JPH0572752B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0572752B2 JPH0572752B2 JP58240226A JP24022683A JPH0572752B2 JP H0572752 B2 JPH0572752 B2 JP H0572752B2 JP 58240226 A JP58240226 A JP 58240226A JP 24022683 A JP24022683 A JP 24022683A JP H0572752 B2 JPH0572752 B2 JP H0572752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film carrier
- bump
- bonding
- motor
- finger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はあらかじめメツキ工法により形成され
たバンプをバンプ基板と称されるものに形成し、
またガラス板上で樹脂層を介してフルカツトダイ
ジングされた半導体ウエハー基板を用い、フイル
ムキヤリアフインガーへのバンプの転写と半導体
素子の接合とを認識装置を用いて連続自動で行な
うフイルムキヤリアボンデイング装置に関するも
のである。
たバンプをバンプ基板と称されるものに形成し、
またガラス板上で樹脂層を介してフルカツトダイ
ジングされた半導体ウエハー基板を用い、フイル
ムキヤリアフインガーへのバンプの転写と半導体
素子の接合とを認識装置を用いて連続自動で行な
うフイルムキヤリアボンデイング装置に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
従来のフイルムキヤリアボンデイング装置は完
全自動で運転できるものがなく、またフイルムキ
ヤリアフインガーと半導体素子との接合において
もXYΘ三方向の位置合せが自動的に行なえるも
のがなかつた。さらに、フイルムキヤリアフイン
ガーと接合される半導体素子の電極部にはバンプ
形成が必要であり汎用半導体素子を用いることが
できず半導体素子の汎用度が低いばかりか、実
装、コスト面でもかなり高価なものになるといつ
た欠点を有していた。
全自動で運転できるものがなく、またフイルムキ
ヤリアフインガーと半導体素子との接合において
もXYΘ三方向の位置合せが自動的に行なえるも
のがなかつた。さらに、フイルムキヤリアフイン
ガーと接合される半導体素子の電極部にはバンプ
形成が必要であり汎用半導体素子を用いることが
できず半導体素子の汎用度が低いばかりか、実
装、コスト面でもかなり高価なものになるといつ
た欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、バンプ形成されたバ
ンプ基板上の所定バンプとフイルムキヤリアフイ
ンガーの所定の位置とを認識装置と位置決め手段
によりXYΘ三方向に位置合わせをし、重ね合わ
せた状態で、バンプをヒートツールを介してフイ
ルムキヤリアフインガーへ転写させ、その後フイ
ルムキヤリアフインガーへ転写されたバンプと電
極上にバンプ形成されていない汎用半導体素子の
電極部とを前記同様にXYΘ三方向位置合わせし、
重ね合わした状態でヒートツールを介して連続自
動で行なうフイルムキヤリアボンデイング装置を
提供するものである。
ンプ基板上の所定バンプとフイルムキヤリアフイ
ンガーの所定の位置とを認識装置と位置決め手段
によりXYΘ三方向に位置合わせをし、重ね合わ
せた状態で、バンプをヒートツールを介してフイ
ルムキヤリアフインガーへ転写させ、その後フイ
ルムキヤリアフインガーへ転写されたバンプと電
極上にバンプ形成されていない汎用半導体素子の
電極部とを前記同様にXYΘ三方向位置合わせし、
重ね合わした状態でヒートツールを介して連続自
動で行なうフイルムキヤリアボンデイング装置を
提供するものである。
発明の構成
本発明は、フイルムキヤリア、バンプおよび半
導体素子の形状、位置を画像処理により知る認識
装置と、フイルムキヤリアを固定保持しXY二方
向にモータ駆動により水平移動可能なガイドXY
駆動部と、バンプ基板および半導体ウエハー基板
を搭載し、直交する二方向および回動可能な
XYΘ駆動部と、フイルムキヤリアフインガーと
