JPH0567864A - セラミツクス基板及びそのメタライズ方法 - Google Patents

セラミツクス基板及びそのメタライズ方法

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JPH0567864A
JPH0567864A JP22907491A JP22907491A JPH0567864A JP H0567864 A JPH0567864 A JP H0567864A JP 22907491 A JP22907491 A JP 22907491A JP 22907491 A JP22907491 A JP 22907491A JP H0567864 A JPH0567864 A JP H0567864A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低コストで、しかも容易な作業によって、精
密なメタライズ回路を形成できるセラミックス基板のメ
タライズ方法を提供すること。 【構成】 パターン用部材に予め所定の形状にエッチン
グ等の溝加工を施して溝パターンを形成し、該溝パター
ン内にメタライズペーストを注入し、その後焼成前又は
焼成後ののセラミックス基板に前記溝パターンのメタラ
イズペーストを転写することを特徴とするセラミックス
基板のメタライズ方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基板の表
面に、配線等の精密なメタライズを施すセラミックス基
板及びそのメタライズ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体チップを搭載するため
の基板としてセラミックス基板が使用されており、この
セラミックス基板の表面には、半導体素子の高集積度化
に伴なってメタライズ層からなる精密な配線が要求され
ている。
【0003】前記セラミックス基板の外部及び内部のメ
タライズ配線を行なう方法としては、スクリーン印刷
法が知られている。そして、このスクリーン印刷法に
は、セラミックス基板が焼成前の状態(グリーンテー
プ)で印刷されるコファイヤー法と、一旦焼結したセラ
ミックス基板に印刷するポストファイヤー法とがある。
【0004】また、他の配線方法として、一旦焼結した
セラミックス基板の表面に、金属スパッタと金属エッチ
ングを施して配線を形成する薄膜法が知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
スクリーン印刷法と薄膜法とは、各々次の様な欠点が
あり、必ずしも好ましくはなかった。 スクリーン印刷法 (a) メッシュと遮蔽乳剤とから構成されているマス
クパターンを用いるため、極端に細かい配線や複雑な配
線がマスクパターン上に形成できない。
【0006】(b) メタル箔をエッチングして形成し
たメタルマスクパターンであれば、前記(a)と比べて
より細かいパターンの形成が可能となるが、その場合で
もエッチング部分で囲まれた部分を保持する事が不可能
であり、またメタル箔の厚みに制約を受ける(厚いとエ
ッチング精度が落ちるし、薄いと耐久性に欠ける)。
【0007】(c) 前記(a)法或は(b)法を用い
て、仮に精密なスクリーンマスクが製作できたとして
も、同パターンを用いて印刷する以上、印刷時のニジミ
やカスレを完全に除去する事は難かしく、パターン精度
をそのまま保持してセラミックス基板にメタライズ回路
を形成する事は困難である。
【0008】(d) 前記(a)法或は(b)法を用い
て、メタライズ回路を形成した場合、ペースト状のメタ
ライズパウダーを使用する以上、その断面形状は表面張
力により円弧状になり易い、よって半導体チップを実装
する上に於いての作業性(例えばワイヤーボンディング
性)に問題が生じ易くなる。
【0009】(e) 前記(d)に示した現象により、
同じメタライズ厚みで比較した場合、円弧状の断面形状
の断面積は方形状の断面形状のものより小さくなるの
で、導通抵抗的に高くなり、セラミックス基板の電気特
性上、不利となる。 薄膜法 (f) この方法は、印刷手法を用いずに直接セラミッ
ク表面にメタライズ配線を形成する方法なので、配線の
精度については相当なものが得られるが、一旦焼結した
セラミックス基板にしか回路形成ができないため、工程
が複雑化する。
【0010】(g) 前記(f)で述べた様に、焼結物
にしか回路形成ができないため、セラミックス多層基板
の様に、同方法を用いて基板内部にもメタライズを設け
ることは不可能である。 (h) 導体形成をスパッタ法又は湿式メッキ法で行な
うため、導体部分に充分な厚みを確保する事が困難であ
る。
【0011】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れ、低コストで、しかも容易な作業によって、精密なメ
タライズ回路を形成できるセラミックス基板及びそのメ
タライズ方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項1の発明は、パターン用部材に予め所定の形状
にエッチング等の溝加工を施して溝パターンを形成し、
該溝パターン内にメタライズペーストを注入し、その後
焼成前或は焼成後のセラミックス基板に前記メタライズ
ペーストを転写することを特徴とするセラミックス基板
のメタライズ方法を要旨とする。
【0013】請求項2の発明は、パターン用部材に予め
所定の形状にエッチング等の溝加工を施して溝パターン
