JPH0571188B2 - - Google Patents
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- JPH0571188B2 JPH0571188B2 JP61184808A JP18480886A JPH0571188B2 JP H0571188 B2 JPH0571188 B2 JP H0571188B2 JP 61184808 A JP61184808 A JP 61184808A JP 18480886 A JP18480886 A JP 18480886A JP H0571188 B2 JPH0571188 B2 JP H0571188B2
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- layer
- doped
- emitter
- collector
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高速・高速周波特性を有するホツ
ト・エレクトロン・トランジスタに関する。
ト・エレクトロン・トランジスタに関する。
電界効果トランジスタに比べて、ホツト・エレ
クトロン・トランジスタ（以下HETと記す）は、
トンネル効果でベース領域に高エネルギーで注入
されたキヤリアが高速度でベース領域を通過する
ため、動作周波数や動作速度の大幅な改善が期待
されており、現在では数多くの研究機関で研究・
開発が行なわれるようになつてきた。
クトロン・トランジスタ（以下HETと記す）は、
トンネル効果でベース領域に高エネルギーで注入
されたキヤリアが高速度でベース領域を通過する
ため、動作周波数や動作速度の大幅な改善が期待
されており、現在では数多くの研究機関で研究・
開発が行なわれるようになつてきた。
第６図は従来技術によるHETの基本構造断面
図で、例えばヘイブラム（Heiblum）等により
アブライド・フイズイツクス・レターズ（Aprl.
Phys.Lett）vol.47，No.10，pp.1150−1107，
Nov.1985に報告されている。
図で、例えばヘイブラム（Heiblum）等により
アブライド・フイズイツクス・レターズ（Aprl.
Phys.Lett）vol.47，No.10，pp.1150−1107，
Nov.1985に報告されている。
第６図において、１はエミツタ電極、２はベー
ス電極、３はコレクタ電極、５１はＮ形GaAsの
ベース層、５２はノンドープAl0.35Ga0.65Asのエ
ミツタ障壁層、５３はＮ形GaAsのエミツタ層、
５４はノンドープAl0.25Ga0.75Asのコレクタ障壁
層、５５はＮ形GaAsのコレクタ層、１０はN+
GaAsの基板である。
ス電極、３はコレクタ電極、５１はＮ形GaAsの
ベース層、５２はノンドープAl0.35Ga0.65Asのエ
ミツタ障壁層、５３はＮ形GaAsのエミツタ層、
５４はノンドープAl0.25Ga0.75Asのコレクタ障壁
層、５５はＮ形GaAsのコレクタ層、１０はN+
GaAsの基板である。
また、第７図ａは本HETの熱平衡状態の、ま
た第７図ｂは動作状態での伝導帯下端ECの各エ
ネルギー分布を示したもので、３０は注入電子を
表わす。
た第７図ｂは動作状態での伝導帯下端ECの各エ
ネルギー分布を示したもので、３０は注入電子を
表わす。
ところで、従来構造のHETではベース層のド
ナー濃度はベース抵抗を下げるために、できるだ
け高濃度にした方が有利である。しかしながら、
ベース層が高濃度の場合には、たとえエミツタか
ら電子が高エネルギーで注入されても、ある程度
の距離があると不純物散乱およびプラズモン散乱
の影響が大きく高速度のままコレクタに到達する
電子の数が大幅に減少するという問題があり、い
わゆるキヤリアのエミツタからコレクタへの到達
率αが小さく良好な特性が得られなかつた。
ナー濃度はベース抵抗を下げるために、できるだ
け高濃度にした方が有利である。しかしながら、
ベース層が高濃度の場合には、たとえエミツタか
ら電子が高エネルギーで注入されても、ある程度
の距離があると不純物散乱およびプラズモン散乱
の影響が大きく高速度のままコレクタに到達する
電子の数が大幅に減少するという問題があり、い
