JPH0577134B2 - - Google Patents
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- JPH0577134B2 JPH0577134B2 JP21983585A JP21983585A JPH0577134B2 JP H0577134 B2 JPH0577134 B2 JP H0577134B2 JP 21983585 A JP21983585 A JP 21983585A JP 21983585 A JP21983585 A JP 21983585A JP H0577134 B2 JPH0577134 B2 JP H0577134B2
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高安定な電子放射特性を示すフイール
ドエミツターの製造方法に関する。
ドエミツターの製造方法に関する。
フイールドエミツターからの放射電流は輝度が
大きく、放射電子のエネルギー幅が小さく、しか
も点光源に近いなどの優れた性質を持つているの
で、低加速走査型電子顕微鏡、分析電子顕微鏡、
電子線ホログライー顕微鏡等の新機能電子顕微鏡
の実現、電子顕微鏡の高分解能下に必須であり、
またナノメートルリソグラフイー等の分野におい
ても不可欠なものである。
大きく、放射電子のエネルギー幅が小さく、しか
も点光源に近いなどの優れた性質を持つているの
で、低加速走査型電子顕微鏡、分析電子顕微鏡、
電子線ホログライー顕微鏡等の新機能電子顕微鏡
の実現、電子顕微鏡の高分解能下に必須であり、
またナノメートルリソグラフイー等の分野におい
ても不可欠なものである。
従来技術
従来、フイールドエミツターとしては、Ｗが実
用化されている。しかし、電流の安定性に問題が
あり、広い応用を疎外している。
用化されている。しかし、電流の安定性に問題が
あり、広い応用を疎外している。
本発明者らはさきに、遷移金属化合物からなる
フイールドエミツターとして、エミツターの軸方
位を＜110＞方位に選ぶことにより、従来実現し
ていなかつた放射電子ビームの方向をエミツター
軸方位にすることに成功した。（特願昭58−
199605号）。さらに、炭化チタン単結晶チツプ表
面を酸素ガスによる処理（特願昭59−275220号）
及びC2H4などの炭化水素ガスによる処理（特願
昭59−275221号）を施すことにより、高安定な電
子放射性特性を示すフイールドエミツターを得る
ことを開発し得た。
フイールドエミツターとして、エミツターの軸方
位を＜110＞方位に選ぶことにより、従来実現し
ていなかつた放射電子ビームの方向をエミツター
軸方位にすることに成功した。（特願昭58−
199605号）。さらに、炭化チタン単結晶チツプ表
面を酸素ガスによる処理（特願昭59−275220号）
及びC2H4などの炭化水素ガスによる処理（特願
昭59−275221号）を施すことにより、高安定な電
子放射性特性を示すフイールドエミツターを得る
ことを開発し得た。
発明の目的
本発明の目的は炭窒化チタン（TiCxNy，0.5
ｘ＋ｙ１）単結晶エミツター（以下TiCNエミ
ツターと略記する）の表面処理方法を開発し、さ
らに優れた安定性を示すフイールドエミツターの
製造方法を提供するにある。
ｘ＋ｙ１）単結晶エミツター（以下TiCNエミ
ツターと略記する）の表面処理方法を開発し、さ
らに優れた安定性を示すフイールドエミツターの
製造方法を提供するにある。
発明の構成
本発明者らは前記目的を達成すべく、更に研究
を続けた結果、TiCNエミツターの表面をH2Ｓま
たはＳを含むガス（例えばSF）（以下H2Ｓと略
記する）で、900〜1400℃の下で処理し、または
この処理とO2ガスによる処理及び又はC2H4また
は他の炭化水素ガス（例えばC2H6）（以下C2H4
と略記する）を併用して処理した後、さらに超高
真空下で107Ｖ／cm以上の強電界を印加すると、
エミツシヨンパターンが変化し、安定な特性を示
すフイールドエミツターが得られることを究明し
得た。この知見に基づいて本発明を完成した。
を続けた結果、TiCNエミツターの表面をH2Ｓま
たはＳを含むガス（例えばSF）（以下H2Ｓと略
記する）で、900〜1400℃の下で処理し、または
この処理とO2ガスによる処理及び又はC2H4また
は他の炭化水素ガス（例えばC2H6）（以下C2H4
と略記する）を併用して処理した後、さらに超高