を形成し、該溝パターン内にメタライズペーストを注入
し、次いで該メタライズペーストを転写用部材に転写
し、その後該転写用部材上のメタライズパターンを表面
が柔軟な焼成前のセラミックス基板に埋め込んで転写す
ることを特徴とするセラミックス基板のメタライズ方法
を要旨とする。
【0014】請求項3の発明は、前記溝パターンの断面
形状が方形を成していることを特徴とする請求項1又は
請求項2記載のセラミックス基板のメタライズ方法を要
旨とする。請求項4の発明は、セラミックス基板に形成
されたメタライズ層の断面形状が方形で、かつその表面
が平坦であることを特徴とするセラミックス基板を要旨
とする。
【0015】ここで、本発明におけるセラミックス基板
とは、例えば半導体もしくはこれに準ずる部品に使用さ
れるものをさし、単層及び多層のものを含む。これらの
基板は、例えば、ドクターブレード法やプレス法等を用
いて製造される。セラミックス基板は、絶縁性を有する
基板であり、例えばAl23を90〜94重量%含有す
るアルミナセラミックスなどの電気絶縁材料から構成さ
れる。
【0016】また、メタライズペーストによって形成さ
れるメタライズ層は、例えばモリブデン,マンガン,タ
ングステン及び銀パラジウム等の金属粉末にバインダー
を混合したものを、焼成前のセラミックス基板(グリー
ンテープ)上、もしくは焼成後のセラミックス基板上
に、回路として形成される。
【0017】前記請求項1〜3における発明において
は、前記セラミックス基板上へのメタライズ形成を、溝
加工及び転写による方法を採用し、従来のスクリーン印
刷法以外の方法にて形成する。ここで、溝加工の方法と
しては、例えばエッチングや機械加工等が挙げられる。
【0018】その方法の概略を挙げると、予め所定の回
路形状にエッチングされた金属平板もしくは樹脂膜付き
の金属箔のエッチング面に、適当な樹脂及び溶剤と混合
されてペースト状になった金属粉(メタライズペース
ト)を塗布する。次に、ゴム製や金属製のブレード等を
用いて余分なメタライズペーストを除去し、エッチング
された回路部分(凹み部分)のみにメタライズペースト
が充填された形とする。次に、このメタライズペースト
を乾燥した後、接着性溶剤塗布や熱等によって接着性が
生じたグリーンテープと加圧接着する。次に、このエッ
チング板(もしくは箔)をグリーンテープから剥離する
事により、グリーンテープ上にメタライズ回路を形成
(転写)する。
【0019】ここで、前記エッチング板(箔)の凹み部
分に充填されたメタライズペーストは、乾燥後、直接グ
リーンテープに転写しても良いが、請求項2の様に、一
旦何かの板(例えばガラス板や樹脂製のフィルム)に転
写した後グリーンテープに転写しても良い。つまり、請
求項1では、グリーンテープ上等にメタライズ回路が凸
状に形成されるのに対し、請求項2では、より平坦に形
成される。
【0020】尚、メタライズ回路をグリーンテープに転
写することについて言及したが、焼成後のセラミック基
板に適用することも可能である。
【0021】
【作用】請求項1の発明では、パターン用部材に予め所
定の形状にエッチング等の溝加工を施して溝パターンを
形成するので、精密な回路等のパターンの形成が可能で
ある。そして、この溝パターン内にメタライズペースト
を注入し、焼成前或は焼成後のセラミックス基板に溝パ
ターンのメタライズペーストを転写するので、十分な厚
さを備えたメタライズペーストのパターンがセラミック
ス基板上に形成される。
【0022】また、請求項2の発明では、一旦メタライ
ズペーストを転写用部材に転写してから、柔軟な表面を
有する焼成前のセラミックス基板に転写するので、メタ
ライズペーストの層はセラミックス基板に埋め込まれた
状態となって、その表面全体がフラットなものとなる。
【0023】つまり、前記発明では、エッチング等の溝
加工と転写とを利用してメタライズのパターンの形成を
行なうので、前記(a)〜(h)の課題が解決され、容
易に精密なパターンニングが可能となる。また、形成さ
れるメタライズパターンの厚みと断面形状は、金属板等
のパターン用部材へのパターン(回路)形成時のエッチ
ング等による溝の深さとその溝の形状、または金属箔の
場合は、箔の厚みとエッチング等の形状により一義的に
決まるので、メタライズの厚みと断面形状のコントロー
ルが簡単になる。
【0024】特に、請求項3の発明では、前記溝パター
ンの断面形状が方形を成しているので、請求項4の発明
の様に、セラミックス基板上に形成されるメタライズ層
の断面形状も方形となり、しかもその表面が平坦にな
る。この様に、例えばセラミックス基板の外部に出てい
るメタライズ層の断面形状を方形にすることは、外部端
子の接続(ワイヤーボンディング等)の観点から見ても
有効接続面積(あるいは平坦度)上、非常に有利であ
る。
【0025】
【実施例】以上説明した本発明の構成作用を一層明らか
にするために、以下本発明の好適な実施例について説明
する。 (実施例1)まず、図1に示す様に、ラミネートフィ
ルム2のステンレス箔1に対して、周知のエッチングを
行なって、メタライズ回路のための溝パターンを形成す
る。
【0026】図1は、本発明の一実施例に利用したラミ
ネートフィルム2の斜視断面図である。このラミネート
フィルム2は、予めステンレス箔1とポリエステルフィ
ルム3とを接着した状態で、ステンレス箔1の部分を所
定の回路にエッチングしたものである。本実施例でのス
テンレス箔1の厚みは0.030mm,ポリエステルフィ
