JPH0574593A - 低エネルギー荷電粒子ビームパルス化装置 - Google Patents
低エネルギー荷電粒子ビームパルス化装置Info
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- JPH0574593A JPH0574593A JP26109691A JP26109691A JPH0574593A JP H0574593 A JPH0574593 A JP H0574593A JP 26109691 A JP26109691 A JP 26109691A JP 26109691 A JP26109691 A JP 26109691A JP H0574593 A JPH0574593 A JP H0574593A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 title abstract 3
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 claims description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 荷電粒子の通過できる多数の空隙を持つ入口
電極2aと出口電極2cの間に、荷電粒子の通過できる多数
の空隙を持つ１又は２以上の中間電極2bを配置し、且つ
上記空隙の大きさをそれぞれの電極の間隔に比べて小さ
くするとともに、中間電極2bに時間的に変化する電位を
かけてチョッピングするチョッピング装置２と、１個ま
たは複数個のバンチャーとからなり、上記チョッピング
装置２でチョッピングされた荷電粒子パルスビームのパ
ルス幅を狭めるバンチング装置５からなる低エネルギー
荷電粒子ビームパルス化装置。 【効果】測定装置などに必要な１ナノ秒以下の短パルス
荷電粒子ビームを低エネルギーの連続的な荷電粒子ビー
ムから作り出すことができ、また、パルス化の周波数を
パンチング装置の動作周波数のｎ分の１にでき、且つｎ
を任意に変えることができる。
電極2aと出口電極2cの間に、荷電粒子の通過できる多数
の空隙を持つ１又は２以上の中間電極2bを配置し、且つ
上記空隙の大きさをそれぞれの電極の間隔に比べて小さ
くするとともに、中間電極2bに時間的に変化する電位を
かけてチョッピングするチョッピング装置２と、１個ま
たは複数個のバンチャーとからなり、上記チョッピング
装置２でチョッピングされた荷電粒子パルスビームのパ
ルス幅を狭めるバンチング装置５からなる低エネルギー
荷電粒子ビームパルス化装置。 【効果】測定装置などに必要な１ナノ秒以下の短パルス
荷電粒子ビームを低エネルギーの連続的な荷電粒子ビー
ムから作り出すことができ、また、パルス化の周波数を
パンチング装置の動作周波数のｎ分の１にでき、且つｎ
を任意に変えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば荷電粒子ビー
ムを用いた測定装置において必要な時間的に短いパルス
状の荷電粒子ビームを、０〜数KeV 程度の低エネルギー
の荷電粒子ビームから作り出す装置に関する。
ムを用いた測定装置において必要な時間的に短いパルス
状の荷電粒子ビームを、０〜数KeV 程度の低エネルギー
の荷電粒子ビームから作り出す装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、低エネルギーの荷電粒子ビームか
ら１ナノ秒以下の時間的に短いパルス状の荷電粒子ビー
ムを作り出す装置としては、荷電粒子の通過できる入口
スリットと出口スリットの間に一対の偏向電極を配置し
たチョッピング装置と、１個または複数個のバンチャー
からなるバンチング装置を組み合わせたパルス化装置が
知られている。
ら１ナノ秒以下の時間的に短いパルス状の荷電粒子ビー
ムを作り出す装置としては、荷電粒子の通過できる入口
スリットと出口スリットの間に一対の偏向電極を配置し
たチョッピング装置と、１個または複数個のバンチャー
からなるバンチング装置を組み合わせたパルス化装置が
知られている。
【０００３】このパルス化装置においては、低エネルギ
ーの連続荷電粒子ビームをチョッピング装置でチョッピ
ングし、バンチング装置のバンチャーでは荷電粒子ビー
ムの進行方向に時間的に変化する電界を発生させてチョ
ッピングされた荷電粒子ビームの時間幅を更に狭め、こ
れにより連続ビームから短パルスビームを生成すること
が可能となる。
ーの連続荷電粒子ビームをチョッピング装置でチョッピ
ングし、バンチング装置のバンチャーでは荷電粒子ビー
ムの進行方向に時間的に変化する電界を発生させてチョ
ッピングされた荷電粒子ビームの時間幅を更に狭め、こ
れにより連続ビームから短パルスビームを生成すること
が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この短パルス化装置に
おいて、チョッピング装置は一対の偏向電極間に高周波
の電界をかけることにより、入口スリットを通過した連