真空下で107Ｖ／cm以上の強電界を印加すると、
エミツシヨンパターンが変化し、安定な特性を示
すフイールドエミツターが得られることを究明し
得た。この知見に基づいて本発明を完成した。
本発明の要旨は
１ TiCNエミツター表面を、900〜1400℃の下
で、H2Ｓによる表面処理を施した後、超高真
空下で107Ｖ／cm以上の強電界を印加すること
を特徴とする高安定フイールドエミツターの製
造方法。
で、H2Ｓによる表面処理を施した後、超高真
空下で107Ｖ／cm以上の強電界を印加すること
を特徴とする高安定フイールドエミツターの製
造方法。
２ TiCNエミツター表面を900〜1400℃の下で、
H2ＳまたはＳを含んだガスによる表面処理と
O2による表面処理とを別個にまたは同時に施
した後、超高真空下で、107Ｖ／cm以上の強電
界を印加することを特徴とする高安定フイール
ドエミツターの製造方法。
H2ＳまたはＳを含んだガスによる表面処理と
O2による表面処理とを別個にまたは同時に施
した後、超高真空下で、107Ｖ／cm以上の強電
界を印加することを特徴とする高安定フイール
ドエミツターの製造方法。
３ TiCNエミツター表面を、900〜1400℃の下
で、H2Ｓによる表面処理と、C2H4による表面
処理とを別個にまたは同時に施した後、超高真
空下で、107Ｖ／cm以上の強電界を印加するこ
とを特徴とする高安定フイールドエミツターの
製造方法。
で、H2Ｓによる表面処理と、C2H4による表面
処理とを別個にまたは同時に施した後、超高真
空下で、107Ｖ／cm以上の強電界を印加するこ
とを特徴とする高安定フイールドエミツターの
製造方法。
４ TiCNエミツター表面を、900〜1400℃の下
で、H2Ｓによる表面処理、O2による表面処理
及びC2H4による表面処理を別個に、例えばH2
Ｓ→O2→C2H4，H2Ｓ→C2H4→O2，C2H4→H2
Ｓ→O2，C2H4→O2→H2Ｓ，O2→C2H4→H2
Ｓ、またはO2→H2Ｓ→C2H4の順序または同時
に施した後、超高真空下で、107Ｖ／cm以上の
強電界を印加することを特徴とする高安定フイ
ールドエミツターの製造方法、にある。
で、H2Ｓによる表面処理、O2による表面処理
及びC2H4による表面処理を別個に、例えばH2
Ｓ→O2→C2H4，H2Ｓ→C2H4→O2，C2H4→H2
Ｓ→O2，C2H4→O2→H2Ｓ，O2→C2H4→H2
Ｓ、またはO2→H2Ｓ→C2H4の順序または同時
に施した後、超高真空下で、107Ｖ／cm以上の
強電界を印加することを特徴とする高安定フイ
ールドエミツターの製造方法、にある。
本発明において使用するTiCNエミツターは、
炭窒化チタン単結晶ロツドから切り出した、例え
ば0.2×0.2×３mmの直方体の先端を電解研磨法に
より約0.1μmの先端径とし、このエミツターを超
高真空下で1500℃フラツシユ加熱し、TiCN＜
110＞エミツターの表面を清浄したものを使用す
る。そのエミツシヨンパターンは第１図に示す通
りである。なお、図中の斜線部分が電子ビームの
あたつた部分を表わす。
炭窒化チタン単結晶ロツドから切り出した、例え
ば0.2×0.2×３mmの直方体の先端を電解研磨法に
より約0.1μmの先端径とし、このエミツターを超
高真空下で1500℃フラツシユ加熱し、TiCN＜
110＞エミツターの表面を清浄したものを使用す
る。そのエミツシヨンパターンは第１図に示す通
りである。なお、図中の斜線部分が電子ビームの
あたつた部分を表わす。
このような清浄表面を持つたTiCN＜110＞チ
ツプをH2Ｓガス中で、例えば10-6Torrの下で900
〜1400℃で加熱する。加熱時間は2L（ラングミユ
アー）、（Ｌ＝10-6Torr×1sec）以上になるよう
に選ぶ。加熱温度が900℃未満及び1400℃を超え
ると、エミツシヨンパターンは清浄表面からのエ
ミツシヨンパターンと同じであり、電子放射特性
も改善されない。従つて、加熱温度は900〜1400
℃であることが必要である。
ツプをH2Ｓガス中で、例えば10-6Torrの下で900
〜1400℃で加熱する。加熱時間は2L（ラングミユ
アー）、（Ｌ＝10-6Torr×1sec）以上になるよう
に選ぶ。加熱温度が900℃未満及び1400℃を超え
ると、エミツシヨンパターンは清浄表面からのエ
ミツシヨンパターンと同じであり、電子放射特性
も改善されない。従つて、加熱温度は900〜1400
℃であることが必要である。