ルム3の厚みは0.200mmであり、エッチングパター
ンの巾は0.150mm,パターンの間隔は0.100m
m,パターンのピッチは0.250mmである。
【0027】尚、本実施例では、金属としてはステンレ
ス箔1を使用しているが、AlやCu等、他の金属箔に
代替する事もできる。また、ポリエステルフィルム3に
ついても、その他の樹脂(塩ビ、アルリル等)への代替
も可能である。また、図1の様に金属箔と樹脂フィルム
の接合体(ラミネートフィルム)でなくとも、例えば金
属の板の一部をエッチング加工して凸凹をつけたもので
も可能である。
【0028】次に、図2に示す様に、ラミネートフィ
ルム2の凹凸のある表面に、メタライズペースト(イン
ク)4を塗布する。図2は、ラミネートフィルム2にメ
タライズペースト4を塗布した状態の断面を示してい
る。ここで、ラミネートフィルム2の表面には、メタラ
イズペースト4とラミネートフィルム2との離型性を向
上させるために、予めシリコーン樹脂等の離型剤が塗布
されている。
【0029】次に、図3に示す様に、ラミネートフィ
ルム2上の余分なメタライズペースト4を除去する。図
3は、メタライズペースト4が塗布されたラミネートフ
ィルム2における、余分なメタライズペースト4をブレ
ード(金属や樹脂やゴム等)5にて除去する様子を示し
ている。これにより、メタライズペースト4は、ラミネ
ートフィルム2の凹み部分6のみに充填されたメタライ
ズ層の形となって、ラミネートフィルム2の側に所定の
形状のメタライズ回路が形成される。尚、本実施例で使
用したメタライズペースト4はパウダーとしてWを主体
として調整されたものであり、他にビヒクルとして、セ
ルロース系の樹脂と脂肪族系の溶剤が使われている。
【0030】次に、図4に示す様に、ラミネートフィ
ルム2の凹み部分6が形成された側に仮フィルム7を押
し当て、その後ラミネートフィルム2を剥して、メタラ
イズ回路を仮フィルム7へ転写する。図4は、押圧され
た仮フィルム7を剥すことによって、メタライズ回路を
仮フィルム7へ転写する様子を示している。本実施例で
は、仮フィルム7としてポリエステルフィルムを使用し
たが、他にガラスや金属の板でも良い。またメタライズ
ペースト4の仮フィルム7への接着性(転写性)を良く
するために、予め仮フィルム7上に接着溶剤として、ブ
チラール系の樹脂と脂肪族系の溶剤の混合物が塗布され
ている。尚、予めメタライズペースト4中に、熱のみに
て容易に接着性の出る樹脂等を加えておけば、これらの
接着剤の塗布の必要はない。
【0031】次に、図5に示す様に、メタライズ回路
が転写された仮フィルム7をグリーンテープ(シート)
8に接着する。図5は、メタライズ回路を持つ仮フィル
ム7が、グリーンテープ8に接着された状態を示してい
る。この場合、グリーンテープ8とメタライズペースト
4との接着性を高めるとともに、メタライズ回路の凹凸
を吸収するために、予めグリーンテープ8の表面に接着
溶剤(脂肪族系)を塗布し、グリーンテープ8の表面を
スラリー状態にして接着している。尚、接着溶剤の代わ
りに、セラミックペースト(スラリー状のグリーンセラ
ミック)を予め印刷して接着しても良い。
【0032】最後に、グリーンテープ8から、仮フィ
ルム7を剥して、メタライズ回路のグリーンテープ8へ
の転写を完了する。図6は、メタライズ回路が転写され
たグリーンテープ8を示しており、メタライズペースト
4がグリーンテープ8内に埋まっており、その断面形状
は方形を呈している。
【0033】この様に、本実施例では、ステンレス箔1
にエッチングを施して、溝パターンを備えたラミネート
フィルム2を形成し、このラミネートフィルム2に形成
されたメタライズ回路を、まず仮フィルム7に転写し、
次いで仮フィルム7からグリーンテープ8に転写してい
る。従って、精密なメタライズ回路の形成が可能で、そ
の作業も極めて容易である。
【0034】また、本実施例では、メタライズペースト
4の上面とグリーンテープ8の上面とが同一平面となっ
てフラットであるので、同様なメタライズ回路が形成さ
れたグリーンシート8を積層して、容易にセラミックス
多層基板を製造することができるという顕著な利点があ
る。
【0035】更に、断面が方形のメタライズ回路を形成
することにより、メタライズ部分の平坦度が保たれるの
で、外部リードの接合(ワイヤーボンディング等)の作
業性が向上する。更に、メタライズの断面積が増大する
ので、電気的特性(導通抵抗等)が有利となる。 (実施例2)本実施例は、基本的には実施例1と同じ様
な方法であるが、仮フィルムを用いずに、直接グリーン
テープにメタライズ回路を転写したことが大きく異な
る。
【0036】すなわち、図1〜図3までは、実施例1と
同じであるが、図3の段階のラミネートフィルム(メタ
ライズ充填済み)を直接グリーンテープと接着し、ラミ
ネートフィルムのみを剥離して、メタライズ回路を形成
したものである。この場合、実施例1とは異なり、図7
に示す様に、メタライズペースト10からなる回路はグ
リーンテープ11の上に凸状に配置されるが、その断面
形状やファイン性については実施例1に劣るものではな
い。
【0037】尚、この方法を用いれば、メタライズ回路
の転写は、グリーンテープ11のみならず、焼成後のセ
ラミックス基板にも可能となる。以上本発明の実施例に
ついて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲に
おいて、様々なる態様で実施しうる事は勿論である。
