JPH056820A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH056820A JPH056820A JP3244990A JP24499091A JPH056820A JP H056820 A JPH056820 A JP H056820A JP 3244990 A JP3244990 A JP 3244990A JP 24499091 A JP24499091 A JP 24499091A JP H056820 A JPH056820 A JP H056820A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Y10T428/265—1 mil or less
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜あるいはＣｏ−Ｐｄ人
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体の保磁力の向上
を図るとともに、短波長域での良好なカー回転角を確保
し、高密度記録に対応可能とする。 【構成】 記録層をＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層が
積層された人工格子膜と希土類−遷移金属膜の積層構造
とする。これら人工格子膜と希土類−遷移金属膜とは、
互いに交換結合される。希土類−遷移金属膜は、合金膜
であってもよいし人工格子膜であってもよく、人工格子
膜の場合には遷移金属層がＣｏ層と接するように積層す
る。
工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体の保磁力の向上
を図るとともに、短波長域での良好なカー回転角を確保
し、高密度記録に対応可能とする。 【構成】 記録層をＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層が
積層された人工格子膜と希土類−遷移金属膜の積層構造
とする。これら人工格子膜と希土類−遷移金属膜とは、
互いに交換結合される。希土類−遷移金属膜は、合金膜
であってもよいし人工格子膜であってもよく、人工格子
膜の場合には遷移金属層がＣｏ層と接するように積層す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光等により情報の記録・再生を行う光磁気記
録媒体に関する。
てレーザー光等により情報の記録・再生を行う光磁気記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書換え可能な高密度記録方式とし
て、半導体レーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用
いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されてい
る。
て、半導体レーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用
いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されてい
る。
【０００３】この光磁気記録方式に使用される記録材料
としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ、Ｃ
ｏ等の遷移金属とを組み合わせた非晶質合金膜（以下、
ＲＥ−ＴＭ膜と称する。）が代表的なものである。この
ＲＥ−ＴＭ膜は、垂直磁気異方性エネルギーが大きいの
で高密度記録に必要な垂直磁化膜となり易いこと、非晶
質であるため媒体ノイズが小さいこと、カー回転角が比
較的大きいこと、キュリー点が低く、市販の半導体レー
ザー（２０〜４０ｍＷ）でも記録・消去を行うことがで
きる等の数々の利点を有している。例えば、特公平２−
３２６９０号公報に開示されるように、希土類元素とし
てＴｂやＧｄを含むＧｄＴｂＦｅＣｏ膜は特に大きなカ
ー回転角を有し、良好なＳ／Ｎ比が得られることが知ら
れている。
としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ、Ｃ
ｏ等の遷移金属とを組み合わせた非晶質合金膜（以下、
ＲＥ−ＴＭ膜と称する。）が代表的なものである。この
ＲＥ−ＴＭ膜は、垂直磁気異方性エネルギーが大きいの
で高密度記録に必要な垂直磁化膜となり易いこと、非晶
質であるため媒体ノイズが小さいこと、カー回転角が比
較的大きいこと、キュリー点が低く、市販の半導体レー
ザー（２０〜４０ｍＷ）でも記録・消去を行うことがで
きる等の数々の利点を有している。例えば、特公平２−
３２６９０号公報に開示されるように、希土類元素とし
てＴｂやＧｄを含むＧｄＴｂＦｅＣｏ膜は特に大きなカ
ー回転角を有し、良好なＳ／Ｎ比が得られることが知ら
れている。
【０００４】一方、例えば特開平２−５６７５２号公報
にその記載が見られるように、Ｃｏ層とＰｔ層及び／又
はＰｄ層とが交互に積層された人工格子膜を記録膜とし
た光磁気記録媒体が提案されている。この光磁気記録媒
体は、希土類元素を含まないために耐蝕性に極めて優れ
ており、また短波長域で高い磁気カー回転角を有してい
る。従って、次世代の短波長レーザーを用いた高密度記
録に好適な記録材料として期待されている。
にその記載が見られるように、Ｃｏ層とＰｔ層及び／又
はＰｄ層とが交互に積層された人工格子膜を記録膜とし
た光磁気記録媒体が提案されている。この光磁気記録媒
体は、希土類元素を含まないために耐蝕性に極めて優れ
ており、また短波長域で高い磁気カー回転角を有してい
る。従って、次世代の短波長レーザーを用いた高密度記
録に好適な記録材料として期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
方式では、レーザー照射により昇温された部分の磁化を
反転させるために記録時にバイアス磁界を印加するのが
一般的である。したがって、一旦記録された磁区がバイ
アス磁界によって影響されないように、光磁気記録媒体
の保磁力は記録磁界（バイアス磁界）に対して十分に大
きいことが望まれる。また、記録ビットの最小径は保磁
力に反比例するため、より一層の高記録密度化を図るた
めには、やはり保磁力を大きくすることが望ましい。
方式では、レーザー照射により昇温された部分の磁化を
反転させるために記録時にバイアス磁界を印加するのが
一般的である。したがって、一旦記録された磁区がバイ
アス磁界によって影響されないように、光磁気記録媒体
の保磁力は記録磁界（バイアス磁界）に対して十分に大
きいことが望まれる。また、記録ビットの最小径は保磁
力に反比例するため、より一層の高記録密度化を図るた
めには、やはり保磁力を大きくすることが望ましい。
【０００６】このような観点から見た時、前述の人工格
子膜を記録膜とする光磁気記録媒体の保磁力は、決して
十分なものとは言えない。そこで本発明は、上述の従来
の実情に鑑みて提案されたものであり、Ｃｏ層とＰｔ層
及び／又はＰｄ層とが交互に積層された人工格子膜を記
録膜とする光磁気記録媒体保磁力の向上並びに記録磁界
特性の改善を図り、高密度記録に対応可能な光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
子膜を記録膜とする光磁気記録媒体の保磁力は、決して
十分なものとは言えない。そこで本発明は、上述の従来
の実情に鑑みて提案されたものであり、Ｃｏ層とＰｔ層
及び／又はＰｄ層とが交互に積層された人工格子膜を記
録膜とする光磁気記録媒体保磁力の向上並びに記録磁界
特性の改善を図り、高密度記録に対応可能な光磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成するために提案されたものである。即ち、本発明の光
磁気記録媒体は、基板上に磁性層が設けられてなる光磁
気記録媒体において、上記磁性層がＣｏ層とＰｔ層及び
／又はＰｄ層が積層された人工格子膜と希土類元素及び
遷移金属を主体とする希土類−遷移金属膜とから構成さ
れ、上記人工格子膜と上記希土類−遷移金属膜とが互い
に交換結合していることを特徴とするものである。
成するために提案されたものである。即ち、本発明の光
磁気記録媒体は、基板上に磁性層が設けられてなる光磁
気記録媒体において、上記磁性層がＣｏ層とＰｔ層及び
／又はＰｄ層が積層された人工格子膜と希土類元素及び
遷移金属を主体とする希土類−遷移金属膜とから構成さ
れ、上記人工格子膜と上記希土類−遷移金属膜とが互い
に交換結合していることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の光磁気記録媒体において、磁性層
は人工格子膜と希土類−遷移金属膜からなる積層構造と
され、これら人工格子膜と希土類−遷移金属膜とは、互
いに交換結合される。上記人工格子膜は、Ｃｏ層とＰｔ
層を交互に積層したＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜、Ｃｏ層と
Ｐｄ層を交互に積層したＣｏ−Ｐｄ系人工格子膜、及び
Ｃｏ層、Ｐｔ層、Ｐｄ層（但し、後二者はＰｔ−Ｐｄ合
金層としても良い。）を任意の順序にて積層したＣｏ−
Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜の何れかである。
は人工格子膜と希土類−遷移金属膜からなる積層構造と
され、これら人工格子膜と希土類−遷移金属膜とは、互
いに交換結合される。上記人工格子膜は、Ｃｏ層とＰｔ
層を交互に積層したＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜、Ｃｏ層と
Ｐｄ層を交互に積層したＣｏ−Ｐｄ系人工格子膜、及び
Ｃｏ層、Ｐｔ層、Ｐｄ層（但し、後二者はＰｔ−Ｐｄ合
金層としても良い。）を任意の順序にて積層したＣｏ−
Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜の何れかである。
【０００９】上記Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜は、Ｃ
ｏ層とＰｔ−Ｐｄ合金層を交互に積層したものであって
もよいし、Ｃｏ層−Ｐｔ層−Ｃｏ層−Ｐｄ層−、或いは
Ｃｏ層−Ｐｔ層−Ｐｄ層−Ｃｏ層−の順に積層したもの
であってもよい。これら人工格子膜においては、希土類
−遷移金属膜と接する界面に遷移金属であるＣｏ層が配