バンプおよび汎用半導体素子の電極とを接合する
接合装置とから構成されており、外部で単独にメ
ツキ法により形成されたバンプをフイルムキヤリ
アフインガーへ認識装置を用い位置決め転写し、
かつ同時に電極上にバンプのない汎用半導体素子
を前記フインガー上に転写されたパンブを介して
フイルムキヤリアフインガーへ接合することで、
これまで目視に頼つていたフイルムキヤリアボン
デイングのアライメント作業およびボンデイング
作業が連続自動で生産性高くかつ信頼性高く実現
できる。また、バンプ転写方式の装置の具現化に
より汎用半導体素子が使用できるため半導体素子
の汎用性および半導体素費用を含めてボンデイン
グ総コストも大きく低減できるといつた特有の効
果を有している。
導体素子の形状、位置を画像処理により知る認識
装置と、フイルムキヤリアを固定保持しXY二方
向にモータ駆動により水平移動可能なガイドXY
駆動部と、バンプ基板および半導体ウエハー基板
を搭載し、直交する二方向および回動可能な
XYΘ駆動部と、フイルムキヤリアフインガーと
バンプおよび汎用半導体素子の電極とを接合する
接合装置とから構成されており、外部で単独にメ
ツキ法により形成されたバンプをフイルムキヤリ
アフインガーへ認識装置を用い位置決め転写し、
かつ同時に電極上にバンプのない汎用半導体素子
を前記フインガー上に転写されたパンブを介して
フイルムキヤリアフインガーへ接合することで、
これまで目視に頼つていたフイルムキヤリアボン
デイングのアライメント作業およびボンデイング
作業が連続自動で生産性高くかつ信頼性高く実現
できる。また、バンプ転写方式の装置の具現化に
より汎用半導体素子が使用できるため半導体素子
の汎用性および半導体素費用を含めてボンデイン
グ総コストも大きく低減できるといつた特有の効
果を有している。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照に
しながら説明する。
しながら説明する。
１はフイルムキヤリアであり、２は供給される
フイルムキヤリア１を巻き取つている供給リール
である。３はボンデイングされた後のフイルムキ
ヤリア１を巻き取る巻き取りリールであり、４は
フイルムキヤリア１のフインガーがからみ合わな
いようにするためにフイルムキヤリア１の間にテ
ープ状に装入されているスペーサーである。５は
フイルムキヤリア１、バンプ基板６および半導体
ウエハー基板７の形状、位置認識を行なう認識カ
メラである。８は認識カメラ５の先端部に固定さ
れたレンズ系である。９はフイルムキヤリア１を
所定ピツチごとコマ送りするスプロケツトであ
り、１０はフイルムキヤリア１が常にスプロケツ
ト９に付勢されるように設けられた押えローラで
ある。
フイルムキヤリア１を巻き取つている供給リール
である。３はボンデイングされた後のフイルムキ
ヤリア１を巻き取る巻き取りリールであり、４は
フイルムキヤリア１のフインガーがからみ合わな
いようにするためにフイルムキヤリア１の間にテ
ープ状に装入されているスペーサーである。５は
フイルムキヤリア１、バンプ基板６および半導体
ウエハー基板７の形状、位置認識を行なう認識カ
メラである。８は認識カメラ５の先端部に固定さ
れたレンズ系である。９はフイルムキヤリア１を
所定ピツチごとコマ送りするスプロケツトであ
り、１０はフイルムキヤリア１が常にスプロケツ
ト９に付勢されるように設けられた押えローラで
ある。
１１および１２はアイドルローラである。１３
はフイルムキヤリア１の送り方向と逆方向に常に
一定張力を与えるテンシヨンスプロケツトであ
り、１４はフイルムキヤリア１が常にテンシヨン
スプロケツト１３に付勢されるように設けられた
押えローラである。１５はボンデイングされるフ
イルムキヤリア１を保持するフイルムキヤリアガ
イドである。１６は前後動および上下動し、フイ
ルムキヤリア１にバンプ転写および半導体素子を
接合するヒートツールである。１７はバンプ基板
６および半導体ウエーハ基板７を搭載し、直交す
る二方向ならびに回動可能に組み合わされた
XYΘ駆動部である。
はフイルムキヤリア１の送り方向と逆方向に常に
一定張力を与えるテンシヨンスプロケツトであ
り、１４はフイルムキヤリア１が常にテンシヨン
スプロケツト１３に付勢されるように設けられた
押えローラである。１５はボンデイングされるフ
イルムキヤリア１を保持するフイルムキヤリアガ