【0038】例えば、予めグリーンテープに、スルーホ
ールを配することによって、縦方向の導通も可能とな
る。また、金属箔や金属板のエッチングによって回路形
成が成されているが、機械加工等による回路形成によっ
ても可能である。
【0039】
【発明の効果】以上詳述した様に請求項1及び請求項2
の発明によれば、従来のスクリーン印刷では得られない
様な精密なメタライズの配線を、低コストにてしかも簡
易な操作で、セラミックス基板上に形成することができ
る。特に、請求項2の発明では、未焼成のセラミックス
基板にメタライズパターンが埋め込まれた状態となり、
それによって表面全体が平坦になるので、この様な基板
を多数積層することによって、密着性に優れたセラミッ
クス多層基板を容易に製造することができる。
【0040】更に、請求項3及び請求項4の発明では、
メタライズの断面形状を方形とすることができるので、
外部からのメタライズ回路への電気的接続の作業性を向
上させ、かつ抵抗値を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1のラミネートフィルムの断面斜視図
である。
【図2】 メタライズペースト塗布後の断面図である。
【図3】 メタライズペースト除去後の断面図である。
【図4】 仮フィルムの転写後の断面図である。
【図5】 グリーンテープと接着した断面図である。
【図6】 仮フィルム剥離後の断面図である。
【図7】 実施例2のグリーンテープへの直接転写後の
断面図である。
【符号の説明】
1…ステンレス箔 2…ラミネートフィル
ム 3…ポリエステルフィルム 4,10…メタライズ
ペースト 7…仮フィルム 8,11…グリーンテ
ープ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターン用部材に予め所定の形状にエッ
    チング等の溝加工を施して溝パターンを形成し、該溝パ
    ターン内にメタライズペーストを注入し、その後焼成前
    或は焼成後のセラミックス基板に前記メタライズペース
    トを転写することを特徴とするセラミックス基板のメタ
    ライズ方法。
  2. 【請求項2】 パターン用部材に予め所定の形状にエッ
    チング等の溝加工を施して溝パターンを形成し、該溝パ
    ターン内にメタライズペーストを注入し、次いで該メタ
    ライズペーストを転写用部材に転写し、その後該転写用
    部材上のメタライズパターンを表面が柔軟な焼成前のセ
    ラミックス基板に埋め込んで転写することを特徴とする
    セラミックス基板のメタライズ方法。
  3. 【請求項3】 前記溝パターンの断面形状が方形を成し
    ていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のセ
    ラミックス基板のメタライズ方法。
  4. 【請求項4】 セラミックス基板に形成されたメタライ
    ズ層の断面形状が方形で、かつその表面が平坦であるこ
    とを特徴とするセラミックス基板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335602A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板及びその製造方法
US5885187A (en) * 1996-06-03 1999-03-23 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Integral control system for engine and automatic transmission
US7744714B2 (en) 2006-11-20 2010-06-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Paste patterns formation method and transfer film used therein
JP2022096120A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 日本特殊陶業株式会社 配線基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335602A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板及びその製造方法
US5885187A (en) * 1996-06-03 1999-03-23 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Integral control system for engine and automatic transmission
US7744714B2 (en) 2006-11-20 2010-06-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Paste patterns formation method and transfer film used therein
JP2022096120A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 日本特殊陶業株式会社 配線基板

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