JPH0565926B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0565926B2 JPH0565926B2 JP59115925A JP11592584A JPH0565926B2 JP H0565926 B2 JPH0565926 B2 JP H0565926B2 JP 59115925 A JP59115925 A JP 59115925A JP 11592584 A JP11592584 A JP 11592584A JP H0565926 B2 JPH0565926 B2 JP H0565926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- present
- magnetic
- recording medium
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体
に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、磁気記録の高密度化は狭トラツク化と、
同時に記録波長の短縮化により進められてきてい
るが、記録波長が短かくなり、1μm以下になり、
スペーシング損失が大きく影響するようになるた
め、表面粗さに制約が生じ、最大でも500Å以下
にする必要が生じると共に、短波長での損失を減
らすために磁気記録媒体は、磁気記録層を薄膜化
することと、強磁性金属で構成することが不可欠
となつてきたため、かかる媒体の開発が各方面で
進められるようになつた。 その中にあつて、現在最も磁気テープとしての
性能にまとまりのあるものは、斜め蒸着法により
得られたCo系の部分酸化膜を磁気記録層とする
ものであるが、高密度化を進める前提となる合金
系ヘツドとの相性が必ずしも十分とはいえない。 即ち、耐湿テスト後の磁気テープをセンダスト
合金ヘツドや、アモルフアス合金ヘツドで記録再
生すると、フエライトヘツドで記録再生するよう
に安定に再生出力が得られないことがあり、改良
が望まれていた。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、
高密度領域で安定した再生出力を得ることができ
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、部分酸化膜を磁気記
録層とし、且つ表面にCrが偏在していることを
特徴とし、高密度領域での再生出力が安定してい
るものである。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明を説明する。 第１図は、本発明の磁気記録媒体の部分拡大断
面図、第２図は本発明の磁気記録媒体を得るため
に用いた蒸着装置の要部構成図でる。 第１図で１は高分子基板、２はミミズ状隆起
層、３は磁気記録層を構成する強磁性薄膜で、部
分酸化された微結晶４と、Crが偏析した微結晶
５とから成つている。 第２図で、６は円筒状キヤン、７は基板、８は
送り出し軸、９は巻取り軸、１０は蒸発源容器、
１１は蒸着材料で、１２はCr供給用イオン源、
１３はマスクで、１４は模式的に示した入射角
90°からθmmまでの蒸気流である。 本発明で用いることの出来る高分子基板は、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロー
ストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリア
ミドイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルフオ
ン、ポリパラバニツク酸、ポリイミド等で、あら
かじめミミズ状の塗布層を一方又は両面に配した
ものも含まれる。 本発明に用いることの出来る磁気記録層は、
Co，Co−Ni，Co−Fe，Co−Ｂ，Co−Cu，Co
−Cd，Co−Cr，Co−Ｆ，Co−Ge，Co−Hf，
Co−La，Co−Mn，Co−Mo，Co−Mg，Co−
Ｐ，Co−Ru，Co−Rh，Co−Sn，Co−Si，Co−
Sm，Co−Ta，Co−Ti，Co−Ｖ，Co−Ｗ，Co
−Zn，Co−Ni−Fe，Co−Ni−Ｐ，Co−Ni−
Mg等の部分酸化膜であつて、第１図に模式的に
示したように、一部は、Crが高濃度で含まれて
いることを要件とするものである。Crの高濃度
部分は記録波長、記録トラツク幅のスケールでみ
れば均一であつて、さらに微視的にみると不均一
であることが必要である。 即ち、後述するように、Crの高濃度部は、環
境変化に強く、一定の研摩性を保持できるものと
予測される効果を常に得るためには、恐らく、上
面からみて、比率的に１／100から１／10000を占
めていればよいものと思われる。 このことから逆に、全てが、Crの高濃度部、
例えば、イオン注入等で表面にCrを全面に打ち
込んで得た媒体は、磁気ヘツドを摩耗させる速度
が大きすぎて、かえつて実用性を阻害することが
起る。 かかる媒体を得るひとつの方法は、第２図の装
置を用いるものである。 第２図に示したように蒸着材料１１の中に、イ
オン源１２よりクロムイオンを注入しフラツシユ
蒸発させ、且つ、基板温度をあげて、クロムの表
面易動度を大きくしてやることで実験的に良好な
媒体を得ることのできる条件を見出し、くり返せ
ば良い。 本発明の効果は、磁気テープ表面の硬さが微視
的に異なることの作用と、クロムの特に酸化状態
にあるクロムの研摩作用の大きさがあいまつて生
