JPH0567061B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0567061B2 JPH0567061B2 JP5497986A JP5497986A JPH0567061B2 JP H0567061 B2 JPH0567061 B2 JP H0567061B2 JP 5497986 A JP5497986 A JP 5497986A JP 5497986 A JP5497986 A JP 5497986A JP H0567061 B2 JPH0567061 B2 JP H0567061B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- excitation light
- light
- foreign matter
- foreign
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置製造工程中に使用される
転写マスク及びレチクル（以下これらを一括して
マスクと略称する）について、洗浄後に残存する
異物の検査を行う半導体異物検査装置に関するも
のである。
転写マスク及びレチクル（以下これらを一括して
マスクと略称する）について、洗浄後に残存する
異物の検査を行う半導体異物検査装置に関するも
のである。
［従来の技術］
従来の異物検査に使用される半導体異物検査装
置として、第２図Ａ，Ｂの斜視説明図に模式的に
示すようなものがある。ここで、第２図Ａは比較
検査方法に適した異物検査装置を示す、被検査マ
スク１とそれぞれ２個の比較検査用光検知器２及
び光照射器３とで構成されている。また、第２図
Ｂは光反射検査方法用の異物検査装置を示すもの
で、被検査マスク４とレーザー発振器５及びレー
ザー光検知器６とで構成されている。
置として、第２図Ａ，Ｂの斜視説明図に模式的に
示すようなものがある。ここで、第２図Ａは比較
検査方法に適した異物検査装置を示す、被検査マ
スク１とそれぞれ２個の比較検査用光検知器２及
び光照射器３とで構成されている。また、第２図
Ｂは光反射検査方法用の異物検査装置を示すもの
で、被検査マスク４とレーザー発振器５及びレー
ザー光検知器６とで構成されている。
つぎに、上述の２つの従来の異物検査方法を説
明する。まず、第２図Ａに示す比較検査方法は、
マスク１上に繰り返し存在する各パターン７のう
ち、各パターン間隔の整数倍だけ離れたそれぞれ
のパターン７に対して、光照射器３からの各光を
その上面より入射し、それぞれのパターン７によ
る透過光を明暗を下部に設けた光検知器２で受
け、次いで両者の明暗像を重ね合わせて比較し、
これによつて異物の存在を識別するようになつて
いる。
明する。まず、第２図Ａに示す比較検査方法は、
マスク１上に繰り返し存在する各パターン７のう
ち、各パターン間隔の整数倍だけ離れたそれぞれ
のパターン７に対して、光照射器３からの各光を
その上面より入射し、それぞれのパターン７によ
る透過光を明暗を下部に設けた光検知器２で受
け、次いで両者の明暗像を重ね合わせて比較し、
これによつて異物の存在を識別するようになつて
いる。
また、第２図Ｂの光反射検査方法は、マスク４
の表面に、レーザー発振器５からのレーザー光を
全反射が達成されるような最適角度で照射するよ
うになつている。そこで、もし表面に異物があれ
ばこの位置を照射したレーザー光はこの異物によ
つて散乱するから、この散乱レーザー光がレーザ
ー光検知器６に入射するようにしておけば、この
入射によつて異物の存在が検知できる。この場
合、表面に異物が存在しなければ、レーザー光は
図示矢印のようにそのまま反射して、レーザー光
検知器６に入射しないようになつている。
の表面に、レーザー発振器５からのレーザー光を
全反射が達成されるような最適角度で照射するよ
うになつている。そこで、もし表面に異物があれ
ばこの位置を照射したレーザー光はこの異物によ
つて散乱するから、この散乱レーザー光がレーザ
ー光検知器６に入射するようにしておけば、この
入射によつて異物の存在が検知できる。この場
合、表面に異物が存在しなければ、レーザー光は
図示矢印のようにそのまま反射して、レーザー光
検知器６に入射しないようになつている。
なお、上述の半導体異物検査装置による検査方
法は、いずれも、レチクルの場合にもそのまま適
用可能である。
法は、いずれも、レチクルの場合にもそのまま適
用可能である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述のような従来の異物検査装
置及びその検査方法において、第２図Ａの比較検
査方法の場合、異物が半透明であれば光が透過し
てしまうので、異物として識別することはできな
い。また、第２図Ｂの光反射検査方法の場合、異
物が半透明で平坦なときは、レーザー光の散乱が
少ないので、これまた異物として識別することは
困難である。
置及びその検査方法において、第２図Ａの比較検
査方法の場合、異物が半透明であれば光が透過し
てしまうので、異物として識別することはできな
い。また、第２図Ｂの光反射検査方法の場合、異
物が半透明で平坦なときは、レーザー光の散乱が
少ないので、これまた異物として識別することは
困難である。
つまり、従来の異物検査方法では、主として異
物が半透明であることに起因する不都合が問題と
なついた。
物が半透明であることに起因する不都合が問題と
なついた。
この発明は上述のような問題点を解決するため
になれたもので、半透明な異物に対しても高い異
物検出能力を発揮する半導体製造装置を提供する
ことを目的とするものである。
になれたもので、半透明な異物に対しても高い異
物検出能力を発揮する半導体製造装置を提供する
ことを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体製造装置は、例えば洗
浄・乾燥後の転写マスク及びレチクルの表面に励
起光を照射する励起光発振器と、転写マスク及び
レチクルの表面に存在する異物で散乱された励起
光を検知する励起光検知器と、励起光によつて発
光する異物からの螢光光を検出する螢光光検知器
