JPH0573957A - コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、従来の追記機能、編集機能を有する
ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０
〜８１０ｎｍの波長範囲で安定した光学特性を実現し、
この波長範囲で完全に記録再生が可能なオレンジブック
に準拠した光ディスクを提供するものである。 【構成】透明基板／記録膜／反射膜からなり、コンパク
トディスクフォーマットあるいはコンパクトディスク−
ＲＯＭフォーマット信号の記録を行なう追記型光ディス
クにおいて、記録膜が下記一般式［Ｉ］で示されるフタ
ロシアニン系色素を含有することを特徴とするコンパク
トディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスク。 一般式［Ｉ］ 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はコンパクトディスク（ＣＤ）対応またはコンパクトデ
ィスク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追記型光ディス
クに関する。

【０００２】

【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてコンパクトディス
ク（ＣＤ）、コンピュータ−ＲＯＭ用としてＣＤ−ＲＯ
Ｍが広く普及している。このようなＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ
は、通常ポリカーボネート等の透明基板表面にＣＤフォ
ーマット信号またはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を有
するピット列を射出成形時に形成し、その上からアルミ
ニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッタリングにより
反射膜として設け、さらに保護層をコートして作成す
る。このようにして作成した光ディスクの基板の裏面か
ら再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レーザー光）を照
射して、ピットの凹凸による反射率の変化から各信号を
読取り、情報を再生するものである。しかし、このよう
なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生専用であり記録ができ
ないため、追記型光ディスクあるいは書換え可能な光磁
気ディスク等のような編集機能がないという不都合さが
あった。一方、編集機能を有する追記型光ディスクある
いは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等カルコゲナイト系
化合物、希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフタロ
シアニン等の有機色素等を記録膜としたものが実用化さ
れている。しかしながら、これらの光ディスクは、基板
面からの反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの国
際規格であるレッドブックに記載されている基板面から
の反射率７０％以上には到達しておらず、現状のままＣ
ＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの再生装置により信号の再生を
行うことはできないという問題点がある。このような問
題点を解決するために、シアニン等の記録膜の上に金等
の反射膜を設けて、基板面反射率で７０％以上を確保し
て７８０ｎｍでＣＤフォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭ
フォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの
再生装置で情報を読み出す光ディスクおよび方法が提案
されている。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、ＣＤのような単板構成で直接太陽光に
さらされるような使用条件下では、記録の信頼性に問題
が生ずる可能性がある。そのため、シアニン色素に代え
て、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン色素
を記録膜材料に使用する試みが検討されている。

【０００４】このフタロシアニン色素の場合には、熱的
にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが非
常にシャープであるため、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭドラ
イブのピックアップに搭載される半導体レーザーの発振
波長の許容範囲（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定した
光学特性（反射率および吸収）を得ることが困難であ
り、記録感度の波長依存性が大きく、汎用性のある追記
型光ディスクに成りにくいという問題点がある。

【０００５】従って、現状では安定性に優れ、さらに記
録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクは提供されていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供するために、化学
的、物理的安定性の優れたフタロシアニン系色素を記録
膜材料として用いる場合に生ずる低記録感度および記録
感度の波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得られる記
録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を得るに
至った。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記のような安定性に優
れ、さらに記録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスクは以下のようにして実現される。
第一の発明は、透明基板／記録膜層／反射膜層／保護膜
の４層構造からなり、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭフォーマ
ット信号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その
記録膜層が下記一般式［１］で示される化合物から選ば
れる一種、または、２種以上のフタロシアニン色素膜よ
り構成されることを特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ
対応の追記型光ディスクである。 一般式［１］

【０００８】

【化１】

【０００９】［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独
立にフッ素置換アルコキシ基、またはフッ素置換アルキ
ルチオ基を表し、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ は、それぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、
置換基を有してもよいアリール基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基を表す。ｎ1 〜ｎ4 は置換基Ｘ¹ 〜
Ｘ⁴の置換数で１〜２の整数を表す。中心金属Ｍは、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。 ここで、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ は、置換基を有してもよいア
ルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよい
アリーロキシ基、置換基を有してもよいシロキシ基を表
す。ｍは、１または２の整数であり置換基Ｚの個数を表
す。］

