JPH0571605B2 - - Google Patents
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- JPH0571605B2 JPH0571605B2 JP63200540A JP20054088A JPH0571605B2 JP H0571605 B2 JPH0571605 B2 JP H0571605B2 JP 63200540 A JP63200540 A JP 63200540A JP 20054088 A JP20054088 A JP 20054088A JP H0571605 B2 JPH0571605 B2 JP H0571605B2
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- Japan
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- resist
- copolymer
- mol
- vinyl monomer
- acid residue
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
（技術分野）
本発明は、電子線やＸ線、deepUV等の高エネ
ルギー線に感受性を有し、該高エネルギー線によ
る高解像性レジスト画像を得るための加工用レジ
ストに関するものである。 （従来技術及びその問題点） マイクロエレクトロニクス分野においては、シ
リコンウエハー等の基板上に微細加工を施すため
に、該基板上にレジスト膜を形成し、このレジス
ト膜上に、電子線等の高エネルギー線を画像状に
照射した後、現像処理し、エツチング処理する方
法が行われている。このような方法において用い
られるレジストは、高エネルギー線に対して良好
な感受性（感度）を有するとともに解像性のよい
画像を与えるものでなければならない。 特開昭58−168047号公報によれば、前記の如き
高エネルギー線に対してすぐれた感受性を有する
感光性レジストとして、塩素置換された安息香酸
残基を側鎖に有する高分子化合物が提案されてい
る。そして、この公報には、その具体例として、
スチレン85モル％とグリシジルメタクリレート15
モル％からなる分子量22000の共重合体に、その
グリシジルメタクリレートを介して10モル％の塩
素置換安息香酸を反応結合させたレジストや、ス
チレン90モル％と２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート10モル％からなる分子量20000の共重合体
に、その２−ヒドロキシエチルメタクリレートを
介して２，４−ジクロル安息香酸クロリドを反応
結合させたレジスト等が開示されている。 しかし、これらのレジストの場合、高エネルギ
ー線に対する感度の点では良好であるものの、解
像性の点では未だ満足し得るものではないことが
判明した。 （発明の課題） そこで、本発明は、高エネルギー線に対して十
分な感度を有するとともに、解像性において改良
された高エネルギー線加工用レジストを提供する
ことをその課題とする。 （課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意
研究を重ねた結果、本発明を完成するに到つた。 即ち、本発明によれば、 (a) 高エネルギー線感応基を有しない芳香族ビニ
ルモノマー成分94〜98モル％と、 (b) グリシジル（メタ）アクリレートと、ｏ−又
はｐ−クロル安息香酸又はその反応性誘導体と
を反応させて得られる、クロル置換安息香酸残
基を側鎖に有するビニルモノマー成分６〜２モ
ル％ との共重合体からなる高エネルギー線加工用レジ
ストが供給される。 本発明の共重合体において、その一方の(a)成分
は高エネルギー線感応基を有しない芳香族ビニル
モノマーからなる。その具体例としては、例え
ば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトル
エン、ビニルナフタレン等が挙げられる。また、
他の(b)成分は、高エネルギー線感応基であるＰ−
クロル安息香酸残基又はｏ−クロル安息香酸残基
を側鎖に有するビニルモノマーからなる。該ビニ
ルモノマーは、グリシジル（メタ）アクリレート
と、ｏ−又はｐ−クロル安息香酸又はその反応性
誘導体とを反応させることにより得られる。 共重合体における(a)成分の芳香族ビニルモノマ
ー成分は94〜98モル％、好ましくは95〜97モル％