とを備えたものである（ここで、螢光光とは螢光
の光線を強調した用語である）。
浄・乾燥後の転写マスク及びレチクルの表面に励
起光を照射する励起光発振器と、転写マスク及び
レチクルの表面に存在する異物で散乱された励起
光を検知する励起光検知器と、励起光によつて発
光する異物からの螢光光を検出する螢光光検知器
とを備えたものである（ここで、螢光光とは螢光
の光線を強調した用語である）。
［作用］
この発明においては、励起光の正規の反射光が
入射しない位置に励起光検出器と螢光光検出器と
を配置しておき、励起光による異物のそれぞれ散
乱励起光及び螢光光の両方を別個に検出できるよ
うにしたものであるから、異物が励起光によつて
螢光を発するもの（例えば半透明を有機物）の場
合は、螢光光検出器によつて異物の存在が量的に
も検知可能となる。また、励起光によつて螢光を
発しないような異物（例えば通常の無機物）の場
合には、その散乱光の励起光検出器によつて検出
することにより異物の存在が検知される。
入射しない位置に励起光検出器と螢光光検出器と
を配置しておき、励起光による異物のそれぞれ散
乱励起光及び螢光光の両方を別個に検出できるよ
うにしたものであるから、異物が励起光によつて
螢光を発するもの（例えば半透明を有機物）の場
合は、螢光光検出器によつて異物の存在が量的に
も検知可能となる。また、励起光によつて螢光を
発しないような異物（例えば通常の無機物）の場
合には、その散乱光の励起光検出器によつて検出
することにより異物の存在が検知される。
［実施例］
以下、この発明による半導体異物検査装置の一
実施例を第１図について説明する。
実施例を第１図について説明する。
第１図Ａは、この発明による異物検査装置の概
念的説明図である。図において、被検査マスク８
の表面で励起光９１が全反射するように出射させ
る励起光発振器９と、被検査マスク８の表面にお
ける励起光９１の照射点の上部に配設された励起
光検出器１０及び螢光光検出器１１とで構成され
ている。ここで、被検査マスク８は矢印(m)方向に
移動するようになつていて、励起光９１の横方向
走査によつて被検査マスク８の全面の異物の存否
ないし分布を検査するようになつているものであ
る。なお、この光走査機構については、周知であ
るので、図示説明を省略する。
念的説明図である。図において、被検査マスク８
の表面で励起光９１が全反射するように出射させ
る励起光発振器９と、被検査マスク８の表面にお
ける励起光９１の照射点の上部に配設された励起
光検出器１０及び螢光光検出器１１とで構成され
ている。ここで、被検査マスク８は矢印(m)方向に
移動するようになつていて、励起光９１の横方向
走査によつて被検査マスク８の全面の異物の存否
ないし分布を検査するようになつているものであ
る。なお、この光走査機構については、周知であ
るので、図示説明を省略する。
つぎに、上述のような異物検査手段による検査
方法を各部品の動作・機能とともに説明する。
方法を各部品の動作・機能とともに説明する。
まず、第１図Ａにおいて、被検査マスク８に異
物が無い場合、励起光発振器９からの励起光９１
はマスク面で正反射（全反射）し、励起光検出器
１０、螢光光検出器１１のいずれにも入射しない
から、これらの検出器に出力は零のままである。
物が無い場合、励起光発振器９からの励起光９１
はマスク面で正反射（全反射）し、励起光検出器
１０、螢光光検出器１１のいずれにも入射しない
から、これらの検出器に出力は零のままである。
そして、第１図Ｂに示すように、異物８１が存
在する場合は、この異物８１が螢光を発しない例
えば無機物であれば、そのとき異物８１を照射し
た励起光９１は乱反射し、これが散乱励起光９１
（矢印）となつて励起光検出器１０によつて検出
され、異物８１の性状（例えば螢光を発する有機
物ではない等）とその有無が識別して検知でき
る。この場合、螢光検出器１１にも散乱励起光９
２が入射するが、検出波長帯域が異なるので、出
力しないようにすることは容易である。
在する場合は、この異物８１が螢光を発しない例
えば無機物であれば、そのとき異物８１を照射し
た励起光９１は乱反射し、これが散乱励起光９１
（矢印）となつて励起光検出器１０によつて検出
され、異物８１の性状（例えば螢光を発する有機
物ではない等）とその有無が識別して検知でき
る。この場合、螢光検出器１１にも散乱励起光９
２が入射するが、検出波長帯域が異なるので、出
力しないようにすることは容易である。
また、第３図Ｃで示すように、異物が半透明の
有機物（このようなものに例えばホトレジストが
ある）の場合、励起光９１は異物８２を通過して
も矢印のように、全反射して励起光検出器１０に
も螢光光検出器１１にも入射しないが、励起され
た異物８２は螢光を発するから螢光光９２が点線
矢印のように螢光光検出器１１に入射し、これに
より検知されて、異物８２の有・無が識別され
る。この場合も、螢光光９２は励起光検出器１０
にも入射するが、検出波長領域が異なるのでフイ
ルタ等の使用により、螢光光９２による出力はし
ないようになつている。
有機物（このようなものに例えばホトレジストが
ある）の場合、励起光９１は異物８２を通過して
も矢印のように、全反射して励起光検出器１０に
も螢光光検出器１１にも入射しないが、励起され
た異物８２は螢光を発するから螢光光９２が点線
矢印のように螢光光検出器１１に入射し、これに
より検知されて、異物８２の有・無が識別され
る。この場合も、螢光光９２は励起光検出器１０
にも入射するが、検出波長領域が異なるのでフイ
ルタ等の使用により、螢光光９２による出力はし
ないようになつている。
以上の実施例によつて明らかなように、被検査
マスクの上方に設けた散乱励光および螢光光用の
２つの光検知用を用いて励起光による異物検査を
行うと、これらの光検知器のどちらかの検知器が
出力するかによつて、異物の半定性的な同定とそ
れによる異物検査が効果的に達成できる。
マスクの上方に設けた散乱励光および螢光光用の
２つの光検知用を用いて励起光による異物検査を
行うと、これらの光検知器のどちらかの検知器が
出力するかによつて、異物の半定性的な同定とそ