わゆるキヤリアのエミツタからコレクタへの到達
率αが小さく良好な特性が得られなかつた。
不純物散乱の場合にはある程度の高エネルギー
電子に対しては小角度散乱であるため、その影響
はそれほど深刻ではないが、プラズモン散乱は不
純物濃度が大きいとその影響がきわめて大きいた
めに、この影響を軽減しなければ良好な特性は望
めないという状況にあつた。
電子に対しては小角度散乱であるため、その影響
はそれほど深刻ではないが、プラズモン散乱は不
純物濃度が大きいとその影響がきわめて大きいた
めに、この影響を軽減しなければ良好な特性は望
めないという状況にあつた。
一方、ベース抵抗の劣化を招かずに高濃度にす
るには高濃度の厚さを薄くすればある程度は上記
影響を軽減できるもののコンタクトがとりにくい
などプロセス上の制約が大きくなり良好な特性の
HETを実現するのは極めて困難であつた。
るには高濃度の厚さを薄くすればある程度は上記
影響を軽減できるもののコンタクトがとりにくい
などプロセス上の制約が大きくなり良好な特性の
HETを実現するのは極めて困難であつた。
本発明の目的は、上記問題点を解消してキヤリ
ア到達率が大きく良好な高速・高周波特性を有す
るHETを提供することである。
ア到達率が大きく良好な高速・高周波特性を有す
るHETを提供することである。
第１の本発明のHETは、ノンドープの第１の
半導体層の片側に、第１の半導体層より電子親和
度の小さいＮ形のベース層となる第２の半導体
層、第２の半導体層より電子親和度の小さいエミ
ツタ障壁層となるノンドープの第３の半導体層、
第３の半導体層より電子親和度が大きいＮ形のエ
ミツタ層となる第４の半導体層が順次形成され、 また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対
側に、第２の半導体層より電子親和度が小さいノ
ンドープのコレクタ障壁層となる第５の半導体
層、第５の半導体層により電子親和度の大きいＮ
形のコレクタ層となる第６の半導体層が順次形成
され、 第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の半
導体層にオーム性接触するベース電極、エミツタ
電極及びコレクタ電極が形成されたことを特徴と
する。
半導体層の片側に、第１の半導体層より電子親和
度の小さいＮ形のベース層となる第２の半導体
層、第２の半導体層より電子親和度の小さいエミ
ツタ障壁層となるノンドープの第３の半導体層、
第３の半導体層より電子親和度が大きいＮ形のエ
ミツタ層となる第４の半導体層が順次形成され、 また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対
側に、第２の半導体層より電子親和度が小さいノ
ンドープのコレクタ障壁層となる第５の半導体
層、第５の半導体層により電子親和度の大きいＮ
形のコレクタ層となる第６の半導体層が順次形成
され、 第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の半
導体層にオーム性接触するベース電極、エミツタ
電極及びコレクタ電極が形成されたことを特徴と
する。
第２の本発明のHETは、ノンドープの第１の
半導体層の片側に、第１の半導体層より電子親和
度とバンドギヤツプの和が大きいＰ形のベース層
となる第２の半導体層、第２の半導体層より電子
親和度とバンドギヤツプの和が大きいエミツタ障
壁層となるノンドープの第３の半導体層、第３の
半導体層より電子親和度バンドギヤツプの和が小
さいＰ形のエミツタ層となる第４の半導体層が順
次形成され、 また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対
側に、第２の半導体層より電子親和度とバンドギ
ヤツプの和が大きいノンドープのコレクタ障壁層
となる第５の半導体層、第５の半導体層より電子
親和度とバンドギヤツプの和が小さいＰ形のコレ
クタ層となる第６の半導体層が順次形成され、 第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の半
導体層にオーム性接触するベース電極、エミツタ
電極及びコレクタ電極が形成されたことを特徴と
