JPS6350049A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6350049A JPS6350049A JP61194263A JP19426386A JPS6350049A JP S6350049 A JPS6350049 A JP S6350049A JP 61194263 A JP61194263 A JP 61194263A JP 19426386 A JP19426386 A JP 19426386A JP S6350049 A JPS6350049 A JP S6350049A
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- semiconductor element
- resin
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- bonding
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、さらに詳し
くは、半導体素子、その載置部材および封止樹脂相互の
反り防止手段を講じた樹脂封止型半導体装置の改良構造
に係るものである。
くは、半導体素子、その載置部材および封止樹脂相互の
反り防止手段を講じた樹脂封止型半導体装置の改良構造
に係るものである。
従来例によるこの種の樹脂封止型半導体装置の概要構成
断面を第３図および第４図（ａ）、（ｂ）に示す。
断面を第３図および第４図（ａ）、（ｂ）に示す。
すなわち、まず第３図において、符号１は半導体素子、
２は同半導体素子１を封止する封止樹脂であり、また、
３は封１Ｆ樹脂内から外部に取出されたそれぞれの導電
部材、４は前記半導体素子１の各端子と各導電部材３と
を電気的に接続する内部リード線、５は前記半導体素子
１を接合材６によって、接合、載置している載置部材で
ある。そしてこ−では、前記各導電部材３および載置部
材５の材料には、通常の場合、銅系合金が用いられる。
２は同半導体素子１を封止する封止樹脂であり、また、
３は封１Ｆ樹脂内から外部に取出されたそれぞれの導電
部材、４は前記半導体素子１の各端子と各導電部材３と
を電気的に接続する内部リード線、５は前記半導体素子
１を接合材６によって、接合、載置している載置部材で
ある。そしてこ−では、前記各導電部材３および載置部
材５の材料には、通常の場合、銅系合金が用いられる。
また、第４図（ａ） 、 （ｂ）は、前記従来例装置で
の半導体素子１と接合材６を介した載置部材５との接合
関係を示す平面図、縦断面図であって、半導体素子ｌは
、その下面中央部を自身の大きさよりも十分に小さな面
積範囲内で、単一な平板形状をした載置部材５上に、接
合材６を用いて適宜に接合させたものである。
の半導体素子１と接合材６を介した載置部材５との接合
関係を示す平面図、縦断面図であって、半導体素子ｌは
、その下面中央部を自身の大きさよりも十分に小さな面
積範囲内で、単一な平板形状をした載置部材５上に、接
合材６を用いて適宜に接合させたものである。
しかしながら、前記のように構成された従来例による樹
脂封止型半導体装置においては、半導体素子１が大型化
した場合、その載置部材５に対する接合、載置態様のた
めに、安定した接合面積を得ることがはなはだ困難であ
って、接合面積が小さければ、折角、載置させた半導体
素子１が、樹脂封止以前に載置部材５上から脱落する惧
れがあり、また、これとは反対に、接合面積が大きけれ
ば、半導体素子１での基材シリコンの熱膨張係数（Ｓｉ
；約３．５Ｘ １０−６１／’Ｃりと、載置部材５の
熱膨張係数（銅系合金；約１．７Ｘ １０−６１／’Ｃ
りとが、相互に大きく異なるために、接合後の温度変化
で、第５図に見られるように、反りを生じて半導体素子
ｌの破壊を招くことがある。
脂封止型半導体装置においては、半導体素子１が大型化
した場合、その載置部材５に対する接合、載置態様のた
めに、安定した接合面積を得ることがはなはだ困難であ
って、接合面積が小さければ、折角、載置させた半導体
素子１が、樹脂封止以前に載置部材５上から脱落する惧
れがあり、また、これとは反対に、接合面積が大きけれ
ば、半導体素子１での基材シリコンの熱膨張係数（Ｓｉ
；約３．５Ｘ １０−６１／’Ｃりと、載置部材５の
熱膨張係数（銅系合金；約１．７Ｘ １０−６１／’Ｃ
りとが、相互に大きく異なるために、接合後の温度変化
で、第５図に見られるように、反りを生じて半導体素子
ｌの破壊を招くことがある。
また一方、封止樹脂２についても、熱膨張係数（例えば
、エポキシ樹脂：約２〜５×１０−５１／°Ｃ）が半導