【００１０】請求項１において、一般式［１］のＸ¹ 〜
Ｘ⁴の置換位置が、それぞれＸ¹ が式中の１位または４
位のいずれか、または両方に、Ｘ² が式中の５位または
８位のいずれか、または両方に、Ｘ³ が式中の９位また
は１２位のいずれか、または両方に、Ｘ⁴ が式中の１３
位または１６位のいずれか、または両方に必ず置換して
いることを特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追
記型光ディスク。

【００１１】本発明の記録膜層が、一般式［１］で示さ
れるフタロシアニン系色素で示されるフタロシアニン系
色素膜により構成することについては、一般式［１］で
示されるフタロシアニン系色素は、導入されたフッ素置
換アルコキシ基、またはフッ素置換アルキルチオ基によ
り、汎用の有機溶媒（例えばメタノールやエタノール）
に高い溶解性を持つようになり、スピンコート法による
記録膜の作成が容易となる。また、置換基のフッ素原子
の効果により、基板との界面エネルギーによると考えら
れるが、記録ピットの状態が良好になり、記録信号のコ
ントラストが大きく、さらに再生波形がきれいになる。
また、置換位置の効果により吸収波長が長波長にシフト
し、記録レーザーの発振波長域に吸収を有し、さらに、
置換位置の効果によりフタロシアニン骨格の熱分解点が
低下する。中心金属からフタロシアニンの分子平面から
垂直方向導入された置換基（軸方向置換基、または、軸
配位子）の効果によって、さらに溶解性が増すととも
に、記録膜上でフタロシアニン分子同士の会合を抑制す
るため、高い分子吸光係数を示すとともに、最大反射率
を示す点が半導体レーザーの発信波長領域に近付くた
め、ディスクとしてオレンジブックの規格である６５％
以上の反射率を確保することができる等の特徴を有す
る。

【００１２】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン系色素に導入されるＸ¹ 〜Ｘ⁴ の置換基の代表例
としては、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２，
２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、２，２，
３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブトキシ基、
１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペントキシ基、１
Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプトキシ基、１Ｈ、
１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルオキシ基、２−
（パーフルオロヘキシル）エトキシ基、２−（パーフル
オロオクチル）エトキシ基、２−（パーフルオロデシ
ル）エトキシ基、２−（パーフルオロ−３−メチルブチ
ル）エトキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシル
オキシ基、６−（パーフルオロヘキシル）ヘキシルオキ
シ基、２，２，２−トリフルオロメチルチオ基、２，
２，３，３−テトラフルオロプロピルチオ基、２，２，
３，３，３−ペンタフルオロプロピルチオ基、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルチオ
基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルチ
オ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルチオ
基、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルチオ
基、２−（パーフルオロヘキシル）エチルチオ基、６−
（パーフルオロエチル）ヘキシルチオ基等がある。

【００１３】本発明の一般式［１］で示されるフタロシ
アニン系色素に導入されるＹ¹ 〜Ｙ⁴ を構成する原子お
よび有機置換基の代表例としては、ハロゲン原子として
は塩素、臭素、ヨウ素、フッ素があり、置換基を有して
もよいアルキル基としては、メチル基、ｎ−ブチル基、
ｔｅｒｔ−ブチル基、ステアリル基、トリクロロメチル
基、２−メトキシエチル基、フタルイミドメチル基等
を、置換基を有してもよいアリール基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル基等があり、置換基を有してもよい
アルコキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基等があ
り、置換基を有してもよいアリールオキシ基としてはフ
ェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノキシ基等があり、置換基を有してもよいアル
キルチオ基としては、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチル
チオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基等があり、置
換基を有してもよいアリールチオ基としてはフェニルチ
オ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニルチオ基、テトラフルオロフェニルチオ等がそ
れぞれ挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。

【００１４】本発明において、一般式［Ｉ］で示される
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。

【００１５】すなわち、下記一般式［ＩＩ］で示される
イソインドリン化合物、あるいは、相当するフタル酸無
水物類、フタルイミド類、またはフタロニトリル類と各
種金属塩を出発原料として常法により、一般式［ＩＩ
Ｉ］で示されるフタロシアニン系化合物を製造できる。

【００１６】一般式［ＩＩ］

【化２】

【００１７】［式中、Ｘ、Ｙ、ｎはそれぞれ一般式
［Ｉ］におけるＸ¹ 〜Ｘ⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ 、ｎ1 〜ｎ4 と
同じ意味を表す。］

