JPH0574348A - チツプイングラス型蛍光表示パネルの製造方法 - Google Patents
チツプイングラス型蛍光表示パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH0574348A JPH0574348A JP23754791A JP23754791A JPH0574348A JP H0574348 A JPH0574348 A JP H0574348A JP 23754791 A JP23754791 A JP 23754791A JP 23754791 A JP23754791 A JP 23754791A JP H0574348 A JPH0574348 A JP H0574348A
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- chip
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
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Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】チップイングラス型蛍光表示パネルの製造工数
を減らし、作業効率を高める。 【構成】基板ガラス３上のＩＣチップ搭載部に形成され
る絶縁層７に第１，第２の開口１，２を設け、第１の開
口１にダイボンド材を充填し、ダイボンド材の粘着性と
第２の開口２の側壁の部分によってＩＣチップの仮止め
を行ってワイヤボンディングし、ダイボンド材のキュア
をフリットガラスによる封入工程で同時に行う。 【効果】ダイボンド材のキュアに要する時間及びキュア
の工程を削減できる。
を減らし、作業効率を高める。 【構成】基板ガラス３上のＩＣチップ搭載部に形成され
る絶縁層７に第１，第２の開口１，２を設け、第１の開
口１にダイボンド材を充填し、ダイボンド材の粘着性と
第２の開口２の側壁の部分によってＩＣチップの仮止め
を行ってワイヤボンディングし、ダイボンド材のキュア
をフリットガラスによる封入工程で同時に行う。 【効果】ダイボンド材のキュアに要する時間及びキュア
の工程を削減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップイングラス型蛍光
表示パネルの製造方法に関し、特に駆動用ＩＣチップを
真空外囲器内に内蔵するチップイングラス型蛍光表示パ
ネルの製造方法に関する。
表示パネルの製造方法に関し、特に駆動用ＩＣチップを
真空外囲器内に内蔵するチップイングラス型蛍光表示パ
ネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップイングラス（以下、ＣＩＧ
と記す）型蛍光表示パネルの製造方法は、図９及び図１
０に示すように、まず、基板ガラス３にスパッタにより
Ａｌ薄膜によるＡｌ配線が形成され、次に、蛍光体層４
とＡｌ配線との導通及び基板ガラス３上のボンディング
パッド５とボンディングワイヤ６とのボンディングを可
能にするためのスルーホール用の貫通孔を有する絶縁層
７が２層塗布され焼成される。蛍光体層４との導通を図
るための貫通孔には、導通用のグラファイトが充填さ
れ、その上の絶縁層７の上にパターン状のグラファイト
８が形成され、その上に蛍光体層４が塗布される。
と記す）型蛍光表示パネルの製造方法は、図９及び図１
０に示すように、まず、基板ガラス３にスパッタにより
Ａｌ薄膜によるＡｌ配線が形成され、次に、蛍光体層４
とＡｌ配線との導通及び基板ガラス３上のボンディング
パッド５とボンディングワイヤ６とのボンディングを可
能にするためのスルーホール用の貫通孔を有する絶縁層
７が２層塗布され焼成される。蛍光体層４との導通を図
るための貫通孔には、導通用のグラファイトが充填さ
れ、その上の絶縁層７の上にパターン状のグラファイト
８が形成され、その上に蛍光体層４が塗布される。
【０００３】一方、絶縁層７のＩＣチップ１０搭載部に
はダイボンド材９がスタンプされ、その上にＩＣチップ
１０がマウントされ、高温下，数時間でキュアされ、そ
の後、ＩＣチップ１０と基板上のボンディングパッド５
がボンディングワイヤ６によりボンディングされ、グリ
ッド，フィラメント，スペーサカバーガラス等と共に組
み上げられて高温下のフリッドガラスの溶融により封入
される。最後に、内部を真空に引き、仕上げを行い完成
する。
はダイボンド材９がスタンプされ、その上にＩＣチップ
１０がマウントされ、高温下，数時間でキュアされ、そ
の後、ＩＣチップ１０と基板上のボンディングパッド５