れているものと推察されるが、その効果は特に、
磁気テープが恐らく、磁束量の変化では認められ
ない程度の腐食を受けても、再生出力低下現象を
引き起さない点で顕著である。 以下、さらに具体的に一実施例を説明する。 （実施例） 第２図で、円筒状キヤン（直径50cm）の直下に
26cm離して電子ビーム蒸発源を配して、かつ、蒸
発面に立てた法線から46°傾斜した軸に光軸を有
する走査型のデコオプラズマトロン型のクロムイ
オン源を配し、マスクは、θminが44度になる位
置にセツトした。 厚み15μmのポリイミドフイルムを20m／min
で移動させながら、Co−Ni（Ni20wt％）を１×
10-6Torrの酸素中で0.1μm電子ビーム蒸着した。 それと同時に、10mAのCr+ビームを蒸発面の
中心に照射し、Crをフラツシユ蒸発させた。Cr+
ビームは、パルス走査し、ランダムに磁気テープ
面で面分布するように調節した。 基板温度は160℃から240℃の範囲で調節した。 得られた８mm幅の磁気テープを0.6μmの波長を
記録し、各環境に保存してから再生した時の再生
出力の最も低かつた値を夫々のテープ、ヘツド系
での初期値をＯ〔dB〕として相対比較した。Cr高
濃度部はＸ線分析により面積比率で、全表面を１
として比率で示した。 テープの条件と結果を表にまとめて示したが、
用いた比較テープは、Cr+イオンを照射しなかつ
たもので、測定したテープの長さは１巻80ｍで、
夫々の条件で５巻ずつテストして一番結果の悪か
つたもので代表させた。
に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、磁気記録の高密度化は狭トラツク化と、
同時に記録波長の短縮化により進められてきてい
るが、記録波長が短かくなり、1μm以下になり、
スペーシング損失が大きく影響するようになるた
め、表面粗さに制約が生じ、最大でも500Å以下
にする必要が生じると共に、短波長での損失を減
らすために磁気記録媒体は、磁気記録層を薄膜化
することと、強磁性金属で構成することが不可欠
となつてきたため、かかる媒体の開発が各方面で
進められるようになつた。 その中にあつて、現在最も磁気テープとしての
性能にまとまりのあるものは、斜め蒸着法により
得られたCo系の部分酸化膜を磁気記録層とする
ものであるが、高密度化を進める前提となる合金
系ヘツドとの相性が必ずしも十分とはいえない。 即ち、耐湿テスト後の磁気テープをセンダスト
合金ヘツドや、アモルフアス合金ヘツドで記録再
生すると、フエライトヘツドで記録再生するよう
に安定に再生出力が得られないことがあり、改良
が望まれていた。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、
高密度領域で安定した再生出力を得ることができ
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、部分酸化膜を磁気記
録層とし、且つ表面にCrが偏在していることを
特徴とし、高密度領域での再生出力が安定してい
るものである。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明を説明する。 第１図は、本発明の磁気記録媒体の部分拡大断
面図、第２図は本発明の磁気記録媒体を得るため
に用いた蒸着装置の要部構成図でる。 第１図で１は高分子基板、２はミミズ状隆起
層、３は磁気記録層を構成する強磁性薄膜で、部
分酸化された微結晶４と、Crが偏析した微結晶
５とから成つている。 第２図で、６は円筒状キヤン、７は基板、８は
送り出し軸、９は巻取り軸、１０は蒸発源容器、
１１は蒸着材料で、１２はCr供給用イオン源、
１３はマスクで、１４は模式的に示した入射角
90°からθmmまでの蒸気流である。 本発明で用いることの出来る高分子基板は、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロー
ストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリア
ミドイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルフオ
ン、ポリパラバニツク酸、ポリイミド等で、あら
かじめミミズ状の塗布層を一方又は両面に配した
ものも含まれる。 本発明に用いることの出来る磁気記録層は、
Co，Co−Ni，Co−Fe，Co−Ｂ，Co−Cu，Co
−Cd，Co−Cr，Co−Ｆ，Co−Ge，Co−Hf，
Co−La，Co−Mn，Co−Mo，Co−Mg，Co−
Ｐ，Co−Ru，Co−Rh，Co−Sn，Co−Si，Co−
Sm，Co−Ta，Co−Ti，Co−Ｖ，Co−Ｗ，Co
−Zn，Co−Ni−Fe，Co−Ni−Ｐ，Co−Ni−
Mg等の部分酸化膜であつて、第１図に模式的に
示したように、一部は、Crが高濃度で含まれて
いることを要件とするものである。Crの高濃度
部分は記録波長、記録トラツク幅のスケールでみ
れば均一であつて、さらに微視的にみると不均一
であることが必要である。 即ち、後述するように、Crの高濃度部は、環
境変化に強く、一定の研摩性を保持できるものと
予測される効果を常に得るためには、恐らく、上
面からみて、比率的に１／100から１／10000を占
めていればよいものと思われる。 このことから逆に、全てが、Crの高濃度部、
例えば、イオン注入等で表面にCrを全面に打ち
込んで得た媒体は、磁気ヘツドを摩耗させる速度