されるように積層させることが望ましい。
ｏ層とＰｔ−Ｐｄ合金層を交互に積層したものであって
もよいし、Ｃｏ層−Ｐｔ層−Ｃｏ層−Ｐｄ層−、或いは
Ｃｏ層−Ｐｔ層−Ｐｄ層−Ｃｏ層−の順に積層したもの
であってもよい。これら人工格子膜においては、希土類
−遷移金属膜と接する界面に遷移金属であるＣｏ層が配
されるように積層させることが望ましい。
【００１０】何れの場合にしても人工格子膜の全厚は、
実用上必要十分な磁気光学特性を達成する観点から、５
０〜８００Å、より好ましくは５０〜４００Åとするこ
とが望ましい。また、特にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場
合には、Ｃｏ層の層厚を２〜８Å、Ｐｔ層の層厚を３〜
４０Å、またＣｏ−Ｐｄ系人工格子膜の場合には、Ｃｏ
層の層厚を１〜９Å、Ｐｄ層の層厚を２〜４０Åに選ぶ
ことが望ましい。これらの層厚の範囲は、磁気光学特性
を最適化する観点から設定されたものであり、何れの場
合にも上記範囲外では満足な磁気光学特性は得られな
い。
実用上必要十分な磁気光学特性を達成する観点から、５
０〜８００Å、より好ましくは５０〜４００Åとするこ
とが望ましい。また、特にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場
合には、Ｃｏ層の層厚を２〜８Å、Ｐｔ層の層厚を３〜
４０Å、またＣｏ−Ｐｄ系人工格子膜の場合には、Ｃｏ
層の層厚を１〜９Å、Ｐｄ層の層厚を２〜４０Åに選ぶ
ことが望ましい。これらの層厚の範囲は、磁気光学特性
を最適化する観点から設定されたものであり、何れの場
合にも上記範囲外では満足な磁気光学特性は得られな
い。
【００１１】なお、上記人工格子膜を構成する金属層の
界面は、異種金属原子が互いに入り乱れずに平坦に形成
された、所謂超格子構造とされていることが理想的であ
るが、界面にやや乱れを生じながらも全体としては一定
の周期を保って組成が変動する組成変調構造を有するも
のであっても良い。例えば、上述の金属層の層厚の範囲
をみると、各金属層の金属結合半径（Ｃｏ＝１．２５
Å、Ｐｄ＝１．３８Å、、Ｐｔ＝１．３９Å）から考え
て下限が１原子分に満たない場合があるが、これも組成
変調構造を考慮した結果である。
界面は、異種金属原子が互いに入り乱れずに平坦に形成
された、所謂超格子構造とされていることが理想的であ
るが、界面にやや乱れを生じながらも全体としては一定
の周期を保って組成が変動する組成変調構造を有するも
のであっても良い。例えば、上述の金属層の層厚の範囲
をみると、各金属層の金属結合半径（Ｃｏ＝１．２５
Å、Ｐｄ＝１．３８Å、、Ｐｔ＝１．３９Å）から考え
て下限が１原子分に満たない場合があるが、これも組成
変調構造を考慮した結果である。
【００１２】上記人工格子膜は、スパッタリング、分子
線エピタキシー、真空蒸着、イオンビーム蒸着等の手法
により成膜することができるが、最も一般的にはスパッ
タリングにより成膜される。このときの蒸発源は、Ｃｏ
−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｐｄ系のような二元系の人工格子膜を
作成する場合には、各金属成分について独立に用意する
必要がある。また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系のような三元系
の人工格子膜を作成する場合には、各成分金属について
独立に蒸発源を用意する方法の他、特にＰｄ及びＰｔに
関してはこれらを組合せて合金蒸発源とする方法や、少
ない方の成分金属の蒸発源を多い方の成分金属の蒸発源
の上に載置した複合蒸発源とする方法が考えられる。例
えば、上述のような３成分系の光磁気記録媒体をスパッ
タリングにより作製する場合、Ｐｔチップを載置したＰ
ｄターゲットとＣｏターゲットとを使用した同時二元ス
パッタリング、Ｃｏターゲット、Ｐｄターゲット及びＰ
ｔターゲットを使用した同時三元スパッタリング、或い
はＣｏターゲット及びＰｔターゲット及び２個のＰｄタ
ーゲットを使用してＣｏ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｐｄ−・・・の
順番で各金属層を積層する同時四元スパッタリング等の
方法が可能である。
線エピタキシー、真空蒸着、イオンビーム蒸着等の手法
により成膜することができるが、最も一般的にはスパッ
タリングにより成膜される。このときの蒸発源は、Ｃｏ
−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｐｄ系のような二元系の人工格子膜を
作成する場合には、各金属成分について独立に用意する
必要がある。また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系のような三元系
の人工格子膜を作成する場合には、各成分金属について
独立に蒸発源を用意する方法の他、特にＰｄ及びＰｔに
関してはこれらを組合せて合金蒸発源とする方法や、少
ない方の成分金属の蒸発源を多い方の成分金属の蒸発源
の上に載置した複合蒸発源とする方法が考えられる。例
えば、上述のような３成分系の光磁気記録媒体をスパッ
タリングにより作製する場合、Ｐｔチップを載置したＰ
ｄターゲットとＣｏターゲットとを使用した同時二元ス
パッタリング、Ｃｏターゲット、Ｐｄターゲット及びＰ
ｔターゲットを使用した同時三元スパッタリング、或い
はＣｏターゲット及びＰｔターゲット及び２個のＰｄタ
ーゲットを使用してＣｏ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｐｄ−・・・の
順番で各金属層を積層する同時四元スパッタリング等の
方法が可能である。
【００１３】また、この人工格子膜には、熱安定性を高
めたりキュリー点を下げる等の目的で各種元素を添加元
素として適宜添加しても良い。この場合、人工格子膜の
種類や添加する金属層の種類によって最適な添加元素や
添加量が異なる。
めたりキュリー点を下げる等の目的で各種元素を添加元
素として適宜添加しても良い。この場合、人工格子膜の
種類や添加する金属層の種類によって最適な添加元素や
添加量が異なる。
【００１４】例えば、Ｃｏ層とＰｔ層が積層された人工
格子膜において、前記Ｃｏ層に添加元素を加える場合、
当該Ｃｏ層はＣｏ100-x Ｍx （但し、ｘは置換量を原子
％で表し、Ｍは添加元素を表す。）で表され、添加元素
ＭとしてはＢ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔａの少なくとも一種で
あることが好ましい。最適な置換量は、元素毎に若干異
なり、Ｍ＝Ａｌの場合０．１≦ｘ≦７、Ｍ＝Ｚｒの場合
０．１≦ｘ≦１４、Ｍ＝Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａの場合０．１
≦ｘ≦２０、Ｍ＝Ｆｅの場合０．１≦ｘ≦２５、Ｍ＝
Ｂ、Ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｎの場合０．１≦ｘ≦３０、Ｍ＝Ｐの場合０．１≦ｘ≦
３５、Ｍ＝Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙの場合０．１≦ｘ≦４０、
Ｍ＝Ｓｂの場合０．１≦ｘ≦４５、Ｍ＝Ｎｉの場合０．
１≦ｘ≦７０である。
格子膜において、前記Ｃｏ層に添加元素を加える場合、
当該Ｃｏ層はＣｏ100-x Ｍx （但し、ｘは置換量を原子
％で表し、Ｍは添加元素を表す。）で表され、添加元素
ＭとしてはＢ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔａの少なくとも一種で
あることが好ましい。最適な置換量は、元素毎に若干異
なり、Ｍ＝Ａｌの場合０．１≦ｘ≦７、Ｍ＝Ｚｒの場合
０．１≦ｘ≦１４、Ｍ＝Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａの場合０．１
≦ｘ≦２０、Ｍ＝Ｆｅの場合０．１≦ｘ≦２５、Ｍ＝
Ｂ、Ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｎの場合０．１≦ｘ≦３０、Ｍ＝Ｐの場合０．１≦ｘ≦
３５、Ｍ＝Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙの場合０．１≦ｘ≦４０、
Ｍ＝Ｓｂの場合０．１≦ｘ≦４５、Ｍ＝Ｎｉの場合０．
１≦ｘ≦７０である。
【００１５】上記各元素の置換量ｘの下限は、０．１原
子％とされているが、これより低い場合にはキュリー点
の低減効果が現れない。また、上記各元素の置換量ｘの
上限は添加する元素によって７〜４０原子％と異なって
いるが、これらの値より高い場合には磁気光学特性をか
えって劣化させる虞れがある。
子％とされているが、これより低い場合にはキュリー点
の低減効果が現れない。また、上記各元素の置換量ｘの
上限は添加する元素によって７〜４０原子％と異なって
いるが、これらの値より高い場合には磁気光学特性をか
えって劣化させる虞れがある。
【００１６】また、上述の第３の元素をＰｔ層に添加
し、当該Ｐｔ層の組成をＰｔ100-x Ｍx （但し、ｘは置
換量を原子％で表し、０≦ｘ≦１５であり、Ｍは添加元
素を表す。）とすることも考えられるが、この場合は磁
気光学特性や熱安定性を改善することを目的とするので
はなく、むしろキュリー点の調節を主目的とするべきで
ある。それは、第３の元素をＰｔ層に添加すると、一部
の例外を除いてキュリー点が上昇するとともに磁気カー
回転角が低下するからである。但し、キュリー点は記録
情報に保護の観点から無制限に低ければ良いという性質
のものではないので、もともと記録層のキュリー点が著
しく低い場合等はこのような手段により実用的な範囲ま
でこれを高めることが可能である。Ｐｔ層に添加し得る
元素としては、Ｃｏ層と同様の元素の他、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｈｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ等が挙げ
られる。更には、上述のＰｔ層は任意の割合でＰｄに置
きかわっていても良い。
し、当該Ｐｔ層の組成をＰｔ100-x Ｍx （但し、ｘは置
換量を原子％で表し、０≦ｘ≦１５であり、Ｍは添加元
素を表す。）とすることも考えられるが、この場合は磁
気光学特性や熱安定性を改善することを目的とするので
はなく、むしろキュリー点の調節を主目的とするべきで