れによる異物検査が効果的に達成できる。
なお、上述の実施例においては、マスク検査の
場合について説明したが、半導体ウエーハにおけ
る異物検査においても同様の検査方法の適用が可
能である。
場合について説明したが、半導体ウエーハにおけ
る異物検査においても同様の検査方法の適用が可
能である。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、励起光の正反
射光が入射しない位置に励起光検出器と螢光光検
出器とを配置しておき、励起光による異物のそれ
ぞれ散乱光及び螢光の両方を検出できるようにし
て励起光を照射するから、異物が励起光によつて
螢光を発するものの場合は、螢光光検出器によつ
て異物の存在が量的にも検知可能となる。また、
励起光によつて螢光を発しないような異物の場合
には、その散乱光を励起光検出器によつて検出す
ることにより異物の存在が検知されるというよう
に、特に半透明有機物の異物検出に止まらず一般
的な異物の検知が容易となり、これにより異物の
検出能が大巾に向上するという効果が得られた。
このため、半導体製造装置における異物によるマ
スク転写事故等が大きく低減されるので、製品の
高歩留り化につながり、実施による効果は大であ
る。
射光が入射しない位置に励起光検出器と螢光光検
出器とを配置しておき、励起光による異物のそれ
ぞれ散乱光及び螢光の両方を検出できるようにし
て励起光を照射するから、異物が励起光によつて
螢光を発するものの場合は、螢光光検出器によつ
て異物の存在が量的にも検知可能となる。また、
励起光によつて螢光を発しないような異物の場合
には、その散乱光を励起光検出器によつて検出す
ることにより異物の存在が検知されるというよう
に、特に半透明有機物の異物検出に止まらず一般
的な異物の検知が容易となり、これにより異物の
検出能が大巾に向上するという効果が得られた。
このため、半導体製造装置における異物によるマ
スク転写事故等が大きく低減されるので、製品の
高歩留り化につながり、実施による効果は大であ
る。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは、この発明による半導体異
物検査装置の一実施例を示す概念説明図、第２図
Ａ，Ｂは従来の半導体異物検査装置の概念説明図
である。 図中、１，４，８は被検査マスク、２は比較検
査用光検知器、３は光照射器、５はレーザー発振
器、７はパターン、９は励起光発振器、１０は励
起光検知器１１は螢光光検知器、８１，８２は異
物、９１は励起光、９２は螢光光である。なお、
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
物検査装置の一実施例を示す概念説明図、第２図
Ａ，Ｂは従来の半導体異物検査装置の概念説明図
である。 図中、１，４，８は被検査マスク、２は比較検
査用光検知器、３は光照射器、５はレーザー発振
器、７はパターン、９は励起光発振器、１０は励
起光検知器１１は螢光光検知器、８１，８２は異
物、９１は励起光、９２は螢光光である。なお、
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 転写マスク及びレチクルの表面に励起光を照
射する励起光発振器と、 前記転写マスク及びレチクルの表面に存在する
異物で散乱された前記励起光を検知する励起光検
知器と、 前記励起光によつて発光する前記異物からの螢
光光を検出する螢光光検知器と を備えたことを特徴とする半導体異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61054979A JPS62213262A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61054979A JPS62213262A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体異物検査装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20314294A Division JPH07146248A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 半導体異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213262A JPS62213262A (ja) | 1987-09-19 |
| JPH0567061B2 true JPH0567061B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=12985765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61054979A Granted JPS62213262A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213262A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314953A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-20 | Fuji Electric Co Ltd | 光学的表面検査装置 |
| JP4683416B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2011-05-18 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61054979A patent/JPS62213262A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62213262A (ja) | 1987-09-19 |
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