JPS6340370A - ホツト・エレクトロン・トランジスタ - Google Patents
ホツト・エレクトロン・トランジスタInfo
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- JPS6340370A JPS6340370A JP61184808A JP18480886A JPS6340370A JP S6340370 A JPS6340370 A JP S6340370A JP 61184808 A JP61184808 A JP 61184808A JP 18480886 A JP18480886 A JP 18480886A JP S6340370 A JPS6340370 A JP S6340370A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
- H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高速・超高周波特性を有するホット・エレク
トロン・トランジスタに関する。
トロン・トランジスタに関する。
電界効果トランジスタに比べ、ホット・エレクトロン・
トランジスタ（以下ＨＥＴと記す）は、トンネル効果で
ベース領域に高エネルギーで注入されたキャリアが高速
度でベース領域を通過するため、動作周波数や動作速度
の大幅な改善が期待されており、現在では数多くの研究
機関で研究・開発が行なわれるようになってきた。
トランジスタ（以下ＨＥＴと記す）は、トンネル効果で
ベース領域に高エネルギーで注入されたキャリアが高速
度でベース領域を通過するため、動作周波数や動作速度
の大幅な改善が期待されており、現在では数多くの研究
機関で研究・開発が行なわれるようになってきた。
第６図は従来技術によるＨＥＴの基本構造断面図で、例
えばヘイプラム（Ｈｅｉｂｌｕｍ ）等によりアプライ
ド・フィズイックス・レターズ（Ａｐｒｌ。
えばヘイプラム（Ｈｅｉｂｌｕｍ ）等によりアプライ
ド・フィズイックス・レターズ（Ａｐｒｌ。
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、） ｖｏｌ、４７．Ｎｏ、１０
ｔｌ）ｐ、１１０５−１１０７．Ｎｏｖ、１９８５
に報告されている。
ｔｌ）ｐ、１１０５−１１０７．Ｎｏｖ、１９８５
に報告されている。
第６図において、１はエミッタ電極、２はベース電極、
３はコレクタ電極、５１はＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのベース
層、５２はノンドープＡＩＯ，ｓｓ Ｇａｏ、ＨＡｓの
エミッタ障壁層、５３はＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのエミッタ
層、５４はノンドープｋｌａｚｓ Ｇａｏ、ＨＡｓのコ
レクタ障壁層、５５はＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクタ層
、１０はＮ＋Ｇ ａ Ａ ｓの基板である。
３はコレクタ電極、５１はＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのベース
層、５２はノンドープＡＩＯ，ｓｓ Ｇａｏ、ＨＡｓの
エミッタ障壁層、５３はＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのエミッタ
層、５４はノンドープｋｌａｚｓ Ｇａｏ、ＨＡｓのコ
レクタ障壁層、５５はＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクタ層
、１０はＮ＋Ｇ ａ Ａ ｓの基板である。
また、第７図（ａ）は本ＷＥＴの熱平衡状態の、また第
７図（ｂ）は動作状態での伝導帯下端Ｅｃの各エネルギ
ー分布を示したもので、３０は注入電子を表わす。
７図（ｂ）は動作状態での伝導帯下端Ｅｃの各エネルギ
ー分布を示したもので、３０は注入電子を表わす。
ところで、従来構造のＨＥＴではベース層のドナー濃度
はベース抵抗を下げるために、できるだけ高濃度にした
方が有利である。しかしながら、ベース層が高濃度の場
合には、たとえエミッタから電子が高エネルギーで注入
されても、ある程度の距離があると不純物散乱およびプ
ラズモン散乱の影響が犬きく高速度のままコレクタに到
達する電子の数が大幅に減少するという問題があり、い
わゆるキャリアのエミッタからコレクタへの到達率αが
小さく良好な特性が得られなかった。
はベース抵抗を下げるために、できるだけ高濃度にした
方が有利である。しかしながら、ベース層が高濃度の場
合には、たとえエミッタから電子が高エネルギーで注入
されても、ある程度の距離があると不純物散乱およびプ
ラズモン散乱の影響が犬きく高速度のままコレクタに到
達する電子の数が大幅に減少するという問題があり、い
わゆるキャリアのエミッタからコレクタへの到達率αが
小さく良好な特性が得られなかった。
不純物散乱の場合にはある程度の高エネルギー電子に対
しては小角度散乱であるため、その影響はそれほど深刻
ではないが、プラズモン散乱は不純物濃度が大きいとそ
の影響がきわめて大きいために、この影響を軽減しなけ
れば良好な特性は望めないという状況にあった。
しては小角度散乱であるため、その影響はそれほど深刻
ではないが、プラズモン散乱は不純物濃度が大きいとそ
の影響がきわめて大きいために、この影響を軽減しなけ
れば良好な特性は望めないという状況にあった。
一方、ベース抵抗の劣化を招かずに高濃度にするには高
濃度層の厚さを薄くすればある程度は上記影響を軽減で
きるもののコンタクトがと９にくいなどプロセス上の制
約が大きくなり良好な特性のＨＥＴを実現するのは極め
て困難であった。
濃度層の厚さを薄くすればある程度は上記影響を軽減で
きるもののコンタクトがと９にくいなどプロセス上の制
約が大きくなり良好な特性のＨＥＴを実現するのは極め
て困難であった。
本発明の目的は、上記問題点を解消してキャリア到達率
が大きく良好な高速・高周波特性を有するＨＥＴを提供
することである。
が大きく良好な高速・高周波特性を有するＨＥＴを提供
することである。
第１の本発明のＨＥＴは、ノンドープの第１の半導体層
の片側に、第１の半導体層より電子親和度の小さいＮ形
のに一ス層となる第２の半導体層、第２の半導体層より
電子親和度の小さいエミッタ障壁層となるノンドープの
第３の半導体層、第３の半導体層より電子親和度が大き
いＮ形のエミッタ層となる第４の半導体層が頭次形成さ
れ、また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対側に
、第２の半導体層より電子親和度が小さいノンドープの
コレクタ障壁層となる第５の半導体層、第５の半導体層
より電子親和度の大きいＮ形のコレクタ層となる第６の
半導体層が順次形成され、第２の半導体層、第４の半導
体層及び第６の半導体層にオーム性接触するベース電極
、エミッタ電極及びコレクタ電極が形成されたことを特
徴と導体層の片側に、第１の半導体層より電子親和度と
バンドギャップの和が大きいＰ形のベース層となる第２
の半導体層、第２の半導体層より電子親和度トバンドギ
ャップの和が大きいエミッタ障壁層となるノンドープの
第３の半導体層、第３の半導体層より電子親和度バンド
ギャップの和が小さいＰ形のエミ、り層となる第４の半
導体層が順次形成され、 また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対側に、第
２の半導体層より電子親和度とバざドギャップの和が大
きいノンドープのコレクタ障壁層となる第５の半導体層
、第５の半導体層より電子親和度とバンドギャップの和
が小さいＰ形のコレクタ層となる第６の半導体層が順次
形成され、第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の
半導体層にオーム性接触するベース電極、エミッタ電極
及びコレクタ電極が形成されたことを特徴とする。
の片側に、第１の半導体層より電子親和度の小さいＮ形
のに一ス層となる第２の半導体層、第２の半導体層より
電子親和度の小さいエミッタ障壁層となるノンドープの
第３の半導体層、第３の半導体層より電子親和度が大き
いＮ形のエミッタ層となる第４の半導体層が頭次形成さ
れ、また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対側に
、第２の半導体層より電子親和度が小さいノンドープの
コレクタ障壁層となる第５の半導体層、第５の半導体層
より電子親和度の大きいＮ形のコレクタ層となる第６の
半導体層が順次形成され、第２の半導体層、第４の半導
体層及び第６の半導体層にオーム性接触するベース電極
、エミッタ電極及びコレクタ電極が形成されたことを特
徴と導体層の片側に、第１の半導体層より電子親和度と
バンドギャップの和が大きいＰ形のベース層となる第２
の半導体層、第２の半導体層より電子親和度トバンドギ
ャップの和が大きいエミッタ障壁層となるノンドープの
第３の半導体層、第３の半導体層より電子親和度バンド
ギャップの和が小さいＰ形のエミ、り層となる第４の半
導体層が順次形成され、 また第１の半導体層の第２の半導体層とは反対側に、第
２の半導体層より電子親和度とバざドギャップの和が大
きいノンドープのコレクタ障壁層となる第５の半導体層
、第５の半導体層より電子親和度とバンドギャップの和
が小さいＰ形のコレクタ層となる第６の半導体層が順次
形成され、第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の
半導体層にオーム性接触するベース電極、エミッタ電極
及びコレクタ電極が形成されたことを特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明によるＨＥＴの基本構造断面図で、１は
エミッタ電極、２はベース電極、３はコレクタ電極、１
１はノンドープベース層、１２はＮ形のベース層、１３
はノンドープのエミッタ障壁層、１４はＮ形のエミッタ
層、１５はノンドープのコレクタ障壁層、１６はＮ形の
コレクタ層、ｌＯはマ°の基板である。
エミッタ電極、２はベース電極、３はコレクタ電極、１
１はノンドープベース層、１２はＮ形のベース層、１３
はノンドープのエミッタ障壁層、１４はＮ形のエミッタ
層、１５はノンドープのコレクタ障壁層、１６はＮ形の
コレクタ層、ｌＯはマ°の基板である。
また、第２図（ａ）は、第１図に示した）４ＥＴの熱平
衡状態での伝導帯下端Ｅｃのエネルギー分布図で、図に
示す様にノンドープベース層１１のＥｃはベース層１２
のＥｃ よシΔＥＮだけ小さくなっている。
衡状態での伝導帯下端Ｅｃのエネルギー分布図で、図に
示す様にノンドープベース層１１のＥｃはベース層１２
のＥｃ よシΔＥＮだけ小さくなっている。
第２図（ｂ）は１．第１図に示したＨＥＴの動作状態で
のＥｃのエネルギー分布図で、３ｏはトンネル効果によ
りべ一２層へ注入された電子を示す。
のＥｃのエネルギー分布図で、３ｏはトンネル効果によ
りべ一２層へ注入された電子を示す。
さて、第２図のエネルギー分布図に示すように、ベース
層１２の不純物濃度を大きくしても、ベース層１２の幅
をある程度小さくしてやれば、高エネルギーで注入され
た電子は不純物とプラズモン散乱の影響をあまシ受けず
にベース層１２を通過することができる。
層１２の不純物濃度を大きくしても、ベース層１２の幅
をある程度小さくしてやれば、高エネルギーで注入され
た電子は不純物とプラズモン散乱の影響をあまシ受けず
にベース層１２を通過することができる。
またベース層１２を通過した電子はベース層１２とノン
ドープ・ベース層１１の境界でΔＥＮのエネルギーを得
て加速され、さらに、ノンドープ。
ドープ・ベース層１１の境界でΔＥＮのエネルギーを得
て加速され、さらに、ノンドープ。
ベース層１１は動作状態では第２図（ｂ）に示すがうｉ
ｃ、Ｅｃに傾きが生じて電子を加速する電界が生じ、こ
の領域においても電子は加速されることとなる。
ｃ、Ｅｃに傾きが生じて電子を加速する電界が生じ、こ
の領域においても電子は加速されることとなる。
従って、電子はベース領域を極めて高速度で通過でき、
しかもノンドープ・ベース層１１でｄ不純物とプラズモ
ン散乱の影響もないため、すべての電子がコレクタ層へ
透過することができる。さらに全ベース領域はベース層
１２とノントートベース層１１の厚さがあるのでコンタ
クト形成やその他プロセス上の問題は生じない。
しかもノンドープ・ベース層１１でｄ不純物とプラズモ
ン散乱の影響もないため、すべての電子がコレクタ層へ
透過することができる。さらに全ベース領域はベース層
１２とノントートベース層１１の厚さがあるのでコンタ
クト形成やその他プロセス上の問題は生じない。
以上はキャリアが電子の場合について説明したが、正孔
の場合にも同様に理解できる。
の場合にも同様に理解できる。
基本構造は第１図と同様でちゃ、第３図（ａ）に熱平衡
状態での価電子帯上端Ｅｖのエネルギー帯分布図を、ま
た第３図（ｂ）に動作状態での分布図を示す０ この場合にも、電子の場合と同様に注入された正孔は不
純物とプラズモン散乱の影響をあまり受けずにＰ形のベ
ース層１２を通過し、さらに△ＥＮ及びノンドープ・ベ
ース層１１の電界でさらに加速されて高速でコレクタ層
１６に到達できる。
状態での価電子帯上端Ｅｖのエネルギー帯分布図を、ま
た第３図（ｂ）に動作状態での分布図を示す０ この場合にも、電子の場合と同様に注入された正孔は不
純物とプラズモン散乱の影響をあまり受けずにＰ形のベ
ース層１２を通過し、さらに△ＥＮ及びノンドープ・ベ
ース層１１の電界でさらに加速されて高速でコレクタ層
１６に到達できる。
次に、本発明によるＨＥＴの実施例を説明する。
第４図は第１の本発明によるＨＥＴの実施例の構造断面
図で、以下の様にして作製される。
図で、以下の様にして作製される。
まず、Ｇ ａ Ａ ｓの半絶縁性基板４９の上に、例え
ば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、不純物濃
度３Ｘ１０ｃｍ のＮ形（ｊ ａ Ａ ｓのコレクタ
・コンタクト層４８を５００ＯＡ、不純物濃度２×ｌＱ
ｃｍ のＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクタ層１６を１５
０ＯＡ、ノンドープＡ−１ｏ、ｘｓ Ｇａｏ、ｙｓ Ａ
ｓのコレクタ障壁１５を１００ＯＡ、 Ｉｎｏ、５ｌ
Ｊａｏ、ｓ Ａｓのノンドープ・ベース層１１を３５０
１．不純物濃度２ Ｘ １０”ｃｍ のＮ形ＧａＡｓ
のベース層１２ｔ３ｓｏ；、、。
ば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、不純物濃
度３Ｘ１０ｃｍ のＮ形（ｊ ａ Ａ ｓのコレクタ
・コンタクト層４８を５００ＯＡ、不純物濃度２×ｌＱ
ｃｍ のＮ形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクタ層１６を１５
０ＯＡ、ノンドープＡ−１ｏ、ｘｓ Ｇａｏ、ｙｓ Ａ
ｓのコレクタ障壁１５を１００ＯＡ、 Ｉｎｏ、５ｌ
Ｊａｏ、ｓ Ａｓのノンドープ・ベース層１１を３５０
１．不純物濃度２ Ｘ １０”ｃｍ のＮ形ＧａＡｓ
のベース層１２ｔ３ｓｏ；、、。
ノンドープＡｌ。、３５Ｇａｏ、６５ＡＳのエミッタ障
壁層１３を１ｏｏｉ、不純物濃度２ Ｘ １０”ｃｍ−
３のＮ形（Ｊ ａ Ａ ｓのエミッタ層１４を１５０Ｏ
Ａ、および不純物濃度３Ｘ１０ｃｍ のＮ形Ｇａ Ａ
ｓのエミッタ・コンタクト層４７を３０００人、順次
に成長させる。
壁層１３を１ｏｏｉ、不純物濃度２ Ｘ １０”ｃｍ−
３のＮ形（Ｊ ａ Ａ ｓのエミッタ層１４を１５０Ｏ
Ａ、および不純物濃度３Ｘ１０ｃｍ のＮ形Ｇａ Ａ
ｓのエミッタ・コンタクト層４７を３０００人、順次
に成長させる。
次に、ＢＥＴの不要部分をエツチング除去してベース層
１２及び、Ｎ＋形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクト・コンタク
ト層４８の表面を露出させ、最後に通常の方法によシエ
ミッタ電極１．ベース電極２及びコレクタ電極３を形成
してＨＥ’ｌ’を完成させる。
１２及び、Ｎ＋形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクト・コンタク
ト層４８の表面を露出させ、最後に通常の方法によシエ
ミッタ電極１．ベース電極２及びコレクタ電極３を形成
してＨＥ’ｌ’を完成させる。
ここで、ノンドープ・ベース層１１はＡＩ Ｇ ａ Ａ
ｓやＧ ａ Ａ ｓに格子整合しない、いわゆる歪格
子層となっているが、ＩｎＡｓのモル比が０．１では４
００Ａ近くの厚さまで転゛位などの発生知無く良好な結
晶が得られるものである。
ｓやＧ ａ Ａ ｓに格子整合しない、いわゆる歪格
子層となっているが、ＩｎＡｓのモル比が０．１では４
００Ａ近くの厚さまで転゛位などの発生知無く良好な結
晶が得られるものである。
第５図に本発明によるＨＥＴのキャリア到達率αのベー
ス・エミッタ電圧依存性を示す。ここで、コレクタ・ベ
ース電圧は０．６ｖで○印が本発明によるもの、・印は
ベース濃度ｌＸ１０ｃｍ として厚さ７００Ａのとき
の従来技術によるＨＥＴのΦヤリア到達率αである。
ス・エミッタ電圧依存性を示す。ここで、コレクタ・ベ
ース電圧は０．６ｖで○印が本発明によるもの、・印は
ベース濃度ｌＸ１０ｃｍ として厚さ７００Ａのとき
の従来技術によるＨＥＴのΦヤリア到達率αである。
第５図から明らかな様に、本発明により大幅な改善がな
された。
された。
次に正孔がキャリアの場合の本発明によるＨＥＴの実施
例を示す。構造断面図は第４図と同様で以下の様に作製
される。
例を示す。構造断面図は第４図と同様で以下の様に作製
される。
Ｇ ａ Ａ ｓの半絶縁性基板４９上に、ＭＢＥ法によ
シネ細物濃度ＩＸ１０Ｃｍ のＰ形ＧａＡｓのコレク
タ・コンタクト層４８′を５００ＯＡ、不純物濃度３Ｘ
１０ｃｍ のＰ形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクタ層１６′
ヲ１００ＯＡ、ノンドープＡ ｌ ｏ、ｓ Ｇ ａ ａ
ｓＡ ｓのコレクタ障壁層１５’を８０ ＯＡ、 Ｉ
ｎ（、、、Ｇａ６．＠Ａｓのノンドープ・ベース層１１
′を３５０＾、不純物濃度５ＸＩＱｃｍ のＰ形Ｇａ
Ａｓのベース層１２′ｆ、３５０又。
シネ細物濃度ＩＸ１０Ｃｍ のＰ形ＧａＡｓのコレク
タ・コンタクト層４８′を５００ＯＡ、不純物濃度３Ｘ
１０ｃｍ のＰ形Ｇ ａ Ａ ｓのコレクタ層１６′
ヲ１００ＯＡ、ノンドープＡ ｌ ｏ、ｓ Ｇ ａ ａ
ｓＡ ｓのコレクタ障壁層１５’を８０ ＯＡ、 Ｉ
ｎ（、、、Ｇａ６．＠Ａｓのノンドープ・ベース層１１
′を３５０＾、不純物濃度５ＸＩＱｃｍ のＰ形Ｇａ
Ａｓのベース層１２′ｆ、３５０又。
ノンドープＡ−１ａ、ｓ Ｇａ ｇ、５ Ａｓのエミッ
タ障壁層１３′を１００Ａ、不御物濃度３Ｘ１０ｃｍ
のＰ形ＧａＡｓのエミッタ層１４′を１００ＯＡ、お
よび不純物濃度Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ”ｃｍ−３のＰ形Ｇａ
Ａ ｓのエミッターコンタクト層４７′を３００ＯＡ順
次に成長させる。
タ障壁層１３′を１００Ａ、不御物濃度３Ｘ１０ｃｍ
のＰ形ＧａＡｓのエミッタ層１４′を１００ＯＡ、お
よび不純物濃度Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ”ｃｍ−３のＰ形Ｇａ
Ａ ｓのエミッターコンタクト層４７′を３００ＯＡ順
次に成長させる。
次に、ＨＥＴの不要部分をエツチング除去してベース層
１２’、Ｐ 形ＧａＡｓのコレクタ・コンタクト層４８
′の表面を露出させ、最後に通常の方法でエミ、り電極
１．ベース電極２及びコレクタ電極３を形成してＨＥＴ
を完成させる。
１２’、Ｐ 形ＧａＡｓのコレクタ・コンタクト層４８
′の表面を露出させ、最後に通常の方法でエミ、り電極
１．ベース電極２及びコレクタ電極３を形成してＨＥＴ
を完成させる。
以上の実施例ではＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓを用いたが本発明はもちろんこれらの材料に限られる
ことはなく、他の材料で本実限できる。
ｓを用いたが本発明はもちろんこれらの材料に限られる
ことはなく、他の材料で本実限できる。
以上の詳細な説明から明らかなように１本発明によれば
ベース抵抗の増加を伴うことなく注入キャリアに対して
不純物およびプラズモン散乱の影響を著し、く軽減でき
るので、大きなキャリア到達を有する超高速・高周波の
）（ＥＴが実現でき、今後の通信・情報技術に寄与する
ところが極めて大である。
ベース抵抗の増加を伴うことなく注入キャリアに対して
不純物およびプラズモン散乱の影響を著し、く軽減でき
るので、大きなキャリア到達を有する超高速・高周波の
）（ＥＴが実現でき、今後の通信・情報技術に寄与する
ところが極めて大である。
第１図は本発明によるＨＥＴの基本構造断面図、第２図
、第３図は第１の本発明、第２の本発明のエネルギー分
布図、第４図は第１の本発明の一実施例の構造断面図、
第６図、第７図は従来例の構造断面図、エネルギー帯図
および第５図は本発明の実施例と従来例のキャリア到達
率をそれぞれ示す。 １・・−・・・エミ、り電極、２・・・・・・ベース電
極、３・・・・・・コレクタ電極、１０・°°・・・基
板、１１．１１’・・・・・・アンドープ・ベース層、
１２，１２’、５１・・・・・・ベース層、１３．１３
’、５２・°°°°°エミッタ障壁層、１４ 、 ｌ
４’ 、 ５３・・・・・・エミ、り層、１５．１５’
。 ５４°°°°°°コレクタ障壁層、１６．１６’、５５
・・・・・・コレクタ層、４７．４７’・・・・・・エ
ミッタ・コンタクト層、４８．４８’・・・・・・コレ
クタ・コンタクト層、４９・・・・・・半絶縁性基板、
３０・・・・・・注入電子、４０・・・・・・注入正孔
。 昇 ｌ 図 （８す ＄ ２ 回 茅 ３ 回 ＄ ４ ｖｆ！ｉ べ−ス・エミッダ電ＦＥ（床−；Ｌｌ−を井 ５ 凹 −茅 Ａ 匣 茶 ７ 図
、第３図は第１の本発明、第２の本発明のエネルギー分
布図、第４図は第１の本発明の一実施例の構造断面図、
第６図、第７図は従来例の構造断面図、エネルギー帯図
および第５図は本発明の実施例と従来例のキャリア到達
率をそれぞれ示す。 １・・−・・・エミ、り電極、２・・・・・・ベース電
極、３・・・・・・コレクタ電極、１０・°°・・・基
板、１１．１１’・・・・・・アンドープ・ベース層、
１２，１２’、５１・・・・・・ベース層、１３．１３
’、５２・°°°°°エミッタ障壁層、１４ 、 ｌ
４’ 、 ５３・・・・・・エミ、り層、１５．１５’
。 ５４°°°°°°コレクタ障壁層、１６．１６’、５５
・・・・・・コレクタ層、４７．４７’・・・・・・エ
ミッタ・コンタクト層、４８．４８’・・・・・・コレ
クタ・コンタクト層、４９・・・・・・半絶縁性基板、
３０・・・・・・注入電子、４０・・・・・・注入正孔
。 昇 ｌ 図 （８す ＄ ２ 回 茅 ３ 回 ＄ ４ ｖｆ！ｉ べ−ス・エミッダ電ＦＥ（床−；Ｌｌ−を井 ５ 凹 −茅 Ａ 匣 茶 ７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ノンドープの第１の半導体層の片側に、該第１の半
導体層より電子親和度の小さいＮ形のベース層となる第
２の半導体層、該第２の半導体層より電子親和度の小さ
いエミッタ障壁層となるノンドープの第３の半導体層、
該第３の半導体層より電子親和度が大きいＮ形のエミッ
タ層となる第４の半導体層が順次形成され、 また前記第１の半導体層の前記第２の半導体層とは反対
側に、前記第２の半導体層より電子親和度が小さいノン
ドープのコレクタ障壁層ととなる第５の半導体層、該第
５の半導体層より電子親和度の大きいＮ形のコレクタ層
となる第６の半導体層が順次形成され、 前記第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の半導体
層にオーム性接触するベース電極、エミッタ電極及びコ
レクタ電極が形成されたことを特徴とするホット・エレ
クトロン・トランジスタ。 ２）ノンドープの第１の半導体層の片側に、該第１の半
導体層より電子親和度とバンドギャップの和が大きいＰ
形のベース層となる第２の半導体層、該第２の半導体層
より電子親和度とバンドギャップの和が大きいエミッタ
障壁層となるノンドープの第３の半導体層、該第３の半
導体層より電子親和度とバンドギャップの和が小さいＰ
形のエミッタ層となる第４の半導体層が順次形成され、 また前記第１の半導体層の前記第２の半導体層とは反対
側に前記第２の半導体層より電子親和度とバンドギャッ
プの和が大きいノンドープのコレクタ障壁層となる第５
の半導体層、該第５の半導体層より電子親和度とバンド
ギャップの和が小さいＰ形のコレクタ層となる第６の半
導体層が順次形成され、 前記第２の半導体層、第４の半導体層及び第６の半導体
層にオーム性接触するベース電極、エミッタ電極及びコ
レクタ電極が形成されたことを特徴とするホット・エレ
クトロン・トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184808A JPS6340370A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | ホツト・エレクトロン・トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184808A JPS6340370A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | ホツト・エレクトロン・トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340370A true JPS6340370A (ja) | 1988-02-20 |
| JPH0571188B2 JPH0571188B2 (ja) | 1993-10-06 |
Family
ID=16159651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61184808A Granted JPS6340370A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | ホツト・エレクトロン・トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340370A (ja) |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61184808A patent/JPS6340370A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0571188B2 (ja) | 1993-10-06 |
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