このように処理した後、超高真空下で、全電流
を約10μAにし、30分以上電子ビームを放射（強
電界を印加）すると、エミツシヨンパターンは第
２図に変化する。なお、点線部分は表面処理前の
清浄表面からのエミツシヨンパターンを示す。
を約10μAにし、30分以上電子ビームを放射（強
電界を印加）すると、エミツシヨンパターンは第
２図に変化する。なお、点線部分は表面処理前の
清浄表面からのエミツシヨンパターンを示す。
このように本発明において、特定の条件でエミ
ツター表面に硫化物を形成し、次いで強電界を印
加することとした理由並びに作用は以下のとおり
である。
ツター表面に硫化物を形成し、次いで強電界を印
加することとした理由並びに作用は以下のとおり
である。
(1) エミツター表面での硫化物の形成
清浄表面を持つTiCNチツプをH2ＳなどのＳを
含むガス中で、900〜1400℃の温度範囲で加熱す
ることにより、チツプ表面に硫化物TiCNSを形
成する。この表面硫化物層は、続く工程である
107Ｖ／cmオーダーの強電界の印加により、一部
がチツプ先端に移動し、清浄表面でのチツプ先端
の曲率半径より1/2〜1/3だけ小さい曲率半径を持
つて、チツプ中央部の最先端を作るに至る。つま
り、強電界の印加により表面硫化物層の一部をチ
ツプ先端に移動させるのである。加熱温度が900
℃未満ではチツプ表面に充分に硫化物を形成する
ことができず、また1400℃を超えると形成される
硫化物が厚くなりすぎて、強電界の印加によつて
もチツプ先端への硫化物の移動が生じにくくなる
ので好ましくない。
含むガス中で、900〜1400℃の温度範囲で加熱す
ることにより、チツプ表面に硫化物TiCNSを形
成する。この表面硫化物層は、続く工程である
107Ｖ／cmオーダーの強電界の印加により、一部
がチツプ先端に移動し、清浄表面でのチツプ先端
の曲率半径より1/2〜1/3だけ小さい曲率半径を持
つて、チツプ中央部の最先端を作るに至る。つま
り、強電界の印加により表面硫化物層の一部をチ
ツプ先端に移動させるのである。加熱温度が900
℃未満ではチツプ表面に充分に硫化物を形成する
ことができず、また1400℃を超えると形成される
硫化物が厚くなりすぎて、強電界の印加によつて
もチツプ先端への硫化物の移動が生じにくくなる
ので好ましくない。
TiCNの表面では、陰イオンサイト（炭素、窒
素原子が入るべき位置）に多数の原子空孔（原子
の孔）が存在することがわかつている。このよう
な表面では、表面原子は動き易くなつており、ま
た周囲の残留ガスもこの原子空孔に吸着され易
い。前者は短時間電流ノイズの原因となり、後者
はガス吸着による仕事関数の増加により、長時間
ノイズ（ドリフト）を発生する。このような電流
ノイズは、チツプ表面に硫化物層膜を形成するこ
とにより解消する。何故ならば、この硫黄原子の
入つたTiCNSには原子空孔は殆ど存在しないし、
また硫化物層表面は化学的に極めて不活性である
からである。
素原子が入るべき位置）に多数の原子空孔（原子
の孔）が存在することがわかつている。このよう
な表面では、表面原子は動き易くなつており、ま
た周囲の残留ガスもこの原子空孔に吸着され易
い。前者は短時間電流ノイズの原因となり、後者
はガス吸着による仕事関数の増加により、長時間
ノイズ（ドリフト）を発生する。このような電流
ノイズは、チツプ表面に硫化物層膜を形成するこ
とにより解消する。何故ならば、この硫黄原子の
入つたTiCNSには原子空孔は殆ど存在しないし、
また硫化物層表面は化学的に極めて不活性である
からである。
したがつて、チツプ表面に硫化物層を形成する
ことにより、安定な放射電流が得られる。
ことにより、安定な放射電流が得られる。
(2) 強電界の印加
チツプ表面に硫化物層を形成した後、超高真空
下での107Ｖ／cmオーダーの強電界の印加により、
硫化物層の一部をチツプ先端に移動し、チツプ中
央部の最先端を作る。このような形状を持つチツ
プは、チツプ最先端部に最も大きい電界がかかる
ため、この部分からの電子放射が主となり、チツ
プ長軸方向に平行な電子が放射される。第２図は
この時のエミツシヨンパターンである。
下での107Ｖ／cmオーダーの強電界の印加により、
硫化物層の一部をチツプ先端に移動し、チツプ中
央部の最先端を作る。このような形状を持つチツ
プは、チツプ最先端部に最も大きい電界がかかる
ため、この部分からの電子放射が主となり、チツ