【００１８】一般式［ＩＩＩ］

【化３】

【００１９】［式中、Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ 、ｎ1 〜
ｎ4 、Ｍ、ｍはそれぞれ一般式［Ｉ］におけるＸ¹ 〜Ｘ
⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴、ｎ1 〜ｎ4 、Ｍ、ｍと同じ意味を表
す。

【００２０】次に、得られた一般式［ＩＩＩ］で示され
るフタロシアニン化合物に、種々のシリコン化合物、ゲ
ルマニウム化合物を反応させることにより、一般式
［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物を製造すること
ができる。

【００２１】本発明で使用される一般式［Ｉ］で示され
るフタロシアニン化合物の代表的な例として下記に示す
フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｋ）等が挙げられる
が、これらに限定される物ではない。

【００２２】フタロシアニン化合物（ａ）

【化４】

【００２３】フタロシアニン化合物（ｂ）

【化５】

【００２４】フタロシアニン化合物（ｃ）

【化６】

【００２５】フタロシアニン化合物（ｄ）

【化７】

【００２６】フタロシアニン化合物（ｅ）

【化８】

【００２７】フタロシアニン化合物（ｆ）

【化９】

【００２８】フタロシアニン化合物（ｇ）

【化１０】

【００２９】フタロシアニン化合物（ｈ）

【化１１】

【００３０】フタロシアニン化合物（ｉ）

【化１２】

【００３１】フタロシアニン化合物（ｊ）

【化１３】

【００３２】フタロシアニン化合物（ｋ）

【化１４】

【００３３】本発明における一般式［１］で示されるフ
タロシアニン化合物を用いた記録膜層には、記録膜の耐
光性、耐環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさ
らに向上させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収
剤等の添加剤を加えてもよい。

【００３４】記録膜層の成膜方法としては、ドライプロ
セス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によって
も可能であるが、ウェットプロセス、例えば、スピンコ
ート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法ある
いはＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によっても
可能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、
例えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロ
ゲン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性
および記録膜の均一性からスピンコート法により成膜す
る方法が好ましい。

【００３５】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えてもよ
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、色素に対して３０重量％以下が好ましい。

【００３６】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録膜材
料の種類および組合せにより異なるため特に制限はな
く、５００〜３０００Åが好ましく、さらに１０００〜
２５００Åが最適膜厚範囲である。

【００３７】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ₄ 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。また、場合によっては有機系
の高反射膜を使用することもできる。

【００３８】このような反射膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。

【００３９】本発明の反射膜の最適膜厚については、特
に制限はないが４００〜１３００Åの範囲が好ましい。

【００４０】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でディスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。

【００４１】保護層の最適膜厚については、薄い場合に
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。

【００４２】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。

【００４３】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく矩形、台形あるいはＵ字形であってもよい。ま
た、案内溝の寸法については、記録膜材料の種類および
組合せ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが１０００〜２０００Åの範囲が好ま
しい。

【００４４】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００４５】

【実施例】以下の実施例により、本発明を具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例に限られるものではな
い。なお、部とは重量部、％とは重量％を示す。はじめ
に、本発明で使用されるフタロシアニン化合物の代表例
の製造法について説明する。

【００４６】 製造例１：フタロシアニン化合物（ａ）の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に、５−（２，２，２−トリフルオロエチル）オ
キシ−１，３−ジイミノイソインドリン７．８部および
四塩化ケイ素５．０部を加え、１６０〜１７０℃で３時
間加熱攪拌後、冷却し、メタノール１０００部で希釈、
析出した沈殿をろ過、メタノール／水（４／１）混合溶
液で洗浄、乾燥して緑色の粉末６．３部を得た。この粉
末を濃硫酸３００部に溶解した後、氷水６０００部に注
入、析出した沈殿をろ過、水洗、乾燥して緑青色の粉末
５．０部を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結果、一
般式［ＩＩＩ］に相当するジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン体であることが確認された。上記で得られたジ
ヒドロキシシリコンフタロシアニン体５．０部をピコリ
ン３００部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０部に攪拌溶解
した後、トリ−ｎ−ヘキシルクロロシラン５．０部を加
え、３時間加熱環流した。冷却後、反応液を５％塩酸水
２０００部に注入、析出した沈殿をろ過、水洗した後、
メタノール／水（３／１）混合溶液で洗浄、乾燥して緑
色の粉末５．２部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この
粉末はフタロシアニン化合物（ａ）であることが確認さ
れた。