体素子１とは大きく異なって、載置部材５に近く、たと
え樹脂」」止具前に半導体素子１に反りを生じていなく
ても、通常の場合、封止樹脂２と半導体素子１間の密着
力に比較して、載置部材５と封止樹脂２間の密着力が弱
いために、先の第３図従来例構成に見られるように、た
とえ素子」−下部分の樹脂厚を相Ｗに等しくさせてあっ
たとしても（同図中、 ｔ１＝ ｔ３） 、半導体素子
１と」］止樹脂２とは、封止後の温度変化に伴なって、
同様に反りを生ずることになる。なお、ｔ２は半導体素
子１の厚さである。
、エポキシ樹脂：約２〜５×１０−５１／°Ｃ）が半導
体素子１とは大きく異なって、載置部材５に近く、たと
え樹脂」」止具前に半導体素子１に反りを生じていなく
ても、通常の場合、封止樹脂２と半導体素子１間の密着
力に比較して、載置部材５と封止樹脂２間の密着力が弱
いために、先の第３図従来例構成に見られるように、た
とえ素子」−下部分の樹脂厚を相Ｗに等しくさせてあっ
たとしても（同図中、 ｔ１＝ ｔ３） 、半導体素子
１と」］止樹脂２とは、封止後の温度変化に伴なって、
同様に反りを生ずることになる。なお、ｔ２は半導体素
子１の厚さである。
そこで、第６図に示したように、半導体素子１の上下部
分での封１１−樹脂２の厚さを代えることによって（同
図中、 ｔｔ＜ｔ３） 、半導体素子１の反りを一時的
には抑制し得るものと考えられるが、同時に封止樹脂２
の反りをも解消するのは困難である。
分での封１１−樹脂２の厚さを代えることによって（同
図中、 ｔｔ＜ｔ３） 、半導体素子１の反りを一時的
には抑制し得るものと考えられるが、同時に封止樹脂２
の反りをも解消するのは困難である。
すなわち、このように従来例による装置構成の場合には
、特に半導体素子が大型化すると、温度変化に伴なう反
りの発生により、この半導体素子自体、あるいは封止樹
脂が破壊されるに至ると云う問題点があった。
、特に半導体素子が大型化すると、温度変化に伴なう反
りの発生により、この半導体素子自体、あるいは封止樹
脂が破壊されるに至ると云う問題点があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、半導体素子
、その載置部材および封１Ｆ樹脂相互の接合に伴なう反
り、ならびに樹脂封止後の半導体素子と封止樹脂の反り
を、それぞれに併せて抑制し得るようにした。この種の
樹脂封止型半導体装置を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、半導体素子
、その載置部材および封１Ｆ樹脂相互の接合に伴なう反
り、ならびに樹脂封止後の半導体素子と封止樹脂の反り
を、それぞれに併せて抑制し得るようにした。この種の
樹脂封止型半導体装置を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る樹脂側［ト
型半導体装置は、載置部材に対して、半導体素子の下面
中央部を、自身の大きさよりも十分に小さな面積範囲内
で接合させるための、その接合面積および形状に対応し
た面積、形状の接合部を、適宜に連接部を残して残余の
非接合部から分離させると共に、この非接合部には、表
裏を貫通する複数の貫通孔を穿孔させたものである。
型半導体装置は、載置部材に対して、半導体素子の下面
中央部を、自身の大きさよりも十分に小さな面積範囲内
で接合させるための、その接合面積および形状に対応し
た面積、形状の接合部を、適宜に連接部を残して残余の
非接合部から分離させると共に、この非接合部には、表
裏を貫通する複数の貫通孔を穿孔させたものである。
すなわち、この発明においては、半導体素子の下面中央
部を、自身の大きさよりも十分に小さな面積範囲内で接
合させるための、同接合面積、形状に対応した面積、形
状の接合部を、載置部材上に一部連接状態で分離形成さ
せることにより、大型化した半導体素子と載置部材間の
接合面積を一定にでき、また、載置部材の非接合部に複
数の貫通孔を穿孔させ、かつこれらを封止樹脂で一体的
に樹脂封止させることにより、載置部材の接合部を除い
た非接合部と半導体素子間、ならびに各貫通孔内への樹
脂充填をなし得るのである。
部を、自身の大きさよりも十分に小さな面積範囲内で接
合させるための、同接合面積、形状に対応した面積、形
状の接合部を、載置部材上に一部連接状態で分離形成さ
せることにより、大型化した半導体素子と載置部材間の
接合面積を一定にでき、また、載置部材の非接合部に複
数の貫通孔を穿孔させ、かつこれらを封止樹脂で一体的
に樹脂封止させることにより、載置部材の接合部を除い