プ長軸方向に平行な電子が放射される。第２図は
この時のエミツシヨンパターンである。
したがつて、強電界の印加により、チツプ先端
の曲率半径を小さくし、エミツシヨンパターンを
第１図のものから第２図のものに変化させること
ができる。
の曲率半径を小さくし、エミツシヨンパターンを
第１図のものから第２図のものに変化させること
ができる。
強電界の強さを107Ｖ／cm以上としたのは、前
述の硫化物層の移動には107Ｖ／cmオーダー以上
の強電界の印加が必要なためである。これよりも
弱い電界の印加では硫化物層のチツプ先端への移
動は生じない。
述の硫化物層の移動には107Ｖ／cmオーダー以上
の強電界の印加が必要なためである。これよりも
弱い電界の印加では硫化物層のチツプ先端への移
動は生じない。
また、次のような効果も得られる。すなわち、
フイールドエミツターのチツプ先端の曲率半径
は、通常0.1μmになるように形成するが、これは
チツプ（陰極）先端と陽極の距離を１cmとする
と、この電極間に電圧1000〜2000Vを印加して１
〜10μAの電流を取り出すことに対応する。この
時のチツプにかかつた電界は107Ｖ／cmオーダー
になる。言い替えると、チツプ先端の曲率半径に
よらず107Ｖ／cmオーダーの電界の印加により１
〜10μAの電流を取り出すことができる。しかも、
チツプ最先端が硫化物層膜で作られているので、
電流を安定して取り出すことができる。
フイールドエミツターのチツプ先端の曲率半径
は、通常0.1μmになるように形成するが、これは
チツプ（陰極）先端と陽極の距離を１cmとする
と、この電極間に電圧1000〜2000Vを印加して１
〜10μAの電流を取り出すことに対応する。この
時のチツプにかかつた電界は107Ｖ／cmオーダー
になる。言い替えると、チツプ先端の曲率半径に
よらず107Ｖ／cmオーダーの電界の印加により１
〜10μAの電流を取り出すことができる。しかも、
チツプ最先端が硫化物層膜で作られているので、
電流を安定して取り出すことができる。
このような処理を施したTiCNフイールドエミ
ツターは、電流雑音が±0.2％以下で、ドリフト
は±0.2％／hr以下の優れた特性を示し、第３図
ａの通りとなる。
ツターは、電流雑音が±0.2％以下で、ドリフト
は±0.2％／hr以下の優れた特性を示し、第３図
ａの通りとなる。
前期のH2Ｓ処理とO2処理及び又はC2H4ガスに
よる処理を組合せてガス処理を施してもよい。
よる処理を組合せてガス処理を施してもよい。
これらを例示すると次の通りである。
１ 前記のH2Ｓ処理後、さらにO2中で900〜1400
℃で加熱する。その時の加熱時間は5L以上に
なるように選ぶ。また逆にO2処理を先に施し
た後、H2Ｓガス処理を行つても、また、同時
に施してもよい。同時に行う場合はO2ガスの
導入量をO2：5L以上、H2Ｓ：2L以上と調整し
て行う。
℃で加熱する。その時の加熱時間は5L以上に
なるように選ぶ。また逆にO2処理を先に施し
た後、H2Ｓガス処理を行つても、また、同時
に施してもよい。同時に行う場合はO2ガスの
導入量をO2：5L以上、H2Ｓ：2L以上と調整し
て行う。
２ 前記１におけるO2処理に代え、C2H4ガスに
よる処理（ガス導入量50L以上）を同様に行う
ことができる。
よる処理（ガス導入量50L以上）を同様に行う
ことができる。
３ H2Ｓ処理、O2処理及びC2H4処理を同時また
は別個に施してもよい。
は別個に施してもよい。
なお、前記１，２，３の方法を行う場合は、炭
窒化チタン単結晶の方位に関係なく、優れた安定
性を示すフイールドエミツターを製造することが
できる。これらの方法の場合、O2処理によりチ
ツプ表面に酸化物TiCNOが形成され、炭化水素
ガス中での加熱によりチツプ表面に炭素膜が形成
されるが、その後の強電界の印加により、これら
の表面物質層膜がチツプ先端に移動される。これ
らの表面物質層膜には、硫化物と同様、原子空孔
は殆ど存在しない。表面物質層膜の形成並びに強
電界の印加による作用は、前述の硫化物の場合と
同様である。
窒化チタン単結晶の方位に関係なく、優れた安定
性を示すフイールドエミツターを製造することが
できる。これらの方法の場合、O2処理によりチ
ツプ表面に酸化物TiCNOが形成され、炭化水素
ガス中での加熱によりチツプ表面に炭素膜が形成
されるが、その後の強電界の印加により、これら
の表面物質層膜がチツプ先端に移動される。これ