ある。それは、第３の元素をＰｔ層に添加すると、一部
の例外を除いてキュリー点が上昇するとともに磁気カー
回転角が低下するからである。但し、キュリー点は記録
情報に保護の観点から無制限に低ければ良いという性質
のものではないので、もともと記録層のキュリー点が著
しく低い場合等はこのような手段により実用的な範囲ま
でこれを高めることが可能である。Ｐｔ層に添加し得る
元素としては、Ｃｏ層と同様の元素の他、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｈｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ等が挙げ
られる。更には、上述のＰｔ層は任意の割合でＰｄに置
きかわっていても良い。
【００１７】同様に、Ｃｏ層とＰｄ層が積層された人工
格子膜において前記Ｃｏ層に添加元素を加える場合に
は、当該Ｃｏ層はやはりＣｏ100-x Ｍx （但し、ｘは置
換量を原子％で表し、Ｍは添加元素を表す。）で表さ
れ、添加元素ＭとしてはＰ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗの少なくとも一種であ
ることが好ましい。この場合にも最適添加量は添加元素
の種類によって異なり、Ｍ＝Ｚｒの場合０．１≦ｘ≦１
０、Ｍ＝Ｍ＝Ｐ、Ａｌの場合０．１≦ｘ≦１２、Ｍ＝Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｗの場合０．１≦ｘ≦２０、Ｍ＝Ｔｉ、Ｖ、
Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂの場合０．１≦ｘ≦２５、Ｍ＝
Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｉｎの場合０．１≦
ｘ≦３０、Ｍ＝Ｔａの場合０．１≦ｘ≦４０である。限
定の理由は先のＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場合と同様で
ある。
格子膜において前記Ｃｏ層に添加元素を加える場合に
は、当該Ｃｏ層はやはりＣｏ100-x Ｍx （但し、ｘは置
換量を原子％で表し、Ｍは添加元素を表す。）で表さ
れ、添加元素ＭとしてはＰ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗの少なくとも一種であ
ることが好ましい。この場合にも最適添加量は添加元素
の種類によって異なり、Ｍ＝Ｚｒの場合０．１≦ｘ≦１
０、Ｍ＝Ｍ＝Ｐ、Ａｌの場合０．１≦ｘ≦１２、Ｍ＝Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｗの場合０．１≦ｘ≦２０、Ｍ＝Ｔｉ、Ｖ、
Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂの場合０．１≦ｘ≦２５、Ｍ＝
Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｉｎの場合０．１≦
ｘ≦３０、Ｍ＝Ｔａの場合０．１≦ｘ≦４０である。限
定の理由は先のＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場合と同様で
ある。
【００１８】また、Ｐｄ層に添加元素を添加してもよ
く、この場合の添加元素の種類、添加量等はＰｔ層の場
合と同様である。
く、この場合の添加元素の種類、添加量等はＰｔ層の場
合と同様である。
【００１９】一方、上記希土類−遷移金属膜（ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜）としては、特に限定されず、従来公知のものが何
れも使用可能である。具体的に例示すればＴｂＦｅ膜、
ＴｂＦｅＣｏ膜、ＴｂＦｅＣｏＣｒ膜、ＧｄＦｅＣｏ
膜、ＧｄＴｂＦｅ膜等が挙げられる。この希土類−遷移
金属膜は、明確な周期構造を有さない希土類−遷移金属
合金膜でも良く、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ等の重希土類元素の
うち少なくとも１種からなる希土類元素層とＦｅ(1-x)
Ｃｏx （ｘは０〜１、数値は原子％を表す。）なる組成
を有する遷移金属層を交互に積層した人工格子膜でも良
い。
Ｍ膜）としては、特に限定されず、従来公知のものが何
れも使用可能である。具体的に例示すればＴｂＦｅ膜、
ＴｂＦｅＣｏ膜、ＴｂＦｅＣｏＣｒ膜、ＧｄＦｅＣｏ
膜、ＧｄＴｂＦｅ膜等が挙げられる。この希土類−遷移
金属膜は、明確な周期構造を有さない希土類−遷移金属
合金膜でも良く、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ等の重希土類元素の
うち少なくとも１種からなる希土類元素層とＦｅ(1-x)
Ｃｏx （ｘは０〜１、数値は原子％を表す。）なる組成
を有する遷移金属層を交互に積層した人工格子膜でも良
い。
【００２０】希土類元素層と遷移金属層を交互に積層し
た人工格子膜とする場合、上記Ｃｏ層とＰｔ層及び／又
はＰｄ層が積層された人工格子膜と接する界面に上記遷
移金属層が配されるように積層させることが望ましい。
これにより、両者の界面において遷移金属同士による結
合が形成され、優れた保磁力を得ることができる。上記
希土類元素層の層厚は３〜４０Å、上記遷移金属層の層
厚は３〜４０Åとされることが好ましい。これらの層厚
の範囲は、記録特性を最適化する観点から設定されたも
のであり、上記範囲外では満足な記録特性が得られな
い。
た人工格子膜とする場合、上記Ｃｏ層とＰｔ層及び／又
はＰｄ層が積層された人工格子膜と接する界面に上記遷
移金属層が配されるように積層させることが望ましい。
これにより、両者の界面において遷移金属同士による結
合が形成され、優れた保磁力を得ることができる。上記
希土類元素層の層厚は３〜４０Å、上記遷移金属層の層
厚は３〜４０Åとされることが好ましい。これらの層厚
の範囲は、記録特性を最適化する観点から設定されたも
のであり、上記範囲外では満足な記録特性が得られな
い。
【００２１】上記希土類−遷移金属膜は、スパッタリン
グ、分子線エピタキシー、真空蒸着等の真空薄膜形成技
術により基板上に成膜することができるが、最も一般的
にはスパッタリングにより成膜される。この時、例えば
希土類元素ターゲットと遷移金属ターゲットを使用した
二元同時スパッタリングを行う方法が便利である。この
他にも、希土類元素と遷移金属の２元系合金をターゲッ
トとして用いたスパッタリングを行っても良い。
グ、分子線エピタキシー、真空蒸着等の真空薄膜形成技
術により基板上に成膜することができるが、最も一般的
にはスパッタリングにより成膜される。この時、例えば
希土類元素ターゲットと遷移金属ターゲットを使用した
二元同時スパッタリングを行う方法が便利である。この
他にも、希土類元素と遷移金属の２元系合金をターゲッ
トとして用いたスパッタリングを行っても良い。
【００２２】上記希土類−遷移金属膜の膜厚は、実用上
必要十分な保磁力を確保するために、５０〜２０００Å
とすることが好ましい。
必要十分な保磁力を確保するために、５０〜２０００Å
とすることが好ましい。
【００２３】また、基板の材料としては、ガラス、ポリ
カーボネート、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）、ガラス２ｐ基板（ガラス基板上に光重合法により
グルーブやピット等の凹凸を有する光硬化樹脂層が形成
された基板）、セラミクス、シリコンウェハ等が使用可
能である。
カーボネート、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）、ガラス２ｐ基板（ガラス基板上に光重合法により
グルーブやピット等の凹凸を有する光硬化樹脂層が形成
された基板）、セラミクス、シリコンウェハ等が使用可
能である。
【００２４】本発明の光磁気記録媒体において記録層の
構成は特に限定されるものではなく、従来公知の構成が
適用可能であり、上記記録層の他に、誘電体層、反射
膜、保護膜等が適宜形成される。このような光磁気記録
媒体に対する書き込み方法としては、光ビームの他、針
型磁気ヘッド、熱ペン、電子ビーム尚等、反転磁区を生
じさせるのに必要なエネルギーを供給できるものであれ
ば、いかなるものでも良いことは言うまでもない。
構成は特に限定されるものではなく、従来公知の構成が
適用可能であり、上記記録層の他に、誘電体層、反射
膜、保護膜等が適宜形成される。このような光磁気記録
媒体に対する書き込み方法としては、光ビームの他、針
型磁気ヘッド、熱ペン、電子ビーム尚等、反転磁区を生
じさせるのに必要なエネルギーを供給できるものであれ
ば、いかなるものでも良いことは言うまでもない。
【００２５】
【作用】磁性層をＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層が積
層されたＣｏ−Ｐｔ（Ｐｄ）人工格子膜と希土類−遷移
金属合金膜あるいは希土類−遷移金属人工格子膜からな
る多層構造とすることにより、上記Ｃｏ−Ｐｔ（Ｐｄ）
人工格子膜と上記希土類−遷移金属合金膜あるいは希土
類−遷移金属人工格子膜が交換結合し、Ｃｏ−Ｐｔ（Ｐ
ｄ）人工格子膜の保磁力が増大する。従って、上記Ｃｏ
−Ｐｔ（Ｐｄ）人工格子膜の優れた磁気光学特性が高記
録密度化した場合にも確保される。
層されたＣｏ−Ｐｔ（Ｐｄ）人工格子膜と希土類−遷移
金属合金膜あるいは希土類−遷移金属人工格子膜からな
る多層構造とすることにより、上記Ｃｏ−Ｐｔ（Ｐｄ）
人工格子膜と上記希土類−遷移金属合金膜あるいは希土
類−遷移金属人工格子膜が交換結合し、Ｃｏ−Ｐｔ（Ｐ
ｄ）人工格子膜の保磁力が増大する。従って、上記Ｃｏ
−Ｐｔ（Ｐｄ）人工格子膜の優れた磁気光学特性が高記
録密度化した場合にも確保される。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について実験結
果にもとづき説明する。実施例１ 本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜であるＴｂＦｅＣｏ
合金膜とＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とが順次積層されてな
る記録層が形成された光磁気ディスクの例である。
果にもとづき説明する。実施例１ 本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜であるＴｂＦｅＣｏ
