JPH10274840A - マスクの欠陥検査装置 - Google Patents
マスクの欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH10274840A JPH10274840A JP9826397A JP9826397A JPH10274840A JP H10274840 A JPH10274840 A JP H10274840A JP 9826397 A JP9826397 A JP 9826397A JP 9826397 A JP9826397 A JP 9826397A JP H10274840 A JPH10274840 A JP H10274840A
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複雑な画像処理を行なわずに、簡単な構成で
欠陥を検出できるようにする。 【解決手段】 ＸＹステージ６に載置されたレティクル
２の２つのパターン４ａ，４ｂの同一場所に互いに平行
な光ビーム１２，１２が照射され、照射位置が二次元的
に走査され、それぞれの透過光が光電変換素子１６ａ，
１６ｂで同時に検出され、その２つの信号の差分が求め
られる。一方、反射光によって異物を検出するために、
レーザビーム２２が１つのパターン４ｂ上に照射され、
レチクル２が二次元的に走査されて反射光２６が光ファ
イバーバンドル２８に入射し、光電子増倍管３０に導か
れて検出される。別々に測定された２つのパターンの反
射光データの同一場所の信号の差分が算出される。
欠陥を検出できるようにする。 【解決手段】 ＸＹステージ６に載置されたレティクル
２の２つのパターン４ａ，４ｂの同一場所に互いに平行
な光ビーム１２，１２が照射され、照射位置が二次元的
に走査され、それぞれの透過光が光電変換素子１６ａ，
１６ｂで同時に検出され、その２つの信号の差分が求め
られる。一方、反射光によって異物を検出するために、
レーザビーム２２が１つのパターン４ｂ上に照射され、
レチクル２が二次元的に走査されて反射光２６が光ファ
イバーバンドル２８に入射し、光電子増倍管３０に導か
れて検出される。別々に測定された２つのパターンの反
射光データの同一場所の信号の差分が算出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造プロ
セスで使用されるフォトマスクやレティクル等のマスク
上の異物やパターン欠落などの欠陥を検査する装置に関
するものである。特に、一透明基板に複数個の同一パタ
ーンが形成されたマスクの欠陥を検査する装置に関する
ものである。
セスで使用されるフォトマスクやレティクル等のマスク
上の異物やパターン欠落などの欠陥を検査する装置に関
するものである。特に、一透明基板に複数個の同一パタ
ーンが形成されたマスクの欠陥を検査する装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクやレティクル等のマスク
は、透明ガラス基板上にクロム膜によりパターンを形成
したものである。マスクパターンに欠落部分があれば、
ウエハに塗布されたレジストに露光により転写されたと
きにパターンの欠陥として表われることは明らかである
が、パターン上に付着した異物があると、使用中にその
異物が移動してパターンのない領域に移動すれば、本来
パターンのない部分にパターンが転写されることになる
ので、異物もパターン欠陥として扱われる。
は、透明ガラス基板上にクロム膜によりパターンを形成
したものである。マスクパターンに欠落部分があれば、
ウエハに塗布されたレジストに露光により転写されたと
きにパターンの欠陥として表われることは明らかである
が、パターン上に付着した異物があると、使用中にその
異物が移動してパターンのない領域に移動すれば、本来
パターンのない部分にパターンが転写されることになる
ので、異物もパターン欠陥として扱われる。
【０００３】パターン欠陥の有無を光学的に検査するこ
とが行なわれているが、その検査の際、透過光のみを用
いた欠陥検査では、パターン上の異物は検出することが
できない。そのため、透過光と反射光の両方を用いて検
査することが行なわれている。
とが行なわれているが、その検査の際、透過光のみを用
いた欠陥検査では、パターン上の異物は検出することが
できない。そのため、透過光と反射光の両方を用いて検
査することが行なわれている。
【０００４】光学的な欠陥検査装置の一つとして、透過
画像信号と反射画像信号の二次元ヒストグラムを利用し
て異物判定を行う方法が提案されている（特開平８−１
３７０９３号公報参照）。そこでは、予め欠陥のないマ
スクについて光学的に測定をして、その画像信号のデー
タを記憶しておき、被検査マスクのデータをその予め登
録した無欠陥マスクのデータと比較することにより異物
の有無を判定している。
画像信号と反射画像信号の二次元ヒストグラムを利用し
て異物判定を行う方法が提案されている（特開平８−１
３７０９３号公報参照）。そこでは、予め欠陥のないマ
スクについて光学的に測定をして、その画像信号のデー
タを記憶しておき、被検査マスクのデータをその予め登
録した無欠陥マスクのデータと比較することにより異物