する。
半導体層の片側に、第１の半導体層より電子親和
度とバンドギヤツプの和が大きいＰ形のベース層
となる第２の半導体層、第２の半導体層より電子
親和度とバンドギヤツプの和が大きいエミツタ障
壁層となるノンドープの第３の半導体層、第３の
半導体層より電子親和度バンドギヤツプの和が小
さいＰ形のエミツタ層となる第４の半導体層が順
次形成され、 また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対
側に、第２の半導体層より電子親和度とバンドギ
ヤツプの和が大きいノンドープのコレクタ障壁層
となる第５の半導体層、第５の半導体層より電子
親和度とバンドギヤツプの和が小さいＰ形のコレ
クタ層となる第６の半導体層が順次形成され、 第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の半
導体層にオーム性接触するベース電極、エミツタ
電極及びコレクタ電極が形成されたことを特徴と
する。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明によるHETの基本構造断面図
で、１はエミツ電極、２はベース電極、３はコレ
クタ電極、１１はノンドープベース層、１２はＮ
形ベース層、１３はノンドープのエミツタ障壁
層、１４はＮ形のエミツタ層、１５はノンドープ
のコレクタ障壁層、１６はＮ形のコレクタ層、１
０はN+の基板である。
で、１はエミツ電極、２はベース電極、３はコレ
クタ電極、１１はノンドープベース層、１２はＮ
形ベース層、１３はノンドープのエミツタ障壁
層、１４はＮ形のエミツタ層、１５はノンドープ
のコレクタ障壁層、１６はＮ形のコレクタ層、１
０はN+の基板である。
また、第２図ａは、第１図に示したHETの熱
平衡状態での伝達帯下端ECのエネルギー分布図
で、図に示す様にノンドープベース層１１のEC
はベース層１２のECよりΔENだけ小さくなつてい
る。
平衡状態での伝達帯下端ECのエネルギー分布図
で、図に示す様にノンドープベース層１１のEC
はベース層１２のECよりΔENだけ小さくなつてい
る。
第２図ｂは、第１図に示したHETの動作状態
でのECのエネルギー分布図で、３０はトンネル
効果によりベース層へ注入された電子を示す。
でのECのエネルギー分布図で、３０はトンネル
効果によりベース層へ注入された電子を示す。
さて、第２図のエネルギー分布図に示すよう
に、ベース層１２の不純物濃度を大きくしても、
ベース層１２の幅をある程度小さくしてやれば、
高エネルギーで注入された電子は不純物とプラズ
モン散乱の影響をあまり受けずにベース層１２を
通過することができる。
に、ベース層１２の不純物濃度を大きくしても、
ベース層１２の幅をある程度小さくしてやれば、
高エネルギーで注入された電子は不純物とプラズ
モン散乱の影響をあまり受けずにベース層１２を
通過することができる。
またベース層１２を通過した電子はベース層１
２とノンドープ・ベース層１１の境界でΔENのエ
ネルギーを得て加速され、さらに、ノンドープ・
ベース層１１は動作状態では第２図ｂに示すかう
に、ECに傾きが生じて電子を加速する電界が生
じ、この領域においても電子は加速されることと
なる。
２とノンドープ・ベース層１１の境界でΔENのエ
ネルギーを得て加速され、さらに、ノンドープ・
ベース層１１は動作状態では第２図ｂに示すかう
に、ECに傾きが生じて電子を加速する電界が生
じ、この領域においても電子は加速されることと
なる。
従つて、電子はベース領域を極めて高速度で通
過でき、しかもノンドープ・ベース層１１では不
純物とプラズモン散乱の影響もないため、すべて
の電子がコレクタ層へ透過することができる。さ
らに全ベース領域はベース層１２とノンドープ・
ベース層１１の厚さがあるのでコンタクト形成や
その他プロセス上の問題は生じない。
過でき、しかもノンドープ・ベース層１１では不
純物とプラズモン散乱の影響もないため、すべて
の電子がコレクタ層へ透過することができる。さ
らに全ベース領域はベース層１２とノンドープ・
ベース層１１の厚さがあるのでコンタクト形成や
その他プロセス上の問題は生じない。
以上はキヤリアが電子の場合について説明した