合金膜とＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とが順次積層されてな
る記録層が形成された光磁気ディスクの例である。
【００２７】先ず、本実施例の光ディスクの概略的な構
成を図１に示す。この光磁気記録媒体は、記録・再生が
行われることを前提としており、ガラス基板１の一主面
１ａ上には情報を保持する記録層２が設けられる。この
記録層２は、ＲＥ−ＴＭ膜３と人工格子膜４とからなる
２層構造を有する。上記ＲＥ−ＴＭ膜３は、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金膜からなり、その膜厚は５００Åとされる。
成を図１に示す。この光磁気記録媒体は、記録・再生が
行われることを前提としており、ガラス基板１の一主面
１ａ上には情報を保持する記録層２が設けられる。この
記録層２は、ＲＥ−ＴＭ膜３と人工格子膜４とからなる
２層構造を有する。上記ＲＥ−ＴＭ膜３は、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金膜からなり、その膜厚は５００Åとされる。
【００２８】このＲＥ−ＴＭ膜３上に上記人工格子膜４
が積層されて形成される。この人工格子膜４は、Ｃｏ層
とＰｔ層とが交互に積層されてなるものであり、上記Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜３との界面にＣｏ層が配されるように形成さ
れる。この人工格子膜４は、上記ＲＥ−ＴＭ膜３と互い
に交換結合されている。このような人工格子膜４の全厚
は２００Åとされる。
が積層されて形成される。この人工格子膜４は、Ｃｏ層
とＰｔ層とが交互に積層されてなるものであり、上記Ｒ
Ｅ−ＴＭ膜３との界面にＣｏ層が配されるように形成さ
れる。この人工格子膜４は、上記ＲＥ−ＴＭ膜３と互い
に交換結合されている。このような人工格子膜４の全厚
は２００Åとされる。
【００２９】かかる光磁気ディスクは、以下のようにし
て作製した。先ず、上記ＲＥ−ＴＭ膜３及び上記人工格
子膜４を連続工程により成膜するため、スパッタリング
装置のチャンバー内にＴｂ27Ｆｅ61Ｃｏ12合金（数字は
原子％を表す。）、Ｃｏ、Ｐｔの各種ターゲット（それ
ぞれ直径１００ｍｍ）を載置した。このスパッタリング
装置によれば、各ターゲットに対応して設けられたシャ
ッターを開閉することにより、所望の膜を成膜すること
ができる。
て作製した。先ず、上記ＲＥ−ＴＭ膜３及び上記人工格
子膜４を連続工程により成膜するため、スパッタリング
装置のチャンバー内にＴｂ27Ｆｅ61Ｃｏ12合金（数字は
原子％を表す。）、Ｃｏ、Ｐｔの各種ターゲット（それ
ぞれ直径１００ｍｍ）を載置した。このスパッタリング
装置によれば、各ターゲットに対応して設けられたシャ
ッターを開閉することにより、所望の膜を成膜すること
ができる。
【００３０】そして、上記ガラス基板１を基板ホルダー
に装着して水冷し、チャンバー内を排気して所定の真空
度に調節した。そして、Ａｒガスを導入して圧力を４ｍ
Ｔｏｒｒとした雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金をターゲッ
トとして上記ガラス基板１を１６ｒｐｍの速度で回転さ
せながらマグネトロンスパッタリングを行い、上記ＲＥ
−ＴＭ膜３を成膜した。この時、直流電力は０．３Ａ×
２４０Ｖとした。
に装着して水冷し、チャンバー内を排気して所定の真空
度に調節した。そして、Ａｒガスを導入して圧力を４ｍ
Ｔｏｒｒとした雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金をターゲッ
トとして上記ガラス基板１を１６ｒｐｍの速度で回転さ
せながらマグネトロンスパッタリングを行い、上記ＲＥ
−ＴＭ膜３を成膜した。この時、直流電力は０．３Ａ×
２４０Ｖとした。
【００３１】続いて、ＣｏとＰｔをそれぞれターゲット
として用い、４ｍＴｏｒｒのガス圧を有するＡｒガス雰
囲気中で二元同時マグネトロンスパッタリングによりＣ
ｏ層とＰｔ層を交互に形成して、上記人工格子膜４を成
膜した。このスパッタリングの条件は、基板回転速度を
１６ｒｐｍとし、Ｃｏ層の成膜時におけるＲＦ電力を２
５０Ｗ、Ｐｔ層の成膜時における直流電力を０．５５Ａ
×３４０Ｖとした。
として用い、４ｍＴｏｒｒのガス圧を有するＡｒガス雰
囲気中で二元同時マグネトロンスパッタリングによりＣ
ｏ層とＰｔ層を交互に形成して、上記人工格子膜４を成
膜した。このスパッタリングの条件は、基板回転速度を
１６ｒｐｍとし、Ｃｏ層の成膜時におけるＲＦ電力を２
５０Ｗ、Ｐｔ層の成膜時における直流電力を０．５５Ａ
×３４０Ｖとした。
【００３２】実施例２
本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜であるＴｂＦｅＣｏ
Ｃｒ合金膜とＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とが順次積層され
てなる記録層が形成された光磁気ディスクの例である。
本実施例では、実施例１と同じスパッタリング装置を用
い、チャンバー内にＴｂ、Ｆｅ90Ｃｏ4 Ｃｒ6 合金（数
字は原子％を表す。）、Ｃｏ、Ｐｔの各種ターゲット
（それぞれ直径１００ｍｍ）を載置した。
Ｃｒ合金膜とＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とが順次積層され
てなる記録層が形成された光磁気ディスクの例である。
本実施例では、実施例１と同じスパッタリング装置を用
い、チャンバー内にＴｂ、Ｆｅ90Ｃｏ4 Ｃｒ6 合金（数
字は原子％を表す。）、Ｃｏ、Ｐｔの各種ターゲット
（それぞれ直径１００ｍｍ）を載置した。
【００３３】そして、上記ガラス基板１を装着して水冷
し、チャンバー内を排気して所定の真空度に調節した
後、Ａｒガスを導入して圧力を４ｍＴｏｒｒとした雰囲
気中でＴｂとＦｅＣｏＣｒ合金をターゲットとして上記
ガラス基板１を５０ｒｐｍの速度で回転させながら二元
同時マグネトロンスパッタリングを行った。この時、Ｔ
ｂに対してはＲＦ電力１３０Ｗとし、ＦｅＣｏＣｒ合金
に対しては直流電力０．６〜０．８Ａ×２９０Ｖとし
た。このようなスパッタにより明確な周期構造を持たな
い膜厚１０００ÅのＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜が形成され
た。
し、チャンバー内を排気して所定の真空度に調節した
後、Ａｒガスを導入して圧力を４ｍＴｏｒｒとした雰囲
気中でＴｂとＦｅＣｏＣｒ合金をターゲットとして上記
ガラス基板１を５０ｒｐｍの速度で回転させながら二元
同時マグネトロンスパッタリングを行った。この時、Ｔ
ｂに対してはＲＦ電力１３０Ｗとし、ＦｅＣｏＣｒ合金
に対しては直流電力０．６〜０．８Ａ×２９０Ｖとし
た。このようなスパッタにより明確な周期構造を持たな
い膜厚１０００ÅのＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜が形成され
た。
【００３４】続いて、実施例１と同様のスパッタ条件に
て上記ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜上に膜厚が２００Åとな
るようにＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜を成膜した。この時、
上記ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜との界面にＣｏ層がくるよ
うに形成した。
て上記ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜上に膜厚が２００Åとな
るようにＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜を成膜した。この時、
上記ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜との界面にＣｏ層がくるよ
うに形成した。
【００３５】実施例３
本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜であるＴｂ−ＦｅＣ
ｏＣｒ人工格子膜と、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とが順次
積層されてなる記録層が形成された光磁気ディスクの例
である。
ｏＣｒ人工格子膜と、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とが順次
積層されてなる記録層が形成された光磁気ディスクの例
である。
【００３６】本実施例では、基板回転速度を１６ｒｐｍ
に変えて、他は実施例２と同様にして二元同時マグネト
ロンスパッタリングを行った。この場合、ガラス基板１
上に形成された膜は、約４Å厚のＴｂ膜と約６Å厚のＦ
ｅＣｏＣｒ膜が交互に積層されてなる人工格子膜となっ
た。このＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の全厚は１００
０Åとし、表面にＴｂ膜が配されるように積層順を制御
した。
に変えて、他は実施例２と同様にして二元同時マグネト
ロンスパッタリングを行った。この場合、ガラス基板１
上に形成された膜は、約４Å厚のＴｂ膜と約６Å厚のＦ
ｅＣｏＣｒ膜が交互に積層されてなる人工格子膜となっ
た。このＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の全厚は１００
０Åとし、表面にＴｂ膜が配されるように積層順を制御
した。
【００３７】続いて、実施例１と同様のスパッタ条件に
て上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜上に膜厚が２００
ÅとなるようにＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜を成膜した。こ
の時、上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の表面上にＣ
ｏ層を形成した。従って、上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工
格子膜とＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の界面においてＴｂ膜