続荷電粒子ビームを偏向させて不要なビームを出口スリ
ットで遮断し、必要なビームのみ出口スリットを通過さ
せてビームを断続してパルス化する。
おいて、チョッピング装置は一対の偏向電極間に高周波
の電界をかけることにより、入口スリットを通過した連
続荷電粒子ビームを偏向させて不要なビームを出口スリ
ットで遮断し、必要なビームのみ出口スリットを通過さ
せてビームを断続してパルス化する。
【０００５】しかし、このチョッピング装置ではビーム
の進行方向にビーム輸送用の磁場がかけられている場
合、エネルギーが低い荷電粒子は磁場中でサイクロトロ
ン運動し、この運動の半径によりチョッピング装置によ
ってパルス化できるビーム径が制限されるという問題が
ある。
の進行方向にビーム輸送用の磁場がかけられている場
合、エネルギーが低い荷電粒子は磁場中でサイクロトロ
ン運動し、この運動の半径によりチョッピング装置によ
ってパルス化できるビーム径が制限されるという問題が
ある。
【０００６】更に、この運動のサイクロトロン周波数に
より、パルス化の周波数も制限され、周波数の変更が難
しい。
より、パルス化の周波数も制限され、周波数の変更が難
しい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、この発明では荷電粒子の通過できる多数の空隙を持
つ入口電極と出口電極の間に、荷電粒子の通過できる多
数の空隙を持つ１又は２以上の中間電極を配置し、且つ
上記空隙の大きさをそれぞれの電極間の間隙に比べて小
さくするとともに、上記中間電極に時間的に変化する電
位をかけて荷電粒子ビームをチョッピングするチョッピ
ング装置と、１個または複数個のバンチャーを有するバ
ンチング装置からなる低エネルギー荷電粒子ビームパル
ス化装置を提案するものである。
め、この発明では荷電粒子の通過できる多数の空隙を持
つ入口電極と出口電極の間に、荷電粒子の通過できる多
数の空隙を持つ１又は２以上の中間電極を配置し、且つ
上記空隙の大きさをそれぞれの電極間の間隙に比べて小
さくするとともに、上記中間電極に時間的に変化する電
位をかけて荷電粒子ビームをチョッピングするチョッピ
ング装置と、１個または複数個のバンチャーを有するバ
ンチング装置からなる低エネルギー荷電粒子ビームパル
ス化装置を提案するものである。
【０００８】ここで、荷電粒子とは、電子、イオン、陽
電子、反陽子、ミュー中間子、分子、クラスターなどの
正または負の電荷をもつ粒子である。
電子、反陽子、ミュー中間子、分子、クラスターなどの
正または負の電荷をもつ粒子である。
【０００９】多数の空隙を持つ入口電極、出口電極、中
間電極等としては、導電性の薄板に荷電粒子の通過でき
る程度の穴を多数設けた電極、導電性の細線により形成
した網目状またはすだれ状の電極等を使用することがで
きる。
間電極等としては、導電性の薄板に荷電粒子の通過でき
る程度の穴を多数設けた電極、導電性の細線により形成
した網目状またはすだれ状の電極等を使用することがで
きる。
【００１０】これらの電極は、空隙のある部分の面積に
対して空隙の面積の割合を十分に大きくし、且つ電極に
開ける空隙の大きさｄm は電極間の間隔ｄg ，ｄg ´，
…より充分に小さくなるようにする。また、電極間の間
隔ｄg ，ｄg ´，…は小さい方がビームのモジュレーシ
ョンが少ない。
対して空隙の面積の割合を十分に大きくし、且つ電極に
開ける空隙の大きさｄm は電極間の間隔ｄg ，ｄg ´，
…より充分に小さくなるようにする。また、電極間の間
隔ｄg ，ｄg ´，…は小さい方がビームのモジュレーシ
ョンが少ない。
【００１１】
【作用】以上のパルス化装置において、チョッピング装
置では入口と出口電極には荷電粒子ビームのエネルギー
（Ｅ0 ）より低い静電位（荷電粒子の電荷が正の時、Ｅ
0 〉Ｖ2 ，Ｖ3 ，荷電粒子の電荷が負の時、Ｅ0 〉−Ｖ
2 ，−Ｖ3 ）をかけ、中間電極に時間的に変化する電位
をかけ、電極間の電界によってビームを断続することに
より連続的なビームをチョッピングする。
置では入口と出口電極には荷電粒子ビームのエネルギー
（Ｅ0 ）より低い静電位（荷電粒子の電荷が正の時、Ｅ
0 〉Ｖ2 ，Ｖ3 ，荷電粒子の電荷が負の時、Ｅ0 〉−Ｖ
2 ，−Ｖ3 ）をかけ、中間電極に時間的に変化する電位
をかけ、電極間の電界によってビームを断続することに
より連続的なビームをチョッピングする。
【００１２】このようにすると、荷電粒子ビームのエネ
ルギーが中間電極の電位よりも低い時はビームは入口電
極と中間電極の間の電界で反射され、ビームのエネルギ
ーが中間電極の電位よりも高い時はビームは出口電極を
通過する。
ルギーが中間電極の電位よりも低い時はビームは入口電
極と中間電極の間の電界で反射され、ビームのエネルギ
ーが中間電極の電位よりも高い時はビームは出口電極を
通過する。
【００１３】この場合、入口電極と出口電極には静電位
がかけられているため、このチョッピング装置の外では
ビームがチョッピング装置によって受けるエネルギーの
モジュレーションは非常に少ない。