で、Ｐ−クロル安息香酸残基又はｏ−クロル安息
香酸残基を側鎖に有する(b)成分のビニルモノマー
成分は６〜２モル％、好ましくは５〜３モル％で
ある。共重合体の平均分子量は、5000〜200000、
好ましくは19000〜120000である。本発明の共重
合体において、ｐ−又はｏ−クロル安息香残基を
有する(b)成分のビニルモノマー成分の割合が前記
範囲より多くなると、レジスト画像の解像性が悪
くなり、一方、前記範囲より少なくなると、高エ
ネルギー線に対する実用的感度が得られなくな
る。また、本発明では、クロル安息香酸残基とし
ては、前記のようにｐ−体、ｏ−体を選択するこ
とが重要である。２，４−ジクロル安息香酸残基
の場合、すぐれた感度を示すものの、解像性の点
では劣つたものとなる。 本発明の共重合体は、従来公知の方法に従つて
製造することができる。例えば、ｐ−又はｏ−ク
ロル安息香酸残基を有する(b)成分のビニルモノマ
ーと(a)成分の芳香族ビニルモノマーとを重合条件
下で重合反応させて製造し得る他、前記した如き
グリシジル（メタ）アクリレートと芳香族ビニル
モノマーとを重合させて共重合体を得た後、この
共重合体にｐ−又はｏ−クロル安息香酸又はその
反応性誘導体を反応させることによつて製造する
ことができる。 本発明の共重合体は、高エネルギー線を用いる
微細加工用レジストとして適用される。レジスト
を用いる高エネルギー線微細加工法としては、電
子ビームリソグラフイー、Ｘ線リソグラフイー、
DeepUVリソグラフイー等が知られており、それ
ぞれ、加速電圧10KV〜50KV電子線、波長１〜
20ÅのＸ線及び波長2000〜3000Åの紫外線が用い
られる。本発明の共重合体はこれらの微細加工法
におけるレジストとして好適のもので、高解像度
のレジスト画像を与える。 本発明のレジストの使用例を、例えば、
DeepUVリソグラフイーについて示すと次の通り
である。 先ず、シリコンウエハーのような基板上に、本
発明の共重合体を適当な溶剤像、例えば、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶
かし、スピンナーを用いて均一に塗布し、乾燥し
て厚さ0.4〜1μｍのレジスト層を形成させる。次
いで、2000〜3000Åの波長の紫外線を効率よく放
射する光源、例えばセキノン−水銀灯を用いて、
この紫外線を透過する材料、例えば人工石英板を
支持体とするマスクパターンを介して画像露光す
る。その後、これを現像液、例えばメチルエチル
ケトンとエタノールとの混合溶剤に浸漬し、非露
光部を溶出させれば、マスクに忠実な微細レジス
ト画像を得ることができる。また、同様にして、
電子ビームリソグラフイー法やＸ線リソグラフイ
ー法により微細なレジスト画像を得ることができ
る。 （発明の効果） 本発明の共重合体は、高エネルギー線を用いる
微細画像加工法により、高解像性レジスト画像を
与える。しかも、この共重合体は、可視光線には
感光しないので、明室中で取扱うことができる。
また、湿気や熱に対して安定であり、取扱い上特
別の注意を要することもなく、保存安定性にもす
ぐれている。 （実施例） 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明す
る。 実施例 １ クロル安息香酸残基を側鎖に有するビニルモノ
マーとスチレンの共重合体を合成し、その感度と
解像性を調べた。共重合体の合成法の１例を示す
と次の如くである。 スチレン95モル％とグリシジルメタクリレート
５モル％との共重合体を用意し、その６ｇとｐ−
クロル安息香酸3.8ｇを２−メトキシエチルアセ
テート100c.c.に溶解する。これにテトラエチルベ
ンジルアンモニウムクロライド0.5ｇを加え、か
きまぜながら96℃で４時間反応させた。放冷後、
反応混合物をイソプロピルアルコール中に注入し
てポリマー6.1ｇを得た。このポリマーの一部を
採り、塩酸DMF法で未反応エポキシ基を定量し
た。また、赤外吸収スペクトルと元素分析の結果
も総合して、ｐ−クロル安息香酸が共重合体中の
エポキシ基に定量的に付加していることを確認し
た。GPCによればこのポリマーの数平均分子量
は11.9万であつた。こうして得たクロル安息香酸
付加共重合体の評価を以下の如く行なつた。 前述の分子量11.9万のｐ−クロル安息香酸付加
共重合体1.5ｇを２−メトキシエチルアセテート
20c.c.に溶解して、粘度20.8cp（25℃）のレジスト
液を調製した。これをシリコン基板上に1200r.p.