た非接合部と半導体素子間、ならびに各貫通孔内への樹
脂充填をなし得るのである。
以下、この発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例
につき、第１図および第２図を参照して詳細に説明する
。
につき、第１図および第２図を参照して詳細に説明する
。
第１図はこの実施例を適用した樹脂封止型半導体装着の
概要構成を示す縦断面図、第２図は同上載置部材の平面
図であり、これらの実施例各図において、前記第３図従
来例構成と同一符号は同一または相当部分を示している
。
概要構成を示す縦断面図、第２図は同上載置部材の平面
図であり、これらの実施例各図において、前記第３図従
来例構成と同一符号は同一または相当部分を示している
。
この実施例構成においては、前記載置部材５にあって、
前記半導体素子ｌの下面中央部を、自身の大きさよりも
十分に小さな面積範囲ｌａ内で接合させるための、その
接合面積および形状に対応した面積、形状の接合部５ａ
を、適宜に各連接部５ｃを一部に残して、残余の非接合
部５ｂから分離させると共に、この非接合部５ｂには、
表裏を貫通する複数の貫通孔５ｄを穿孔させたものであ
る。
前記半導体素子ｌの下面中央部を、自身の大きさよりも
十分に小さな面積範囲ｌａ内で接合させるための、その
接合面積および形状に対応した面積、形状の接合部５ａ
を、適宜に各連接部５ｃを一部に残して、残余の非接合
部５ｂから分離させると共に、この非接合部５ｂには、
表裏を貫通する複数の貫通孔５ｄを穿孔させたものであ
る。
しかして、前記のように形成した接合部利５を用い、そ
の接合部５ｄ上に、半導体素子１の下面中央部での所定
の面積範囲１ａを、接合材６により接合、載置させると
きは、半導体素子と載置部材間の接合面積を、例えば、
それぞれの大きさなどに対応して、相対的には常に一定
にできることになり、これによって接合に伴なう半導体
素子の反りを効果的に抑制し得るのである。
の接合部５ｄ上に、半導体素子１の下面中央部での所定
の面積範囲１ａを、接合材６により接合、載置させると
きは、半導体素子と載置部材間の接合面積を、例えば、
それぞれの大きさなどに対応して、相対的には常に一定
にできることになり、これによって接合に伴なう半導体
素子の反りを効果的に抑制し得るのである。
また、前記半導体素子１と載置部材５とを、このように
接合、載置させた状態で、これらの両者を、封止樹脂２
により所定通りに樹脂封止させるときは、載置部材５の
接合部５ａを除いた残余の非接合部５ｂと半導体素子１
間、ならびに各貫通孔５ｄ内に十分な樹脂充填をなし得
ることになり、特にそれぞれの貫通孔５ｄ部分では、封
止樹脂２の絡み付きによって、強固な結合がなされるも
ので、このため機械的に載置部材５の各部と封止樹脂２
との密着力を十分に増加でき、同様に反りに対する抑制
効果を十分に発揮し得るのである。
接合、載置させた状態で、これらの両者を、封止樹脂２
により所定通りに樹脂封止させるときは、載置部材５の
接合部５ａを除いた残余の非接合部５ｂと半導体素子１
間、ならびに各貫通孔５ｄ内に十分な樹脂充填をなし得
ることになり、特にそれぞれの貫通孔５ｄ部分では、封
止樹脂２の絡み付きによって、強固な結合がなされるも
ので、このため機械的に載置部材５の各部と封止樹脂２
との密着力を十分に増加でき、同様に反りに対する抑制
効果を十分に発揮し得るのである。
そしてまた、一般に前記載置部材５が銅系合金材料であ
って、封止樹脂２との熱膨張係数が近似していることか
ら、前記半導体素子１での上下部分のｖＡ脂厚がはぐ等
しく（第１図中、ｔｔ＝ｔ３）なるようにするときは、
同各部での熱膨張を均衡させ得て、樹脂封止後における
これらの半導体素子１と封止樹脂２との相互の反りをも
抑制できることになる。
って、封止樹脂２との熱膨張係数が近似していることか
ら、前記半導体素子１での上下部分のｖＡ脂厚がはぐ等
しく（第１図中、ｔｔ＝ｔ３）なるようにするときは、
同各部での熱膨張を均衡させ得て、樹脂封止後における
これらの半導体素子１と封止樹脂２との相互の反りをも
抑制できることになる。
すなわち、このようにして、この実施例構成の場合には
、実質的に半導体素子１．その載置部材５および」４止
樹脂２の各相互間での反りを、良好かつ効果的に防止で
きるのである。
、実質的に半導体素子１．その載置部材５および」４止
樹脂２の各相互間での反りを、良好かつ効果的に防止で
きるのである。
以上詳述したように、この発明によれば、半導体素子の
下面中央部を、載置部材−Ｌに接合材により接合、載置
させ、これらの半導体素子、および載置部材のそれぞれ