がかけられているため、このチョッピング装置の外では
ビームがチョッピング装置によって受けるエネルギーの
モジュレーションは非常に少ない。
【００１４】このチョッピング装置では電極間の間隔及
び空隙の大きさを充分に狭くすることにより、ナノ秒程
度以下の高速でビームの断続ができる。
び空隙の大きさを充分に狭くすることにより、ナノ秒程
度以下の高速でビームの断続ができる。
【００１５】このようにチョッピングされたビームは、
次のバンチング装置で更にパルスの時間幅を狭めて短パ
ルス化される。
次のバンチング装置で更にパルスの時間幅を狭めて短パ
ルス化される。
【００１６】しかして、この発明においてはチョッピン
グ装置の電極間に発生する時間的に変動する電界によっ
て連続荷電粒子ビームをチョッピングするため、輸送用
磁場などによってチョッピング動作周波数が制限されな
い。したがって、チョッピング装置のチョッピングの周
波数はバンチング装置の動作周波数のｎ分の１（ｎ≧
１）の任意の周波数を選ぶことができ、チョッピング装
置に入力する制御信号の周波数を変更するだけで、容易
にこの発明の装置の動作周波数を変えることができる。
グ装置の電極間に発生する時間的に変動する電界によっ
て連続荷電粒子ビームをチョッピングするため、輸送用
磁場などによってチョッピング動作周波数が制限されな
い。したがって、チョッピング装置のチョッピングの周
波数はバンチング装置の動作周波数のｎ分の１（ｎ≧
１）の任意の周波数を選ぶことができ、チョッピング装
置に入力する制御信号の周波数を変更するだけで、容易
にこの発明の装置の動作周波数を変えることができる。
【００１７】これにより、パルス化ビームの使用目的に
応じた最適な周波数のパルス化ビームを得ることができ
る。
応じた最適な周波数のパルス化ビームを得ることができ
る。
【００１８】また、この発明ではサイクロトロン運動に
よるビーム径の制限がないため、荷電粒子ビームの中の
粒子の密度が小さい場合でも、ビーム径を広げることに
より効率の高いパルス化が可能となる。
よるビーム径の制限がないため、荷電粒子ビームの中の
粒子の密度が小さい場合でも、ビーム径を広げることに
より効率の高いパルス化が可能となる。
【００１９】
【実施例】以下、この発明を図示の実施例に基づいて詳
細に説明する。図１は、この発明の一実施例を示す正の
電荷を持つ荷電粒子である陽電子の連続ビームの短パル
ス化装置である。短パルス化装置は磁場Ｂに従って陽電
子１の入射方向に、陽電子１が通過できるメッシュ状電
極で構成される入口電極2a, 中間電極2b, 出口電極2cを
配置してなるチョッピング装置２、サブハーモニックプ
リバンチャー３とメインバンチャー４で構成されるバン
チング装置５、ターゲット部６、検出器７を配列して構
成される。
細に説明する。図１は、この発明の一実施例を示す正の
電荷を持つ荷電粒子である陽電子の連続ビームの短パル
ス化装置である。短パルス化装置は磁場Ｂに従って陽電
子１の入射方向に、陽電子１が通過できるメッシュ状電
極で構成される入口電極2a, 中間電極2b, 出口電極2cを
配置してなるチョッピング装置２、サブハーモニックプ
リバンチャー３とメインバンチャー４で構成されるバン
チング装置５、ターゲット部６、検出器７を配列して構
成される。
【００２０】チョッピング装置２は、図２に示すように
入口電極2a, 中間電極2b, 出口電極2cの間隔ｄg ，ｄg
´がチョッピング時間（ｔw ）に陽電子１の飛行する距
離ｔw (2m/E0)1/2より充分に小さくする。
入口電極2a, 中間電極2b, 出口電極2cの間隔ｄg ，ｄg
´がチョッピング時間（ｔw ）に陽電子１の飛行する距
離ｔw (2m/E0)1/2より充分に小さくする。
【００２１】更に、電極2a,2b,2cのメッシュの大きさｄ
m は電極間の間隔ｄg ，ｄg ´より充分に小さくし、こ
の実施例ではｄm はｄg ，ｄg ´の５乃至10分の1 以下
であることが望ましい。
m は電極間の間隔ｄg ，ｄg ´より充分に小さくし、こ
の実施例ではｄm はｄg ，ｄg ´の５乃至10分の1 以下
であることが望ましい。
【００２２】一方、バンチング装置５はそのメインバン
チャー４の動作周波数をf とし、サブハーモニックプリ
バンチャー３の動作周波数をf/4 としている。このバン
チング装置５全体の動作周波数は、f/4 である。
チャー４の動作周波数をf とし、サブハーモニックプリ
バンチャー３の動作周波数をf/4 としている。このバン
チング装置５全体の動作周波数は、f/4 である。
【００２３】チョッピング装置２の中間電極2bにはＶ
c(t)の変動電位がかけられ、入口電極2aと出口電極2cに
は陽電子ビーム１より低い静電位Ｖ2 ，Ｖ3 がかけら
れ、またチョッピング装置２の周波数は、バンチング装
置５の周波数の整数分の１で可変とする。
c(t)の変動電位がかけられ、入口電極2aと出口電極2cに
は陽電子ビーム１より低い静電位Ｖ2 ，Ｖ3 がかけら
れ、またチョッピング装置２の周波数は、バンチング装