mでスピンコートしたのち、120℃で１時間プリ
ベークして厚さ0.58μｍのレジスト層を形成させ
た。このレジスト層に加速電圧10KVの電子ビー
ムを照射し、次いでメチルエチルケトン（MEK）
とイソプロピルアルコール（IPA）の２：１混合
液に浸漬して現像し、さらにMEKとIPAの１：
１混合液でリンスした。 電子ビームの照射はエリオニクス社製ELS−
3300型電子線描画装置を用いて行なつた。 レジスト層の電子ビーム照射部は不溶化して基
板上に残り、非照射部は現像液に溶けて除去され
た。感度はレジストの初期膜厚の50％を残すのに
必要な電荷量（D0.5 gで示した。 解像性は、残膜率60％で、幅1.5μｍのギヤツプ
を形成させてエツヂの直線性とヒゲ（ヒゲ状の突
起、ブリツヂとも言う）の出方をSEMで観察し
て次の４段階法で評価した。 ◎…1.5μｍのギヤツプを完全に解像する。 ○…わずかにヒゲが認められる。 △…ヒゲが認められる。 ×…ヒゲが認められ、エツジの直線性が悪い。 また、前記と同様にして表−１に示したクロル
安息香酸残基及びスチレン含量を変えた共重合体
を合成し、前記と同様にしてその性能評価を行つ
た。 以上の評価結果を表−１にまとめて示す。 表−１の結果から、官能基がｐ−クロル安息香
酸残基又はｏ−クロル安息香酸残基で、スチレン
の共重合比が約95モル％以上で、かつ数平均分子
量が約20万以下の場合に、良好な解像性が得られ
ていることがわかる。
ルギー線に感受性を有し、該高エネルギー線によ
る高解像性レジスト画像を得るための加工用レジ
ストに関するものである。 （従来技術及びその問題点） マイクロエレクトロニクス分野においては、シ
リコンウエハー等の基板上に微細加工を施すため
に、該基板上にレジスト膜を形成し、このレジス
ト膜上に、電子線等の高エネルギー線を画像状に
照射した後、現像処理し、エツチング処理する方
法が行われている。このような方法において用い
られるレジストは、高エネルギー線に対して良好
な感受性（感度）を有するとともに解像性のよい
画像を与えるものでなければならない。 特開昭58−168047号公報によれば、前記の如き
高エネルギー線に対してすぐれた感受性を有する
感光性レジストとして、塩素置換された安息香酸
残基を側鎖に有する高分子化合物が提案されてい
る。そして、この公報には、その具体例として、
スチレン85モル％とグリシジルメタクリレート15
モル％からなる分子量22000の共重合体に、その
グリシジルメタクリレートを介して10モル％の塩
素置換安息香酸を反応結合させたレジストや、ス
チレン90モル％と２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート10モル％からなる分子量20000の共重合体
に、その２−ヒドロキシエチルメタクリレートを
介して２，４−ジクロル安息香酸クロリドを反応
結合させたレジスト等が開示されている。 しかし、これらのレジストの場合、高エネルギ
ー線に対する感度の点では良好であるものの、解
像性の点では未だ満足し得るものではないことが
判明した。 （発明の課題） そこで、本発明は、高エネルギー線に対して十
分な感度を有するとともに、解像性において改良
された高エネルギー線加工用レジストを提供する
ことをその課題とする。 （課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意
研究を重ねた結果、本発明を完成するに到つた。 即ち、本発明によれば、 (a) 高エネルギー線感応基を有しない芳香族ビニ
ルモノマー成分94〜98モル％と、 (b) グリシジル（メタ）アクリレートと、ｏ−又
はｐ−クロル安息香酸又はその反応性誘導体と
を反応させて得られる、クロル置換安息香酸残
基を側鎖に有するビニルモノマー成分６〜２モ
ル％ との共重合体からなる高エネルギー線加工用レジ
ストが供給される。 本発明の共重合体において、その一方の(a)成分
は高エネルギー線感応基を有しない芳香族ビニル
モノマーからなる。その具体例としては、例え
ば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトル
エン、ビニルナフタレン等が挙げられる。また、
他の(b)成分は、高エネルギー線感応基であるＰ−
クロル安息香酸残基又はｏ−クロル安息香酸残基
を側鎖に有するビニルモノマーからなる。該ビニ
ルモノマーは、グリシジル（メタ）アクリレート
と、ｏ−又はｐ−クロル安息香酸又はその反応性
誘導体とを反応させることにより得られる。 共重合体における(a)成分の芳香族ビニルモノマ