とＣｏ層が接している。
て上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜上に膜厚が２００
ÅとなるようにＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜を成膜した。こ
の時、上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の表面上にＣ
ｏ層を形成した。従って、上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工
格子膜とＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の界面においてＴｂ膜
とＣｏ層が接している。
【００３８】実施例４
上述の実施例３において、Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子
膜の表面にＴｂ膜が配されるようにしたのを、表面にＦ
ｅＣｏＣｒ膜が配されるようにし、その他は実施例３と
同様に光磁気ディスクを作製した。従って、この場合に
は、Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜とＣｏ−Ｐｔ系人工
格子膜の界面においてＦｅＣｏＣｒ膜とＣｏ層の遷移金
属層同士が接するように形成した。
膜の表面にＴｂ膜が配されるようにしたのを、表面にＦ
ｅＣｏＣｒ膜が配されるようにし、その他は実施例３と
同様に光磁気ディスクを作製した。従って、この場合に
は、Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜とＣｏ−Ｐｔ系人工
格子膜の界面においてＦｅＣｏＣｒ膜とＣｏ層の遷移金
属層同士が接するように形成した。
【００３９】比較例１
本実施例は、基板上にＣｏ層とＰｔ層が順次積層されて
なる人工格子膜のみが設けられた光磁気ディスクの例で
ある。本実施例では、実施例１におけるＣｏ−Ｐｔ系人
工格子膜の成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス基板
上に膜厚が１００Å、２００Å及び３００Åとなるよう
に人工格子膜を成膜した。
なる人工格子膜のみが設けられた光磁気ディスクの例で
ある。本実施例では、実施例１におけるＣｏ−Ｐｔ系人
工格子膜の成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス基板
上に膜厚が１００Å、２００Å及び３００Åとなるよう
に人工格子膜を成膜した。
【００４０】得られた各光磁気ディスクの磁気カー曲線
より保磁力を調べたところ、上記人工格子膜の膜厚を１
００Å、２００Å及び３００Åとした場合、それぞれ
０．２０ｋＯｅ、０．２７ｋＯｅ、０．２７ｋＯｅであ
った。
より保磁力を調べたところ、上記人工格子膜の膜厚を１
００Å、２００Å及び３００Åとした場合、それぞれ
０．２０ｋＯｅ、０．２７ｋＯｅ、０．２７ｋＯｅであ
った。
【００４１】比較例２
本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜として機能するＴｂ
ＦｅＣｏ合金膜のみが設けられた光磁気ディスクの例で
ある。本実施例では、実施例１におけるＲＥ−ＴＭ膜３
の成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス基板上に膜厚
が５００ÅとなるようにＴｂＦｅＣｏ合金膜を成膜し
た。
ＦｅＣｏ合金膜のみが設けられた光磁気ディスクの例で
ある。本実施例では、実施例１におけるＲＥ−ＴＭ膜３
の成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス基板上に膜厚
が５００ÅとなるようにＴｂＦｅＣｏ合金膜を成膜し
た。
【００４２】この光磁気ディスクの磁気カー曲線を調べ
たところ、保磁力は１２ｋＯｅであった。
たところ、保磁力は１２ｋＯｅであった。
【００４３】比較例３
本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜として機能するＴｂ
ＦｅＣｏＣｒ合金膜のみが設けられた光磁気ディスクの
例である。本実施例では、実施例２におけるＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ合金膜の成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス
基板上に膜厚が１０００ÅとなるようにＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ合金膜を成膜した。
ＦｅＣｏＣｒ合金膜のみが設けられた光磁気ディスクの
例である。本実施例では、実施例２におけるＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ合金膜の成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス
基板上に膜厚が１０００ÅとなるようにＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ合金膜を成膜した。
【００４４】この光磁気ディスクの磁気カー曲線を調べ
たところ、保磁力は６ｋＯｅであった。
たところ、保磁力は６ｋＯｅであった。
【００４５】比較例４
本実施例は、基板上にＲＥ−ＴＭ膜として機能するＴｂ
膜とＦｅＣｏＣｒ膜が順次積層されてなる人工格子膜の
みが設けられた光磁気ディスクの例である。本実施例で
は、実施例３におけるＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の
成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス基板上に膜厚が
２００Å又は１０００ÅとなるようにＴｂ−ＦｅＣｏＣ
ｒ人工格子膜をそれぞれ成膜した。
膜とＦｅＣｏＣｒ膜が順次積層されてなる人工格子膜の
みが設けられた光磁気ディスクの例である。本実施例で
は、実施例３におけるＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の
成膜時と同様のスパッタ条件にてガラス基板上に膜厚が
２００Å又は１０００ÅとなるようにＴｂ−ＦｅＣｏＣ
ｒ人工格子膜をそれぞれ成膜した。
【００４６】これら光磁気ディスクの磁気カー曲線より
保磁力を調べたところ、上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格
子膜の膜厚を２００Å、１０００Åとした場合、何れも
６ｋＯｅであった。
保磁力を調べたところ、上記Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格
子膜の膜厚を２００Å、１０００Åとした場合、何れも
６ｋＯｅであった。
【００４７】上述の実施例１乃至実施例４において作製
された光磁気ディスクについて、波長７８０ｎｍにて記
録層側より磁気光学効果を測定したところ、図２乃至図
５に示す磁気カー曲線が得られた。先ず、図２は実施例
１（Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＲＥ−ＴＭ膜の積層膜）
の磁気カー曲線を示す。縦軸は磁気カー回転角（°）を
表し、横軸は外部磁界の強さ（ｋＯｅ）をそれぞれ表
す。
された光磁気ディスクについて、波長７８０ｎｍにて記
録層側より磁気光学効果を測定したところ、図２乃至図
５に示す磁気カー曲線が得られた。先ず、図２は実施例
１（Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＲＥ−ＴＭ膜の積層膜）
の磁気カー曲線を示す。縦軸は磁気カー回転角（°）を
表し、横軸は外部磁界の強さ（ｋＯｅ）をそれぞれ表
す。
【００４８】図２に示すように、実施例１の光磁気ディ
スクでは、磁気カー曲線が階段状に変化した。これは、
記録層を構成しているＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦ
ｅＣｏ合金膜がそれぞれ異なる大きさの外部磁界で磁化
反転することに由来すると考えられる。また、この光磁
気ディスクは、大きな保磁力を有していることから、Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金膜上にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜を形成し
て交換結合させることにより、高保磁力媒体が得られる
ことが判った。
スクでは、磁気カー曲線が階段状に変化した。これは、
記録層を構成しているＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦ
ｅＣｏ合金膜がそれぞれ異なる大きさの外部磁界で磁化
反転することに由来すると考えられる。また、この光磁
気ディスクは、大きな保磁力を有していることから、Ｔ
ｂＦｅＣｏ合金膜上にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜を形成し
て交換結合させることにより、高保磁力媒体が得られる
ことが判った。
【００４９】また、図３は実施例２、図４は実施例３、
図５は実施例４の光磁気ディスクのＣｏ−Ｐｔ系人工格
子膜の磁気カー曲線をそれぞれ示す。こられの結果よ
り、いずれの場合においても、磁気カー曲線が階段状に
変化した。また、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜と接する面に
ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜やＦｅＣｏＣｒ膜が存在する場
合に、良好な結果が得られることが判った。
図５は実施例４の光磁気ディスクのＣｏ−Ｐｔ系人工格
子膜の磁気カー曲線をそれぞれ示す。こられの結果よ
り、いずれの場合においても、磁気カー曲線が階段状に
変化した。また、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜と接する面に
ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜やＦｅＣｏＣｒ膜が存在する場
合に、良好な結果が得られることが判った。