イドである。１６は前後動および上下動し、フイ
ルムキヤリア１にバンプ転写および半導体素子を
接合するヒートツールである。１７はバンプ基板
６および半導体ウエーハ基板７を搭載し、直交す
る二方向ならびに回動可能に組み合わされた
XYΘ駆動部である。
１８はXYΘ駆動部１７のXY二方向の移動位
置表示をする表示器であり、１９は認識カメラ５
により得られた画像を二値化処理し映しだすモニ
ターテレビである。２０および２１はヒートツー
ル１６の温度制御をする温度制御装置である。２
２は認識カメラ５より得られた画像を二値化処理
する認識装置であり、２３はアクチユエータのシ
ーケンス動作等を指示するマイクロコンピユー
タ、２４はNCドライバーである。２５は操作盤
であり、２６は本体フレームである。
置表示をする表示器であり、１９は認識カメラ５
により得られた画像を二値化処理し映しだすモニ
ターテレビである。２０および２１はヒートツー
ル１６の温度制御をする温度制御装置である。２
２は認識カメラ５より得られた画像を二値化処理
する認識装置であり、２３はアクチユエータのシ
ーケンス動作等を指示するマイクロコンピユー
タ、２４はNCドライバーである。２５は操作盤
であり、２６は本体フレームである。
以上のように構成されたフイルムキヤリアボン
デイング装置において、以下その動作を説明す
る。
デイング装置において、以下その動作を説明す
る。
供給リール２に巻かれているフイルムキヤリア
１はスプロケツト９を接続されているモータ２７
の矢印Ｂ方向への所定回転により矢印Ａ方向へ所
定ピツチ送り出される。この時スプロケツト９の
送りバラツキを最小におさえるため、テンシヨン
スプロケツト１３はトルクモータ２８と接続され
矢印Ｃ方向に一定張力を加えるようになつてお
り、フイルムキヤリア１は前記張力によりフイル
ムキヤリアガイド１５に沿つて保持されている。
２９，３０はトルクモータであり、それぞれ矢印
Ｄ方向および矢印Ｅ方向に常に回転しようとし、
フイルムキヤリア１の巻きだるみを防止してい
る。
１はスプロケツト９を接続されているモータ２７
の矢印Ｂ方向への所定回転により矢印Ａ方向へ所
定ピツチ送り出される。この時スプロケツト９の
送りバラツキを最小におさえるため、テンシヨン
スプロケツト１３はトルクモータ２８と接続され
矢印Ｃ方向に一定張力を加えるようになつてお
り、フイルムキヤリア１は前記張力によりフイル
ムキヤリアガイド１５に沿つて保持されている。
２９，３０はトルクモータであり、それぞれ矢印
Ｄ方向および矢印Ｅ方向に常に回転しようとし、
フイルムキヤリア１の巻きだるみを防止してい
る。
認識カメラ５の認識軸Z1−Z2の下に配置された
フイルムキヤリア１の１コマ３１は、フイルムキ
ヤリアガイド１５を直交する二方向に移動させる
モータ３２，３３の回転動作によりボールネジ３
４，３５を介して矢印Ｋ方向、矢印Ｌ方向に水平
移動し、認識カメラ５の視野内にまず視野Ｓ１を
採り込み、次に再度フイルムキヤリアガイド１５
を水平移動させ視野Ｓ２を採り込ませる。この二
つの視野Ｓ１，Ｓ２を画像処理し、第一の視野Ｓ
１のフイルムキヤリア１のフインガー３６の先端
部位置T1、T2、T3、T4からその平均座標ポイン
トTAを得て、第二の視野Ｓ２のフインガー３６
の先端部位置T5、T6、T7、T8からも同様にその
平均座標ポイントTBを得る。この二点TA，TBよ
り認識カメラ５の下に配置されている１コマ３１
のＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置ズレおよ
びフインガー３６の形状確認を行なう。
フイルムキヤリア１の１コマ３１は、フイルムキ
ヤリアガイド１５を直交する二方向に移動させる
モータ３２，３３の回転動作によりボールネジ３
４，３５を介して矢印Ｋ方向、矢印Ｌ方向に水平
移動し、認識カメラ５の視野内にまず視野Ｓ１を
採り込み、次に再度フイルムキヤリアガイド１５
を水平移動させ視野Ｓ２を採り込ませる。この二
つの視野Ｓ１，Ｓ２を画像処理し、第一の視野Ｓ
１のフイルムキヤリア１のフインガー３６の先端
部位置T1、T2、T3、T4からその平均座標ポイン
トTAを得て、第二の視野Ｓ２のフインガー３６
の先端部位置T5、T6、T7、T8からも同様にその
平均座標ポイントTBを得る。この二点TA，TBよ
り認識カメラ５の下に配置されている１コマ３１
のＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置ズレおよ
びフインガー３６の形状確認を行なう。
第４図において、tA、tBはフイルムキヤリア１
の１コマ３１のセンターが認識軸Z1−Z2上のセン
ターＯと一致し、かつXY両認識座標軸に対し傾
きがない場合の基準平均座標ポイントである。こ
の基準平均座標ポイントtA、tBと実際に視野Ｓ
１，Ｓ２に採り込まれた画像から得られた平均座
標ポイントTA、TBとから配置された１コマ３１
のＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置ズレデー
タを得る。
の１コマ３１のセンターが認識軸Z1−Z2上のセン
ターＯと一致し、かつXY両認識座標軸に対し傾
きがない場合の基準平均座標ポイントである。こ
の基準平均座標ポイントtA、tBと実際に視野Ｓ
１，Ｓ２に採り込まれた画像から得られた平均座
標ポイントTA、TBとから配置された１コマ３１
のＸ方向、Ｙ方向および回転方向の位置ズレデー
タを得る。
O′は実際に画像より得られた１コマ３１のセ
ンターであり、ΔΘ＝ΘT−Θpとすると、前記１コ
マ３１をＸ方向にΔX、Ｙ方向にΔY、回転方向
にΔΘだけ位置補正すればよいことになる。フイ
ルムキヤリア１を保持移動させるフイルムキヤリ
アガイド１５はＸ方向、Ｙ方向のみ移動可能なの
で、ここでは前記直交する二方向の位置補正のみ
をモータ３２，３３により行ない、回転方向の補
正分ΔΘはバンプ基板６、および半導体ウエハー
基板７側で行なう。４６は認識カメラ５をボール
ネジ４７を介して矢印Ｆ方向に上下可能にしたモ
ータであり、モータ４６の上下動により、フイン
ガー３６に認識カメラ５の焦点を合わせる。
ンターであり、ΔΘ＝ΘT−Θpとすると、前記１コ
マ３１をＸ方向にΔX、Ｙ方向にΔY、回転方向
にΔΘだけ位置補正すればよいことになる。フイ
ルムキヤリア１を保持移動させるフイルムキヤリ
アガイド１５はＸ方向、Ｙ方向のみ移動可能なの
で、ここでは前記直交する二方向の位置補正のみ
をモータ３２，３３により行ない、回転方向の補
正分ΔΘはバンプ基板６、および半導体ウエハー
基板７側で行なう。４６は認識カメラ５をボール
ネジ４７を介して矢印Ｆ方向に上下可能にしたモ
ータであり、モータ４６の上下動により、フイン
ガー３６に認識カメラ５の焦点を合わせる。
次にバンプ基板６について第５図、第６図にお
いて説明する。バンプ基板６は絶縁物よりなり、
その上にメツキ電極層３７があり、さらにその上
には開孔部３８を有したレジストが形成されてい
る。このバンプ基板６を用いメツキ工法により開
孔部３８に近バンプ４０を形成する。バンプ４０
は接合される半導体素子の電極部に対応するよう
に第６図のように配置形成されている。
いて説明する。バンプ基板６は絶縁物よりなり、
その上にメツキ電極層３７があり、さらにその上
には開孔部３８を有したレジストが形成されてい
る。このバンプ基板６を用いメツキ工法により開
孔部３８に近バンプ４０を形成する。バンプ４０
は接合される半導体素子の電極部に対応するよう
に第６図のように配置形成されている。
バンプ基板６はXYΘ駆動部１７上に設けられ
たバンプ基板ステージ４１の上に吸着固定され、
リニアスケール４２ａ，４２ｂで読み取りを行な
いながらモータ４４，４５，４６の駆動により前
記フイルムキヤリア１の配置された１コマ３１の
下へ矢印Ｇ方向、矢印Ｈ方向への水平移動および
Ｉ方向回動を行ないフインガー３６とバンプ４０
の重ね合わせを行なう。４８はバンプ４０の形成
ラインXBと認識軸Ｘとを一致させるようにバン
プ基板ステージ４１を矢印Ｊ方向に回転させるモ
ータである。４９はボールネジでありモータ４５
と接続され、認識軸Z1−Z2と一致する回転中心に
対しΘテーブル５０を回動させる。
たバンプ基板ステージ４１の上に吸着固定され、
リニアスケール４２ａ，４２ｂで読み取りを行な
いながらモータ４４，４５，４６の駆動により前
記フイルムキヤリア１の配置された１コマ３１の
下へ矢印Ｇ方向、矢印Ｈ方向への水平移動および
Ｉ方向回動を行ないフインガー３６とバンプ４０
の重ね合わせを行なう。４８はバンプ４０の形成
ラインXBと認識軸Ｘとを一致させるようにバン
プ基板ステージ４１を矢印Ｊ方向に回転させるモ
