JPH056585A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPH056585A JPH056585A JP30456891A JP30456891A JPH056585A JP H056585 A JPH056585 A JP H056585A JP 30456891 A JP30456891 A JP 30456891A JP 30456891 A JP30456891 A JP 30456891A JP H056585 A JPH056585 A JP H056585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic thin
- film
- magneto
- optical storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐腐食性がありＳ／Ｎ比の高い磁気光学記憶
素子を提供する。 【構成】 透明基板上に、この透明基板の屈折率より大
きい屈折率を有する物質からなる透明薄膜と、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜と、断熱層と、金属
膜とをこの順に形成する。磁性体薄膜には透明基板側か
ら光を導入する。
素子を提供する。 【構成】 透明基板上に、この透明基板の屈折率より大
きい屈折率を有する物質からなる透明薄膜と、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜と、断熱層と、金属
膜とをこの順に形成する。磁性体薄膜には透明基板側か
ら光を導入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光により情報の記
録・再生・消去を行う磁気光学記憶素子に関する。
録・再生・消去を行う磁気光学記憶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度・大容量・高速アクセス等
種々の要求を満足しうる光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
種々の要求を満足しうる光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
【０００３】そして、既に実用化に達したものとして、
記憶ディスクに微細ピット列を形成し、各ピット部にお
ける光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る装
置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生信号を得
る装置がある。
記憶ディスクに微細ピット列を形成し、各ピット部にお
ける光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る装
置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生信号を得
る装置がある。
【０００４】しかしながら、これら装置は再生専用であ
るか又は再生及び情報の追加記憶が可能なものに留どま
り、不要な情報を消去し、再記録までも可能なものにつ
いては未だ研究開発段階にある。
るか又は再生及び情報の追加記憶が可能なものに留どま
り、不要な情報を消去し、再記録までも可能なものにつ
いては未だ研究開発段階にある。
【０００５】この不要な情報を消去し、再記録までも可
能なものとして有力な装置としては記憶材料として垂直
磁化膜を利用した磁気光学記憶装置が有力である。
能なものとして有力な装置としては記憶材料として垂直
磁化膜を利用した磁気光学記憶装置が有力である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気光学記憶
装置は上記の再記録の利点を有する一方で再生信号レベ
ルが低いという欠点がある。
装置は上記の再記録の利点を有する一方で再生信号レベ
ルが低いという欠点がある。
【０００７】特に磁気光学記憶素子からの反射光を利用
して情報の再生を行う、カー効果再生方式においてカー
回転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ比）を高める事
が困難であった。その為従来では記憶媒体である磁性材
料を改良したり或は記憶媒体上にＳｉＯやＳｉＯ2の誘
電体薄膜を形成したりしてカー回転角を高める工夫がな
されていた。後者の例としてＭｎＢｉ磁性体膜上にＳｉ
Ｏ膜を形成することによってカー回転角が０．７度から
３．６度に増大した例が報告されている（Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ４５ ｎｏ８ ａｕｇｕｓｔ １
９７４）。
して情報の再生を行う、カー効果再生方式においてカー
回転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ比）を高める事
が困難であった。その為従来では記憶媒体である磁性材
料を改良したり或は記憶媒体上にＳｉＯやＳｉＯ2の誘
電体薄膜を形成したりしてカー回転角を高める工夫がな
されていた。後者の例としてＭｎＢｉ磁性体膜上にＳｉ
Ｏ膜を形成することによってカー回転角が０．７度から