ー成分は94〜98モル％、好ましくは95〜97モル％
で、Ｐ−クロル安息香酸残基又はｏ−クロル安息
香酸残基を側鎖に有する(b)成分のビニルモノマー
成分は６〜２モル％、好ましくは５〜３モル％で
ある。共重合体の平均分子量は、5000〜200000、
好ましくは19000〜120000である。本発明の共重
合体において、ｐ−又はｏ−クロル安息香残基を
有する(b)成分のビニルモノマー成分の割合が前記
範囲より多くなると、レジスト画像の解像性が悪
くなり、一方、前記範囲より少なくなると、高エ
ネルギー線に対する実用的感度が得られなくな
る。また、本発明では、クロル安息香酸残基とし
ては、前記のようにｐ−体、ｏ−体を選択するこ
とが重要である。２，４−ジクロル安息香酸残基
の場合、すぐれた感度を示すものの、解像性の点
では劣つたものとなる。 本発明の共重合体は、従来公知の方法に従つて
製造することができる。例えば、ｐ−又はｏ−ク
ロル安息香酸残基を有する(b)成分のビニルモノマ
ーと(a)成分の芳香族ビニルモノマーとを重合条件
下で重合反応させて製造し得る他、前記した如き
グリシジル（メタ）アクリレートと芳香族ビニル
モノマーとを重合させて共重合体を得た後、この
共重合体にｐ−又はｏ−クロル安息香酸又はその
反応性誘導体を反応させることによつて製造する
ことができる。 本発明の共重合体は、高エネルギー線を用いる
微細加工用レジストとして適用される。レジスト
を用いる高エネルギー線微細加工法としては、電
子ビームリソグラフイー、Ｘ線リソグラフイー、
DeepUVリソグラフイー等が知られており、それ
ぞれ、加速電圧10KV〜50KV電子線、波長１〜
20ÅのＸ線及び波長2000〜3000Åの紫外線が用い
られる。本発明の共重合体はこれらの微細加工法
におけるレジストとして好適のもので、高解像度
のレジスト画像を与える。 本発明のレジストの使用例を、例えば、
DeepUVリソグラフイーについて示すと次の通り
である。 先ず、シリコンウエハーのような基板上に、本
発明の共重合体を適当な溶剤像、例えば、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶
かし、スピンナーを用いて均一に塗布し、乾燥し
て厚さ0.4〜1μｍのレジスト層を形成させる。次
いで、2000〜3000Åの波長の紫外線を効率よく放
射する光源、例えばセキノン−水銀灯を用いて、
この紫外線を透過する材料、例えば人工石英板を
支持体とするマスクパターンを介して画像露光す
る。その後、これを現像液、例えばメチルエチル
ケトンとエタノールとの混合溶剤に浸漬し、非露
光部を溶出させれば、マスクに忠実な微細レジス
ト画像を得ることができる。また、同様にして、
電子ビームリソグラフイー法やＸ線リソグラフイ
ー法により微細なレジスト画像を得ることができ
る。 （発明の効果） 本発明の共重合体は、高エネルギー線を用いる
微細画像加工法により、高解像性レジスト画像を
与える。しかも、この共重合体は、可視光線には
感光しないので、明室中で取扱うことができる。
また、湿気や熱に対して安定であり、取扱い上特
別の注意を要することもなく、保存安定性にもす
ぐれている。 （実施例） 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明す
る。 実施例 １ クロル安息香酸残基を側鎖に有するビニルモノ
マーとスチレンの共重合体を合成し、その感度と
解像性を調べた。共重合体の合成法の１例を示す
と次の如くである。 スチレン95モル％とグリシジルメタクリレート
５モル％との共重合体を用意し、その６ｇとｐ−
クロル安息香酸3.8ｇを２−メトキシエチルアセ
テート100c.c.に溶解する。これにテトラエチルベ
ンジルアンモニウムクロライド0.5ｇを加え、か
きまぜながら96℃で４時間反応させた。放冷後、
反応混合物をイソプロピルアルコール中に注入し
てポリマー6.1ｇを得た。このポリマーの一部を
採り、塩酸DMF法で未反応エポキシ基を定量し
た。また、赤外吸収スペクトルと元素分析の結果
も総合して、ｐ−クロル安息香酸が共重合体中の
エポキシ基に定量的に付加していることを確認し
た。GPCによればこのポリマーの数平均分子量
は11.9万であつた。こうして得たクロル安息香酸
付加共重合体の評価を以下の如く行なつた。 前述の分子量11.9万のｐ−クロル安息香酸付加
共重合体1.5ｇを２−メトキシエチルアセテート
20c.c.に溶解して、粘度20.8cp（25℃）のレジスト
液を調製した。これをシリコン基板上に1200r.p.