らの表面物質層膜には、硫化物と同様、原子空孔
は殆ど存在しない。表面物質層膜の形成並びに強
電界の印加による作用は、前述の硫化物の場合と
同様である。
実施例 １
先端径0.1μmのTiC0.95N0.01＜110＞フイールド
エミツターを、超高真空下にセツトし、1500℃に
フラツシユ加熱して清浄表面を得た。この系に
H2Ｓガスを導入し、１×10-6Torrの真空度にし
た後、1100℃で10秒間加熱した。（10Lの露出
量）、その後超高真空下で全電流約10μAを30分間
放射（107Ｖ／cm以上の強電界の印加）して、エ
ミツシヨンパターンを第１図より第２図のパター
ンに変化させた。得られたフイールドエミツター
の電流雑音は真空度５×10-12Torrの下で±0.2％
以下、ドリフトは±0.2％／hr以下、その電子放
射特性は第３図ａに示す通りであつた。
エミツターを、超高真空下にセツトし、1500℃に
フラツシユ加熱して清浄表面を得た。この系に
H2Ｓガスを導入し、１×10-6Torrの真空度にし
た後、1100℃で10秒間加熱した。（10Lの露出
量）、その後超高真空下で全電流約10μAを30分間
放射（107Ｖ／cm以上の強電界の印加）して、エ
ミツシヨンパターンを第１図より第２図のパター
ンに変化させた。得られたフイールドエミツター
の電流雑音は真空度５×10-12Torrの下で±0.2％
以下、ドリフトは±0.2％／hr以下、その電子放
射特性は第３図ａに示す通りであつた。
実施例 ２
実施例１の方法でTiC0.95N0.01＜110＞フイール
ドエミツターチツプを、H2Ｓで表面処理した後、
この系にC2H4ガスを導入し、１×10-6Torrの真
空度にした後、1100℃で100秒間加熱した。
（100Lの露出量）。
ドエミツターチツプを、H2Ｓで表面処理した後、
この系にC2H4ガスを導入し、１×10-6Torrの真
空度にした後、1100℃で100秒間加熱した。
（100Lの露出量）。
その後、実施例１におけると同様に超高真空下
で107Ｖ／cm以上の強電界を印加してエミツシヨ
ンパターンを第１図から第２図に変化させた。
で107Ｖ／cm以上の強電界を印加してエミツシヨ
ンパターンを第１図から第２図に変化させた。
得られたフイールドエミツターの電流雑音は真
空度５×10-12Torrのもとで±0.2％以下、ドリフ
トは±0.2％／hr以下であり、その特性は第３図
ｂに示す通りであつた。
空度５×10-12Torrのもとで±0.2％以下、ドリフ
トは±0.2％／hr以下であり、その特性は第３図
ｂに示す通りであつた。
実施例 ３
実施例２におけるC2H4に代えてO2を使用し、
1100℃で20秒間加熱した。（20Lの露出量）。以下
実施例２と同様にしてフイールドエミツターを得
た。得られたフイールドエミツターは実施例２と
同様なものであつた。
1100℃で20秒間加熱した。（20Lの露出量）。以下
実施例２と同様にしてフイールドエミツターを得
た。得られたフイールドエミツターは実施例２と
同様なものであつた。
実施例 ４
実施例２と同様にしてC2H4処理した後、再度
超高真空に排気した後、O2を導入し、１×10-6
Torrの真空度にした後、1100℃で20秒間加熱し
た。（20Lの露出量）。以下実施例２と同様にして
フイールドエミツターを製造した。得られたフイ
ールドエミツターの特性は実施例２と同様のもの
であつた。
超高真空に排気した後、O2を導入し、１×10-6
Torrの真空度にした後、1100℃で20秒間加熱し
た。（20Lの露出量）。以下実施例２と同様にして
フイールドエミツターを製造した。得られたフイ
ールドエミツターの特性は実施例２と同様のもの
であつた。
発明の効果
本発明の方法によると、炭窒化チタン単結晶か
ら、優れた安定性を示すフイールドエミツターが
容易に製造することができる。
ら、優れた安定性を示すフイールドエミツターが
容易に製造することができる。
第１図はTiC0.95N0.01＜110＞フイールドエミツ
ターの1500℃フラツシユ加熱後の清浄表面からの
エミツシヨンパターン、第２図は本発明の方法の
処理を施した後のフイールドエミツターからのエ
ミツシヨンパターン、第３図は本発明の方法で製
造したフイールドエミツターの全電流と時間の関
係図で、第３図ａはH2Ｓガスのみにより表面処
理した場合、第３図ｂはH2Ｓ処理後、さらにC2
H4ガス処理を施した場合を示す。
ターの1500℃フラツシユ加熱後の清浄表面からの