ータである。４９はボールネジでありモータ４５
と接続され、認識軸Z1−Z2と一致する回転中心に
対しΘテーブル５０を回動させる。
フインガー３６とバンプ基板６上のバンプ４０
が位置合わせされた状態で、第７図ａ，ｂ図に示
すようにバンプ基板ステージ４１は矢印Ｍ方向に
接合高さまで上昇し、高温に保持されたヒートツ
ール１６の矢印Ｎ方向の下降動作によりバンプ基
板６の上に形成された複数のバンプ４０はフイン
ガー３６に転写される。転写完了後ヒートツール
１６は処理位置へ上昇し、バンプ基板ステージ４
１は初期位置へ下降する。
が位置合わせされた状態で、第７図ａ，ｂ図に示
すようにバンプ基板ステージ４１は矢印Ｍ方向に
接合高さまで上昇し、高温に保持されたヒートツ
ール１６の矢印Ｎ方向の下降動作によりバンプ基
板６の上に形成された複数のバンプ４０はフイン
ガー３６に転写される。転写完了後ヒートツール
１６は処理位置へ上昇し、バンプ基板ステージ４
１は初期位置へ下降する。
バンプ４０の転写後XYΘ駆動部１７上に設け
られた半導体ウエハー基板７吸着固定しているウ
エハー基板ステージ５１はリニアスケール４２
ａ，４２ｂで読み取りを行ないながらモータ４
３，４４，４５の駆動により前記フイルムキヤリ
ア１のバンプ４０の転写された１コマ３１の下へ
矢印Ｇ方向、矢印Ｈ方向への水平移動およびＩ方
向回動を行ないフインガー３６に転写されたバン
プ４０５重ね合わされる。
られた半導体ウエハー基板７吸着固定しているウ
エハー基板ステージ５１はリニアスケール４２
ａ，４２ｂで読み取りを行ないながらモータ４
３，４４，４５の駆動により前記フイルムキヤリ
ア１のバンプ４０の転写された１コマ３１の下へ
矢印Ｇ方向、矢印Ｈ方向への水平移動およびＩ方
向回動を行ないフインガー３６に転写されたバン
プ４０５重ね合わされる。
半導体ウエハー基板７は第８図、第９図に示す
ように構成されている。５２は樹脂フイルム５３
を半導体ウエハー基板７に固定するための接着剤
であり、５４は前記樹脂フイルム５３の上に半導
体素子５５を固定するための熱可塑性接着剤であ
る。５６は半導体素子５５上の電極である。５７
は、ダイジング溝であり樹脂フイルム５３の途中
まで設けられており、前記ダイジング溝５７によ
り半導体素子５５は個々に分離固定されている。
ように構成されている。５２は樹脂フイルム５３
を半導体ウエハー基板７に固定するための接着剤
であり、５４は前記樹脂フイルム５３の上に半導
体素子５５を固定するための熱可塑性接着剤であ
る。５６は半導体素子５５上の電極である。５７
は、ダイジング溝であり樹脂フイルム５３の途中
まで設けられており、前記ダイジング溝５７によ
り半導体素子５５は個々に分離固定されている。
５８は半導体素子５５上の電極５６を結ぶライ
ンXCと認識軸Ｘとを一致させるようにウエハー
基板ステージ５１を矢印Ｐ方向に回転させるモー
タである。フインガー３６に転写されたバンプ４
０と前記半導体素子５５の電極５６が位置合わせ
された状態で第１０図ａ，ｂ図に示すようにウエ
ハー基板ステージ５１は矢印Ｑ方向に接合高さま
で上昇し、高温に保持されたヒートツール１６の
矢印Ｎ方向の下降動作によりフインガー３６と半
導体素子５５はバンプ４０を介して接合される。
接合完了後ヒートツール１６は初期位置へ上昇
し、ウエハー基板ステージ５１は下降する。この
時点で熱可塑性樹脂５４はヒートツール１６の熱
により溶け、ヒートツール１６の下側の半導体素
子５５のみが半導体ウエハー基板７より分離され
フインガー３６に接合される。連続自動運転は上
記の繰返しにより行なわれる。
ンXCと認識軸Ｘとを一致させるようにウエハー
基板ステージ５１を矢印Ｐ方向に回転させるモー
タである。フインガー３６に転写されたバンプ４
０と前記半導体素子５５の電極５６が位置合わせ
された状態で第１０図ａ，ｂ図に示すようにウエ
ハー基板ステージ５１は矢印Ｑ方向に接合高さま
で上昇し、高温に保持されたヒートツール１６の
矢印Ｎ方向の下降動作によりフインガー３６と半
導体素子５５はバンプ４０を介して接合される。
接合完了後ヒートツール１６は初期位置へ上昇
し、ウエハー基板ステージ５１は下降する。この
時点で熱可塑性樹脂５４はヒートツール１６の熱
により溶け、ヒートツール１６の下側の半導体素
子５５のみが半導体ウエハー基板７より分離され
フインガー３６に接合される。連続自動運転は上