が大きすぎて、かえつて実用性を阻害することが
起る。 かかる媒体を得るひとつの方法は、第２図の装
置を用いるものである。 第２図に示したように蒸着材料１１の中に、イ
オン源１２よりクロムイオンを注入しフラツシユ
蒸発させ、且つ、基板温度をあげて、クロムの表
面易動度を大きくしてやることで実験的に良好な
媒体を得ることのできる条件を見出し、くり返せ
ば良い。 本発明の効果は、磁気テープ表面の硬さが微視
的に異なることの作用と、クロムの特に酸化状態
にあるクロムの研摩作用の大きさがあいまつて生
れているものと推察されるが、その効果は特に、
磁気テープが恐らく、磁束量の変化では認められ
ない程度の腐食を受けても、再生出力低下現象を
引き起さない点で顕著である。 以下、さらに具体的に一実施例を説明する。 （実施例） 第２図で、円筒状キヤン（直径50cm）の直下に
26cm離して電子ビーム蒸発源を配して、かつ、蒸
発面に立てた法線から46°傾斜した軸に光軸を有
する走査型のデコオプラズマトロン型のクロムイ
オン源を配し、マスクは、θminが44度になる位
置にセツトした。 厚み15μmのポリイミドフイルムを20m／min
で移動させながら、Co−Ni（Ni20wt％）を１×
10-6Torrの酸素中で0.1μm電子ビーム蒸着した。 それと同時に、10mAのCr+ビームを蒸発面の
中心に照射し、Crをフラツシユ蒸発させた。Cr+
ビームは、パルス走査し、ランダムに磁気テープ
面で面分布するように調節した。 基板温度は160℃から240℃の範囲で調節した。 得られた８mm幅の磁気テープを0.6μmの波長を
記録し、各環境に保存してから再生した時の再生
出力の最も低かつた値を夫々のテープ、ヘツド系
での初期値をＯ〔dB〕として相対比較した。Cr高
濃度部はＸ線分析により面積比率で、全表面を１
として比率で示した。 テープの条件と結果を表にまとめて示したが、
用いた比較テープは、Cr+イオンを照射しなかつ
たもので、測定したテープの長さは１巻80ｍで、
夫々の条件で５巻ずつテストして一番結果の悪か
つたもので代表させた。
【表】
表より明らかなように、本発明品は、従来品に
比べて極めて、短波長再生出力は安定している。
他の材料の組み合わせでも、本発明の実施例に示
したものと同等の安定性を確認した。 勿論、磁化容易軸の方向とも関係なかつたし、
他の薄膜ヘツドや、リング型ヘツド以外のシング
ルポール型などでも同様にその結果は確認され
た。 発明の効果 本発明の磁気記録媒体は、Crの高濃度部分を
偏在させた強磁性金属の部分酸化膜を磁気記録層
とすることで、磁気ヘツドによらず、短波長出力
を安定に再生できるもので、その実用的効果は大
きい。
比べて極めて、短波長再生出力は安定している。
他の材料の組み合わせでも、本発明の実施例に示
したものと同等の安定性を確認した。 勿論、磁化容易軸の方向とも関係なかつたし、
他の薄膜ヘツドや、リング型ヘツド以外のシング
ルポール型などでも同様にその結果は確認され
た。 発明の効果 本発明の磁気記録媒体は、Crの高濃度部分を
偏在させた強磁性金属の部分酸化膜を磁気記録層
とすることで、磁気ヘツドによらず、短波長出力
を安定に再生できるもので、その実用的効果は大
きい。
第１図は、本発明の磁気記録媒体の部分拡大断
面図、第２図は本発明の磁気記録媒体を得るのに
用いた蒸着装置の要部構成図である。 １……高分子基板、４……部分酸化された微結
晶、５……Cr高濃度微結晶。
面図、第２図は本発明の磁気記録媒体を得るのに
用いた蒸着装置の要部構成図である。 １……高分子基板、４……部分酸化された微結
晶、５……Cr高濃度微結晶。
Claims (1)
- １ Co系の部分酸化膜を磁気記録層とし、且つ
表面の元素分布が不均一で、Crの高濃度部の面
積比率が１／100〜１／10000であることを特徴と
する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59115925A JPS60261016A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59115925A JPS60261016A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261016A JPS60261016A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0565926B2 true JPH0565926B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=14674586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59115925A Granted JPS60261016A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261016A (ja) |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP59115925A patent/JPS60261016A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261016A (ja) | 1985-12-24 |
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