エミツシヨンパターン、第２図は本発明の方法の
処理を施した後のフイールドエミツターからのエ
ミツシヨンパターン、第３図は本発明の方法で製
造したフイールドエミツターの全電流と時間の関
係図で、第３図ａはH2Ｓガスのみにより表面処
理した場合、第３図ｂはH2Ｓ処理後、さらにC2
H4ガス処理を施した場合を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炭窒化チタン単結晶エミツター表面を、900
〜1400℃の下で、H2ＳまたはＳを含んだガスに
よる表面処理を施した後、超高真空下で、107
Ｖ／cm以上の強電界を印加することを特徴とする
チタン化合物フイールドエミツターの製造方法。 ２ 炭窒化チタン単結晶エミツター表面を、900
〜1400℃の下で、H2ＳまたはＳを含んだガスに
よる表面処理とO2による表面処理とを別個にま
たは同時に施した後、超高真空下で、107Ｖ／cm
以上の強電界を印加することを特徴とするチタン
化合物フイールドエミツターの製造方法。 ３ 炭窒化チタン単結晶エミツター表面を、900
〜1400℃の下で、H2ＳまたはＳを含んだガスに
よる表面処理とC2H4またはその他の炭化水素ガ
スによる表面処理とを別個にまたは同時に施した
後、超高真空下で107Ｖ／cm以上の強電界を印加
することを特徴とするチタン化合物フイールドエ
ミツターの製造方法。 ４ 炭窒化チタン単結晶エミツター表面を、900
〜1400℃の下で、H2ＳまたはＳを含んだガスに
よる表面処理、O2による表面処理及びC2H4また
はその他の炭化水素ガスによる表面処理を別個に
または同時に施した後、超高真空下で、107Ｖ／
cm以上の強電界を印加することを特徴とするチタ
ン化合物フイールドエミツターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219835A JPS6280938A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | チタン化合物フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219835A JPS6280938A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | チタン化合物フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280938A JPS6280938A (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0577134B2 true JPH0577134B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=16741794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219835A Granted JPS6280938A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | チタン化合物フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280938A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279535A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
| CN106549157A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-03-29 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 空心球形类石墨相c3n4和单质硫复合材料及其制法和应用 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219835A patent/JPS6280938A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6280938A (ja) | 1987-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |