JPH0573079B2 - - Google Patents

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JPH0573079B2
JPH0573079B2 JP60192663A JP19266385A JPH0573079B2 JP H0573079 B2 JPH0573079 B2 JP H0573079B2 JP 60192663 A JP60192663 A JP 60192663A JP 19266385 A JP19266385 A JP 19266385A JP H0573079 B2 JPH0573079 B2 JP H0573079B2
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bonding pad
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Hiroyuki Hamaguchi
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大形コンピユータ等の電子機器に使用
される多層配線基板に関し、特に樹脂系の多層配
線基板上での半導体の実装構造に関するものであ
る。
従来の技術 従来、この種の多層配線基板は、これを使用す
る大形コンピユータなどの電子機器の高性能化、
高速化に伴い、配線の高密度化が要求され、近年
高い絶縁性と微細な加工の容易さを有し、かつ比
誘電率の低いポリイミド系樹脂を使用した多層配
線基板が開発された。しかしながら、このポリイ
ミド系樹脂は硬度および抗張力が不十分のため、
表面のボンデイングパツド上に半導体チツプのリ
ードまたは接続ワイヤを熱圧着してボンデイング
する際に、この熱圧着時の圧力によつてポリイミ
ド絶縁層の表面にへこみが生じて正常なボンデイ
ングができないばかりでなく、更に下層の配線層
にも影響を与え、配線不良の原因にもなるという
欠点があつた。この対策として第２図に示すよう
にボンデイングパツド１８と配線層１５との間に
Cu、Niなどのメタル層１６を介在させる構造が
考えられた。（例えば特願昭58−249488号、特開
昭60−140897号公報） しかしながら、上述のメタル層を設けること
は、多層配線基板を形成する層数が増加して、基
板金体にかかるストレスがふえるという欠点があ
り、またボンデイングパツドと配線層との間にメ
タル層があるため配線層とボンデイングパツドと
を結ぶ配線ルートが制限されるという欠点があつ
た。
また、ポリイミド系樹脂は無機絶縁と比較して
熱伝導性が悪い。例えばアルミナの熱伝導率が
17W／ｍＫに対してポリイミド系樹脂では
0.2W／ｍＫである。そのため、ポリイミド系樹
脂を絶縁層とした多層配線基板の熱伝導率も悪く
なるという欠点がある。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、上記の欠点、すなわちポリイ
ミド層が変形しやすいとか、これを防ぐためにメ
タル層を用いると、層数が増え、ストレスが生
じ、また配線ルートが制限を受けるという問題点
を解決し、さらに基板の熱伝導性が悪いために実
装した半導体部品に発生する熱が放散しにくいと
いう問題点をも解決した半導体の実装構造を提供
することにある。
問題点を解決するための手段 本発明は上述の問題点を解決するめに、ポリイ
ミド系樹脂と薄膜選択めつき法による配線パター
ンとによつて多層化し、最上面の少なくとも一層
を硬質の無機化合物の微粉末を混入したポリイミ
ドによつて形成した多層配線基板と、この多層配
線基板の表面上に形成されるボンデイングパツド
と、このボンデイングパツドに熱圧着により接続
されるリードと、このリードを介して前記多層配
線基板上にフエイスダウンで実装される半導体チ
ツプとを有することを特徴とする。
作 用 本発明は上述のように構成したので、ポリイミ
ド多層配線基板上のボンデイングパツド上に半導
体チツプのリードまたは接続ワイヤを熱圧着する
場合、少くとも最上層に硬度の高い無機化合物混
入層があるため、表面にへこみなどの変形が起る
ことがない。
また、リード付き半導体チツプをフエイスダウ
ンにて実装することにより、半導体チツプに発生
する熱を、基板を介さずに、半導体チツプの裏面
から直接放散することが可能となる。このため、
半導体チツプから発生する熱は、効率良く放散さ
れる。
実施例 次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
本発明の一実施例を断面図で示す第１図を参照
すると、本発明の半導体の実装構造は、セラミツ
ク基板１上にポリイミド樹脂２と薄膜選択めつき
法による配線パターン３とが多層に形成され、そ
の最上層はシリカまたはアルミナなどの粉末を混
入したポリイミド層４であり、更にその表面に半
導体チツプ８実装のためのボンデイングパツド５
が形成されたポリイミド多層基板１３と、このボ
ンデイングパツド５上に半導体チツプ８がフエイ
スダウンで実装された構造になつている。また、
セラミツク基板１の上面には導体パターン１２が
形成されており、裏面には入出力用ピン１１が形
成され、導体パターン１２と入出力用ピン１１と
は電気的に接続されている。
ポリイミド多層基板１３の表面には、シリコン
シート７を介して半導体チツプ８を、更にその上
に冷却板１０が実装され、半導体チツプ８と冷却
板１０との間隙には良熱伝導性のコンパウンド９