記の繰返しにより行なわれる。
第１１図はボンデイング以前のフイルムキヤリ
ア１であり、第１２図、第１３図はそれぞれバン
プ４０の転写後およびバンプ４０を介しての半導
体素子５５の接合後を示した図である。
ア１であり、第１２図、第１３図はそれぞれバン
プ４０の転写後およびバンプ４０を介しての半導
体素子５５の接合後を示した図である。
以上のように本実施例によれば、認識装置によ
りフインガー３６の位置を読み取り、被接合側の
対象物を直交する二方向および回転方向に自動的
に動かすことにより連続的にフインガー３６に半
導体素子５５を正確にしかも生産性高く実装する
ことが可能である。また、XYΘ駆動部１７の上
に、バンプ基板ステージ４１とウエハー基板ステ
ジ５１を設けることにより、バンプ４０の転写方
向によるバンプを有さない汎用半導体素子５５の
接合が可能である。
りフインガー３６の位置を読み取り、被接合側の
対象物を直交する二方向および回転方向に自動的
に動かすことにより連続的にフインガー３６に半
導体素子５５を正確にしかも生産性高く実装する
ことが可能である。また、XYΘ駆動部１７の上
に、バンプ基板ステージ４１とウエハー基板ステ
ジ５１を設けることにより、バンプ４０の転写方
向によるバンプを有さない汎用半導体素子５５の
接合が可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、バンプ形成されたバン
プ基板上の所定バンプとフイルムキヤリアフイン
ガーの所定位置とを認識装置と位置決め手段によ
りXYΘ三方向に位置合わせをし、重ね合わせた
状態で、バンプをヒートツールを介してフイルム
キヤリアへ転写させ、その後フイルムキヤリアフ
インガーへ転写されたバンプと電極上にバンプ形
成されていない汎用半導体素子の電極部とを前記
同様にXYΘ三方向位置合わせし接合することで、
バンプを電極上に有する半導体素子を用いるこれ
までのフイルムキヤリア実装に比較し、その接合
上の信頼性の大幅な向上と半導体素子の汎用性お
よびトータル実装コストの低減が可能となる。さ
らに、認識装置と自動位置合わせ手段の具現化に
より、これまで目視を主とした半導体素子接合作
業が連続自動で行なうことができ生産性の面から
も大きく向上がはかれることができ、その実用的
効果は大きいものがある。
プ基板上の所定バンプとフイルムキヤリアフイン
ガーの所定位置とを認識装置と位置決め手段によ
りXYΘ三方向に位置合わせをし、重ね合わせた
状態で、バンプをヒートツールを介してフイルム
キヤリアへ転写させ、その後フイルムキヤリアフ
インガーへ転写されたバンプと電極上にバンプ形
成されていない汎用半導体素子の電極部とを前記
同様にXYΘ三方向位置合わせし接合することで、
バンプを電極上に有する半導体素子を用いるこれ
までのフイルムキヤリア実装に比較し、その接合
上の信頼性の大幅な向上と半導体素子の汎用性お
よびトータル実装コストの低減が可能となる。さ
らに、認識装置と自動位置合わせ手段の具現化に
より、これまで目視を主とした半導体素子接合作
業が連続自動で行なうことができ生産性の面から
も大きく向上がはかれることができ、その実用的
効果は大きいものがある。
第１図は本発明の一実施例におけるフイルムキ
ヤリアボンデイング装置の全体斜視図、第２図は
本装置の駆動系の分解斜視図、第３図はフイルム
キヤリアの認識視野を示す認識視野の説明図、第
４図は認識による補正量を示す認識補正の説明
図、第５図はバンプ基板の断面図、第６図はバン
プ基板部分の斜視図、第７図ａ，ｂは各々バンプ
転写工程を示すヒートツールの正面図、第８図は
半導体ウエハー基板の断面図、第９図は半導体ウ
エハー基板部分の斜視図、第１０図ａ，ｂ図は半
導体素子接合工程を示すヒートツールの正面図、
第１１図は生フイルムキヤリア部分の斜視図、第
１２図はバンプ転写後のフイルムキヤリア部分の
斜視図、第１３図は半導体素子接合後のフイルム
キヤリア部分の斜視図である。 １……フイルムキヤリア、５……認識カメラ、
６……バンプ基板、７……半導体ウエハー基板、
１５……フイルムキヤリアガイド、１６……ヒー
トツール、１７……XYΘ駆動部、３６……フイ
ンガー、４０……バンプ、４１……バンプ基板ス
テージ、５１……ウエハー基板ステージ、５５…
…半導体素子。
ヤリアボンデイング装置の全体斜視図、第２図は