の有無を判定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】提案された引例の方法
では、二次元ヒストグラムを作成し、それを二値化する
という画像処理を行なっているので、構成が複雑にな
る。本発明は複雑な画像処理を行なわずに、簡単な構成
で欠陥を検出できるようにすることを目的とするもので
ある。
では、二次元ヒストグラムを作成し、それを二値化する
という画像処理を行なっているので、構成が複雑にな
る。本発明は複雑な画像処理を行なわずに、簡単な構成
で欠陥を検出できるようにすることを目的とするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の欠陥検査装置
は、半導体装置製造プロセスの露光に供されるマスクの
うちで、縮小投影露光装置のレチクルのように、一透明
基板に同一パタ−ンが複数個形成されたマスクの欠陥を
検査するものである。そして、本発明の欠陥検査装置
は、マスクに光照射し、その透過光を受光して、位置情
報と透過光強度信号とを透過光デ−タとして得る透過光
測定手段と、そのマスクに光照射し、その反射光を受光
して位置情報と反射光強度信号とを反射光デ−タとして
得る反射光測定手段と、透過光測定手段により得られた
透過光デ−タと反射光測定手段により得られた反射光デ
−タのそれぞれについて、同一基板の異なる位置に配置
された同一パタ−ン間で差分を求め、その差分値がしき
い値を超えた部分を欠陥と判定するデ−タ処理装置とを
備えている。
は、半導体装置製造プロセスの露光に供されるマスクの
うちで、縮小投影露光装置のレチクルのように、一透明
基板に同一パタ−ンが複数個形成されたマスクの欠陥を
検査するものである。そして、本発明の欠陥検査装置
は、マスクに光照射し、その透過光を受光して、位置情
報と透過光強度信号とを透過光デ−タとして得る透過光
測定手段と、そのマスクに光照射し、その反射光を受光
して位置情報と反射光強度信号とを反射光デ−タとして
得る反射光測定手段と、透過光測定手段により得られた
透過光デ−タと反射光測定手段により得られた反射光デ
−タのそれぞれについて、同一基板の異なる位置に配置
された同一パタ−ン間で差分を求め、その差分値がしき
い値を超えた部分を欠陥と判定するデ−タ処理装置とを
備えている。
【０００７】
【実施例】図１は一実施例を表わす。（Ａ）は概略正面
図、（Ｂ）はその概略側面図である。被検査マスクであ
るレティクル２は、透明ガラス基板上にクロム膜で形成
された複数の同一パターン４ａ，４ｂを備えている。こ
の検査装置では、レティクル２はＸＹステージ６上に載
置される。
図、（Ｂ）はその概略側面図である。被検査マスクであ
るレティクル２は、透明ガラス基板上にクロム膜で形成
された複数の同一パターン４ａ，４ｂを備えている。こ
の検査装置では、レティクル２はＸＹステージ６上に載
置される。
【０００８】ＸＹステージ６に載置されたレティクル２
の２つのパターン４ａ，４ｂの同一場所に透過光を照射
するために、互いに平行な光ビーム１２，１２を発生す
る光源装置１０と、光源装置１０からの光ビーム１２，
１２をそれぞれ２つのパターン４ａ，４ｂの同一位置に
照射するための透過レンズ１４ａ，１４ｂが設けられて
いる。レティクル２を透過した光ビームをそれぞれ検出
するために、光電変換素子１６ａ，１６ｂが光源装置１
０と反対側に設置されている。
の２つのパターン４ａ，４ｂの同一場所に透過光を照射
するために、互いに平行な光ビーム１２，１２を発生す
る光源装置１０と、光源装置１０からの光ビーム１２，
１２をそれぞれ２つのパターン４ａ，４ｂの同一位置に
照射するための透過レンズ１４ａ，１４ｂが設けられて
いる。レティクル２を透過した光ビームをそれぞれ検出
するために、光電変換素子１６ａ，１６ｂが光源装置１
０と反対側に設置されている。
【０００９】光電変換素子１６ａと１６ｂには２つのパ
ターン４ａ，４ｂの同じ部分を透過してきた光ビームが
同時に入射して検出される。光電変換素子１６ａと１６
ｂの検出信号はデータ処理装置３２に導かれ、その２つ
の信号の差分が算出される。その差分が予め設定された
しきい値を越えた場合には２つのパターンのいずれかが
欠けていたり、クロム膜パターンのないはずのガラス基
板上に異物が存在することになる。
ターン４ａ，４ｂの同じ部分を透過してきた光ビームが
同時に入射して検出される。光電変換素子１６ａと１６
ｂの検出信号はデータ処理装置３２に導かれ、その２つ
の信号の差分が算出される。その差分が予め設定された
しきい値を越えた場合には２つのパターンのいずれかが
欠けていたり、クロム膜パターンのないはずのガラス基
板上に異物が存在することになる。
【００１０】一方、反射光によって異物を検出するため
に、光源としてレーザ装置２０が設けられ、レーザ装置
２０からのレーザビーム２２がミラー２４で反射されて
１つのパターン４ｂ上に照射される。２１はレーザ装置
２０の電源である。パターン４ｂからの正反射光及び散
乱光を含む反射光２６を検出するために、レチクル２に
よる正反射光を受光する位置に光ファイバーバンドル２
８が配置されている。レーザビーム２２はレティクル２
に対し斜め方向から入射するようにミラー２４が配置さ
れ、その反射光を受光する光ファイバーバンドル２８の