がボンディングワイヤ６によりボンディングされ、グリ
ッド，フィラメント，スペーサカバーガラス等と共に組
み上げられて高温下のフリッドガラスの溶融により封入
される。最後に、内部を真空に引き、仕上げを行い完成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の製造方法で
は、ダイボンド材のキュアのために予熱，放熱の時間を
含めて６時間程度かかり、また、バッチ式でしか行えな
いため生産効率の低下を招くという欠点があった。
は、ダイボンド材のキュアのために予熱，放熱の時間を
含めて６時間程度かかり、また、バッチ式でしか行えな
いため生産効率の低下を招くという欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、ダイボンド材のキュアの
時間を短縮できる生産効率の高いＣＩＧ型蛍光表示管を
提供することにある。
時間を短縮できる生産効率の高いＣＩＧ型蛍光表示管を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は基板ガラス上に
スパッタリングにてＡｌ薄膜の配線パターンを形成する
工程と、電極と外部端子を前記配線に接続するスルーホ
ール用の貫通孔とＩＣチップ搭載用の開口を有する絶縁
層をスクリーン印刷により２層形成する工程と、前記貫
通孔に導通用グラファイトを充填しスルーホールを形成
する工程と、前記絶縁層上に前記スルーホールを介して
表示パターンを構成するグラファイト層を形成し該グラ
ファイト層上に蛍光体層を塗布する工程と、前記ＩＣチ
ップ搭載用の開口の前記基板ガラス上にダイボンド材を
スタンプし前記ＩＣチップを搭載する工程と、該ＩＣチ
ップと基板上のボンディングパッドとをワイヤボンディ
ングしグリッド，フィラメントと共にスペーサガラスを
介してカバーガラスにて封入し排気する工程とを有する
チップイングラス型蛍光表示パネルの製造方法におい
て、前記ＩＣを搭載する開口を少くとも２辺が前記ＩＣ
チップの対応する辺の大きさよりも小さい第１の開口と
前記ＩＣチップが挿入可能な第２の開口の２層構造と
し、前記第１の開口に前記ダイボンド材を充填する工程
と、該ダイボンド材上に前記ＩＣチップを搭載して前記
第２の開口の側壁と前記ダイボンド材の粘着性で前記Ｉ
Ｃチップを仮止めしワイヤボンディングを行う工程と、
封入時の加熱によって前記ダイボンド材のキュアを行う
工程とを含む。
スパッタリングにてＡｌ薄膜の配線パターンを形成する
工程と、電極と外部端子を前記配線に接続するスルーホ
ール用の貫通孔とＩＣチップ搭載用の開口を有する絶縁
層をスクリーン印刷により２層形成する工程と、前記貫
通孔に導通用グラファイトを充填しスルーホールを形成
する工程と、前記絶縁層上に前記スルーホールを介して
表示パターンを構成するグラファイト層を形成し該グラ
ファイト層上に蛍光体層を塗布する工程と、前記ＩＣチ
ップ搭載用の開口の前記基板ガラス上にダイボンド材を
スタンプし前記ＩＣチップを搭載する工程と、該ＩＣチ
ップと基板上のボンディングパッドとをワイヤボンディ
ングしグリッド，フィラメントと共にスペーサガラスを
介してカバーガラスにて封入し排気する工程とを有する
チップイングラス型蛍光表示パネルの製造方法におい
て、前記ＩＣを搭載する開口を少くとも２辺が前記ＩＣ
チップの対応する辺の大きさよりも小さい第１の開口と
前記ＩＣチップが挿入可能な第２の開口の２層構造と
し、前記第１の開口に前記ダイボンド材を充填する工程
と、該ダイボンド材上に前記ＩＣチップを搭載して前記
第２の開口の側壁と前記ダイボンド材の粘着性で前記Ｉ
Ｃチップを仮止めしワイヤボンディングを行う工程と、
封入時の加熱によって前記ダイボンド材のキュアを行う
工程とを含む。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例の一部切欠き
平面図、図２は図１のＩＣチップ搭載部の部分拡大平面
図、図３はＩＣチップ搭載前の第１の実施例の絶縁層の
開口部の斜視図、図４は図２のＡ−Ａ′線断面図であ
る。
平面図、図２は図１のＩＣチップ搭載部の部分拡大平面
図、図３はＩＣチップ搭載前の第１の実施例の絶縁層の
開口部の斜視図、図４は図２のＡ−Ａ′線断面図であ
る。
【０００９】第１の実施例は、図１，図２，図３及び図
４に示すように、絶縁層７がスクリーン印刷によって表
面にＡｌ配線が形成された基板ガラス３上に２層塗布，
焼成されて被覆される。その際に、スクリーンを２種類
用い１層目のＩＣチップ１０搭載部に第１の開口１を設
け、１層目の絶縁層を被覆する２層目に第２の開口２を