３．６度に増大した例が報告されている（Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ４５ ｎｏ８ ａｕｇｕｓｔ １
９７４）。
【０００８】しかしながら上記ＳｉＯやＳｉＯ2の誘電
体薄膜では、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食
の実質的な防御とはなり得なく、又１μｍ程度の小さな
ほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビッ
ト径が１μｍ程度であるためピット検出が不可能にな
り、よって上記ＳｉＯ、ＳｉＯ2の誘電体薄膜を形成す
ることは実用に適さなかった。そして前記腐食の防御及
びほこりやゴミに対する対策の為には０．５〜２ｍｍ程
度のガラス又は透明樹脂を磁性体に被覆することが望ま
しいとされている。しかしこの被覆材では当然ながらカ
ー回転角の増大は難しく、従ってＳ／Ｎ比の増大の効果
を得ることも困難である。
体薄膜では、磁性体に腐食の恐れのある場合はその腐食
の実質的な防御とはなり得なく、又１μｍ程度の小さな
ほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビッ
ト径が１μｍ程度であるためピット検出が不可能にな
り、よって上記ＳｉＯ、ＳｉＯ2の誘電体薄膜を形成す
ることは実用に適さなかった。そして前記腐食の防御及
びほこりやゴミに対する対策の為には０．５〜２ｍｍ程
度のガラス又は透明樹脂を磁性体に被覆することが望ま
しいとされている。しかしこの被覆材では当然ながらカ
ー回転角の増大は難しく、従ってＳ／Ｎ比の増大の効果
を得ることも困難である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点に鑑みなされたものであり、透明基板上に、該透明基
板の屈折率より充分屈折率の値が大きい物質からなる透
明薄膜と、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜
と、断熱層と、金属反射膜とを、この順に配置し、前記
透明基板より前記磁性体薄膜に光を入射する構成とした
ものである。
点に鑑みなされたものであり、透明基板上に、該透明基
板の屈折率より充分屈折率の値が大きい物質からなる透
明薄膜と、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜
と、断熱層と、金属反射膜とを、この順に配置し、前記
透明基板より前記磁性体薄膜に光を入射する構成とした
ものである。
【００１０】
【作用】本発明は上記の構成を採ることにより、透明基
板側から入射した光は窒化シリコン膜の内部で干渉をお
こし、それによって、窒化シリコンが存在しない場合と
比較してカー回転角を増大するものである更に、窒化シ
リコンは単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導率が高
いので入射光の光量を大きくしても窒化シリコンにおい
て熱が伝搬し易く、光を照射したとき、磁性体薄膜での
必要以上の熱上昇を防ぐことができる。従って、入射光
量を多くできるので結果的に高いＳ／Ｎ比を得ることが
できる。
板側から入射した光は窒化シリコン膜の内部で干渉をお
こし、それによって、窒化シリコンが存在しない場合と
比較してカー回転角を増大するものである更に、窒化シ
リコンは単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導率が高
いので入射光の光量を大きくしても窒化シリコンにおい
て熱が伝搬し易く、光を照射したとき、磁性体薄膜での
必要以上の熱上昇を防ぐことができる。従って、入射光
量を多くできるので結果的に高いＳ／Ｎ比を得ることが
できる。
【００１１】又、磁性体薄膜と金属反射膜との間に断熱
層を設けるようにして、金属反射膜への過度の熱伝導を
防止している。即ち、磁性体薄膜と金属反射膜とが密着
していると磁性体薄膜に対して記録する際において、熱
が金属反射膜に分散して磁性体薄膜の熱が上昇し難くな
るので、記録する際に支障が生ずる。これに対し断熱層
があれば磁性体薄膜において熱が蓄えられ加熱を容易に
する。
層を設けるようにして、金属反射膜への過度の熱伝導を
防止している。即ち、磁性体薄膜と金属反射膜とが密着
していると磁性体薄膜に対して記録する際において、熱
が金属反射膜に分散して磁性体薄膜の熱が上昇し難くな
るので、記録する際に支障が生ずる。これに対し断熱層
があれば磁性体薄膜において熱が蓄えられ加熱を容易に
する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明に係わる磁気光学記憶素子の
一実施例の側面断面図である。
一実施例の側面断面図である。
【００１４】図１で、１はガラス、アクリル樹脂等の透
明基板で厚さは０．５〜２ｍｍ程度である。２はＳｉ3
Ｎ4（窒化シリコン）からなる透明薄膜である。３はＭ
ｎＢｉ，ＴｂＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ等の膜面に垂直な
磁化容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄膜３は
接着層４により支持基板５に接着される。尚、図１の構
