JPH0576103U - ストリップライン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目 的】 ストリップ線路の小型化が可能で、しかも
高いＱを得ることができるストリップラインを提供す
る。 【構 成】 ストリップラインは、一方の面にグランド
層となる導電膜１４，１５を形成した第１の誘電体基板
１１，１３に、表裏両面に導電膜を対向させて形成した
ストリップ線路１６，１７と、当該ストリップ線路１
６，１７どうしを複数の個所で接続する導電膜２０を形
成したスルーホール１９とからなる第２の誘電体基板１
２が積層されて構成される。また、第１の誘電体基板の
第２の誘電体基板側の面には、第２の誘電体基板のスト
リップ線路と接するストリップ線路が形成されるように
構成される。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、伝送線路、共振器、またはフィルタとして単独、あるいは多層回路 基板の一部として使用されるストリップラインに関するものである。 なお、本明細書では、誘電体基板上に形成された導電膜を「ストリップ線路」 と記載し、前記ストリップ線路とグランド層とが形成された誘電体基板によって 構成される伝送路、共振器、またはフィルタ、およびこれらを多層回路基板等の 一部に形成したものを総称して「ストリップライン」と記載する。

【０００２】

【従来の技術】

図３は従来例におけるストリップラインを説明するための図である。 図３において、誘電体基板３１の一方の面には、グランド層となる導電膜３３ が形成されている。また、誘電体基板３２の一方の面には、前記と同様にグラン ド層となる導電膜３４と、他方の面に導電膜からなるストリップ線路３５とが形 成されている。 そして、ストリップライン３は、誘電体基板３１と誘電体基板３２とが、スト リップ線路３５を挟むようにして、図示されていない接着剤、あるいは熱圧着等 によって接合される。 このようにして、ストリップライン３は、ストリップ線路３５によるインダク タと、ストリップ線路３５とグランド層として形成された導電膜３３、３４とに よる容量とから構成される。

【０００３】 図３に示すストリップライン３を使用したフィルタは、同軸型共振器４によっ て形成したフィルタより挿入損失が大きい。これは同軸型共振器４のＱよりも、 ストリップライン３のＱの方が悪いからである。 そこで、ストリップライン３のＱを良くするためには、図４に示すようなこと が考えられた。図４は誘電体基板の両方にストリップ線路が形成されたストリッ プラインの従来例を示す。 図４において、誘電体基板５１は、一方の面にグランド層となる導電膜５３と 、他方の面にストリップ線路５５とが形成されている。また、誘電体基板５２は 、一方の面に前記と同様にグランド層となる導電膜５４と、他方の面に導電膜か らなるストリップ線路５６とが形成されている。 そして、ストリップライン５は、前記ストリップ線路５５およびストリップ線 路５６が接するように誘電体基板５１、５２を接合することによって構成される 。 図４に示すストリップライン５におけるストリップ線路５５は、図３に示すス トリップ線路３５と同じ厚さであっても、誘電体基板５１および５２の両方に形 成することで倍の厚さのストリップ線路が得られる。したがって、ストリップ線 路の幅を広げずにストリップライン５のＱを向上させることができる。

【０００４】 図５は両面にストリップ線路が形成された誘電体基板を図４に示す誘電体基板 によって挟持した従来例を示す。 図５において、誘電体基板６１は、一方の面にグランド層となる導電膜６４と 、他方の面にストリップ線路６６とが形成されている。また、誘電体基板６３は 、一方の面に前記と同様にグランド層となる導電膜６５と、他方の面に導電膜か らなるストリップ線路６９とが形成されている。また、誘電体基板６２は、その 両面にストリップ線路６７および６８が形成されている。 そして、ストリップライン６は、前記誘電体基板６１に形成されたストリップ 線路６６と誘電体基板６２に形成されたストリップ線路６７とが接するように、 また、誘電体基板６３に形成されたストリップ線路６９と誘電体基板６２に形成 されたストリップ線路６８とが接するようにそれぞれ接合することによって構成 される。 図５に示すようにトリプレート構成とすることによって、ストリップライン６ は、小型でしかもＱの高いものを得ることができる。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