mでスピンコートしたのち、120℃で１時間プリ
ベークして厚さ0.58μｍのレジスト層を形成させ
た。このレジスト層に加速電圧10KVの電子ビー
ムを照射し、次いでメチルエチルケトン（MEK）
とイソプロピルアルコール（IPA）の２：１混合
液に浸漬して現像し、さらにMEKとIPAの１：
１混合液でリンスした。 電子ビームの照射はエリオニクス社製ELS−
3300型電子線描画装置を用いて行なつた。 レジスト層の電子ビーム照射部は不溶化して基
板上に残り、非照射部は現像液に溶けて除去され
た。感度はレジストの初期膜厚の50％を残すのに
必要な電荷量（D0.5 gで示した。 解像性は、残膜率60％で、幅1.5μｍのギヤツプ
を形成させてエツヂの直線性とヒゲ（ヒゲ状の突
起、ブリツヂとも言う）の出方をSEMで観察し
て次の４段階法で評価した。 ◎…1.5μｍのギヤツプを完全に解像する。 ○…わずかにヒゲが認められる。 △…ヒゲが認められる。 ×…ヒゲが認められ、エツジの直線性が悪い。 また、前記と同様にして表−１に示したクロル
安息香酸残基及びスチレン含量を変えた共重合体
を合成し、前記と同様にしてその性能評価を行つ
た。 以上の評価結果を表−１にまとめて示す。 表−１の結果から、官能基がｐ−クロル安息香
酸残基又はｏ−クロル安息香酸残基で、スチレン
の共重合比が約95モル％以上で、かつ数平均分子
量が約20万以下の場合に、良好な解像性が得られ
ていることがわかる。
【表】
実施例 ２
実施例１の表−１に記載した、スチレン含量95
モル％、分子量19.5万、安息香酸残基がｏ−クロ
ル体のレジスト（No.10）を２−メトキシエチルア
セテートに溶かし、厚さ5000Åの酸化膜付シリコ
ン基板上に塗布し、120℃で１時間プリベークし
て厚さ1μｍのレジスト層を形成させた。このレ
ジスト層にＸ線を照射した後、実施例１の場合と
同様に現像した。これにより、Ｘ線照射部はレジ
スト層が不溶化しネガ形のパターンが得られた。
残膜率50％の時の感度は、AlKα線（波長8.3Å）
に対して30ｍｊ／cm2、PdLα線（波長4.4Å）に対
して200ｍｊ／cm2であつた。また、いずれの線源
に対しても残膜率80％で0.5μｍのラインアンドス
ペースのマスクパターンを忠実に再現しており、
従来のレジストに較べ高い解像力を有することが
確認された。
モル％、分子量19.5万、安息香酸残基がｏ−クロ
ル体のレジスト（No.10）を２−メトキシエチルア
セテートに溶かし、厚さ5000Åの酸化膜付シリコ
ン基板上に塗布し、120℃で１時間プリベークし
て厚さ1μｍのレジスト層を形成させた。このレ
ジスト層にＸ線を照射した後、実施例１の場合と
同様に現像した。これにより、Ｘ線照射部はレジ
スト層が不溶化しネガ形のパターンが得られた。
残膜率50％の時の感度は、AlKα線（波長8.3Å）
に対して30ｍｊ／cm2、PdLα線（波長4.4Å）に対
して200ｍｊ／cm2であつた。また、いずれの線源
に対しても残膜率80％で0.5μｍのラインアンドス
ペースのマスクパターンを忠実に再現しており、
従来のレジストに較べ高い解像力を有することが
確認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 高エネルギー線感応基を有しない芳香族
ビニルモノマー成分94〜98モル％と、 (b) グリシジル（メタ）アクリレートと、ｏ−又
はｐ−クロル安息香酸又はその反応性誘導体と
を反応させて得られる、ｏ−又はｐ−クロル置
換安息香酸残基を側鎖に有するビニルモノマー
成分６〜２モル％ との共重合体からなる高エネルギー線加工用レジ
スト。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200540A JPH0249011A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高エネルギー線加工用レジスト |
| US07/391,035 US5015558A (en) | 1988-08-11 | 1989-08-09 | High energy beam-sensitive copolymer |
| EP89308132A EP0354789B1 (en) | 1988-08-11 | 1989-08-10 | High energy beam-sensitive copolymer |
| DE68915642T DE68915642T2 (de) | 1988-08-11 | 1989-08-10 | Für hochenergetische Strahlung empfindliches Copolymer. |
| KR1019890011471A KR920008724B1 (ko) | 1988-08-11 | 1989-08-11 | 고에너지선에 민감한 공중합체 및 이를 사용한 내식막 패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200540A JPH0249011A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高エネルギー線加工用レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249011A JPH0249011A (ja) | 1990-02-19 |
| JPH0571605B2 true JPH0571605B2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=16426006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200540A Granted JPH0249011A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 高エネルギー線加工用レジスト |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5015558A (ja) |
| EP (1) | EP0354789B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0249011A (ja) |
| KR (1) | KR920008724B1 (ja) |
