JPH0569958U

JPH0569958U - 光電変換装置

Info

Publication number: JPH0569958U
Application number: JP933492U
Authority: JP
Inventors: 栄小岩井; 洋士上田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1992-02-27
Filing date: 1992-02-27
Publication date: 1993-09-21

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】従来、裏面電極と絶縁保護層とで生じていた
段差を極力小さくし、自動機等による負荷回路への接続
を確実に行うことが可能な光電変換装置を提供するこ
と。【構成】透光性の絶縁基体１上に、受光面電極層２
と、半導体層３と、裏面電極層４と、該裏面電極層の一
部を露出させる絶縁保護層５とを順次積層するととも
に、少なくとも裏面電極層の露出領域に導電ペースト６
を塗布させ、かつ該導電ペースト上に導電フィルム７を
圧着させて成る光電変換装置Ｓ_１とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は太陽電池、フォトダイオード、色センサ等の光電変換装置の電極端子形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術とその課題】

図３及び図４に示すように、従来の光電変換装置Ｓ０（アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽電池）は、例えばガラス基板１１上に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）の受光面電極層１２、ｐ−ｉ−ｎ型構造のａ−Ｓｉ半導体層１３、金属膜もしくは透明導電膜の裏面電極層１４及び樹脂の絶縁保護層１５等が、それぞれ所定形状にパターニングされて順次積層された構成となっている。

【０００３】このような光電変換装置Ｓ０をカメラ、電卓、電子手帳などの電子部品として用いる場合、負荷回路と光電変換装置Ｓ０とを接続するために、ヒートシールや異方性樹脂等の導電フィルム１６を上記露出した裏面電極層１４の端子部１４ａに接触させ、さらにラバー等のクッション部材Ｂを介して導電フィルム１６が損傷しないように圧着棒Ａにて圧着させている。

【０００４】しかしながら、従来の光電変換装置Ｓ０は裏面電極層１４と絶縁保護層１５との段差αが15μm 以上もあるうえ、圧着棒の圧着面積Ｃが裏面電極層の端子部の面積よりかなり大きいため、通常、自動圧着機等の自動機で導電フィルム１６を圧着するような場合、段差αを含む領域で自動機の圧着棒Ａが当接することにより、圧着棒Ａなどの治具やラバー等のクッション部材Ｂに損傷が生じて稼動率が著しく低下していた。

【０００５】

【考案の目的】

そこで、本考案は上記問題点に鑑み案出されたものであり、従来裏面電極と絶縁保護層とで生じていた段差を極力小さくし、圧着自動機等による負荷回路への接続を確実に行うことが可能な光電変換装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

上記課題を解決するために、本考案の光電変換装置は、透光性の絶縁基体上に、受光面電極層と、半導体層と、裏面電極層と、該裏面電極層の一部を露出させる絶縁保護層とを順次積層するとともに、少なくとも裏面電極層の露出領域に導電ペーストを塗布させ、かつ該導電ペースト上に導電フィルムを圧着させて成る構成とする。

【０００７】

【実施例】

本考案に係る一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。図１及び図２に示すように、光電変換装置Ｓ１（ａ−Ｓｉ太陽電池）は、その受光面側に位置する透光性の絶縁基体１（10mm×29mm×1.1mm ）として白板や青板ガラス等を用いる。なお、ここで絶縁基体１がアルカリ金属等の不純物元素を多く含んだものであれば、その表面に酸化シリコン等の絶縁層を被覆して、受光面電極層２への不純物の拡散を防止する。

【０００８】絶縁基体１上には所定形状にパターニングした受光面電極層２を設ける。これは、絶縁基体１の温度を50〜600 ℃程度に加熱し、酸化スズまたは酸化インジウムスズを主体とする透明導電膜の受光面電極層２を種々の化学的製法（スプレー法、ＣＶＤ法等）や物理的製法（電子ビーム蒸着法、スパッタ法等）により厚さ 0.01〜1 μｍ程度に形成する。

【０００９】次いで、受光面電極層２上にａ−Ｓｉの半導体層３をプラズマＣＶＤ法によりｐ−ｉ−ｎ層を形成する。ｐ層はホストガスとしてシラン等を、ドーピングガスとしてジボラン等を、希釈ガスとして水素を各々使用し、0.005 〜0.03μｍ程度の膜厚に形成する。ｉ層はｐ層と同様なシランと水素とを使用し、膜厚0.3 〜1 μｍ程度に形成する。ｎ層はホストガス及び希釈ガスとしてｐ層と同様とし、ドーピングガスとしてホスフィンを使用して膜厚0.02〜0.1 μｍ程度に形成する。

【００１０】次いで、半導体層３上にニッケルやアルミニウム等の裏面電極層４を電子ビーム蒸着法などにより膜厚0.03〜0.3 μｍ程度に形成する。その後、化学的エッチング等により裏面電極層４を所定形状にパターニングする。

【００１１】さらに、スクリーン印刷法により裏面電極層４の電極端子となる所定箇所（1 mm×2 mm; 2 箇所) ４ａ，４ａを残して、裏面電極層４上にエポキシ系樹脂の絶縁保護層５を厚さ 5〜100 μｍ程度に塗布する。

【００１２】そして、上記所定箇所４ａ，４ａを含む5.5 mm×5.5 mmの箇所には、熱硬化型の銅ペーストや銀ペーストなどの導電ペースト６をスクリーン印刷法により裏面電極層４と絶縁保護層５との間に塗布印刷して乾燥させる。その後、ヒートシールや異方性樹脂等の導電フィルム７を導電ペースト６上に載置して、さらにラバー等のクッション部材Ｂを介して、自動機の圧着棒（接触面積Ｃ;5 mm ×5 mm;2 5 mm²) Ａにて圧着させることにより負荷回路との接続を行った。

【００１３】これにより、段差βは導電ペースト６と絶縁保護層５との間で生じるが、この段差βは10μm 以下であるうえに、圧着棒Ａにて圧着される面積Ｃは導電ペースト６の塗布領域より狭いので圧着棒Ａの変形やクッション部材Ｂ等の磨耗による損傷がなく、自動機の稼働率を従来より著しく向上させることが可能となった。

【００１４】なお、本実施例では光半導体装置としてａ−Ｓｉ太陽電池の一例を示したが、この他に例えば色センサやカメラ用のａ−Ｓｉフォトダイオード等の光電変換装置にも応用できることはもちろんである。

【００１５】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案の光電変換装置によれば、従来のように裏面電極層と絶縁保護層との段差が無く、しかも絶縁保護層と導電ペーストとの段差も無視できるほど小さくすることが可能であるので、この箇所に導電フィルムを圧着させる場合に、段差の影響を受けることがなく、圧着自動機などによる稼働率を従来より著しく向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る光電変換装置の一実施例を示す断
面図である。

【図２】図１の絶縁保護層側から見た平面図である。

【図３】従来の光電変換装置の一例を示す断面図であ
る。

【図４】図３の絶縁保護層側から見た平面図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基体２・・・受
光面電極層３・・・半導体層４・・・裏
面電極層５・・・絶縁保護層６・・・導
電ペースト７，１６・・・導電フィルムＳ０，Ｓ１・・・光電変換装置Ａ・・・圧着棒Ｂ・・・導
電フィルム

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】透光性の絶縁基体上に、受光面電極層
と、半導体層と、裏面電極層と、該裏面電極層の一部を
露出させる絶縁保護層とを順次積層するとともに、少な
くとも前記裏面電極層の露出領域に導電ペーストを塗布
させ、かつ該導電ペースト上に導電フィルムを圧着させ
て成る光電変換装置。