しかし、ストリップラインのＱを高くするため、図４および図５に示すような 構成にする場合、ストリップ線路が形成されている部分の厚さは、それ以外の部 分の厚さと膜厚分の差がある。そのために、それぞれの誘電体基板を圧着した場 合、圧着部分にかかる力は、不均一になる。このような状態で、それぞれの誘電 体基板が同時に焼成されると、前記不均一な力は、ストリップ線路と誘電体基板 との接着部分にかかり、この部分に剥がれ等の製造上の問題が発生する。 上記問題により、ストリップ線路の厚さは、無制限に厚く形成することができ ない。 また、Ｑを高くするため、ストリップ線路の幅を広げることも考えられるが、 そうすると、ストリップラインを小型化することができない。

【０００６】 本考案は、以上のような課題を解決するためのもので、ストリップ線路の小型 化が可能で、しかも高いＱを得ることができるストリップラインを提供すること を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

（第１考案） 前記目的を達成するために、本考案のストリップラインは、一方の面にグラン ド層となる導電膜（図１および図２の１４および／または１５）を形成した第１ の誘電体基板（図１および図２の１１および／または１３）に、表裏両面に導電 膜を対向させて形成したストリップ線路（図１および図２の１６、１７）と、当 該ストリップ線路（１６、１７）どうしを複数の個所で接続する導電膜（図１の ２０）を形成したスルーホール（図１および図２の１９）とからなる第２の誘電 体基板（図１および図２の１２）が積層されるように構成される。

【０００８】 （第２考案） 本考案のストリップラインにおける第１の誘電体基板（１１）の第２の誘電体 基板（１２）側の面に、第２の誘電体基板（１２）のストリップ線路（１６およ び／または１７））と接するようにストリップ線路（図２の２１および／または ２２）を形成するように構成される。

【０００９】

【作 用】

（第１考案および第２考案） 第２の誘電体基板には、その表裏両面に導電膜を対向させて形成したストリッ プ線路と、当該ストリップ線路どうしを複数の個所で接続する導電膜を形成した スルーホールとが設けられているため、スルーホール内に形成されている導電膜 の分、導電体の体積が多くなる。 したがって、同じ体積からなるストリップラインと比較して、Ｑを高くとるこ とができる。 また、第２の誘電体基板にスルーホールが設けられているため、第１および第 ３の誘電体基板によって挟持する際に、接着剤の回り込み、あるいは基板部材の 食い込み等が良く、固着強度が高いものが得られる。

【００１０】

【実 施 例】

図１（イ）および（ロ）は本考案におけるストリップラインの一実施例を説明 するための図である。 図１（イ）および（ロ）において、誘電体基板１１には、一方の面にグランド 層となる導電膜１４が形成されている。また、誘電体基板１３には、一方の面に 前記と同様にグランド層となる導電膜１５が形成されている。 また、誘電体基板１２には、その両面にストリップ線路１６および１７が形成 されていると共に、誘電体基板１２を介してストリップ線路１６および１７を接 続する複数の貫通孔１８が形成されている。そして、複数の貫通孔１８には、導 電膜２０が形成されてスルーホール１９を構成している。

【００１１】 そして、ストリップライン１は、前記誘電体基板１２に形成された複数のスル ーホール１９によって接続されているストリップ線路１６および１７を、グラン ド層となる導電膜１４が形成された誘電体基板１１とグランド層となる導電膜１ ５が形成された誘電体基板１３とで挟持することによって構成される。 また、ストリップライン１は、誘電体基板１１ないし１３に、予めグランド層 となる導電膜１４および１５、ストリップ線路１６および１７、あるいはスルー ホール１９を形成した後に、焼成することができる。なお、上記スルーホール１ ９は、たとえばストリップ線路の幅が１．０ｍｍのラインに対して、直径０．２ ５ｍｍで、１ｍｍ以内の間隔で設けられる。 また、誘電体基板１１ないし１３を焼成した後に、グランド層となる導電膜１ ４および１５、ストリップ線路１６および１７、あるいはスルーホール１９を形 成し、これらを後から焼成することもできる。 さらに、誘電体基板１１ないし１３は、セラミック系あるいはガラスエポキシ 樹脂系等、誘電体部材であれば周知のものを使用できる。