入射面はミラー２４と反対側に配置されている。光ファ
イバーバンドル２８の各光ファイバーの入射面は楕円面
上に配置され、レチクル２からの反射光を有効に受光で
きるようになっている。光ファイバーバンドル２８に入
射した反射光は光電子増倍管３０に導かれて検出され
る。
に、光源としてレーザ装置２０が設けられ、レーザ装置
２０からのレーザビーム２２がミラー２４で反射されて
１つのパターン４ｂ上に照射される。２１はレーザ装置
２０の電源である。パターン４ｂからの正反射光及び散
乱光を含む反射光２６を検出するために、レチクル２に
よる正反射光を受光する位置に光ファイバーバンドル２
８が配置されている。レーザビーム２２はレティクル２
に対し斜め方向から入射するようにミラー２４が配置さ
れ、その反射光を受光する光ファイバーバンドル２８の
入射面はミラー２４と反対側に配置されている。光ファ
イバーバンドル２８の各光ファイバーの入射面は楕円面
上に配置され、レチクル２からの反射光を有効に受光で
きるようになっている。光ファイバーバンドル２８に入
射した反射光は光電子増倍管３０に導かれて検出され
る。
【００１１】光電子増倍管３０の検出信号はデータ処理
装置３２に導かれ、記憶装置に記憶される。その記憶装
置に記憶されたデータは、他のチップ用のパターンの反
射光を測定したときのデータと比較されて、その２つの
データの同一場所の信号の差分が算出される。その差分
が予め設定されたしきい値を越えた場合には２つのパタ
ーンのいずれかが欠けていたり、クロム膜パターン上や
ガラス基板上異物が存在することになる。
装置３２に導かれ、記憶装置に記憶される。その記憶装
置に記憶されたデータは、他のチップ用のパターンの反
射光を測定したときのデータと比較されて、その２つの
データの同一場所の信号の差分が算出される。その差分
が予め設定されたしきい値を越えた場合には２つのパタ
ーンのいずれかが欠けていたり、クロム膜パターン上や
ガラス基板上異物が存在することになる。
【００１２】次にこの実施例の動作について説明する。
透過光を受光するときは、レチクル２はＸＹステージ６
によって二次元的に走査され、２つのチップのためのパ
ターン４ａ，４ｂの領域全体にわたって両パターン４
ａ，４ｂ間の透過光強度の差分がデータ処理装置３２で
求められる。
透過光を受光するときは、レチクル２はＸＹステージ６
によって二次元的に走査され、２つのチップのためのパ
ターン４ａ，４ｂの領域全体にわたって両パターン４
ａ，４ｂ間の透過光強度の差分がデータ処理装置３２で
求められる。
【００１３】ミラー２４が固定され、レーザビーム２２
がパターン４ｂの一点に入射している場合は、透過光強
度を検出する際のＸＹステージ６の走査により、透過光
の受光と同時に反射光についても１つのパターン４ｂの
領域が走査されて反射光信号も検出され、データ処理装
置３２の記憶装置に記憶される。
がパターン４ｂの一点に入射している場合は、透過光強
度を検出する際のＸＹステージ６の走査により、透過光
の受光と同時に反射光についても１つのパターン４ｂの
領域が走査されて反射光信号も検出され、データ処理装
置３２の記憶装置に記憶される。
【００１４】パターン４ｂの反射光測定が終了すると、
ＸＹステージ６により他のパターン４ａが反射光を測定
する位置に位置決めされ、ＸＹステージ６の走査により
パターン４ａの反射光測定が行なわれる。パターン４ａ
の反射光が測定される際、先に測定されて記憶されたパ
ターン４ｂの反射光データと比較され、同じ位置の信号
の差分がしきい値を越えたかどうかにより異物などの欠
陥の検出がなされる。
ＸＹステージ６により他のパターン４ａが反射光を測定
する位置に位置決めされ、ＸＹステージ６の走査により
パターン４ａの反射光測定が行なわれる。パターン４ａ
の反射光が測定される際、先に測定されて記憶されたパ
ターン４ｂの反射光データと比較され、同じ位置の信号
の差分がしきい値を越えたかどうかにより異物などの欠
陥の検出がなされる。
【００１５】図２（Ａ）はレティクル２上に２つのパタ
ーン４ａと４ｂが設けられている場合を図示したもので
あり、（Ｂ）はその正面断面図を表わしている。いま、
パターン４ｂのクロム膜パターン上に異物５が存在して
いる場合を模式的に示すと、その透過光による信号
（Ｃ）では両パターンの透過光信号の差分を求めても異
物５は検出されないが、反射光による信号（Ｄ）では異
物５によって反射光強度が減少するので、両パターンの
反射光信号の差分を求めることによって異物５を検出す
ることができる。
ーン４ａと４ｂが設けられている場合を図示したもので
あり、（Ｂ）はその正面断面図を表わしている。いま、
パターン４ｂのクロム膜パターン上に異物５が存在して
いる場合を模式的に示すと、その透過光による信号
（Ｃ）では両パターンの透過光信号の差分を求めても異
物５は検出されないが、反射光による信号（Ｄ）では異
物５によって反射光強度が減少するので、両パターンの
反射光信号の差分を求めることによって異物５を検出す
ることができる。
【００１６】図１の実施例では、透過光も反射光もとも
にＸＹステージ６による二次元の走査を行なうことによ
って測定しているが、反射光の測定の際には、ミラー２
４によってレーザビーム２２をＸ方向に走査し、ＸＹス