が、正孔の場合にも同様に理解できる。
が、正孔の場合にも同様に理解できる。
基本構造は第１図と同様であり、第３図ａに熱
平衡状態での価電子帯上端EVのエネルギー帯分
布図を、また第３図ｂに動作状態での分布図を示
す。
平衡状態での価電子帯上端EVのエネルギー帯分
布図を、また第３図ｂに動作状態での分布図を示
す。
この場合にも、電子の場合と同様に注入された
正孔は不純物とプラズモン散乱の影響をあまり受
けずにＰ形のベース層１２を通過し、さらにΔEN
及びノンドープ・ベース層１１の電界でさらに加
速されて高速でコレクタ層１６に到達できる。
正孔は不純物とプラズモン散乱の影響をあまり受
けずにＰ形のベース層１２を通過し、さらにΔEN
及びノンドープ・ベース層１１の電界でさらに加
速されて高速でコレクタ層１６に到達できる。
次に、本発明によるHETの実施例を説明する。
第４図は第１の本発明によるHETの実施例の
構造断面図で、以下の様にして作製される。
構造断面図で、以下の様にして作製される。
まず、GaAsの半絶縁性基板４９の上に、例え
ば、分子線エピタキシー（MBE）法により、不
純物濃度３×1018cm-3のＮ形GaAsのコレクタ・
コンタクト層４８を5000Å、不純物濃度２×1017
cm-3のＮ形GaAsのコレクタ層１６を1500Å、ノ
ンドープAl0.25Ga0.75Asのコレクタ障壁層１５を
1000Å、In0.1Ga0.9のノンドープ・ベース層１１
を350Å、不純物濃度２×1018cm-3のＮ形GaAsの
ベース層１２を350Å、ノンドープAl0.35Ga0.65As
のエミツタ障壁層１３を100Å、不純物濃度２×
1017cm-3のＮ形GaAsのエミツタ層１４を1500Å、
および不純物濃度３×1018cm-3のＮ形GaAsのエ
ミツタ・コンタクト層４７を3000Å、順次に成長
させる。
ば、分子線エピタキシー（MBE）法により、不
純物濃度３×1018cm-3のＮ形GaAsのコレクタ・
コンタクト層４８を5000Å、不純物濃度２×1017
cm-3のＮ形GaAsのコレクタ層１６を1500Å、ノ
ンドープAl0.25Ga0.75Asのコレクタ障壁層１５を
1000Å、In0.1Ga0.9のノンドープ・ベース層１１
を350Å、不純物濃度２×1018cm-3のＮ形GaAsの
ベース層１２を350Å、ノンドープAl0.35Ga0.65As
のエミツタ障壁層１３を100Å、不純物濃度２×
1017cm-3のＮ形GaAsのエミツタ層１４を1500Å、
および不純物濃度３×1018cm-3のＮ形GaAsのエ
ミツタ・コンタクト層４７を3000Å、順次に成長
させる。
次に、HETの不要部分をエツチング除去して
ベース層１２及び、N+形GaAsのコレクト・コン
タクト層４８の表面を露出させ、最後に通常の方
法によりエミツタ電極１、ベース電極２及びコレ
クタ電極３を形成してHETを完成させる。
ベース層１２及び、N+形GaAsのコレクト・コン
タクト層４８の表面を露出させ、最後に通常の方
法によりエミツタ電極１、ベース電極２及びコレ
クタ電極３を形成してHETを完成させる。
ここで、ノンドープ・ベース層１１はAlGaAs
やGaAsに格子整合しない、いわゆる歪格子層と
なつているが、InAsにモル比が0.1では400Å近く
の厚さまで転位などの発生が無く良好な結晶が得
られるものである。
やGaAsに格子整合しない、いわゆる歪格子層と
なつているが、InAsにモル比が0.1では400Å近く
の厚さまで転位などの発生が無く良好な結晶が得
られるものである。
第５図に本発明によるHETのキヤリア到達率
αのベース・エミツタ電圧依存性を示す。ここ
で、コレクタ・ベース電圧は0.6Vで○印が本発
明によるもの、●印はベース濃度１×1018cm-3と
して厚さ700Åのときの従来技術によるHETのキ
ヤリア到達率αである。
αのベース・エミツタ電圧依存性を示す。ここ
で、コレクタ・ベース電圧は0.6Vで○印が本発
明によるもの、●印はベース濃度１×1018cm-3と
して厚さ700Åのときの従来技術によるHETのキ
ヤリア到達率αである。
第５図から明らかな様に、本発明により大幅な
改善がなされた。
改善がなされた。
次に正孔がキヤリアの場合の本発明による