置５の周波数の整数分の１で可変とする。
【００２４】この場合、入口電極2aと中間電極2bの間に
は電位Ｖ1(t)が静電位Ｖ2 及びＶ3より低い場合には実
線の矢印方向で示し、電位Ｖ1(t)が静電位Ｖ2 及びＶ3
より低い場合には点線の矢印方向で示すような時間的に
変化する電界８が発生する。同様に、中間電極2bと出口
電極2cの間にも時間的に変化する電界８´が発生する。
は電位Ｖ1(t)が静電位Ｖ2 及びＶ3より低い場合には実
線の矢印方向で示し、電位Ｖ1(t)が静電位Ｖ2 及びＶ3
より低い場合には点線の矢印方向で示すような時間的に
変化する電界８が発生する。同様に、中間電極2bと出口
電極2cの間にも時間的に変化する電界８´が発生する。
【００２５】したがって、電位Ｖ1(t)が陽電子ビーム１
のエネルギーＥ0 より高い時には陽電子ビーム１は入口
電極2aと中間電極2bの間で発生した点線の矢印方向で示
される電界８で反射され、一方電位Ｖ1(t)が陽電子ビー
ム１のエネルギーＥ0 より低いときには陽電子ビーム１
は入口電極2aと中間電極2bの間で発生する実線の矢印方
向で示される電界８で加速され、中間電極2bと出口電極
2c間を通過し、かくして陽電子ビーム１のチョッピング
が行なわれる。
のエネルギーＥ0 より高い時には陽電子ビーム１は入口
電極2aと中間電極2bの間で発生した点線の矢印方向で示
される電界８で反射され、一方電位Ｖ1(t)が陽電子ビー
ム１のエネルギーＥ0 より低いときには陽電子ビーム１
は入口電極2aと中間電極2bの間で発生する実線の矢印方
向で示される電界８で加速され、中間電極2bと出口電極
2c間を通過し、かくして陽電子ビーム１のチョッピング
が行なわれる。
【００２６】チョッピングされた陽電子ビーム１はバン
チング装置５のメインバンチャー４、サブハーモニック
プリバンチャー３を通過する間に更にパルス幅が狭めら
れる。
チング装置５のメインバンチャー４、サブハーモニック
プリバンチャー３を通過する間に更にパルス幅が狭めら
れる。
【００２７】図３は、f=150MHzの時、直流的な陽電子ビ
ーム１を以上のパルス化装置に入射させ、チョッピング
装置２のみ（ａ）、チョッピング装置２とバンチング装
置５の両方（ｂ）を動作させたときのターゲット部６に
おける陽電子の消滅時に放出されるγ線の強度の時間分
布である。
ーム１を以上のパルス化装置に入射させ、チョッピング
装置２のみ（ａ）、チョッピング装置２とバンチング装
置５の両方（ｂ）を動作させたときのターゲット部６に
おける陽電子の消滅時に放出されるγ線の強度の時間分
布である。
【００２８】この時間分布は、陽電子のパルスの形が測
定の分解能と陽電子の試料における寿命(100ピコ秒〜20
0 ピコ秒程度) により、若干変形しているが、時間分布
のピークから左側の分布は、ほぼ陽電子のパルスの形を
反映している。
定の分解能と陽電子の試料における寿命(100ピコ秒〜20
0 ピコ秒程度) により、若干変形しているが、時間分布
のピークから左側の分布は、ほぼ陽電子のパルスの形を
反映している。
【００２９】この分布を見ると、チョッピング装置２の
みでは半値幅２ナノ秒程度の幅のパルスが、バンチング
装置５によって更に狭められて半値幅１ナノ秒以下の短
パルスになったことが明らかである。
みでは半値幅２ナノ秒程度の幅のパルスが、バンチング
装置５によって更に狭められて半値幅１ナノ秒以下の短
パルスになったことが明らかである。
【００３０】
【発明の効果】以上要するに、この発明によれば測定装
置などに必要な１ナノ秒以下の短パルス荷電粒子ビーム
を低エネルギーの連続的な荷電粒子ビームから作り出す
ことができる。
置などに必要な１ナノ秒以下の短パルス荷電粒子ビーム
を低エネルギーの連続的な荷電粒子ビームから作り出す
ことができる。
【００３１】また、パルス化の周波数をパンチング装置
の動作周波数のｎ分の１にでき、且つｎを任意に変える
ことができる。
の動作周波数のｎ分の１にでき、且つｎを任意に変える
ことができる。
【図１】この発明の一実施例を示す陽電子の連続ビーム
の短パルス化装置の概略図
の短パルス化装置の概略図
【図２】同上の短パルス化装置におけるチョッピング装
置の概略図
置の概略図
【図３】同上の短パルス化装置を使って測定したターゲ
ット位置で消滅した陽電子の時間スペクトルで、（ａ）
は短パルス化装置の中のチョッピング装置のみ動作させ
たときの時間スペクトル、（ｂ）はチョッピング装置と
バンチング装置の両方を動作させたときの時間スペクト
ル
ット位置で消滅した陽電子の時間スペクトルで、（ａ）
は短パルス化装置の中のチョッピング装置のみ動作させ
たときの時間スペクトル、（ｂ）はチョッピング装置と
バンチング装置の両方を動作させたときの時間スペクト
ル
１ 直流的な陽電子ビーム ２ チョッピング装置 ３ サブハーモニックプリバンチャー ４ メインバンチャー ５ バンチング装置 ６ ターゲット部 ７ 検出器 2a,2b,2c 入口電極、中間電極、出口電極
Claims (2)