【００５０】ここで、これら各実施例の光磁気ディスク
のＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の磁化反転に相当する保磁力
（各図中、Ｈｃで示す。）を比較例１の測定結果ととも
に表１に示す。
のＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の磁化反転に相当する保磁力
（各図中、Ｈｃで示す。）を比較例１の測定結果ととも
に表１に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】表１に示すように、比較例１のようにＣｏ
−Ｐｔ系人工格子膜単層の場合と比べて、Ｃｏ−Ｐｔ系
人工格子膜とＲＥ−ＴＭ膜を積層させた場合には、保磁
力が著しく向上することが判った。また、実施例３と実
施例４から、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜との界面にＦｅＣ
ｏＣｒ層が配される場合において、極めて良好な結果が
得られることが判った。このことから、ＲＥ−ＴＭ膜を
人工格子膜とし、且つＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＲＥ−
ＴＭ膜間を遷移金属同士により結合させることが効果的
であると考えられる。
−Ｐｔ系人工格子膜単層の場合と比べて、Ｃｏ−Ｐｔ系
人工格子膜とＲＥ−ＴＭ膜を積層させた場合には、保磁
力が著しく向上することが判った。また、実施例３と実
施例４から、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜との界面にＦｅＣ
ｏＣｒ層が配される場合において、極めて良好な結果が
得られることが判った。このことから、ＲＥ−ＴＭ膜を
人工格子膜とし、且つＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＲＥ−
ＴＭ膜間を遷移金属同士により結合させることが効果的
であると考えられる。
【００５３】次に、上述の磁気光学効果の測定において
良好な結果が得られた実施例４において、Ｃｏ−Ｐｔ系
人工格子膜とＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の膜厚をそ
れぞれ表２に示すように変化させて実施例５〜８とし、
磁気光学効果を測定した。表２は、これら光磁気ディス
クのＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の保磁力を磁気光学効果か
ら調べた結果を示す。なお、表２には、比較例１及び実
施例２の結果も併せて示した。
良好な結果が得られた実施例４において、Ｃｏ−Ｐｔ系
人工格子膜とＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の膜厚をそ
れぞれ表２に示すように変化させて実施例５〜８とし、
磁気光学効果を測定した。表２は、これら光磁気ディス
クのＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の保磁力を磁気光学効果か
ら調べた結果を示す。なお、表２には、比較例１及び実
施例２の結果も併せて示した。
【００５４】
【表２】
【００５５】表２に示すように、本発明を適用した場合
には、何れも高い保磁力が得られることが判った。ま
た、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜の膜厚が一定である場合、
ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚が厚い方が効果的であり、逆にＲＥ
−ＴＭ膜の膜厚が一定の場合には、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格
子膜の膜厚が薄い方が効果的であった。また、実施例５
〜８においては、図６に示すように、これらの磁気カー
曲線に階段状の変化が見られなかった。このことから、
記録層の層厚が比較的薄い場合にはＲＥ−ＴＭ膜とＣｏ
−Ｐｔ系人工格子膜が同時に磁化反転していることが明
らかとなった。
には、何れも高い保磁力が得られることが判った。ま
た、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜の膜厚が一定である場合、
ＲＥ−ＴＭ膜の膜厚が厚い方が効果的であり、逆にＲＥ
−ＴＭ膜の膜厚が一定の場合には、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格
子膜の膜厚が薄い方が効果的であった。また、実施例５
〜８においては、図６に示すように、これらの磁気カー
曲線に階段状の変化が見られなかった。このことから、
記録層の層厚が比較的薄い場合にはＲＥ−ＴＭ膜とＣｏ
−Ｐｔ系人工格子膜が同時に磁化反転していることが明
らかとなった。
【００５６】ここで、上述の各光磁気ディスクについ
て、波長７８０ｎｍ及び４００ｎｍにて記録層側よりカ
ー回転角（°）を測定した。この結果を表３に示す。な
お、比較例４は、Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の膜厚
を１０００Åとした場合の結果を示す。
て、波長７８０ｎｍ及び４００ｎｍにて記録層側よりカ
ー回転角（°）を測定した。この結果を表３に示す。な
お、比較例４は、Ｔｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜の膜厚
を１０００Åとした場合の結果を示す。
【００５７】
【表３】
【００５８】表３より、本発明を適用した光磁気ディス
クにおいては、何れも短波長域で従来のＲＥ−ＴＭ膜
（例えば、ＴｂＦｅＣｏ系材料等）よりも大きなカー回
転角を有していることが判った。従って、短波長域でも
優れた磁気光学特性を発揮することが可能な光磁気記録
媒体を得ることができた。
クにおいては、何れも短波長域で従来のＲＥ−ＴＭ膜
（例えば、ＴｂＦｅＣｏ系材料等）よりも大きなカー回
転角を有していることが判った。従って、短波長域でも
優れた磁気光学特性を発揮することが可能な光磁気記録
媒体を得ることができた。
【００５９】以上の実験結果より、Ｃｏ−Ｐｔ系人工格
子膜とＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜あるいはＴｂ−ＦｅＣｏ
Ｃｒ人工格子膜とを積層することが、磁気特性（特に保
磁力）を向上する上で有利であることが実証された。そ
こで次に、より実際の構成に近い光磁気ディスクを作製
し、その記録磁界特性を調べた。
子膜とＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜あるいはＴｂ−ＦｅＣｏ
Ｃｒ人工格子膜とを積層することが、磁気特性（特に保
磁力）を向上する上で有利であることが実証された。そ
こで次に、より実際の構成に近い光磁気ディスクを作製
し、その記録磁界特性を調べた。
【００６０】比較例５
ガラス基板上に紫外線硬化樹脂でグルーブが形成された
２Ｐディスク基板上にマグネトロンスパッタ法によりＳ
ｉＮ膜を８００Å成膜し、続けてＣｏ−Ｐｔ人工格子膜
を２００Å成膜して２層構造の光磁気ディスクを作製し
た。ＳｉＮ膜の成膜は、スパッタガスをＡｒとＮ2 の混
合ガス（混合比率１：１）、その圧力を２×１０-3Torr
とし、ＳｉターゲットにＲＦ電力４００Ｗを投入して行
った。
２Ｐディスク基板上にマグネトロンスパッタ法によりＳ
ｉＮ膜を８００Å成膜し、続けてＣｏ−Ｐｔ人工格子膜
を２００Å成膜して２層構造の光磁気ディスクを作製し
た。ＳｉＮ膜の成膜は、スパッタガスをＡｒとＮ2 の混
合ガス（混合比率１：１）、その圧力を２×１０-3Torr
とし、ＳｉターゲットにＲＦ電力４００Ｗを投入して行
った。
【００６１】Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜の成膜は、スパッタ
ガスをＡｒ、その圧力を４×１０-3Torrとし、Ｃｏター
ゲットにＲＦ電力２５０Ｗ、ＰｔターゲットにＤＣ電力
１７０Ｗを投入して同時に放電させ、２Ｐディスク基板
を１６ｒｐｍで回転させて両原子層を交互に堆積させ
た。この条件では、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜の保磁力は３
００（Ｏｅ）となった。
ガスをＡｒ、その圧力を４×１０-3Torrとし、Ｃｏター
ゲットにＲＦ電力２５０Ｗ、ＰｔターゲットにＤＣ電力
１７０Ｗを投入して同時に放電させ、２Ｐディスク基板
を１６ｒｐｍで回転させて両原子層を交互に堆積させ
た。この条件では、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜の保磁力は３
００（Ｏｅ）となった。
【００６２】次いで、作製した光磁気ディスクについ
て、キャリア及びノイズレベルの記録磁界依存性を測定
した。評価条件は下記の通りであるが、記録パワーは最
適パワー（再生信号の２次高調波レベルが最小となるパ
ワー）とした。 評価条件 回転数 ： １０００ｒｐｍ 記録位置 ： 半径５ｃｍ 記録周波数： ５００ｋＨｚ 再生パワー： １ｍＷ
て、キャリア及びノイズレベルの記録磁界依存性を測定
した。評価条件は下記の通りであるが、記録パワーは最
適パワー（再生信号の２次高調波レベルが最小となるパ
ワー）とした。 評価条件 回転数 ： １０００ｒｐｍ 記録位置 ： 半径５ｃｍ 記録周波数： ５００ｋＨｚ 再生パワー： １ｍＷ
【００６３】結果を図７に示すが、記録磁界が２００
（Ｏｅ）を越えるとノイズレベルの増加及びキャリアレ
ベルの減少が始まり、記録磁界５００（Ｏｅ）では記録
不可能となった。高いＣＮ比が得られる記録磁界の範囲
は、５０〜２００（Ｏｅ）と非常に狭く、その記録磁界
特性は良好とは言えなかった。
（Ｏｅ）を越えるとノイズレベルの増加及びキャリアレ
ベルの減少が始まり、記録磁界５００（Ｏｅ）では記録
不可能となった。高いＣＮ比が得られる記録磁界の範囲
は、５０〜２００（Ｏｅ）と非常に狭く、その記録磁界
特性は良好とは言えなかった。
【００６４】実施例９
比較例５と同じ構造の光磁気ディスクを作製した後、続
けてＴｂＦｅＣｏ合金膜を１０００Å成膜し、その上に
ＳｉＮを５００Å成膜した。ＴｂＦｅＣｏ合金膜の成膜
は、スパッタガスをＡｒ、その圧力を４×１０-3Torrと
し、Ｔｂ23Ｆｅ73Ｃｏ4 合金ターゲットにＤＣ電力１２