HETの実施例を示す。構造断面図は第４図と同
様で以下の様に作製される。
HETの実施例を示す。構造断面図は第４図と同
様で以下の様に作製される。
GaAsの半絶縁性基板４９上に、MBE法によ
り不純物濃度１×1019cm-3のＰ形GaAsのコレク
タ・コンタクト層４８′を5000Å、不純物濃度３
×1018cm-3のＰ形GaAsのコレクタ層１６′を1000
Å、ノンドープAl0.3Ga0.7Asのコレクタ障壁層１
５′を800Å、In0.1Ga0.9Asのノンドープ・ベース
層１１′を350Å、不純物濃度５×1018cm-3のＰ形
GaAsのベース層１２′を350Å、ノンドープAI0.5
Ga0.5Asのエミツタ障壁層１３′を100Å、不純物
濃度３×1018cm-3のＰ形GaAsのエミツタ障壁層
１４′を1000Å、および不純物濃度１×1019cm-3
のＰ形GaAsのエミツタ・コンタクト層４７′を
3000Å順次に成長させる。
り不純物濃度１×1019cm-3のＰ形GaAsのコレク
タ・コンタクト層４８′を5000Å、不純物濃度３
×1018cm-3のＰ形GaAsのコレクタ層１６′を1000
Å、ノンドープAl0.3Ga0.7Asのコレクタ障壁層１
５′を800Å、In0.1Ga0.9Asのノンドープ・ベース
層１１′を350Å、不純物濃度５×1018cm-3のＰ形
GaAsのベース層１２′を350Å、ノンドープAI0.5
Ga0.5Asのエミツタ障壁層１３′を100Å、不純物
濃度３×1018cm-3のＰ形GaAsのエミツタ障壁層
１４′を1000Å、および不純物濃度１×1019cm-3
のＰ形GaAsのエミツタ・コンタクト層４７′を
3000Å順次に成長させる。
次に、HETの不要部分をエツチング除去して
ベース層１２′、P+形GaAsのコレクタ・コンタ
クト層４８′の表面を露出させ、最後に通常の方
法でエミツタ電極１、ベース電極２及びコレクタ
電極３を形成してHETを完成させる。
ベース層１２′、P+形GaAsのコレクタ・コンタ
クト層４８′の表面を露出させ、最後に通常の方
法でエミツタ電極１、ベース電極２及びコレクタ
電極３を形成してHETを完成させる。
以上の実施例ではAlGaAs／GaAs／InGaAsを
用いたが本発明はもちろんこれらの材料に限られ
ることはなく、他の材料でも実現できる。
用いたが本発明はもちろんこれらの材料に限られ
ることはなく、他の材料でも実現できる。
以上の詳細な説明から明らかなように、本発明
によればベース抵抗の増加を伴うことなく注入キ
ヤリアに対して不純物およびプラズモン散乱の影
響を著しく軽減できるので、大きなキヤリア到達
を有する超高速・高周波のHETが実現でき、今
後の通信・情報技術に寄与するところが極めて大
である。
によればベース抵抗の増加を伴うことなく注入キ
ヤリアに対して不純物およびプラズモン散乱の影
響を著しく軽減できるので、大きなキヤリア到達
を有する超高速・高周波のHETが実現でき、今
後の通信・情報技術に寄与するところが極めて大
である。
第１図は本発明によるHETの基本構造断面図、
第２図、第３図は第１の本発明、第２の本発明の
エネルギー分布図、第４図は第１の本発明の一実
施例の構造断面図、第６図、第７図は従来例の構
造断面図、エネルギー帯図および第５図は本発明
の実施例と従来例のキヤリア到達率をそれぞれ示
す。 １……エミツタ電極、２……ベース電極、３…
…コレクタ電極、１０……基板、１１，１１′…
…アンドープ・ベース層、１２，１２′，５１…
…ベース層、１３，１３′，５２……エミツタ障
壁層、１４，１４′５３……エミツタ層、１５，
１５′，５４……コレクタ障壁層、１６，１６′，
５５……コレクタ層、４７，４７′……エミツ
タ・コンタクト層、４８，４８′……コレクタ・
コンタクト層、４９……半絶縁性基板、３０……
注入電子、４０……注入正孔。
第２図、第３図は第１の本発明、第２の本発明の
エネルギー分布図、第４図は第１の本発明の一実
施例の構造断面図、第６図、第７図は従来例の構
造断面図、エネルギー帯図および第５図は本発明
の実施例と従来例のキヤリア到達率をそれぞれ示
す。 １……エミツタ電極、２……ベース電極、３…
…コレクタ電極、１０……基板、１１，１１′…
…アンドープ・ベース層、１２，１２′，５１…