設ける。１層目と２層目の絶縁層の厚みは、それぞれ２
０μｍとするので、第１の開口１の深さは、２０μｍ×
２＝４０μｍ，第２の開口２の深さは２０μｍとなる。
４に示すように、絶縁層７がスクリーン印刷によって表
面にＡｌ配線が形成された基板ガラス３上に２層塗布，
焼成されて被覆される。その際に、スクリーンを２種類
用い１層目のＩＣチップ１０搭載部に第１の開口１を設
け、１層目の絶縁層を被覆する２層目に第２の開口２を
設ける。１層目と２層目の絶縁層の厚みは、それぞれ２
０μｍとするので、第１の開口１の深さは、２０μｍ×
２＝４０μｍ，第２の開口２の深さは２０μｍとなる。
【００１０】また、第１の開口１の大きさは、少なくと
も２辺をＩＣチップ１０の対応する辺の大きさよりも小
さくし、第２の開口２は、短辺方向の長さがＩＣチップ
１０の長さよりも０．１ｍｍ程度大きくし、長辺方向は
ＩＣチップ１０をマウントする際に振動を与えてＩＣチ
ップ１０とダイボンド材９とをなじませるので、その振
幅の分だけ大きくとる必要がある。ワイヤボンディング
は、ＩＣチップ１０をマウントし、ダイボンド材９の粘
着性と第２の開口２による仮止めの状態で行われる。こ
の後、グリッド，フィラメント等の電極部品やカバーガ
ラス，スペーサ等と共に組み立てられ、フリットガラス
の溶融によって封入が行われるが、この時、同時にダイ
ボンド材９のキュアが行われる。最後に、内部を真空に
引き、封止して仕上を行い完成する。
も２辺をＩＣチップ１０の対応する辺の大きさよりも小
さくし、第２の開口２は、短辺方向の長さがＩＣチップ
１０の長さよりも０．１ｍｍ程度大きくし、長辺方向は
ＩＣチップ１０をマウントする際に振動を与えてＩＣチ
ップ１０とダイボンド材９とをなじませるので、その振
幅の分だけ大きくとる必要がある。ワイヤボンディング
は、ＩＣチップ１０をマウントし、ダイボンド材９の粘
着性と第２の開口２による仮止めの状態で行われる。こ
の後、グリッド，フィラメント等の電極部品やカバーガ
ラス，スペーサ等と共に組み立てられ、フリットガラス
の溶融によって封入が行われるが、この時、同時にダイ
ボンド材９のキュアが行われる。最後に、内部を真空に
引き、封止して仕上を行い完成する。
【００１１】図５は本発明の第２の実施例の一部切欠き
平面図、図６は図５のＩＣチップ搭載部の部分拡大平面
図、図７はＩＣチップ搭載前の第２の実施例の絶縁層の
開口部の斜視図、図８は図６のＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
平面図、図６は図５のＩＣチップ搭載部の部分拡大平面
図、図７はＩＣチップ搭載前の第２の実施例の絶縁層の
開口部の斜視図、図８は図６のＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
【００１２】第２の実施例は、第１の実施例の製造方法
と同じであるが、図５，図６，図７及び図８に示すよう
に、絶縁層７の第１の開口１１の形を変え、長辺方向の
一部に延長部分を設け、第２の開口１２もそれに応じて
延長された部分を有することが特徴となる。
と同じであるが、図５，図６，図７及び図８に示すよう
に、絶縁層７の第１の開口１１の形を変え、長辺方向の
一部に延長部分を設け、第２の開口１２もそれに応じて
延長された部分を有することが特徴となる。
【００１３】第２の実施例では余ったダイボンド材９が
チップ１０を抱き込む形となるため、仮止めの強度がよ
り増加する利点がある。
チップ１０を抱き込む形となるため、仮止めの強度がよ
り増加する利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したもうに本発明は、絶縁層上
に設けた第１，第２の開口とダイボンド材の粘着性によ
ってＩＣチップの仮止めを行い、その状態でワイヤボン
ディングを行うことにより、ダイボンド材のキュアにか
かる数時間を短縮することができる効果がある。
に設けた第１，第２の開口とダイボンド材の粘着性によ
ってＩＣチップの仮止めを行い、その状態でワイヤボン
ディングを行うことにより、ダイボンド材のキュアにか
かる数時間を短縮することができる効果がある。
【００１５】また、第２の実施例では、余ったダイボン
ド材がＩＣチップを抱き込むような形で外に広がるので
より仮止めの強度が増加し、ワイヤボンディング時のＩ
Ｃチップはがれなどを低減することができる効果があ
る。
ド材がＩＣチップを抱き込むような形で外に広がるので
より仮止めの強度が増加し、ワイヤボンディング時のＩ
Ｃチップはがれなどを低減することができる効果があ
る。