０Ｗを投入して行った。成膜したＴｂＦｅＣｏ合金膜
は、遷移金属の副格子磁化が優勢である。
けてＴｂＦｅＣｏ合金膜を１０００Å成膜し、その上に
ＳｉＮを５００Å成膜した。ＴｂＦｅＣｏ合金膜の成膜
は、スパッタガスをＡｒ、その圧力を４×１０-3Torrと
し、Ｔｂ23Ｆｅ73Ｃｏ4 合金ターゲットにＤＣ電力１２
０Ｗを投入して行った。成膜したＴｂＦｅＣｏ合金膜
は、遷移金属の副格子磁化が優勢である。
【００６５】また、最上層のＳｉＮは、１層目と同じ条
件で成膜した。
件で成膜した。
【００６６】この光磁気ディスクの基板側より測定した
カーループを図８に示す。Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜は、図
中Ａ点で磁化反転するが、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜の保磁
力が比較例５で示した値〔３００（Ｏｅ）〕に比べて増
大していることは明らかである。また、図９には比較例
５と同じ条件で測定したキャリア及びノイズレベルの記
録磁界依存性を示すが、保磁力の増大を反映して比較例
５よりも記録磁界特性が大幅に改善されていることがわ
かる。さらに、最大のＣＮ比は５２ｄＢで、比較例５の
値（４８ｄＢ）よりも高くなっている。
カーループを図８に示す。Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜は、図
中Ａ点で磁化反転するが、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜の保磁
力が比較例５で示した値〔３００（Ｏｅ）〕に比べて増
大していることは明らかである。また、図９には比較例
５と同じ条件で測定したキャリア及びノイズレベルの記
録磁界依存性を示すが、保磁力の増大を反映して比較例
５よりも記録磁界特性が大幅に改善されていることがわ
かる。さらに、最大のＣＮ比は５２ｄＢで、比較例５の
値（４８ｄＢ）よりも高くなっている。
【００６７】実施例１０
ＴｂＦｅＣｏ合金膜成膜時のターゲットをＴｂ26Ｆｅ70
Ｃｏ4 合金ターゲットとした以外は実施例９と同様の手
順，条件で光磁気ディスクを作製した。この場合、Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金膜は希土類元素の副格子磁化が優勢であ
る。比較例５と同条件で測定したキャリア及びノイズレ
ベルの記録磁界依存性を図１０に示す。この図１０よ
り、実施例９で認められたＣｏ−Ｐｔ人工格子膜の保磁
力の増大、並びに光磁気ディスクの記録磁界特性の改善
効果は、ＴｂＦｅＣｏ合金膜が希土類元素の副格子磁化
が優勢の場合でも同様に得られることがわかった。
Ｃｏ4 合金ターゲットとした以外は実施例９と同様の手
順，条件で光磁気ディスクを作製した。この場合、Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金膜は希土類元素の副格子磁化が優勢であ
る。比較例５と同条件で測定したキャリア及びノイズレ
ベルの記録磁界依存性を図１０に示す。この図１０よ
り、実施例９で認められたＣｏ−Ｐｔ人工格子膜の保磁
力の増大、並びに光磁気ディスクの記録磁界特性の改善
効果は、ＴｂＦｅＣｏ合金膜が希土類元素の副格子磁化
が優勢の場合でも同様に得られることがわかった。
【００６８】また、Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜をＣｏ−Ｐｄ
人工格子膜に代えた場合、並びに希土類−遷移金属膜を
人工格子膜に代えた場合にも、同様の効果が得られた。
人工格子膜に代えた場合、並びに希土類−遷移金属膜を
人工格子膜に代えた場合にも、同様の効果が得られた。
【００６９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体においては、磁性層をＣｏ層とＰｔ
層及び／又はＰｄ層が積層された人工格子膜と希土類−
遷移金属膜とからなる多層構造とすることにより、上記
人工格子膜により短波長域での良好なカー回転角を確保
しつつ、上記希土類−遷移金属膜による高保磁力化を図
ることができる。従って、本発明によれば、次世代の短
波長レーザーを用いた高密度記録に対応可能な光磁気記
録媒体を提供することが可能となる。
明の光磁気記録媒体においては、磁性層をＣｏ層とＰｔ
層及び／又はＰｄ層が積層された人工格子膜と希土類−
遷移金属膜とからなる多層構造とすることにより、上記
人工格子膜により短波長域での良好なカー回転角を確保
しつつ、上記希土類−遷移金属膜による高保磁力化を図
ることができる。従って、本発明によれば、次世代の短
波長レーザーを用いた高密度記録に対応可能な光磁気記
録媒体を提供することが可能となる。
【図１】本発明を適用した光磁気記録媒体の一例の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】基板上にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦｅＣ
ｏ合金膜を有する光磁気ディスクの前記Ｃｏ−Ｐｔ系人
工格子膜の磁気カー曲線を示す特性図である。
ｏ合金膜を有する光磁気ディスクの前記Ｃｏ−Ｐｔ系人
工格子膜の磁気カー曲線を示す特性図である。
【図３】基板上にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ合金膜を有する光磁気ディスクの前記Ｃｏ−Ｐｔ
系人工格子膜の磁気カー曲線を示す特性図である。
ｏＣｒ合金膜を有する光磁気ディスクの前記Ｃｏ−Ｐｔ
系人工格子膜の磁気カー曲線を示す特性図である。
【図４】基板上にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂ−Ｆｅ
ＣｏＣｒ人工格子膜を有し、且つ前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工
格子膜との界面にＴｂ膜が形成された光磁気ディスクの
前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜の磁気カー曲線を示す特性
図である。
ＣｏＣｒ人工格子膜を有し、且つ前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工
格子膜との界面にＴｂ膜が形成された光磁気ディスクの
前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜の磁気カー曲線を示す特性
図である。
【図５】基板上にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂ−Ｆｅ
ＣｏＣｒ人工格子膜を有し、且つ前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工
格子膜との界面にＦｅＣｏＣｒ膜が形成された光磁気デ
ィスクの前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜の磁気カー曲線を
示す特性図である。
ＣｏＣｒ人工格子膜を有し、且つ前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工
格子膜との界面にＦｅＣｏＣｒ膜が形成された光磁気デ
ィスクの前記Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜の磁気カー曲線を
示す特性図である。
【図６】基板上に膜厚１００ÅのＣｏ−Ｐｔ系人工格子
膜と膜厚２００ÅのＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜から
なる記録層が形成された光磁気ディスクの上記Ｃｏ−Ｐ
ｔ系人工格子膜の磁気カー曲線を示す特性図である。
膜と膜厚２００ÅのＴｂ−ＦｅＣｏＣｒ人工格子膜から
なる記録層が形成された光磁気ディスクの上記Ｃｏ−Ｐ
ｔ系人工格子膜の磁気カー曲線を示す特性図である。
【図７】Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜のみを記録層とする光
磁気ディスクのキャリア及びノイズレベルの記録磁界依
存性を示す特性図である。
磁気ディスクのキャリア及びノイズレベルの記録磁界依
存性を示す特性図である。
【図８】Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦｅＣｏ合金
（遷移金属の副格子磁化が優勢）膜の積層膜を記録層と
する光磁気ディスクの基板側から測定した磁気カー曲線
を示す特性図である。
（遷移金属の副格子磁化が優勢）膜の積層膜を記録層と
する光磁気ディスクの基板側から測定した磁気カー曲線
を示す特性図である。
【図９】Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦｅＣｏ合金
（遷移金属の副格子磁化が優勢）膜の積層膜を記録層と
する光磁気ディスクのキャリア及びノイズレベルの記録
磁界依存性を示す特性図である。
（遷移金属の副格子磁化が優勢）膜の積層膜を記録層と
する光磁気ディスクのキャリア及びノイズレベルの記録
磁界依存性を示す特性図である。
【図１０】Ｃｏ−Ｐｔ系人工格子膜とＴｂＦｅＣｏ合金
（希土類元素の副格子磁化が優勢）膜の積層膜を記録層
とする光磁気ディスクのキャリア及びノイズレベルの記
録磁界依存性を示す特性図である。
（希土類元素の副格子磁化が優勢）膜の積層膜を記録層
とする光磁気ディスクのキャリア及びノイズレベルの記
録磁界依存性を示す特性図である。
１・・・基板
３・・・ＲＥ−ＴＭ膜
４・・・Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に磁性層が設けられてなる光磁気
記録媒体において、上記磁性層がＣｏ層とＰｔ層及び／
又はＰｄ層が積層された人工格子膜と希土類元素及び遷
移金属を主体とする希土類−遷移金属膜とから構成さ
れ、上記人工格子膜と上記希土類−遷移金属膜とが互い
に交換結合していることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 希土類−遷移金属膜が希土類元素と遷移
金属の合金膜であることを特徴とする請求項１記載の光
磁気記録媒体。 - 【請求項３】 希土類−遷移金属膜が希土類元素層と遷
移金属層が積層された人工格子膜であることを特徴とす