…ベース層、１３，１３′，５２……エミツタ障
壁層、１４，１４′５３……エミツタ層、１５，
１５′，５４……コレクタ障壁層、１６，１６′，
５５……コレクタ層、４７，４７′……エミツ
タ・コンタクト層、４８，４８′……コレクタ・
コンタクト層、４９……半絶縁性基板、３０……
注入電子、４０……注入正孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ノンドープの第１の半導体層の片側に、該第
１の半導体層より電子親和度の小さいＮ形のベー
ス層となる第２の半導体層、該第２の半導体層よ
り電子親和度の小さいエミツタ障壁層となるノン
ドープの第３の半導体層、該第３の半導体層より
電子親和度が大きいＮ形のエミツタ層となる第４
の半導体層が順次形成され、 また前記第１の半導体層の前記第２の半導体層
とは反対側に、前記第２の半導体層より電子親和
度が小さいノンドープのコレクタ障壁層となる第
５の半導体層、該第５の半導体層より電子親和度
の大きいＮ形のコレクタ層となる第６の半導体層
が順次形成され、 前記第２の半導体層、第４の半導体層及び第６
の半導体層にオーム性接触するベース電極、エミ
ツタ電極及びコレクタ電極が形成されたことを特
徴とするホツト・エレクトロン・トランジスタ。 ２ ノンドープの第１の半導体層の片側に、該第
１の半導体層より電子親和度とバンドギヤツプの
和が大きいＰ形のベース層となる第２の半導体
層、該第２の半導体層より電子親和度とバンドギ
ヤツプの和が大きいエミツタ障壁層となるノンド
ープの第３の半導体層、該第３の半導体層より電
子親和度とバンドギヤツプの和が小さいＰ形のエ
ミツタ層となる第４の半導体層が順次形成され、 また前記第１の半導体層の前記第２の半導体層
とは反対側に前記第２の半導体層より電子親和度
とバンドギヤツプの和が大きいノンドープのコレ
クタ障壁層となる第５の半導体層、該第５の半導
体層より電子親和度とバンドギヤツプの和が小さ
いＰ形のエミツタ層となる第６の半導体層が順次
形成され、 前記第２の半導体層、第４の半導体層及び第６
の半導体層にオーム性接触するベース電極、エミ
ツタ電極及びコレクタ電極が形成されたことを特
徴とするホツト・エレクトロン・トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184808A JPS6340370A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | ホツト・エレクトロン・トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184808A JPS6340370A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | ホツト・エレクトロン・トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340370A JPS6340370A (ja) | 1988-02-20 |
| JPH0571188B2 true JPH0571188B2 (ja) | 1993-10-06 |
Family
ID=16159651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61184808A Granted JPS6340370A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | ホツト・エレクトロン・トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340370A (ja) |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61184808A patent/JPS6340370A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340370A (ja) | 1988-02-20 |
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