - 【請求項2】 ポリイミド樹脂(C)が酸二無水物とジア
ミンとを反応させて得られるポリアミド酸及び/又はポ
リアミド酸を脱水閉環させたポリイミドであることを特
徴とする請求項1記載の気密封止用樹脂ペースト。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227561A JPH0565456A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 気密封止用樹脂ペースト |
| EP92114921A EP0531867A1 (en) | 1991-09-09 | 1992-09-01 | Resin paste for tight sealing |
| KR1019920016315A KR930006132A (ko) | 1991-09-09 | 1992-09-07 | 타이트 실링(tight sealing)용 수지 페이스트 |
| US07/942,489 US5284899A (en) | 1991-09-09 | 1992-09-09 | Resin paste for tight sealing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227561A JPH0565456A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 気密封止用樹脂ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565456A true JPH0565456A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16862842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227561A Pending JPH0565456A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 気密封止用樹脂ペースト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5284899A (ja) |
| EP (1) | EP0531867A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0565456A (ja) |
| KR (1) | KR930006132A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000281995A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性接着フィルムおよび半導体装置 |
| JP2002121381A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-23 | Toray Ind Inc | 無機粉末含有ポリイミド前駆体ペースト |
| JP2018525789A (ja) * | 2015-08-13 | 2018-09-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結 |
| JP2018525494A (ja) * | 2015-08-12 | 2018-09-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのプロセス |
| JP2018529001A (ja) * | 2015-08-13 | 2018-10-04 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | はんだ付け可能ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結 |
| JP2018529802A (ja) * | 2015-08-12 | 2018-10-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのペースト及びプロセス |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312284B1 (ko) * | 1997-07-21 | 2002-11-07 | 차동훈 | 파이프 절단용 캇타의 제조방법 |
| GB9916563D0 (en) * | 1999-07-14 | 1999-09-15 | Fibre Optic Lamp Company | Method of and material for improving thermal conductivity |
| DE10037965A1 (de) * | 2000-08-04 | 2002-02-28 | Elringklinger Gmbh | Beschichtemasse zur Herstellung hochtemperaturfester Dichtungselemente |
| EP1805251A1 (en) * | 2004-10-04 | 2007-07-11 | Solvay Advanced Polymers, L.L.C. | Overmolded plastic articles, uses thereof, method of making |
| US7382627B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-06-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7430128B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-09-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7436678B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices and printed wiring boards incorporating such devices and methods of making thereof |
| JP4790297B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-10-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN101816045A (zh) | 2007-10-18 | 2010-08-25 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 无铅导电组合物以及用于制造半导体装置的方法:含镁添加剂 |
| WO2009052266A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
| TWI540590B (zh) * | 2011-05-31 | 2016-07-01 | 住友電木股份有限公司 | 半導體裝置 |
| CN103889196B (zh) * | 2014-04-11 | 2016-06-22 | 江苏悦达新材料科技有限公司 | 一种高导热人工石墨膜的制备方法 |
| US10153075B2 (en) * | 2016-01-07 | 2018-12-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Polyimide-based polymer thick film resistor composition |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4065345A (en) * | 1974-12-16 | 1977-12-27 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Polyimide adhesives |
| JPS62179570A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドペ−スト |
| EP0320238B1 (en) * | 1987-12-08 | 1991-07-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Imide type prepolymer compositions and processes for preparing same |
| RU1814737C (ru) * | 1988-06-29 | 1993-05-07 | Е.И.Дюпон Де Немур Энд Компани | Способ изготовлени электропровод щей полиимидной пленки |
| US4994207A (en) * | 1989-03-09 | 1991-02-19 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Thermoplastic film die attach adhesives |
| JPH02245070A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性ペースト組成物 |
| JPH0440586A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 情報カード |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3227561A patent/JPH0565456A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-01 EP EP92114921A patent/EP0531867A1/en not_active Withdrawn
- 1992-09-07 KR KR1019920016315A patent/KR930006132A/ko not_active Ceased
- 1992-09-09 US US07/942,489 patent/US5284899A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000281995A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性接着フィルムおよび半導体装置 |
| JP2002121381A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-23 | Toray Ind Inc | 無機粉末含有ポリイミド前駆体ペースト |
| JP2018525494A (ja) * | 2015-08-12 | 2018-09-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのプロセス |
| JP2018529802A (ja) * | 2015-08-12 | 2018-10-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのペースト及びプロセス |
| JP2018525789A (ja) * | 2015-08-13 | 2018-09-06 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結 |
| JP2018529001A (ja) * | 2015-08-13 | 2018-10-04 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company | はんだ付け可能ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5284899A (en) | 1994-02-08 |
| KR930006132A (ko) | 1993-04-20 |
| EP0531867A1 (en) | 1993-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0565456A (ja) | 気密封止用樹脂ペースト | |
| JP3288146B2 (ja) | 導電性接着フィルム、接着法、導電性接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
| JP4156869B2 (ja) | 弾性表面波装置用フィルム | |
| JP3117972B2 (ja) | ダイボンディング材及び接着方法 | |
| WO1998054267A1 (en) | Heat-resistant adhesives and semiconductor devices produced therewith | |
| JP2964823B2 (ja) | 接着フィルム、その製造法、接着法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
| JPS5844712B2 (ja) | 接着剤組成物 | |
| KR930002237B1 (ko) | 내열성 수지 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 집적 회로장치 | |
| JPH0551541A (ja) | ポリイミド樹脂で被覆された無機充填剤、それを配合した樹脂組成物およびその樹脂組成物で封止された半導体装置 | |
| JP3055388B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JPH04222889A (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
| JPH05117596A (ja) | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 | |
| JPH05125337A (ja) | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 | |
| JP3513829B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JP3978628B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JPH0485379A (ja) | 耐熱性樹脂ペーストおよびこれを用いたic | |
| JP3117966B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05125336A (ja) | 熱圧着可能な導電性フイルム状接着剤 | |
| JP3536640B2 (ja) | 接着フィルム、その製造法、接着フィルム付き支持部材及び半導体装置 | |
| JPH11228914A (ja) | 接着フィルム | |
| JPH05117622A (ja) | 熱圧着可能な高熱伝導性フイルム状接着剤 | |
| JP4584028B2 (ja) | 半導体素子用粘着フィルムおよび半導体装置 | |
| JP3601802B2 (ja) | 高密着耐熱性樹脂組成物 | |
| JPH05339555A (ja) | 接着剤組成物 | |
| JPH04285662A (ja) | 耐熱樹脂ペーストおよびこれを用いたic |