| DE (1) | DE68915642T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE58907567D1 (de) * | 1988-09-30 | 1994-06-01 | Ciba Geigy | Antistatische und elektrisch leitende Zusammensetzung. |
| US5959087A (en) * | 1989-08-07 | 1999-09-28 | Peptide Technology, Ltd. | Tumour necrosis factor binding ligands |
| US5095076A (en) * | 1990-11-05 | 1992-03-10 | Lockheed Corporation | Preparation of highly soluble conductive polymer materials |
| US5469293A (en) * | 1993-09-09 | 1995-11-21 | Mobi Corporation | Dual-path optical system |
| JPH0786233A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| DE4444669A1 (de) * | 1994-12-15 | 1996-06-20 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch |
| TW363986B (en) * | 1997-05-12 | 1999-07-11 | Ind Tech Res Inst | A process for producing polyparahydroxy styrene derivatives |
| KR101273140B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2013-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 아크릴레이트계 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2857354A (en) * | 1955-07-20 | 1958-10-21 | Du Pont | Process of making glycidyl methacrylate polymer composition containing same, and product coated therewith |
| NL285020A (ja) * | 1961-11-02 | |||
| US4262081A (en) * | 1979-11-21 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication based on radiation sensitive resists of halo-alkyl styrene polymers |
| US4367281A (en) * | 1981-01-12 | 1983-01-04 | Toyo Soda Manufacturing Co., Ltd. | Fine fabrication process using radiation sensitive resist |
| JPS58168047A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Somar Corp | 感光性材料 |
| DE3248601A1 (de) * | 1982-12-30 | 1984-07-12 | Röhm GmbH, 6100 Darmstadt | Polymerisate mit geringer wasseraufnahme |
| US4535054A (en) * | 1983-05-05 | 1985-08-13 | Hughes Aircraft Company | Wet process for developing styrene polymer resists for submicron lithography |
| JPS61143746A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 新規高エネルギ−線感応性材料 |
| EP0231922A3 (en) * | 1986-02-07 | 1987-11-11 | American Cyanamid Company | Electron beam and x-ray resists |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200540A patent/JPH0249011A/ja active Granted
-
1989
- 1989-08-09 US US07/391,035 patent/US5015558A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-10 EP EP89308132A patent/EP0354789B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-10 DE DE68915642T patent/DE68915642T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-11 KR KR1019890011471A patent/KR920008724B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0354789A2 (en) | 1990-02-14 |
| DE68915642T2 (de) | 1994-12-15 |
| US5015558A (en) | 1991-05-14 |
| DE68915642D1 (de) | 1994-07-07 |
| KR900003689A (ko) | 1990-03-26 |
| JPH0249011A (ja) | 1990-02-19 |
| EP0354789B1 (en) | 1994-06-01 |
| EP0354789A3 (en) | 1990-09-26 |
| KR920008724B1 (ko) | 1992-10-08 |
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