テージ６によりＹ方向にのみ移動させるようにすること
によって、二次元パターンの走査時間を短縮することが
できる。
にＸＹステージ６による二次元の走査を行なうことによ
って測定しているが、反射光の測定の際には、ミラー２
４によってレーザビーム２２をＸ方向に走査し、ＸＹス
テージ６によりＹ方向にのみ移動させるようにすること
によって、二次元パターンの走査時間を短縮することが
できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、透過光測定手段により得ら
れた透過光デ−タと反射光測定手段により得られた反射
光デ−タのそれぞれについて、同一基板の異なる位置に
配置された同一パタ−ン間で差分を求め、その差分値が
しきい値を超えた部分を欠陥と判定するようにしたの
で、複雑な画像処理を行なわずに、簡単な構成で欠陥を
検出できるようになる。
れた透過光デ−タと反射光測定手段により得られた反射
光デ−タのそれぞれについて、同一基板の異なる位置に
配置された同一パタ−ン間で差分を求め、その差分値が
しきい値を超えた部分を欠陥と判定するようにしたの
で、複雑な画像処理を行なわずに、簡単な構成で欠陥を
検出できるようになる。
【図１】一実施例を表わす図であり、（Ａ）は概略正面
図、（Ｂ）は概略側面図である。
図、（Ｂ）は概略側面図である。
【図２】同実施例の動作を説明する図であり、（Ａ）は
レティクル上のパターンを示す概略平面図、（Ｂ）はそ
の概略正面断面図、（Ｃ）は透過光による検出信号、
（Ｄ）は反射光による検出信号出ある。
レティクル上のパターンを示す概略平面図、（Ｂ）はそ
の概略正面断面図、（Ｃ）は透過光による検出信号、
（Ｄ）は反射光による検出信号出ある。
２ レティクル ４ａ，４ｂ レティクル上のパターン ５ パターン上の異物 ６ ＸＹステージ １０ 光源装置 １２ 透過測定用光ビーム １６ａ，１６ｂ 光電変換素子 ３２ データ処理装置 ２０ レーザ装置 ２２ 反射測定用レーザビーム ２４ ミラー
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置製造プロセスの露光に供され
るマスクで、同一パタ−ンが一透明基板に複数個形成さ
れたマスクの欠陥を検査する欠陥検査装置において、 前記マスクに光照射し、その透過光を受光して、位置情
報と透過光強度信号とを透過光デ−タとして得る透過光
測定手段と、 前記マスクに光照射し、その反射光を受光して位置情報
と反射光強度信号とを反射光デ−タとして得る反射光測
定手段と、 前記透過光測定手段により得られた透過光デ−タと前記
反射光測定手段により得られた反射光デ−タのそれぞれ
について、同一基板の異なる位置に配置された同一パタ
−ン間で差分を求め、その差分値がしきい値を超えた部
分を欠陥と判定するデ−タ処理装置と、を備えたことを
特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9826397A JPH10274840A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | マスクの欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9826397A JPH10274840A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | マスクの欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10274840A true JPH10274840A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=14215070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9826397A Pending JPH10274840A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | マスクの欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10274840A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012215677A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Hoya Corp | 転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP9826397A patent/JPH10274840A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012215677A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Hoya Corp | 転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
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