【００１２】 以上のように、本実施例におけるストリップ線路１６および１７は、誘電体基 板１２を介したスルーホール１９によって接続されているため、図５に示すトリ プレート型のストリップライン６に比べてスルーホール１９が形成されている分 低い抵抗となるので、同じ大きさであるにもかかわらずＱを良くすることができ る。 また、セラミック等の基板を用いる場合には、基板となるグリーンシート上に グランド層、ストリップ線路、およびスルーホールを形成した後、焼成する前に 、熱によって圧着することができる。このような熱による圧着は、スルーホール に基板の一部が埋め込まれるようになり、強固に接合される。 このため、ストリップ線路１６、１７が形成された誘電体基板が焼成された後 、基板は剥がれない。

【００１３】 図２は本考案におけるストリップラインの他の実施例を説明するための図であ る。 図２において、図１に示すストリップライン１と相違するのは、誘電体基板１ １および誘電体基板１３にストリップ線路２１および２２が形成されている点に ある。 すなわち、図２に示すストリップライン２は、ストリップ線路２１および２２ を形成したために、殆ど同じ形状であるにもかかわらず図１のストリップライン １より抵抗が低くなり、高いＱが得られる。

【００１４】 以上、本考案の実施例を詳述したが、本考案は、前記実施例に限定されるもの ではない。そして、実用新案登録請求の範囲に記載された本考案を逸脱すること がなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。 たとえば、誘電体基板の材質は、特に限定されず周知のどのような部材を採用 することもできる。また、ストリップ線路の形状は、実施例のような直線に限ら ず、曲線を含む各種形状を採ることができる。 さらに、グランド層あるいはストリップ線路を形成する導電膜の形成は、たと えば、銅や銀等による厚膜形成法あるいはメッキ法等の周知の方法が採用できる 。

【００１５】

【考案の効果】

本考案によれば、第２の誘電体基板の両面に導電膜を対向させて形成したスト リップ線路と当該ストリップ線路どうしを複数の個所で接続するスルーホールを 設けることによって、小型でしかも高いＱを有するストリップラインを得ること ができた。 また、本考案によれば、第２の誘電体基板にスルーホールを設けることによっ て、第１の誘電体基板を圧着するに際し、第１の誘電体基板の部材が上記スルー ホール部分に食い込んだり、あるいは接着剤が回り込んだりして、誘電体基板ど うしの固着強度を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （イ）および（ロ）は本考案におけるストリ
ップラインの一実施例を説明するための図である。

【図２】 本考案におけるストリップラインの他の実施
例を説明するための図である。

【図３】 従来例におけるストリップラインを説明する
ための図である。

【図４】 誘電体基板の両方にストリップ線路が形成さ
れたストリップラインの従来例を示す。

【図５】 両面にストリップ線路が形成された誘電体基
板を図４に示す誘電体基板によって挟持した従来例を示
す。

【符号の説明】

１、２・・・ストリップライン １１ないし１３・・・誘電体基板 １４、１５・・・グランド層 １６、１７、２１、２２・・・ストリップ線路 １８・・・貫通孔 １９・・・スルーホール ２０・・・導電膜

フロントページの続き (72)考案者 風間 智 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の面にグランド層となる導電膜を形
   成した第１の誘電体基板に、 表裏両面に導電膜を対向させて形成したストリップ線路
   と、当該ストリップ線路どうしを複数の個所で接続する
   導電膜を形成したスルーホールとからなる第２の誘電体
   基板が積層されて構成されたことを特徴とするストリッ
   プライン。
2. 【請求項２】 第１の誘電体基板の第２の誘電体基板側
   の面に、第２の誘電体基板のストリップ線路と接するよ
   うにストリップ線路を形成したことを特徴とする請求項
   １記載のストリップライン。