が充填され、半導体チツプ８で発生した熱が冷却
板１０を介して放熱されるようになつている。ま
た、半導体チツプ８はリード６をボンデイングパ
ツド５に接続されていて、リード６とボンデイン
グパツド５は熱圧着によつてボンデイングパツド
されている。つまり半導体チツプ８はリード６、
ボンデイングパツド５、配線３、導体パターン１
２、入出用ピン１１を介して外部の装置と電気的
に接続されることになる。ここでボンデイングパ
ツド５の直下の絶縁層はシリカまたはアルミナ粉
末を混入したポリイミド４で形成されているの
で、リード６とボンデイングパツド５との熱圧着
時の圧力などに対して充分な硬度及び抗張力を持
つている。そのため、従来必要としていたボンデ
イングパツド５と配線３との間のメチル層を削除
することができる。
また、半導体チツプ８から発生した熱は、熱伝
導性の悪いポリイミド配線基板１３を介すること
なく放散される。具体的には、半導体チツプ８の
裏面、コンパウンド９および冷却板１という伝導
経路を経て、外部へ放散される。このため、半導
体チツプ８の発生する熱は、効率良く放散され
る。
なお本実施例では、ポリイミド多層基板と半導
体チツプとの間にシリコンシートを有し、半導体
チツプの上方に冷却板を有し、かつ入出力用ピン
が基板の下面に出た構造で説明したが、冷却板を
もたない構造でも、さらに入出力用端子を端部に
もつ構造でも同様に実施できる。さらに硬質微粉
末入りポリイミド層は一層でなく数層にしても差
支えない。
発明の効果 以上に説明したように、本発明によれば、表面
に導体パターンが形成された基板の上層の少なく
とも一層をシリカもしくはアルミナなどの硬質の
無機化合物の微粉末を混入したポリイミド層と
し、薄膜選択めつき法による配線パターンとポリ
イミドとで多層化された多層配線基板を使用する
ことにより、高密度化、高速化に有利なポリイミ
ド多層配線基板の層数を最小限に抑えて、熱圧着
によつて表面にへこみを生ずることなく、半導体
を実装することができるという効果がある。
また、本発明では、前述の多層配線基板上にボ
ンデイングパツドを形成し、このボンデイングパ
ツドとリードとを熱圧着で接続し、さらにこのリ
ードを介して、多層配線基板上に半導体チツプを
フエイスダウンで実装しているため、半導体チツ
プの発生する熱を効率よく放散することができる
という効果をも有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図は従来技術の一例を示す断面図である。 １，１４……セラミツク基板、２，１７……ポ
リイミド、３，１５……配線、４……硬質無機粉
末入りポリイミド、５，１８……ボンデイングパ
ツド、６，１９……リード、７……シリコンシー
ト、８，２０……チツプ、９……コンパウンド、
１０……冷却板、１１……入出力用ピン、１２…
…導体パターン、１３……ポリイミド多層基板、
１６……メタル層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ポリイミド系樹脂と薄膜選択めつき法による
    配線パターンとによつて多層化し、最上面の少な
    くとも一層を硬質の無機化合物の微粉末を混入し
    たポリイミドによつて形成した多層配線基板と、 この多層配線基板の表面上に形成されるボンデ
    イングパツドと、 このボンデイングパツドに熱圧着により接続さ
    れるリードと、 このリードを介して前記多層配線基板上にフエ
    イスダウンで実装される半導体チツプとを有する
    ことを特徴とする半導体の実装構造。
JP60192663A 1985-08-31 1985-08-31 半導体の実装構造 Granted JPS6253000A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60192663A JPS6253000A (ja) 1985-08-31 1985-08-31 半導体の実装構造
FR868612072A FR2586885B1 (fr) 1985-08-31 1986-08-26 Substrat de cablage a couches multiples.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60192663A JPS6253000A (ja) 1985-08-31 1985-08-31 半導体の実装構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6253000A JPS6253000A (ja) 1987-03-07
JPH0573079B2 true JPH0573079B2 (ja) 1993-10-13

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ID=16294973

Family Applications (1)

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JP60192663A Granted JPS6253000A (ja) 1985-08-31 1985-08-31 半導体の実装構造

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FR (1) FR2586885B1 (ja)

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