を樹脂封止して構成する樹脂封＋Ｉ−，型半導体装置に
おいて、半導体素子の下面中央部を、自身の大きさより
も十分に小さな面積範囲内で接合させるための、同接合
面積、形状に対応した面積、形状の接合部を、載置部材
上に一部連接状態で分離形成させるようにしたので、半
導体素子と載置部材間の接合面積を、相対的に常に一定
にできて、接合に伴なう半導体素子の反りを効果的に抑
制させることができる。
下面中央部を、載置部材−Ｌに接合材により接合、載置
させ、これらの半導体素子、および載置部材のそれぞれ
を樹脂封止して構成する樹脂封＋Ｉ−，型半導体装置に
おいて、半導体素子の下面中央部を、自身の大きさより
も十分に小さな面積範囲内で接合させるための、同接合
面積、形状に対応した面積、形状の接合部を、載置部材
上に一部連接状態で分離形成させるようにしたので、半
導体素子と載置部材間の接合面積を、相対的に常に一定
にできて、接合に伴なう半導体素子の反りを効果的に抑
制させることができる。
また、載置部材の非接合部には、複数の貫通孔を穿孔さ
せた〜めに、これらの各貫通孔の存在により、樹脂封止
時での溶融樹脂の流れが円滑化され、その結果、載置部
材の接合部を除いた非接合部と半導体素子間の隙間、そ
れに各貫通孔内への樹脂充填が完全かつ確実になされて
、密着力の向上を図り得ると共に、特にそれぞれの貫通
孔部分では、封止樹脂の絡み付きにより、強固な結合が
なされて、各部材相互の一体化、ひいては反り防止を容
易に達成でき、しかも構造的にも極めて簡単で、容易か
つ安価に実施し得るなどの優れた特長を有するものであ
る。
せた〜めに、これらの各貫通孔の存在により、樹脂封止
時での溶融樹脂の流れが円滑化され、その結果、載置部
材の接合部を除いた非接合部と半導体素子間の隙間、そ
れに各貫通孔内への樹脂充填が完全かつ確実になされて
、密着力の向上を図り得ると共に、特にそれぞれの貫通
孔部分では、封止樹脂の絡み付きにより、強固な結合が
なされて、各部材相互の一体化、ひいては反り防止を容
易に達成でき、しかも構造的にも極めて簡単で、容易か
つ安価に実施し得るなどの優れた特長を有するものであ
る。
第１図はこの発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施
例による概要構成を示す縦断面図、第２図は同上載置部
材の平面図であり、また第３図は従来例による同上半導
体装置の概要構成を示す縦断面図、第４図（ａ） 、
（ｂ）は同上半導体素子と載置部材との接合関係を示す
平面図、縦断面図、第５図および第６図は同上従来例で
の反りの状態およびその対応構造をそれぞれに示す断面
説明図である。 １・・・・半導体素子、１ａ・・・・接合面積範囲、２
・・・・封止樹脂、３・・・・導電部材、４・・・・内
部リード線、５・・・・載置部材、５ａ・・・・接合部
、５ｂ・・・・非接合部、５ｃ・・・・連接部、５ｄ・
・・・貫通孔、６・・・・接合材。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図
例による概要構成を示す縦断面図、第２図は同上載置部
材の平面図であり、また第３図は従来例による同上半導
体装置の概要構成を示す縦断面図、第４図（ａ） 、
（ｂ）は同上半導体素子と載置部材との接合関係を示す
平面図、縦断面図、第５図および第６図は同上従来例で
の反りの状態およびその対応構造をそれぞれに示す断面
説明図である。 １・・・・半導体素子、１ａ・・・・接合面積範囲、２
・・・・封止樹脂、３・・・・導電部材、４・・・・内
部リード線、５・・・・載置部材、５ａ・・・・接合部
、５ｂ・・・・非接合部、５ｃ・・・・連接部、５ｄ・
・・・貫通孔、６・・・・接合材。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）少なくとも半導体素子の下面中央部を、載置部材
上に接合材により接合、載置させ、これらの半導体素子
、および載置部材のそれぞれを樹脂封止して構成する樹
脂封止型半導体装置において、前記載置部材に対して、
前記半導体素子の下面中央部を、自身の大きさよりも小
さな面積範囲内で接合させるための、その接合面積、形
状に対応した面積、形状の接合部を、適宜に連接部を残
して残余の非接合部から分離させると共に、この非接合
部には、表裏を貫通する複数の貫通孔を穿孔させたこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194263A JPS6350049A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US07/085,769 US4884124A (en) | 1986-08-19 | 1987-08-17 | Resin-encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194263A JPS6350049A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350049A true JPS6350049A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0579173B2 JPH0579173B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=16321718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194263A Granted JPS6350049A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19639181A1 (de) * | 1996-09-24 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Zuleitungsrahmen für ein mikroelektronisches Bauelement |
| US6265770B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-07-24 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure of semiconductor chip, liquid crystal device, and electronic equipment |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295173A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Hitachi Ltd | Lead frame |
| JPS554983A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS56161356U (ja) * | 1980-04-28 | 1981-12-01 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194263A patent/JPS6350049A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295173A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Hitachi Ltd | Lead frame |
| JPS554983A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
| JPS56161356U (ja) * | 1980-04-28 | 1981-12-01 |
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|---|---|---|---|---|
| DE19639181A1 (de) * | 1996-09-24 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Zuleitungsrahmen für ein mikroelektronisches Bauelement |
| US6265770B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-07-24 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure of semiconductor chip, liquid crystal device, and electronic equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0579173B2 (ja) | 1993-11-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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