成に加え磁性体薄膜３と接着層４の間にＡｌ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ等の反射膜層を設けている。更に反射膜と磁性
体薄膜３の間にＳｉＯ2，ＳｉＯ,Ｓｉ3Ｎ4等の断熱層を
設けている。
明基板で厚さは０．５〜２ｍｍ程度である。２はＳｉ3
Ｎ4（窒化シリコン）からなる透明薄膜である。３はＭ
ｎＢｉ，ＴｂＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ等の膜面に垂直な
磁化容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄膜３は
接着層４により支持基板５に接着される。尚、図１の構
成に加え磁性体薄膜３と接着層４の間にＡｌ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ等の反射膜層を設けている。更に反射膜と磁性
体薄膜３の間にＳｉＯ2，ＳｉＯ,Ｓｉ3Ｎ4等の断熱層を
設けている。
【００１５】上記基板１の屈折率は１．５，Ｓｉ3Ｎ4か
らなる透明薄膜２の屈折率は２．０である為基板１より
入射した光はＳｉ3Ｎ4からなる透明薄膜２の中で干渉
し、それによってカー効果は増大する。従ってＳ／Ｎ比
は向上する。尚、上記透明薄膜２の材質であるＳｉ3Ｎ4
は単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導率が良く為、
Ｓ／Ｎ比の向上に寄与するものである。
らなる透明薄膜２の屈折率は２．０である為基板１より
入射した光はＳｉ3Ｎ4からなる透明薄膜２の中で干渉
し、それによってカー効果は増大する。従ってＳ／Ｎ比
は向上する。尚、上記透明薄膜２の材質であるＳｉ3Ｎ4
は単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導率が良く為、
Ｓ／Ｎ比の向上に寄与するものである。
【００１６】即ち、磁気光学記憶素子において、Ｓ／Ｎ
比は Θｋ＊√Ｒ（Θｋ はカー回転角、Ｒは反射光量）
に比例するものであり、Θｋ だけ高めても反射光量が
少なくては所定のＳ／Ｎ比を得ることが出来ない。しか
し、上記磁性体薄膜３に熱伝導性の悪い物質が被覆され
る場合、照射光によって上記磁性体薄膜３は容易に温度
上昇し、記録情報が乱されてしまう恐れがある。即ち、
上記磁性体薄膜３は外部磁場の供給が無くとも特定部分
の温度が上昇すればその周囲に存在する磁性体薄膜自身
の磁場によって磁化の反転を生ずることが有るのであ
る。よって照射光量を多くできずその為反射光量を充分
に得ることが出来ない。
比は Θｋ＊√Ｒ（Θｋ はカー回転角、Ｒは反射光量）
に比例するものであり、Θｋ だけ高めても反射光量が
少なくては所定のＳ／Ｎ比を得ることが出来ない。しか
し、上記磁性体薄膜３に熱伝導性の悪い物質が被覆され
る場合、照射光によって上記磁性体薄膜３は容易に温度
上昇し、記録情報が乱されてしまう恐れがある。即ち、
上記磁性体薄膜３は外部磁場の供給が無くとも特定部分
の温度が上昇すればその周囲に存在する磁性体薄膜自身
の磁場によって磁化の反転を生ずることが有るのであ
る。よって照射光量を多くできずその為反射光量を充分
に得ることが出来ない。
【００１７】一方、Ｓｉ3Ｎ4は熱伝導率が良い（実験に
よればＳｉＯは１．５Ｊ／ｍ・ｓ・ｋ，ＺｎＳは２Ｊ／
ｍ・ｓ・ｋに対してＳｉ3Ｎ4は１０〜２０Ｊ／ｍ・ｓ・
ｋ程度の熱伝導率が得られる。）為、磁性体薄膜３に対
して供給する光量を多くしてもＳｉ3Ｎ4から熱が伝搬す
るため上記の反射光量Ｒを大きくでき、その結果Ｓ／Ｎ
比を向上することが出来るものである。
よればＳｉＯは１．５Ｊ／ｍ・ｓ・ｋ，ＺｎＳは２Ｊ／
ｍ・ｓ・ｋに対してＳｉ3Ｎ4は１０〜２０Ｊ／ｍ・ｓ・
ｋ程度の熱伝導率が得られる。）為、磁性体薄膜３に対
して供給する光量を多くしてもＳｉ3Ｎ4から熱が伝搬す
るため上記の反射光量Ｒを大きくでき、その結果Ｓ／Ｎ
比を向上することが出来るものである。
【００１８】また、上記の点以外に、ＺｎＳを用いた場
合、温度の上昇につれその結晶粒が成長し、その結晶粒
の表面で著しい乱反射が発生するため、光の透過量が著
しく減少する。しかるに、磁気光学記憶素子の成膜工程
等の製造過程において温度上昇の発生は避けられない。
よって、ＺｎＳは上記透明薄膜２として使うことには極
めて難がある。これに対し、Ｓｉ3Ｎ4は温度の上昇に対
しても優れた安定性を有し、光の透過量が減少するとい
った問題が生じず、非常に優れている。
合、温度の上昇につれその結晶粒が成長し、その結晶粒
の表面で著しい乱反射が発生するため、光の透過量が著
しく減少する。しかるに、磁気光学記憶素子の成膜工程
等の製造過程において温度上昇の発生は避けられない。
よって、ＺｎＳは上記透明薄膜２として使うことには極
めて難がある。これに対し、Ｓｉ3Ｎ4は温度の上昇に対
しても優れた安定性を有し、光の透過量が減少するとい
った問題が生じず、非常に優れている。
【００１９】以上の実施例に留どまらず本発明の好適な
実施の形態として次のものが挙げられる。
実施の形態として次のものが挙げられる。
【００２０】（１）基板１に凹凸状のガイドトラックを
形成する。
形成する。
【００２１】（２）磁性体薄膜３を比晶質磁性体にて形
成し、その一部を結晶化せしめガイドトラックとなす。
成し、その一部を結晶化せしめガイドトラックとなす。
【００２２】（３）支持基板５に対して両側面に図１の
構成を設け両面仕様とする。
構成を設け両面仕様とする。
【００２３】以上の（１）〜（３）の形態は互いに組み
合わせることも可能である。
合わせることも可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したごとく本発明によれば、カ
ー回転角を増大せしめることができ、しかも磁性体の腐
食及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能なもので
あり、極めて実用的な構成にてカー回転角の増大化が達
成できるものである。
ー回転角を増大せしめることができ、しかも磁性体の腐
食及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能なもので
あり、極めて実用的な構成にてカー回転角の増大化が達
成できるものである。
【００２５】更に、透明基板上に、該透明基板の屈折率
より充分屈折率の値が大きい透明薄膜の材質として熱伝
導率の良い窒化シリコンを用いているので、磁性体薄膜
に対して充分な光の量を供給でき、その結果として良好
なＳ／Ｎ比を得ることができるものである。
より充分屈折率の値が大きい透明薄膜の材質として熱伝
導率の良い窒化シリコンを用いているので、磁性体薄膜
に対して充分な光の量を供給でき、その結果として良好
なＳ／Ｎ比を得ることができるものである。
【００２６】又、磁性体薄膜と金属反射膜との間に断熱
層を設けようにして、金属反射膜への過度の熱伝導を防
止しているので、熱が金属反射膜に分散して磁性体薄膜
の熱が上昇し難くなることを回避できる。即ち、断熱層
があれば磁性体薄膜において熱が蓄えられ加熱を容易に
するものである。
層を設けようにして、金属反射膜への過度の熱伝導を防
止しているので、熱が金属反射膜に分散して磁性体薄膜
の熱が上昇し難くなることを回避できる。即ち、断熱層
があれば磁性体薄膜において熱が蓄えられ加熱を容易に
するものである。
【００２７】上記のように本発明では記録の際において
ある程度、磁性体薄膜における畜熱効果をもたせ、且つ
再生の際にはある程度、磁性体薄膜における熱を分散せ
しめる構成を有するものであり、記録及び再生の両方に
おいて良好な効果を有するものである。
ある程度、磁性体薄膜における畜熱効果をもたせ、且つ
再生の際にはある程度、磁性体薄膜における熱を分散せ
しめる構成を有するものであり、記録及び再生の両方に
おいて良好な効果を有するものである。
【図１】本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図を示す。
側面断面図を示す。
１ 基板 ２ 透明薄膜 ３ 磁性体薄膜 ４ 接着層 ５ 支持基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 透明基板上に、該透明基板の屈折率より
充分屈折率の値が大きい物質からなる透明薄膜と、膜面
に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄膜と、断熱層と、
金属反射膜とをこの順に配置し、前記透明基板より前記
磁性体薄膜に光を入射する構成としたことを特徴とする
磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304568A JP2672914B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304568A JP2672914B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14889089A Division JPH038155A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056585A true JPH056585A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2672914B2 JP2672914B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=17934563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3304568A Expired - Lifetime JP2672914B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672914B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038155A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP3304568A patent/JP2672914B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH038155A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2672914B2 (ja) | 1997-11-05 |
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