る請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 Ｃｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層が積層
された人工格子膜と希土類−遷移金属膜がＣｏ層と遷移
金属層が互いに接するように積層されていることを特徴
とする請求項３記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3244990A JPH056820A (ja) | 1990-12-28 | 1991-08-30 | 光磁気記録媒体 |
| EP91122125A EP0492584B1 (en) | 1990-12-28 | 1991-12-23 | Magneto-optical recording medium |
| DE69125919T DE69125919T2 (de) | 1990-12-28 | 1991-12-23 | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium |
| US08/548,605 US5958575A (en) | 1990-12-28 | 1995-10-26 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41635090 | 1990-12-28 | ||
| JP2-416350 | 1990-12-28 | ||
| JP3244990A JPH056820A (ja) | 1990-12-28 | 1991-08-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056820A true JPH056820A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=26536997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3244990A Pending JPH056820A (ja) | 1990-12-28 | 1991-08-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5958575A (ja) |
| EP (1) | EP0492584B1 (ja) |
| JP (1) | JPH056820A (ja) |
| DE (1) | DE69125919T2 (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR100306975B1 (ko) * | 1998-07-24 | 2001-11-30 | 황정남 | 준안정성합금을포함하는자성물질및그제조방법 |
| JP2009081315A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
| JP2010016408A (ja) * | 2009-10-19 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
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|---|---|---|---|---|
| JP3029485B2 (ja) * | 1991-07-22 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| GB9216074D0 (en) * | 1992-07-28 | 1992-09-09 | Johnson Matthey Plc | Magneto-optical recording materials system |
| US20020192506A1 (en) | 2001-06-04 | 2002-12-19 | International Business Machines Corporation | `Thermal Spring' magnetic recording media for writing using magnetic and thermal gradients |
| WO2005065281A2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-21 | The Regents Of The University Of California | Articles comprising high-electrical-conductivity nanocomposite material and method for fabricating same |
| US8632897B2 (en) * | 2008-04-30 | 2014-01-21 | Seagate Technology Llc | Multilayer hard magnet and data storage device read/write head incorporating the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
| US4587176A (en) * | 1985-01-14 | 1986-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered coherent structures for magnetic recording |
| CA1254385A (en) * | 1985-07-26 | 1989-05-23 | Noboru Sato | Magneto-optical recording medium having amorphous artificially layered structure of rare earth element and transition metal element |
| US4734829A (en) * | 1985-11-12 | 1988-03-29 | The Perkin-Elmer Corporation | Short arc lamp image transformer |
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
| US5051970A (en) * | 1987-05-08 | 1991-09-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Magneto-optic recording system with overwrite capability |
| JP2526906B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2844604B2 (ja) * | 1987-08-26 | 1999-01-06 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| DE3866314D1 (de) * | 1987-08-26 | 1992-01-02 | Sony Corp | Magnetooptischer aufzeichnungstraeger. |
| NL8803168A (nl) * | 1988-12-24 | 1990-07-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het thermomagnetisch registreren van informatie en het optisch uitlezen van de geregistreerde informatie alsmede een registratie-element dat geschikt is voor toepassing in deze werkwijze. |
| JP2630841B2 (ja) * | 1989-10-03 | 1997-07-16 | 三洋電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH03157838A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nikon Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3244990A patent/JPH056820A/ja active Pending
- 1991-12-23 EP EP91122125A patent/EP0492584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-23 DE DE69125919T patent/DE69125919T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-26 US US08/548,605 patent/US5958575A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100306975B1 (ko) * | 1998-07-24 | 2001-11-30 | 황정남 | 준안정성합금을포함하는자성물질및그제조방법 |
| JP2009081315A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
| US8098514B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and magnetic memory |
| JP2010016408A (ja) * | 2009-10-19 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0492584A3 (en) | 1993-03-17 |
| EP0492584B1 (en) | 1997-05-02 |
| EP0492584A2 (en) | 1992-07-01 |
| DE69125919T2 (de) | 1997-11-20 |
| US5958575A (en) | 1999-09-28 |
| DE69125919D1 (de) | 1997-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010626 |