【図１】本発明の第１の実施例の一部切欠き平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＩＣチップ搭載部の部分拡大平面図であ
る。
る。
【図３】ＩＣチップ搭載前の第１の実施例の絶縁層の開
口部の斜視図である。
口部の斜視図である。
【図４】図２のＡ−Ａ′線断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例の一部切欠き平面図であ
る。
る。
【図６】図５のＩＣチップ搭載部の部分拡大平面図であ
る。
る。
【図７】ＩＣチップ搭載前の第２の実施例の絶縁層の開
口部の斜視図である。
口部の斜視図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ′線断面図である。
【図９】従来のＣＩＧ型蛍光表示パネルのＩＣチップ搭
載部の一例の部分拡大平面図である。
載部の一例の部分拡大平面図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ′線断面図である。
１，１１ 第１の開口 ２，１２ 第２の開口 ３ 基板ガラス ４ 蛍光体層 ５ 基板上のボンディングパッド ６ ボンディングワイヤ ７ 絶縁層 ８ グラファイト ９ ダイボンド材 １０ ＩＣチップ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板ガラス上にスパッタリングにてＡｌ
薄膜の配線パターンを形成する工程と、電極と外部端子
を前記配線に接続するスルーホール用の貫通孔とＩＣチ
ップ搭載用の開口を有する絶縁層をスクリーン印刷によ
り２層形成する工程と、前記貫通孔に導通用グラファイ
トを充填しスルーホールを形成する工程と、前記絶縁層
上に前記スルーホールを介して表示パターンを構成する
グラファイト層を形成し該グラファイト層上に蛍光体層
を塗布する工程と、前記ＩＣチップ搭載用の開口の前記
基板ガラス上にダイボンド材をスタンプし前記ＩＣチッ
プを搭載する工程と、該ＩＣチップと基板上のボンディ
ングパッドとをワイヤボンディングしグリッド，フィラ
メントと共にスペーサガラスを介してカバーガラスにて
封入し排気する工程とを有するチップイングラス型蛍光
表示パネルの製造方法において、前記ＩＣを搭載する開
口を少くとも２辺が前記ＩＣチップの対応する辺の大き
さよりも小さい第１の開口と前記ＩＣチップが挿入可能
な第２の開口の２層構造とし、前記第１の開口に前記ダ
イボンド材を充填する工程と、該ダイボンド材上に前記
ＩＣチップを搭載して前記第２の開口の側壁と前記ダイ
ボンド材の粘着性で前記ＩＣチップを仮止めしワイヤボ
ンディングを行う工程と、封入時の加熱によって前記ダ
イボンド材のキュアを行う工程とを含むことを特徴とす
るチップイングラス型蛍光表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23754791A JPH0574348A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | チツプイングラス型蛍光表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23754791A JPH0574348A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | チツプイングラス型蛍光表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574348A true JPH0574348A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17016950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23754791A Pending JPH0574348A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | チツプイングラス型蛍光表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574348A (ja) |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23754791A patent/JPH0574348A/ja active Pending
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