【００４７】 製造例２：フタロシアニン化合物（ｃ）の製造 製造例１の５−（２，２，２−トリフルオロエチル）オ
キシ−１，３−ジイミノイソインドリン７．８部の代り
に４−（２，２，３，３−テトラフルオロプロピル）オ
キシ−１，３−ジイミノイソインドリン７．６部とし、
製造例１と同様に処理して、一般式［ＩＩＩ］に相当す
るジヒドロキシシリコンフタロシアニン体の青緑色粉末
４．６部を得た。上記で得られたジヒドロキシシリコン
フタロシアニン体４．６部をピコリン３００部、トリ−
ｎ−ブチルアミン５０部に攪拌溶解した後、ジメチル−
ｎ−オクチルクロロシラン５．０部を加え、３時間加熱
環流した。冷却後、反応液を５％塩酸水２０００部に注
入、析出した沈殿をろ過、水洗した後、メタノール／水
（３／１）混合溶液で洗浄、乾燥して緑色の粉末４．２
部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この粉末はフタロシ
アニン化合物（ｃ）であることが確認された。

【００４８】 製造例３：フタロシアニン化合物（ｅ）の製造 製造例１の５−（２，２，２−トリフルオロエチル）オ
キシ−１，３−ジイミノイソインドリン７．８部の代り
に５−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロヘキシル）オキシ−
１，３−ジイミノイソインドリン８．６部とし、製造例
１と同様に処理して、一般式［ＩＩＩ］に相当するジヒ
ドロキシシリコンフタロシアニン体の青緑色粉末５．４
部を得た。上記で得られたジヒドロキシシリコンフタロ
シアニン体５．０部をピリジン３００部、トリ−ｎ−ブ
チルアミン５０部に攪拌溶解した後、ジメチルジクロロ
シラン５．０部を加えて室温で６時間攪拌後、昇温して
過剰のジメチルジクロロシランを留去した。反応液にｎ
−ヘキシルアルコール１００部を加えて４時間加熱環流
し、冷却後、反応液を５％塩酸水３００部に注入し、析
出した暗緑色の粘調な個体をクロロホルムに溶解、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去した後、カラ
ム精製（シリカゲル／クロロホルム）によって緑色の粉
末３．０部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この粉末は
フタロシアニン化合物（ｅ）であることが確認された。

【００４９】 製造例４：フタロシアニン化合物（ｇ）の製造 製造例１の５−（２，２，２−トリフルオロエチル）オ
キシ−１，３−ジイミノイソインドリン７．８部の代り
に４−（２，２，３，３−テトラフルオロプロピル）オ
キシ−６−ニトロー１，３−ジイミノイソインドリン
８．８部とし、製造例１と同様に処理して、一般式［Ｉ
ＩＩ］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシアニン
体の青緑色粉末７．２部を得た。上記で得られたジヒド
ロキシシリコンフタロシアニン体７．０部をピコリン３
５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン６０部に攪拌溶解した
後、ジメチル−ｎ−オクチルクロロシラン７．０部を加
え、３時間加熱環流した。冷却後、反応液を５％塩酸水
２０００部に注入、析出した沈殿をろ過、水洗した後、
メタノール／水（３／１）混合溶液で洗浄、乾燥して緑
色の粉末５．８部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この
粉末はフタロシアニン化合物（ｇ）であることが確認さ
れた。

【００５０】 製造例５：フタロシアニン化合物（ｋ）の製造 製造例１の５−（２，２，２−トリフルオロエチル）オ
キシ−１，３−ジイミノイソインドリン７．８部の代り
に４，７−ジ（２，２，２−トリフルオロエチル）オキ
シ−１，３−ジイミノイソインドリン８．３部とし、製
造例１と同様に処理して、一般式［ＩＩＩ］に相当する
ジヒドロキシシリコンフタロシアニン体の青緑色粉末
４．８部を得た。上記で得られたジヒドロキシシリコン
フタロシアニン体４．０部をピリジン３００部に溶解し
た後、トリメチルクロロシラン５．０部を加えて室温で
１２時間攪拌した。反応液を５％塩酸水２０００部に注
入、析出した沈殿をろ過、水洗した後、メタノール／水
（４／１）混合溶液で洗浄、乾燥して、暗緑色の粉末
３．１部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この粉末はフ
タロシアニン化合物（ｋ）であることが確認された。