- 【請求項１】 荷電粒子の通過できる多数の空隙を持つ
入口電極と出口電極の間に、荷電粒子の通過できる多数
の空隙を持つ１又は２以上の中間電極を配置し、且つ上
記空隙の大きさをそれぞれの電極間の間隙に比べて小さ
くするとともに、上記中間電極に時間的に変化する電位
をかけて荷電粒子ビームをチョッピングするチョッピン
グ装置と、１個または複数個のバンチャーを有するバン
チング装置からなることを特徴とする低エネルギー荷電
粒子ビームパルス化装置。 - 【請求項２】 入口電極と出口電極には荷電粒子ビーム
のエネルギーより低い静電位を印加する特許請求の範囲
第１項記載の低エネルギー荷電粒子ビームパルス化装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261096A JPH0772759B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 低エネルギー荷電粒子ビームパルス化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261096A JPH0772759B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 低エネルギー荷電粒子ビームパルス化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574593A true JPH0574593A (ja) | 1993-03-26 |
| JPH0772759B2 JPH0772759B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=17357033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3261096A Expired - Lifetime JPH0772759B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 低エネルギー荷電粒子ビームパルス化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772759B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012157868A3 (ko) * | 2011-05-13 | 2013-01-10 | 한국표준과학연구원 | 비행시간 기반 질량 분석을 위한 펄싱 클러스터 가스 이온건 |
| JP2014154481A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | バンチャー及び加速器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5564355A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Electron gun driver associated with grid |
| JPS57208029A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Electric power unit for ion source |
| JPH01130500A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 線形加速器 |
| JPH0230100A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 直線加速装置 |
| JPH0398300A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電粒子ストレツチヤ |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3261096A patent/JPH0772759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5564355A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Electron gun driver associated with grid |
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| JP2014154481A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | バンチャー及び加速器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772759B2 (ja) | 1995-08-02 |
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