本装置の駆動系の分解斜視図、第３図はフイルム
キヤリアの認識視野を示す認識視野の説明図、第
４図は認識による補正量を示す認識補正の説明
図、第５図はバンプ基板の断面図、第６図はバン
プ基板部分の斜視図、第７図ａ，ｂは各々バンプ
転写工程を示すヒートツールの正面図、第８図は
半導体ウエハー基板の断面図、第９図は半導体ウ
エハー基板部分の斜視図、第１０図ａ，ｂ図は半
導体素子接合工程を示すヒートツールの正面図、
第１１図は生フイルムキヤリア部分の斜視図、第
１２図はバンプ転写後のフイルムキヤリア部分の
斜視図、第１３図は半導体素子接合後のフイルム
キヤリア部分の斜視図である。 １……フイルムキヤリア、５……認識カメラ、
６……バンプ基板、７……半導体ウエハー基板、
１５……フイルムキヤリアガイド、１６……ヒー
トツール、１７……XYΘ駆動部、３６……フイ
ンガー、４０……バンプ、４１……バンプ基板ス
テージ、５１……ウエハー基板ステージ、５５…
…半導体素子。
Claims (1)
- １ モータ駆動により直交する二方向に水平移動
可能なXY駆動部と、前記XY駆動部を搭載しモ
ータ駆動により水平回動可能なθ駆動部と、前記
XY駆動部上に設けられ独立した回転中心をそれ
ぞれ有し、個々のモータにより水平回動可能かつ
上下動可能な二つの上下動ステージ部と、フイル
ムキヤリアの両縁部に一定ピツチで設けられたパ
ーフオレーシヨン孔に係合するスプロケツトと、
前記スプロケツトと接続され所定角度づつの回転
を与えるフイルムキヤリアフイードモータと、前
記フイルムキヤリアフイードモータによるフイル
ムキヤリアフイード方向と逆方向に一定張力をフ
イルムキヤリアに与えるテンシヨンモータと、作
業位置でのフイルムキヤリアをガイドするフイル
ムキヤリアガイド部と、前記フイルムキヤリアガ
イド部をモータ駆動により直交する二方向に水平
移動可能なガイドXY駆動部と、作業位置のフイ
ルムキヤリア上部に位置し、モータ駆動により上
下動可能なカメラ部と、前記カメラ部と接続し画
像処理を行なう認識装置と、フイルムキヤリアフ
インガーと被接合物とを接合する接合装置とを備
えたフイルムキヤリアボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240226A JPS60132334A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240226A JPS60132334A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132334A JPS60132334A (ja) | 1985-07-15 |
| JPH0572752B2 true JPH0572752B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=17056321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58240226A Granted JPS60132334A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132334A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2576635B2 (ja) * | 1989-07-26 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | インナーリードボンディング方法及び装置 |
| JP4681241B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-05-11 | ボンドテック株式会社 | アライメント方法、この方法を用いた接合方法、接合装置 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58240226A patent/JPS60132334A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60132334A (ja) | 1985-07-15 |
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