【００５１】実施例１ 深さ１２００Å、幅０．５０ミクロン、ピッチ１．６ミ
クロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍｍ、外径１２０
ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタ
ロシアニン化合物［ａ］を２，２，３，３−テトラフル
オロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、
０．２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、
この塗液を用いて、スピンコーターにより色素膜厚１３
００Åに成膜した。次に、このようにして得た色素膜の
上に真空蒸着により金を膜厚８００Åに成膜した。さら
に、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミク
ロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。このように
して作成した光ディスクの反射率は７１％であった。こ
のようにして作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎ
ｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃ
で、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、
最適記録レーザーパワーが７．９ｍＷで記録が可能であ
った。次に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザー
パワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号
は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベ
ルであった。

【００５２】実施例２ 深さ１５００Å、幅０．５２ミクロン、ピッチ１．６ミ
クロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍｍ、外径１２０
ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタ
ロシアニン化合物［ｃ］をジアセトンアルコールに６５
ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタ
リングを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピン
コーターにより色素膜厚１４５０Åに成膜した。次に、
このようにして得た色素膜の上に真空蒸着により金を膜
厚５００Åに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型
樹脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディ
スクを作成した。このようにして作成した光ディスクの
反射率は７７％であった。このようにして作成した光デ
ィスクを用い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用
して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマ
ット信号を記録したところ、最適記録レーザーパワーが
７．２ｍＷで記録が可能であった。次に、この信号をＣ
Ｄプレーヤーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を
行ったところ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤ
プレーヤーに十分かかるレベルであった。

【００５３】実施例３ 深さ１２５０Å、幅０．４８ミクロン、ピッチ１．６ミ
クロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍｍ、外径１２０
ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上に、フタ
ロシアニン化合物［ｇ］をエチルセロソルブに５０ｍｇ
／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリン
グを行い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコー
ターにより色素膜厚１７２０Åに成膜した。次に、この
ようにして得た色素膜の上に真空蒸着により金を膜厚５
００Åに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂
により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスク
を作成した。このようにして作成した光ディスクの反射
率は７４％であった。このようにして作成した光ディス
クを用い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して
線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット
信号を記録したところ、最適記録レーザーパワーが６．
５ｍＷで記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプ
レーヤーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行っ
たところ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレ
ーヤーに十分かかるレベルであった。

【００５４】実施例４〜１１ 深さ１２５０Å、幅０．４８ミクロン、ピッチ１．６ミ
クロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍｍ、外径１２０
ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート基板上に、表１
に示すフタロシアニン化合物を２，２，３，３−テトラ
フルオロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解
し、０．２ミクロンのフィルタリングを行い塗液を調製
し、この塗液を用いて、スピンコーターにより色素膜厚
１３００Åとして記録膜を成膜した。次に、このように
して得た色素膜の上に真空蒸着により金を膜厚５００Å
に成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により
保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成
した。このようにして作成した光ディスクの反射率およ
び実施例１と同様の方法で記録、再生を行った場合の最
適記録レーザーパワーを表１に示す。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板／記録膜層／反射膜層／保護膜
   の４層構造からなり、コンパクトディスクフォーマット
   信号またはコンパクトディスク−ＲＯＭフォーマット信
   号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記録膜
   層が下記一般式［１］で示される化合物から選ばれる一
   種、または、２種以上のフタロシアニン色素膜より構成
   されることを特徴とするコンパクトディスク対応または
   コンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独立にフッ素置
   換アルコキシ基、またはフッ素置換アルキルチオ基を表
   し、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン
   原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有し
   てもよいアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
   基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、
   ニトロ基を表す。ｎ1 〜ｎ4 は置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の置換
   数で１〜２の整数を表す。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、
   Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎを表す。 ここで、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ は、置換基を有してもよいア
   ルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を
   有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよい
   アリーロキシ基、置換基を有してもよいシロキシ基を表
   す。ｍは、１または２の整数であり置換基Ｚの個数を表
   す。］
2. 【請求項２】 請求項１において、一般式［１］のＸ¹
   〜Ｘ⁴ の置換位置が、それぞれＸ¹ が式中の１位または
   ４位のいずれか、または両方に、Ｘ² が式中の５位また
   は８位のいずれか、または両方に、Ｘ³ が式中の９位ま
   たは１２位のいずれか、または両方に、Ｘ⁴ が式中の１
   ３位または１６位のいずれか、または両方に必ず置換し
   ていることを特徴とするコンパクトディスク対応または
   コンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。